JPH04180567A - 半導体製造装置の材料ガス供給システム - Google Patents
半導体製造装置の材料ガス供給システムInfo
- Publication number
- JPH04180567A JPH04180567A JP30970290A JP30970290A JPH04180567A JP H04180567 A JPH04180567 A JP H04180567A JP 30970290 A JP30970290 A JP 30970290A JP 30970290 A JP30970290 A JP 30970290A JP H04180567 A JPH04180567 A JP H04180567A
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- JP
- Japan
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- gaseous material
- cylinder
- piping
- stop valve
- material gas
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- Pending
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置の材料ガス供給システムに関す
る。
る。
従来この種の材料ガス供給システムは第3図に示すよう
に材料ガスボンベ1より材料ガス配管2を通して、半導
体製造装置本体4へ材料ガスを供給する構成となってい
た。
に材料ガスボンベ1より材料ガス配管2を通して、半導
体製造装置本体4へ材料ガスを供給する構成となってい
た。
上述した従来の半導体製造装置の材料ガス供給システム
は、材料ガスボンベより直接材料ガス配管を通して半導
体製造装置本体へ供給する構成となっているので、ボン
ベ交換時混入する大気中の水分、不純物を除去するため
に長時間交流しをしなければならず、また完全に不純物
を除去できないという欠点がある。
は、材料ガスボンベより直接材料ガス配管を通して半導
体製造装置本体へ供給する構成となっているので、ボン
ベ交換時混入する大気中の水分、不純物を除去するため
に長時間交流しをしなければならず、また完全に不純物
を除去できないという欠点がある。
本発明は、材料ガス供給システムを有する半導体製造装
置において、前記材料ガス供給システムの材料ガス配管
に真空排気系が取付けられているというものである。
置において、前記材料ガス供給システムの材料ガス配管
に真空排気系が取付けられているというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の配管図である。
材料ガスボンベ1に接続される材料ガス供給配管2は途
中2方向へ分岐し、一方は第1ストップバルブ3を介し
て半導体製造装置本体4へ接続し、他方は真空排気配管
5を介し第2ストツプバルブ6、逆止弁76、真空ポン
プ8、排出管9の順で構成される真空排気システム11
へ接続される。
中2方向へ分岐し、一方は第1ストップバルブ3を介し
て半導体製造装置本体4へ接続し、他方は真空排気配管
5を介し第2ストツプバルブ6、逆止弁76、真空ポン
プ8、排出管9の順で構成される真空排気システム11
へ接続される。
ボンベ交換はまず、第1ストツプバルブ3を閉め、次に
材料ガスボンベ1を交換する。交換時、混入した不純物
は第2ストツプバルブ6を開けることにより真空排気配
管5を通して排気され、その後第2ストツプバルブ6を
閉め、ボンベの元バルブを開ける事により材料ガス配管
内を高純度の材料ガスに短時間で置換できる。さらに純
度を上げたい場合は数回、真空引き一ガス置換を繰り返
す。最後に第1ストツプバルブを開は装置へ材料ガスを
供給する。
材料ガスボンベ1を交換する。交換時、混入した不純物
は第2ストツプバルブ6を開けることにより真空排気配
管5を通して排気され、その後第2ストツプバルブ6を
閉め、ボンベの元バルブを開ける事により材料ガス配管
内を高純度の材料ガスに短時間で置換できる。さらに純
度を上げたい場合は数回、真空引き一ガス置換を繰り返
す。最後に第1ストツプバルブを開は装置へ材料ガスを
供給する。
第2図は本発明の第2の実施例の配管図である。
この実施例では真空ポンプ上流側にオイルミスト・トラ
ップ10を有し、真空に引いた時ポンプよりわずかに発
生するオイルミストを除去できる利点かある。
ップ10を有し、真空に引いた時ポンプよりわずかに発
生するオイルミストを除去できる利点かある。
以上説明したように本発明は材料ガス供給配管に真空排
気系を付加することにより材料ガスボンベ交換時混入す
る大気中の水分、不純物を材料ガス配管内を真空引きす
る事により、短時間で完全に除去できるため、半導体製
造装置の稼働率及び製品(半導体装置)の歩留りを向上
できる効果がある。
気系を付加することにより材料ガスボンベ交換時混入す
る大気中の水分、不純物を材料ガス配管内を真空引きす
る事により、短時間で完全に除去できるため、半導体製
造装置の稼働率及び製品(半導体装置)の歩留りを向上
できる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の配管図、第2図は本発
明の第2の実施例の配管図、第3図は従来例の配管図で
ある。 1・・・材料ガスボンベ、2・・・材料ガス供給配管、
3・・・第1ストツプバルブ、4・・・半導体製造装置
、5・・・真空排気配管、6・・・第2ストツプバルブ
、7・・・逆止弁、8・・・真空ポンプ、9・・・排気
管、10・・・オイルミスト・トラップ、11・・・真
空排気系。
明の第2の実施例の配管図、第3図は従来例の配管図で
ある。 1・・・材料ガスボンベ、2・・・材料ガス供給配管、
3・・・第1ストツプバルブ、4・・・半導体製造装置
、5・・・真空排気配管、6・・・第2ストツプバルブ
、7・・・逆止弁、8・・・真空ポンプ、9・・・排気
管、10・・・オイルミスト・トラップ、11・・・真
空排気系。
Claims (1)
- 材料ガス供給システムを有する半導体製造装置におい
て、前記材料ガス供給システムの材料ガス配管に真空排
気系が取付けられている事を特徴とする半導体製造装置
の材料ガス供給システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30970290A JPH04180567A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30970290A JPH04180567A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04180567A true JPH04180567A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17996258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30970290A Pending JPH04180567A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04180567A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06154579A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-03 | Japan Atom Energy Res Inst | 原料容器 |
CN106352626A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-01-25 | 马鞍山汉德绿色建筑环境科技有限公司 | 一种气体置换法空调抽真空装置及抽真空方法 |
KR20190034089A (ko) * | 2017-09-22 | 2019-04-01 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
WO2023223481A1 (ja) * | 2022-05-18 | 2023-11-23 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびガスの排気方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169138A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
JPS621735B2 (ja) * | 1981-12-04 | 1987-01-14 | Sanyo Electric Co | |
JPS6280269A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-13 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン膜生成装置 |
JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP30970290A patent/JPH04180567A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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