JPS60167399A - 高熱伝導性金属ベ−ス回路基板 - Google Patents
高熱伝導性金属ベ−ス回路基板Info
- Publication number
- JPS60167399A JPS60167399A JP2384884A JP2384884A JPS60167399A JP S60167399 A JPS60167399 A JP S60167399A JP 2384884 A JP2384884 A JP 2384884A JP 2384884 A JP2384884 A JP 2384884A JP S60167399 A JPS60167399 A JP S60167399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- circuit
- conductor layer
- metal base
- circuit board
- Prior art date
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- Pending
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器に利用される熱伝椙性の良好な金属ベ
ースを使用した回路基板に関するものである◇ 従来例の悄成とその問題点 近年電子機器の分野において回路基板上に10゜LSI
、パワートランジスター等の光熱性の部品を宮む多橿多
鼠の部品を、い力)にすれは小型にかつ高活度に実装で
きるかが大きな問題になっている。
ースを使用した回路基板に関するものである◇ 従来例の悄成とその問題点 近年電子機器の分野において回路基板上に10゜LSI
、パワートランジスター等の光熱性の部品を宮む多橿多
鼠の部品を、い力)にすれは小型にかつ高活度に実装で
きるかが大きな問題になっている。
上述した如き回路基板は・:JJM當IgIjS績抜の
ベース材料上に絶龜層およ・ひ導体層即ち回路を成けて
なる0従来、上述した如き発熱性部品を実装するための
プリント配線板の如き回路基板のベース材料としては紙
とフェノール樹脂からなる積層体あるいはガラスとエポ
キシ樹脂からなる積層体などの有機高分子材料を使用し
たベース材料や、アルミナ等のセラミックス4珂利を使
用したベース材料か使用されているか1かかる材料を使
用したベース材料は何れも熱尋率か小さく放熱性か不充
分であるため、工0.LSI1パワートランジスター等
の尚発熱性の部品を、特に熱・の影響を受けることを好
まぬ他の電子部品と組合ぜr y ’Mz 密度に実装
することかでき7Iいのか実情である。
ベース材料上に絶龜層およ・ひ導体層即ち回路を成けて
なる0従来、上述した如き発熱性部品を実装するための
プリント配線板の如き回路基板のベース材料としては紙
とフェノール樹脂からなる積層体あるいはガラスとエポ
キシ樹脂からなる積層体などの有機高分子材料を使用し
たベース材料や、アルミナ等のセラミックス4珂利を使
用したベース材料か使用されているか1かかる材料を使
用したベース材料は何れも熱尋率か小さく放熱性か不充
分であるため、工0.LSI1パワートランジスター等
の尚発熱性の部品を、特に熱・の影響を受けることを好
まぬ他の電子部品と組合ぜr y ’Mz 密度に実装
することかでき7Iいのか実情である。
こめため熱伝導性か良好で、しかも耐熱性および一械的
強度のすぐれた金属をベース材料として使用し、これに
絶縁層2よび導体層部ぢ回路を設けたiK i’i伝導
性tglie6基板か開発された。
強度のすぐれた金属をベース材料として使用し、これに
絶縁層2よび導体層部ぢ回路を設けたiK i’i伝導
性tglie6基板か開発された。
′1)工かる従来のr6熱伝導性金民ベース回路基板は
・金属ベースーヒに設ける絶縁層の材料として有砲高分
子材料を使用したものと、金属酸化物等を接着性のある
有軸高分子材料中に分散して高熱伝導性にした材料を使
用したものとがあり、現任のところ前者が主流であるが
、このものは絶縁層の熱伝導性か後者に比して劣ること
は避けられない。このため後者の絶縁層を使用した回路
基板の開発が行なわれている。
・金属ベースーヒに設ける絶縁層の材料として有砲高分
