JPS60166260A - 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法 - Google Patents
絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法Info
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- JPS60166260A JPS60166260A JP59021879A JP2187984A JPS60166260A JP S60166260 A JPS60166260 A JP S60166260A JP 59021879 A JP59021879 A JP 59021879A JP 2187984 A JP2187984 A JP 2187984A JP S60166260 A JPS60166260 A JP S60166260A
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/053—Fine ceramics
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁基材としてのＭｇＯ焼結体、さらに詳しく
は高い熱伝導性と優れた耐水和特性を備えた電気絶縁基
材用のＭｇＯ焼結体及びその製造法に関するものである
。
は高い熱伝導性と優れた耐水和特性を備えた電気絶縁基
材用のＭｇＯ焼結体及びその製造法に関するものである
。
現在電子材料であるＩＯ基板に使用されている絶縁材料
としてはその殆んどがＡｌ２Ｏ３基板である。
としてはその殆んどがＡｌ２Ｏ３基板である。
これに対してＭｇＯ基材は高温での電気絶縁性に優れて
おり、高周波特性や熱伝導率などもＡ１＝ Ｏ，、基材
より優れているので、この種集積回路基板材料として期
待されているが、材質的に水利性が大きく強度的にも十
分なものが得られていないので、前記特性を生かしきれ
ず実用化には至っていないのが実状である。
おり、高周波特性や熱伝導率などもＡ１＝ Ｏ，、基材
より優れているので、この種集積回路基板材料として期
待されているが、材質的に水利性が大きく強度的にも十
分なものが得られていないので、前記特性を生かしきれ
ず実用化には至っていないのが実状である。
本発明は、このような実状であっても将来の工０基板の
高機能化例えばハイプリットエＣの開発、積層パッケー
ジの開発等においてはＭｇＯ基材の特質が極めて有効で
あろうとの観点に立ち、種々研究の結果として従来の実
用化の大きな障害となっていた前述の水利性などの欠点
を改良せしめたＭｇＯ基板をもたらす焼結体の開発に成
功したものである。
高機能化例えばハイプリットエＣの開発、積層パッケー
ジの開発等においてはＭｇＯ基材の特質が極めて有効で
あろうとの観点に立ち、種々研究の結果として従来の実
用化の大きな障害となっていた前述の水利性などの欠点
を改良せしめたＭｇＯ基板をもたらす焼結体の開発に成
功したものである。
即ち、本発明は、顕微鏡的にみてＭｇＯ結晶粒子の大き
さが大部分５μ以下であって、少くともこれらのＭｇＯ
結晶粒子間において２Ｍｇ０・８１０゜相が薄層として
均等に分布介在している組織からなり、かつ熱伝導率が
常温で０．０８ ＣａＶｃｒｎ、ｓｅａ ０℃以上、１
００ ＫＨｖｓにおける誘電率が常温で１０以下、誘電
損失（Ｔａｎδ）が常温で１０−４以下、電気絶縁抵抗
が３００℃で１０１００・ｄ以トであるとともに優れた
耐水和特性を有していることを特徴とする絶縁基材用Ｍ
ｇＯ焼結体であり、またＭｇＯの純度が化学分析値とし
