JPH06154579A - 原料容器 - Google Patents

原料容器

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JPH06154579A
JPH06154579A JP31739892A JP31739892A JPH06154579A JP H06154579 A JPH06154579 A JP H06154579A JP 31739892 A JP31739892 A JP 31739892A JP 31739892 A JP31739892 A JP 31739892A JP H06154579 A JPH06154579 A JP H06154579A
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボロン化合物であるデカボラン等の常温で固
体であり、ある温度に加熱すると蒸気圧を発生する材料
を容器内に充填し、これを容器内を排気後に加熱して純
度の良い蒸気圧を安定して使用設備に供給する原料容
器。 【構成】 容器本体、バルブ、フィルターガスケット、
継手及び配管を組合わせ、容器本体内に、常温で固体で
あるボロン化合物であるデカボラン等の固体原料を充填
した状態で真空排気をすることができ、且つ容器本体、
バルブ、フィルターガスケット、継手及び配管を加熱し
た場合において、固体原料が固体から液体、そして一定
の蒸気圧で気化させてプロセスにそのガスを供給する原
料容器。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、原料容器に関するもの
である。さらに、詳しくは、ボロン化合物の一つである
デカボラン等のように常温で固体であり、ある温度に加
熱すると蒸気圧を発生する材料を容器内に充填し、充填
時に混入した空気等の材料以外の排気が行え、加熱して
蒸気圧を発生した場合にプロセス側に不純物を除去して
純度の良い蒸気圧を安定に使用設備に供給できる原料容
器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、原料容器としては、有機金属
材料や引火性ケミカル等の通常液体材料を入れるボトル
等が知られている。ボロン化合物の一つであるデカボラ
ン等のような常温で固体である材料の充填容器として
は、ガラス瓶や石英瓶等が知られている。
【0003】
【発明が解決すべき課題】ボトル等は、液体材料を充填
して周りより加熱するため、飽和蒸気が不安定になる問
題があるとともに、液体材料充填中に混入した不純物が
蒸気圧の純度を低下させる欠点があった。また、ガラス
瓶や石英瓶等に充填された固体材料においては、加熱可
能の容器に再充填する工程や再充填する時に混入した不
純物が蒸気圧の純度を低下させる欠点があった。そのた
め、直接、ボロン化合物の一つであるデカボラン等のよ
うな常温で固体である材料を既存ボトルや瓶類に充填し
て加熱した場合、純度の良い、安定な蒸気圧で使用設備
に供給できる容器類がなかった。
【0004】このため、ボロン化合物の一つであるデカ
ボラン等のような常温で固体である材料をガラス瓶や石
英瓶等から再充填することなく、混入した爽雑物(不純
物)等を除去でき、純度の良い、安定な蒸気圧を発生す
ることのできるボロン化合物の一つであるデカボラン等
のような常温で固体である材料を充填できる容器(ボト
ル)が要望された。特に、核融合装置のその場ボロン化
処理設備の原料ガス供給系においては、たとえば、デカ
ボランを任意温度で加熱して任意の蒸気圧を発生させ
て、供給量を制御して安定に純度のよいガス供給が行え
ることは、核融合装置の真空容器内面処理に大きく影響
することから、デカボラン等のような常温で固体である
材料を専用に充填できる容器が要求された。
【0005】本発明は、以上の事情から、従来のボトル
や瓶等の欠点を改善するとともに容器本体とバルブとフ
ィルターガスケットと継手及び配管を組合わせて、デカ
ボラン等のような常温で固体である材料を充填できる容
器を形成し、容器に入れたデカボラン等のような常温で
固体である材料を加熱することにより、純度のよい、安
定なガス供給ができる原料容器を提供することを目的と
している。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために耐熱性に優れた材料(ステンレス、ニッ
ケル等)により容器本体、バルブ、フィルターガスケッ
ト、ガスケット、継手、プラグ及び配管を組合わせ、使
用設備に加熱して蒸気圧を発生し、純度のよい、安定な
ガス供給ができるとともに恒温槽や電気炉等内に容易に
装着できるような充填容器構造とした。
【0007】デカボラン等のような常温で固体である材
料は、出口側のバルブを閉しておき、プラグを外して、
ロート等により所定量充填し、プラグを閉する。容器本
体とバルブ間に挿入されているフィルターガスケット
は、使用設備にガスを供給する場合、充填時にデカボラ
ン等のような常温で固体である材料と同時に充填された
空気等を真空排気する場合に粒子状やパウダー状のデカ
ボラン等のような常温で固体である材料を排気せずに、