子材料を使用したものと、金属酸化物等を接着性のある
有軸高分子材料中に分散して高熱伝導性にした材料を使
用したものとがあり、現任のところ前者が主流であるが
、このものは絶縁層の熱伝導性か後者に比して劣ること
は避けられない。このため後者の絶縁層を使用した回路
基板の開発が行なわれている。
従来の上記高熱伝導性絶縁層を設けた金属ベースからな
る回路基板について第1図を参照して説明する。第1図
は高発熱性電子部品・熱の影響を避けるべきt子部品°
を実装した従来の回路基板の断面略図で1回路基板に放
熱フィンを取り付けたもの:C′ある。第1図において
1は金属ベース、2は上述した如きα熱伝尋性絶組1か
aa+3bは導体層からなる回路、4は高発熱性電子部
品・5は他の電子部品、5a、fibは半田層、7はシ
リコーングリース、8は放熱フィンである。
る回路基板について第1図を参照して説明する。第1図
は高発熱性電子部品・熱の影響を避けるべきt子部品°
を実装した従来の回路基板の断面略図で1回路基板に放
熱フィンを取り付けたもの:C′ある。第1図において
1は金属ベース、2は上述した如きα熱伝尋性絶組1か
aa+3bは導体層からなる回路、4は高発熱性電子部
品・5は他の電子部品、5a、fibは半田層、7はシ
リコーングリース、8は放熱フィンである。
かかる従来の電子部品実装回路基板は、高熱伝導性絶縁
層2を介して金属ベース1と銅箔の如き導体層を貼り合
せた高熱伝導性回路基板人形成し、次いで導体層をエツ
チングして配線回路3 a + 3 bを形成し、それ
ぞれの11M路3a、+3bに接続すべき電子部品、例
えば高発熱性電子部品4を回路3&に、他の電子部品5
例えはコンデンサー、抵抗、ダイオード等を3bに、隣
接して半田層6aおよび6bでそれぞれ接続してあり、
更に金属ベース1の呂熱伝婢性絶経1曽2の反対側にシ
リコーングリース7を介して放熱を助けるための放熱フ
ィン8が設けである0第1図に示した従来の電子部品実
装回路基板Aにおいて・動作中の尚光熱性電子部品4か
ら発生する熱は高発熱性1扛子部品4の表向からの対流
と輻射および導体層回路3aへの垂直方向に向っての伝
導によって放散される。しかしながら対流および輻射に
よる放然別卒は無視せざるを得ない程小さく、放熱は主
として伝導によって行なわれる。この場合高発熱性電子
部品4で発生ずる隔置の全てが半田層a a 、 導体
層回路3 a 1高熱伝導性絶縁層2、金hベース1、
シリコーングリース7および放熱フィン8を介して図に
ふいて下方に垂直にのみ伝導され、放熱フィン8より放
熱され、横方向への熱伝導が存在しな番プれは、他の電
子部品5への熱による悪影響はないの−C゛あるか、上
記垂直方向への熱伝導を良好にするため使用した間熱伝
導性絶縁ノ曽2および金hベース1は、隼に放熱フィン
8への方向、顧ち垂直方向へのみの伝導はかりでなく1
図において横方向、時に高熱伝導性絶縁層曽2の横方向
への熱伝導も生じ、この結果熱の影巻を嫌う他のt子部
品5゛への熱伝導を生ゼしめる。この横方向への熱伝導
による1L子部品5への悪影響は1各電子部品の実装密
曳が大であればある程、即ち電子部品5と発熱性1L子
部品4の距離か小さくなればなる程大となること1そし
て゛ilL子部品5への熱の影粋か大となること4L
明うかである。このため電子部品5の温度ヲ上昇させ、
その信頼性を損うことにもなる。
層2を介して金属ベース1と銅箔の如き導体層を貼り合
せた高熱伝導性回路基板人形成し、次いで導体層をエツ
チングして配線回路3 a + 3 bを形成し、それ
ぞれの11M路3a、+3bに接続すべき電子部品、例
えば高発熱性電子部品4を回路3&に、他の電子部品5
例えはコンデンサー、抵抗、ダイオード等を3bに、隣
接して半田層6aおよび6bでそれぞれ接続してあり、
更に金属ベース1の呂熱伝婢性絶経1曽2の反対側にシ
リコーングリース7を介して放熱を助けるための放熱フ
ィン8が設けである0第1図に示した従来の電子部品実
装回路基板Aにおいて・動作中の尚光熱性電子部品4か
ら発生する熱は高発熱性1扛子部品4の表向からの対流
と輻射および導体層回路3aへの垂直方向に向っての伝
導によって放散される。しかしながら対流および輻射に