て重量係で９９係以上、比表面積が１０ ｒｒ？／ｆ以
上であるＭｇＯ粉末を有機シリケートを含む有機溶剤中
で充分混合したのち成形焼成することにより、微細なＭ
ｇＯ結晶粒子間に２Ｍｇ０・Ｓ１０．相が均等に分布介
在している組織からなり、かつ熱伝導率が室温で０．０
８ ｃａｌ／ｃ１ｎ、 ｓｅａ ０℃以１、電気絶縁抵
抗が３００℃で１０１００．ｃＩｎ以、トであるととも
に優れ几耐水卸Ｉｆ、性を付与せしめたことを特徴とす
る絶縁基材用ＭｇＯ焼結体の製造法を要旨とするもので
ある。
さが大部分５μ以下であって、少くともこれらのＭｇＯ
結晶粒子間において２Ｍｇ０・８１０゜相が薄層として
均等に分布介在している組織からなり、かつ熱伝導率が
常温で０．０８ ＣａＶｃｒｎ、ｓｅａ ０℃以上、１
００ ＫＨｖｓにおける誘電率が常温で１０以下、誘電
損失（Ｔａｎδ）が常温で１０−４以下、電気絶縁抵抗
が３００℃で１０１００・ｄ以トであるとともに優れた
耐水和特性を有していることを特徴とする絶縁基材用Ｍ
ｇＯ焼結体であり、またＭｇＯの純度が化学分析値とし
て重量係で９９係以上、比表面積が１０ ｒｒ？／ｆ以
上であるＭｇＯ粉末を有機シリケートを含む有機溶剤中
で充分混合したのち成形焼成することにより、微細なＭ
ｇＯ結晶粒子間に２Ｍｇ０・Ｓ１０．相が均等に分布介
在している組織からなり、かつ熱伝導率が室温で０．０
８ ｃａｌ／ｃ１ｎ、 ｓｅａ ０℃以１、電気絶縁抵
抗が３００℃で１０１００．ｃＩｎ以、トであるととも
に優れ几耐水卸Ｉｆ、性を付与せしめたことを特徴とす
る絶縁基材用ＭｇＯ焼結体の製造法を要旨とするもので
ある。
本発明はこのように絶縁基板用のＭｇＯ焼結体として極
めて優れた特性を備えているものであり、それらを可能
とする焼結体の組織として微細なＭｇＯ結晶（ペリクレ
ース結晶）粒子とその間に２ ＭｇＯ−５ｉ０２ （フ
ォルフチライト）を主体とする相（以下２Ｍｇ０・５ｉ
ｏｌ相という）が薄層として介在していることから本質
的にもたらされるものであろうと考えられる。
めて優れた特性を備えているものであり、それらを可能
とする焼結体の組織として微細なＭｇＯ結晶（ペリクレ
ース結晶）粒子とその間に２ ＭｇＯ−５ｉ０２ （フ
ォルフチライト）を主体とする相（以下２Ｍｇ０・５ｉ
ｏｌ相という）が薄層として介在していることから本質
的にもたらされるものであろうと考えられる。
ＭｇＯ基板の開発として過去においても２Ｍｇ０・８１
０２相の被覆層を形成させることにより、耐水性を付与
りようという試みと提案はいくつがなすしているが、充
分な成果を達成してはいなかった。
０２相の被覆層を形成させることにより、耐水性を付与
りようという試みと提案はいくつがなすしているが、充
分な成果を達成してはいなかった。
過去のこのような試みの結果が満足しうる物性に至らな
かった理由としては定がではないが、焼結体としての微
細な細織、構造の違い及びそれらをもたらす製造方法の
違いに実質的には起因するのであろう。
かった理由としては定がではないが、焼結体としての微
細な細織、構造の違い及びそれらをもたらす製造方法の
違いに実質的には起因するのであろう。
例えばその一つの大きな理由は、従来のこの種提案は殆
んどが予め成形した基板を処理して耐水性のある２ Ｍ
ｇＯ−８１０＊相を形成させようとするものであったか
らとも考えられる。
んどが予め成形した基板を処理して耐水性のある２ Ｍ
ｇＯ−８１０＊相を形成させようとするものであったか
らとも考えられる。
即ち、このような方法によるものは充分な耐水性が得ら
れなかったり、充分な熱伝導性を確保できなかったり、
特に高機能基板を可能とする諸性質を兼ね備えたものに
得られていなかった。