空気等の気体のみが排気できるとともに、デカボラン等
が充填された容器を加熱して蒸気圧を使用設備に供給す
る場合に、デカボラン等のような常温で固体である材料
と同時に充填された爽雑物を除去する役目もしている。
また、バルブは、粒子材料等によりシール部を損傷して
シートリークを発生する場合があるが、容器本体とバル
ブの接続継手内にセットしたフィルターガスケットは、
粒子状やパウダー状のデカボラン等のような常温で固体
である材料の飛動による影響を防止し、デカボラン等の
ような常温で固体である材料を容器に充填して加熱し、
純度のよい、安定なガスを使用設備に供給できるととも
に、使用量に応じた大きさに製作が可能な原料容器を提
供する。
【0008】
【作用】本発明は、原料容器において、たとえば、容器
は、垂直状態にセットされた状態で、デカボラン等のよ
うな常温で固体である材料の蒸気圧によりプロセスへ導
入する場合、材料の微粒子の大きさによりフィルターを
選定して取付け、使用量に応じた大きさの容器に必要量
の固体状デカボランをプラグを外して充填し、充填後は
プラグを閉じ充填時に混入した空気等を排気セット等に
セットして出口バルブを開して排気できる。排気時にお
いて、容器本体と出口バルブの取合部に挿入しているフ
ィルターガスケットによりデカボラン等のような常温で
固体である材料の微粒子(最小で数十ミクロン)が、排
気されない構造になっており、容器内の空気等のみがフ
ィルターガスケットを介して排気できる。
【0009】また、デカボラン等が固体から液体に融解
して容器に下方に蓄積し、液体から気体に蒸発してガス
のみがフィルターを通過してプロセス側に導入できると
ともに、フィルターコンダクタンスにより、容器内の急
激な蒸気圧力の変化を安定な圧力でプロセス側に供給で
きる。
【0010】
【実施例】以下、図面にそって実施例を示し、本発明の
原料容器について、詳しく説明する。
【0011】図1は、本発明の原料容器の構造を示した
ものである。この例において、容器本体1、出口バルブ
2、容器本体と出口バルブの接続ナット3、デカボラン
充填口ナット4、デカボラン充填口プラグ5、容器本体
と出口バルブのシールフィルターガスケット6、デカボ
ラン充填口ナットとプラグのシールガスケット7により
構成され、プロセス側とは、出口バルブと取合ガスケッ
ト8を介して取合うことができる構造になっている。
【0012】ボロン化合物の一つであるデカボラン等の
ような常温で固体である材料を容器に充填する場合、材
料の最小粒子を確認してフィルターサイズを選定して出
口バルブ2と容器本体の間に挿入して接続する。出口バ
ルブを閉する(安全のため、取合い部にキャップをす
る)。プラグ5を外して材料を充填してガスケットを挿
入してプラグを閉することにより充填が完了する。容器
のみで充填時の空気等を排気する場合は、取合い部と排
気セットを接続して出口バルブを開して行い、清浄を確
認して閉する。
【0013】プロセスに導入する場合、排気セットを含
む加熱装置にセットし、出口バルブを開して清浄を確認
後、任意温度に加熱して、所定の蒸気圧を得て、プロセ
ス側に供給する。プロセス側への供給が終了した場合
は、加熱を停止して、出口バルブを閉して加熱装置より
取り外すことができる。
【0014】図2は、デカボランの場合、この発明によ
る原料容器を各供給部と排気部と組合わせたデカボラン
蒸気圧発生部の構成を示したものである。原料容器は、
継ぎ手により、系を排気するガス排気部、材料ガスを供
給するガス供給部(デカボランの場合、デカボランガス
供給部)、系の置換をする窒素ガス供給部及びさらなる
安定ガス供給ができるようにリザーバタンク等により構
成されている。蒸気圧発生部は、このような状態で加熱
装置にセットされる。
【0015】図3は、フィルターガスケットの構造を示
したものである。ガスケット部は、機器間のシールを行
い、フィルター部は爽雑物を除去して材料ガスのみを通
過させる構造になっている。
【0016】図4は、従来使用されていた有機金属材料
や引火性ケミカル等の通常液体材料であるものを入れる
ボトル(バブリングシリンダー)の例を示したものであ
る。ここにおいて、9はパイププラグ、10はダイヤフ
ラムバルブ、11はコネクタ、12はシリンダー本体、
13はコネクタキャップ、14は残量検知用パイプ、1
5は継手コネクタ、16はサイホン、17はバブリング
ガス入口、18は材料ガスを示している。
【0017】液体材料は、コネクタキャップ13より充
填され、バブリングガス入口17よりバブリングガスを
供給して材料ガスを発生させて材料ガスをプロセス側に
供給できるようにするとともに、液体材料の残量が検知
できるような複雑な形状の容器構造になっている。また
容器内は排気できるような構造になっていない。
【0018】図5は、従来使用されていたボロン化合物
の1つであるデカボランを入れるガラス瓶の例を示した
ものである。固体状の材料は所定量充填され、この状態
で運搬等がなされ、必要に応じて他の容器に装着された
り、再充填がなされる。
【0019】ここにおいて、19はキャップ、20はフ
ィルムパッキン、21は瓶(茶色ガラス)、22はネ