よる放然別卒は無視せざるを得ない程小さく、放熱は主
として伝導によって行なわれる。この場合高発熱性電子
部品4で発生ずる隔置の全てが半田層a a 、 導体
層回路3 a 1高熱伝導性絶縁層2、金hベース1、
シリコーングリース7および放熱フィン8を介して図に
ふいて下方に垂直にのみ伝導され、放熱フィン8より放
熱され、横方向への熱伝導が存在しな番プれは、他の電
子部品5への熱による悪影響はないの−C゛あるか、上
記垂直方向への熱伝導を良好にするため使用した間熱伝
導性絶縁ノ曽2および金hベース1は、隼に放熱フィン
8への方向、顧ち垂直方向へのみの伝導はかりでなく1
図において横方向、時に高熱伝導性絶縁層曽2の横方向
への熱伝導も生じ、この結果熱の影巻を嫌う他のt子部
品5゛への熱伝導を生ゼしめる。この横方向への熱伝導
による1L子部品5への悪影響は1各電子部品の実装密
曳が大であればある程、即ち電子部品5と発熱性1L子
部品4の距離か小さくなればなる程大となること1そし
て゛ilL子部品5への熱の影粋か大となること4L
明うかである。このため電子部品5の温度ヲ上昇させ、
その信頼性を損うことにもなる。
従って高熱伝導性絶縁層2の熱伝導か良好になればなる
程、大きなパワーの発熱性部品4の使用が可能になるの
であるか、それに逆比例して池の電子部品5への熱の伝
導による影響か大となり、結局回路基板A上に各極°畦
子1jIs品(4,5等)を!dに実装できなくなる欠
点を有しているO発明の目的 本発明は上述した従来の金属ベース回路基板の欠点を解
消し、高発熱性電子部品、詩に従来よりも大きなパワー
の高発熱性1子品品を、他の電子部品特に熱の影響を排
除すべ@電子部品と共に尚密度に実装fることをg]’
xにT、る高熱伝導性全編ベース回路基板を提供する
ことにあるO 発明の構成 本発明は、金属ベース上に高熱伝導性材料からなる第一
の絶縁層を設け、上記第一絶縁層上に第一の導体層から
なる電気回路を形成した間熱伝導性金属ベース回路基板
において、熱の影響を受けることを排除すべき電子部品
を載置すべき第−導体層回路上に低熱伝導性材料からな
る第二の絶縁層を設け、上記第二絶縁層上に上記第−導
体層回路に対応する第二導体ノ・ご回路を形成し、上記
第二絶縁層中に上記第一導体層回路と第二導体層回路を
電気的に接続する4通部を設けた高熱伝導性金属ベース
回路基板にある。
程、大きなパワーの発熱性部品4の使用が可能になるの
であるか、それに逆比例して池の電子部品5への熱の伝
導による影響か大となり、結局回路基板A上に各極°畦
子1jIs品(4,5等)を!dに実装できなくなる欠
点を有しているO発明の目的 本発明は上述した従来の金属ベース回路基板の欠点を解
消し、高発熱性電子部品、詩に従来よりも大きなパワー
の高発熱性1子品品を、他の電子部品特に熱の影響を排
除すべ@電子部品と共に尚密度に実装fることをg]’
xにT、る高熱伝導性全編ベース回路基板を提供する
ことにあるO 発明の構成 本発明は、金属ベース上に高熱伝導性材料からなる第一
の絶縁層を設け、上記第一絶縁層上に第一の導体層から
なる電気回路を形成した間熱伝導性金属ベース回路基板
において、熱の影響を受けることを排除すべき電子部品
を載置すべき第−導体層回路上に低熱伝導性材料からな
る第二の絶縁層を設け、上記第二絶縁層上に上記第−導
体層回路に対応する第二導体ノ・ご回路を形成し、上記
第二絶縁層中に上記第一導体層回路と第二導体層回路を
電気的に接続する4通部を設けた高熱伝導性金属ベース
回路基板にある。
本発明で使用する金属ベース材料としては熱伝導性の良
好な金属例えばアルミニウム、アルマイト等従来より高
熱伝導性金属ベースとして使用されている任意の材料で
よい。
好な金属例えばアルミニウム、アルマイト等従来より高
熱伝導性金属ベースとして使用されている任意の材料で
よい。
高熱伝導性第一絶縁層としてはアルミナ九窒化硼素−マ
グネシア等熱伝椰性の良い材料を分散させた有機高分子
材料例えばエボキ“シ樹脂の層等従来より周知の熱伝導
性の良い絶縁材料、の層を使用できる。
グネシア等熱伝椰性の良い材料を分散させた有機高分子
材料例えばエボキ“シ樹脂の層等従来より周知の熱伝導
性の良い絶縁材料、の層を使用できる。