れなかったり、充分な熱伝導性を確保できなかったり、
特に高機能基板を可能とする諸性質を兼ね備えたものに
得られていなかった。
さらに別の方法として緻密な焼結体を得るためにマグネ
シウム化合物と液状珪素化合物とを混合することも提案
されているが、充分な耐水利性などを得るには至ってい
ない。
シウム化合物と液状珪素化合物とを混合することも提案
されているが、充分な耐水利性などを得るには至ってい
ない。
本発明焼結体とその製造法について、以下具体的に説明
する。
する。
本発明焼結体は組織的に及び組成的には次のようなもの
である。即ち、顕微鏡的にみてＭｇ０（ペリクレース）
結晶粒子が緻密に焼結しており、個々のＭｇＯ結晶の大
きさはその大部分が５μ以下（後述する如く、表面に薄
層としての２Ｍｇ ０−８ｉ０２相を一体に形成してい
る部分も含む）で、この結晶の成長が抑制された組織が
一つの大きな特徴となっている。またこのような微細な
ＭｇＯ結晶粒子間においては２ ＭｇＯ・Ｓｉｎ、 （
フォルステライト）相が焼結体全体として均等に分布存
在しており、この分布は成形された焼結体の表面層乃至
その近傍のみでなく、断面からみて内部のいずれにおい
ても均等に存在しているものである。
である。即ち、顕微鏡的にみてＭｇ０（ペリクレース）
結晶粒子が緻密に焼結しており、個々のＭｇＯ結晶の大
きさはその大部分が５μ以下（後述する如く、表面に薄
層としての２Ｍｇ ０−８ｉ０２相を一体に形成してい
る部分も含む）で、この結晶の成長が抑制された組織が
一つの大きな特徴となっている。またこのような微細な
ＭｇＯ結晶粒子間においては２ ＭｇＯ・Ｓｉｎ、 （
フォルステライト）相が焼結体全体として均等に分布存
在しており、この分布は成形された焼結体の表面層乃至
その近傍のみでなく、断面からみて内部のいずれにおい
ても均等に存在しているものである。
本発明焼結体としての耐水利性という面からみた理想的
な組織としては、微細な個々の全てのＭｇＯ結晶粒子間
、それも個々の全周に２Ｍｇ０・Ｓ１０．相が可及的少
量、即ち極めて薄層として存在していることであると考
えられるが、内部に位置しているＭｇＯ結晶粒子の個々
の表面を少くとも部分的に被覆して目的の諸特性を兼ね
備えたものとして得られているのであれば、完全なもの
であることは必要ではなく、絶縁性など一部の性質など
考慮すればむしろ２ ＭｇＯ−８１０＊相の存在は一方
では少なくてもよく、鮫は２Ｍｇｏ・８１０２相が断面
組織としてＭｇＯ粒子間の個々の全周でなく、少なくと
も局部的であっても焼結体組織全体としてみて均等にな
るように分布存在していればよいのである。本明細書で
均等とはそのような組織を示すものである。
な組織としては、微細な個々の全てのＭｇＯ結晶粒子間
、それも個々の全周に２Ｍｇ０・Ｓ１０．相が可及的少
量、即ち極めて薄層として存在していることであると考
えられるが、内部に位置しているＭｇＯ結晶粒子の個々
の表面を少くとも部分的に被覆して目的の諸特性を兼ね
備えたものとして得られているのであれば、完全なもの
であることは必要ではなく、絶縁性など一部の性質など
考慮すればむしろ２ ＭｇＯ−８１０＊相の存在は一方
では少なくてもよく、鮫は２Ｍｇｏ・８１０２相が断面
組織としてＭｇＯ粒子間の個々の全周でなく、少なくと
も局部的であっても焼結体組織全体としてみて均等にな
るように分布存在していればよいのである。本明細書で
均等とはそのような組織を示すものである。
また、このような組織として、ＭｇＯ粒子間ではあるが
粒子同士の接触することあるべきいわゆる界面において
も同様のことが考えられ、この界面においても少くとも
２Ｍｇ０・５１０２相が薄層として存在している焼結体