ジ、23は材料を示している。
【0020】もちろん、本発明は、以上の例に限定され
るものではなく、固体材料の種類に応じてフィルターの
形状、サイズ等様々な態様が可能であるとともに、出口
バルブの手動/自動等様々な態様が可能である。また、
容器温度モニタ等には、センサーをプラグ側から取付け
る等も可能であるとともに、固体から気体に変化させて
使用する材料等の充填容器として利用できる。
【0021】
【発明の効果】以上、詳しく説明したとおり、本発明の
原料容器は、容易にかつ正確に任意の固体材料(ボロン
化合物の一つであるデカボラン等)を充填して、材料と
いっしょに充填された空気等の不純物を排気することが
可能になるとともに、純度の高い材料ガスをプロセス側
に安定に連続的に供給することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である原料容器の外観構造を
示した図である。
【図2】本発明の一実施例である原料容器にデカボラン
を充填して供給部と排気部とを組合わせた場合の蒸気圧
発生部の構造を示した図である。
【図3】本発明における出口バルブと容器本体の取合い
部に挿入したガスケットとフィルターとの構造を示した
図である。
【図4】従来例の有機金属材料や引火性ケミカル等の通
常液体材料を充填する容器(バブリングシリンダー)の
構造を示した図である。
【図5】従来例のボロン化合物の一つであるデカボラン
等のような常温で固体である材料の充填容器(ガラス
瓶)を示した図である。
【符号の説明】
1 容器本体 2 バルブ 3 ナット 4 ナット 5 プラグ 6 フィルターガスケット 7 ガスケット 8 ガスケット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容器本体、バルブ、フィルターガスケッ
    ト、継手及び配管を組合わせ、容器本体内に、ボロン化
    合物の1つであるデカボラン等の常温で固体である固体
    原料を充填した状態で真空排気をすることができ、且つ
    容器本体、バルブ、フィルターガスケット、継手及び配
    管を加熱した場合において、固定原料を固体から液体、
    そして一定の蒸気圧において気化させてプロセスにその
    ガスを供給する原料容器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452338B1 (en) 1999-12-13 2002-09-17 Semequip, Inc. Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer
JP2003025949A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Takata Corp ガス発生器の製作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01318229A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Toshiba Corp 半導体気相成長装置
JPH0226017A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
JPH04180567A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置の材料ガス供給システム
JP3014166U (ja) * 1995-01-31 1995-08-01 筒中プラスチック工業株式会社 目隠し板の取付構造

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01318229A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Toshiba Corp 半導体気相成長装置
JPH0226017A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
JPH04180567A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置の材料ガス供給システム
JP3014166U (ja) * 1995-01-31 1995-08-01 筒中プラスチック工業株式会社 目隠し板の取付構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452338B1 (en) 1999-12-13 2002-09-17 Semequip, Inc. Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer
JP2003025949A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Takata Corp ガス発生器の製作方法

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