また本発明の上記第一導体ノ曽回路お、よび第二導体層
回路は周知の方法で銅箔をエツチングすることによって
形成する◇ 低熱伝専性第二絶縁層は従来より使用されている通常の
絶縁材料、例えはエポキシ脣脂専の有機高分子材料−C
′作ることができる。
回路は周知の方法で銅箔をエツチングすることによって
形成する◇ 低熱伝専性第二絶縁層は従来より使用されている通常の
絶縁材料、例えはエポキシ脣脂専の有機高分子材料−C
′作ることができる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を第2囮を奈照して説明する0躬
212!Jは各種電子部品を冥装した不?)4明による
Lt回路基板の断j&l略図°(′あり、放熱フィンを
取り付けたものである。
212!Jは各種電子部品を冥装した不?)4明による
Lt回路基板の断j&l略図°(′あり、放熱フィンを
取り付けたものである。
第2図において1はアルミニウムの金mベースであり、
その−凹(商にては上)にアルミナを分散させたエポキ
シ樹脂からなる高熱伝導性材料の第一&Hj#2をバー
コーター、ロールコータニ、スクリーン印刷等公知の方
法C′塗餉して形成する0次に、上記第−絶縁層上に回
路を作るため銅箔等の導体層を加熱加圧して第・−導体
層を形成する。次にこの銅箔からなる第一導体層を周知
の方法でエツチングして所望パターンの回路3aおよび
3bを形1表する。第2図において島上記第−導体層回
路3a上には前述した如き高釦熱性りa子部品4を半田
6aにて取り付ける。従来の例(例えは第1図の例)で
は・熱のルーを排除ずべき電子部品5は上記第一導体層
回路3b上またはそれと接して1Ilt接取り付けてい
たのであるか、本発明によれは上記第−導体層回路3b
上に低熱伝導性材料の第二絶縁層9を設ける。このj9
79は前記高熱伝導性絶縁層2と同様の方法°Cまただ
し、前述した叩く例えはエポキシ樹脂のみからなる材料
を使用して形成すれはよい。この第二絶縁層9は、第−
棉体増回wJ31)を被覆するのに充分な厚さで、かつ
熱の影響を排除すべき電子部品5に、wr発熱1/l:
電子部品4中で発生する熱が高熱伝導性第一絶縁層およ
び第一導体層回路3bを介して伝導されないように充分
な厚さとす些はよい0次に上記第二絶縁層9の上に上記
糖−導体層−路3bに対応して第二導体層回路3Cを形
成する0上記回路3Cは必Tしも上記導体層回始3bと
一致する必要はなく、ここに取り刊ける熱のI:e e
?を排除すべき一1区子部品5の大きさ、数等によって
適宜皮えることができる。なお上記第−得体J・シ回路
、1libと第二導体層回路3Cの11“、jにはそれ
ぞれ対応する回路間に電気的接続を生ぜビめるため上記
第二絶縁層中に銀ペーストを光填した専通都部10を設
ける。次に上記第二4体ハク1!、Ul路3Cに接して
電子部品5を例えば半1:l(6k+で取り付ける0な
お所尾により、尚釦熱性電子部品4で発生ずる熱の放散
を助長するため為上記金属ベース1の反対側(図では下
)に放熱フィン8をシリコーングリースの層7を取り付
けてもよい。
その−凹(商にては上)にアルミナを分散させたエポキ
シ樹脂からなる高熱伝導性材料の第一&Hj#2をバー
コーター、ロールコータニ、スクリーン印刷等公知の方
法C′塗餉して形成する0次に、上記第−絶縁層上に回
路を作るため銅箔等の導体層を加熱加圧して第・−導体
層を形成する。次にこの銅箔からなる第一導体層を周知
の方法でエツチングして所望パターンの回路3aおよび
3bを形1表する。第2図において島上記第−導体層回
路3a上には前述した如き高釦熱性りa子部品4を半田
6aにて取り付ける。従来の例(例えは第1図の例)で
は・熱のルーを排除ずべき電子部品5は上記第一導体層
回路3b上またはそれと接して1Ilt接取り付けてい
たのであるか、本発明によれは上記第−導体層回路3b
上に低熱伝導性材料の第二絶縁層9を設ける。このj9
79は前記高熱伝導性絶縁層2と同様の方法°Cまただ
し、前述した叩く例えはエポキシ樹脂のみからなる材料
を使用して形成すれはよい。この第二絶縁層9は、第−
棉体増回wJ31)を被覆するのに充分な厚さで、かつ
熱の影響を排除すべき電子部品5に、wr発熱1/l:
電子部品4中で発生する熱が高熱伝導性第一絶縁層およ
び第一導体層回路3bを介して伝導されないように充分
な厚さとす些はよい0次に上記第二絶縁層9の上に上記
糖−導体層−路3bに対応して第二導体層回路3Cを形
成する0上記回路3Cは必Tしも上記導体層回始3bと
一致する必要はなく、ここに取り刊ける熱のI:e e
?を排除すべき一1区子部品5の大きさ、数等によって
適宜皮えることができる。なお上記第−得体J・シ回路
、1libと第二導体層回路3Cの11“、jにはそれ
ぞれ対応する回路間に電気的接続を生ぜビめるため上記
第二絶縁層中に銀ペーストを光填した専通都部10を設
ける。次に上記第二4体ハク1!、Ul路3Cに接して
電子部品5を例えば半1:l(6k+で取り付ける0な
お所尾により、尚釦熱性電子部品4で発生ずる熱の放散
を助長するため為上記金属ベース1の反対側(図では下
)に放熱フィン8をシリコーングリースの層7を取り付
けてもよい。
発明の効果
上述した如く構成した本発明による金属ベース回路基板
においては、高発熱性電子部品4でZr2生した熱は半
田6aおよび4ネ体層回路3aを介して高熱伝導性第一
絶縁層2に伝導されるが−こ、のとき熱は伝導性の良い
金属ベースlに伝達されると共に、図において板方向に
関熱伝導性第−絶m J?〆12および金属ベース1中
を伝達し・第一導体層回路3bを加熱する。しかしなが
ら本発明によれは第一導体層3b上に低熱伝導性の第二
絶縁層9が設けられているため1その上に取り付けられ
た電子部品5には熱の伝導は殆んど生じない。このため
1第一絶縁層2および金属ベース1中を通った熱は放熱
フィン8を介して下方に放散される。従って放熱フィン
の大きさ、材料、形状を適宜選すれば、高発熱性電子部
品4で発生した熱は、熱の影□□□を排除すべき電子部
品5に伝導されることなく、下方に放散することができ
る。また本発明による金JtJ4ベース回路基板は上述
した如く第一導体層回路3bとは別に第二導体層回路3
Cを@層構成したため、第二導体層回路上に任意の電子
部品を、従来より多く、あるいは副密度に実装できる利
点を有する。このため関熱伝4性金属ベース1I2I珀
基板の小型化、軽量化にも大きく寄与°恐きる。
においては、高発熱性電子部品4でZr2生した熱は半
田6aおよび4ネ体層回路3aを介して高熱伝導性第一
絶縁層2に伝導されるが−こ、のとき熱は伝導性の良い
金属ベースlに伝達されると共に、図において板方向に
関熱伝導性第−絶m J?〆12および金属ベース1中
を伝達し・第一導体層回路3bを加熱する。しかしなが
ら本発明によれは第一導体層3b上に低熱伝導性の第二
絶縁層9が設けられているため1その上に取り付けられ
た電子部品5には熱の伝導は殆んど生じない。このため
1第一絶縁層2および金属ベース1中を通った熱は放熱
フィン8を介して下方に放散される。従って放熱フィン
の大きさ、材料、形状を適宜選すれば、高発熱性電子部
品4で発生した熱は、熱の影□□□を排除すべき電子部
品5に伝導されることなく、下方に放散することができ
る。また本発明による金JtJ4ベース回路基板は上述
した如く第一導体層回路3bとは別に第二導体層回路3
Cを@層構成したため、第二導体層回路上に任意の電子
部品を、従来より多く、あるいは副密度に実装できる利
点を有する。このため関熱伝4性金属ベース1I2I珀
基板の小型化、軽量化にも大きく寄与°恐きる。
第1図は電子部品を実装した従来の金A−ベース回路基
板の説明図であり、第2図は本発明による同様の金−属
ベース回路基板の説明図である01は金属ベース・2は
高熱伝導性第一絶縁層、3a、3bは第一導体11回路
、3Cは第二導体層回路・4は高発熱性゛電子部品、5
は他の′電子部品、6a16bは半田、7はシリコーン
グリース、8は放熱フィン、9は第二絶縁層、10は嚇
m都。 特許出願人 松下電器産業株式会社
板の説明図であり、第2図は本発明による同様の金−属
ベース回路基板の説明図である01は金属ベース・2は
高熱伝導性第一絶縁層、3a、3bは第一導体11回路
、3Cは第二導体層回路・4は高発熱性゛電子部品、5
は他の′電子部品、6a16bは半田、7はシリコーン
グリース、8は放熱フィン、9は第二絶縁層、10は嚇
m都。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属ベース上に高熱伝導性材料からなる第一の絶縁
層を設け、上記第一絶縁層上に第一の導体層からなる電
気回路を形成した高熱伝導性金属ベース回路基板におい
て、熱の影曽を受けることを排除すべき電子部品を載置
すべき第−導体層回路上に低熱伝導性材料からなる第二
の絶縁層を設け、上記第二Iff!3縁層上に上記第一
導体層回路に対応する第二導体層回路を形成し、上記第
二絶縁層中に上記第一導体層回路と第二導体層回路とを
電気的に接続する導通部を設けた旨熱伝纒性金属ベース
回路基板。 2、金属ベースか、アルミニウム、またはアルマイトで
ある特許請求の範囲第1項記載の高熱伝導性回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2384884A JPS60167399A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 高熱伝導性金属ベ−ス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2384884A JPS60167399A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 高熱伝導性金属ベ−ス回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60167399A true JPS60167399A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12121824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2384884A Pending JPS60167399A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 高熱伝導性金属ベ−ス回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60167399A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01115199A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
JPH0258385U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-26 | ||
JPH02290098A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-11-29 | Fuji Electric Co Ltd | インバータ装置 |
JPH036096A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板 |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP2384884A patent/JPS60167399A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01115199A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
JPH0258385U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-26 | ||
JPH02290098A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-11-29 | Fuji Electric Co Ltd | インバータ装置 |
JPH036096A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板 |
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