は望ましいものの一つでもある。
粒子同士の接触することあるべきいわゆる界面において
も同様のことが考えられ、この界面においても少くとも
２Ｍｇ０・５１０２相が薄層として存在している焼結体
は望ましいものの一つでもある。
このような本発明焼結体において、この２Ｍｇ０・５１
０２相は可及的薄層としてＭｇＯ粒子間（界面も含めて
）に存在しているもので望ましくはそれらは０．５μ以
下、例えば０．１〜０．５μ程度であることである。
０２相は可及的薄層としてＭｇＯ粒子間（界面も含めて
）に存在しているもので望ましくはそれらは０．５μ以
下、例えば０．１〜０．５μ程度であることである。
またこの２Ｍｇ０−８ｉ０２層は、後述する製造法で示
される如く、ＭｇＯ微粉と有機シリケートのＳ１０２成
分と反応して生成されるものであるため、本来ＭｇＯ粒
子の表面にその一部として一体のものとして存在するこ
とが多い。
される如く、ＭｇＯ微粉と有機シリケートのＳ１０２成
分と反応して生成されるものであるため、本来ＭｇＯ粒
子の表面にその一部として一体のものとして存在するこ
とが多い。
本発明焼結体は目的とする諸特性を具備させるため、高
純度のＭｇＯを緻密に焼結させたものであることが必要
で、組成的にはＭｇＯ結晶粒子のＭｇＯ純度は化学分析
値として重量係でＭｇＯが９９．５％以上、特には９９
．９％以上であることが望ましい。尚、本明細書でいう
このＭｇＯ粒子の純度とはその表面に生成された２Ｍｇ
Ｏ−８１０１屑を除いた部分の純度をいう。
純度のＭｇＯを緻密に焼結させたものであることが必要
で、組成的にはＭｇＯ結晶粒子のＭｇＯ純度は化学分析
値として重量係でＭｇＯが９９．５％以上、特には９９
．９％以上であることが望ましい。尚、本明細書でいう
このＭｇＯ粒子の純度とはその表面に生成された２Ｍｇ
Ｏ−８１０１屑を除いた部分の純度をいう。
また焼結体全体としての組成としては、化学分析値とし
て重−１にチで、Ｂ１０２が０．１〜５チ、特に耐水利
性の面などから０．５〜３％、Ｓｉｎ、とＭｇＯの金相
として９９．５％以上、特には９９．９５−以上である
ことが望ましい。
て重−１にチで、Ｂ１０２が０．１〜５チ、特に耐水利
性の面などから０．５〜３％、Ｓｉｎ、とＭｇＯの金相
として９９．５％以上、特には９９．９５−以上である
ことが望ましい。
このような組織９組成をもつ焼結体は本発明として次の
ような緒特性をもつものとして特徴づけられたものであ
る。尚（）内はより望ましい範囲である。
ような緒特性をもつものとして特徴づけられたものであ
る。尚（）内はより望ましい範囲である。
嵩密度 ３．４ （３，４５）以、ト
抗折強度（常温、却／−） ２０ （２５）以上熱伝導
率 常温 ０．０８ （０，１０）以上（ｏａｌ／ｍ−
５ｅａ・℃） ３００℃ ０．０５ （０，０６）以上
誘電率（常温＋ １００ＫＨｚ） １０以下誘電損失（
常温） ＩＸ １０ ’（８Ｘ１０ ’）以下電気絶縁
抵抗（Ω・ω）１ｏ１１５以上耐水利性（注） ０．０
２％以下 （注）オートクレーブ中１５０℃で５気圧蒸気中２時間
保持したときの重量増加率 このような本発明焼結体をもたらす製造法、特に本発明
焼結体をもたらす好ましい本発明方法について、次に説
明する。
率 常温 ０．０８ （０，１０）以上（ｏａｌ／ｍ−
５ｅａ・℃） ３００℃ ０．０５ （０，０６）以上
誘電率（常温＋ １００ＫＨｚ） １０以下誘電損失（
常温） ＩＸ １０ ’（８Ｘ１０ ’）以下電気絶縁
抵抗（Ω・ω）１ｏ１１５以上耐水利性（注） ０．０
２％以下 （注）オートクレーブ中１５０℃で５気圧蒸気中２時間
保持したときの重量増加率 このような本発明焼結体をもたらす製造法、特に本発明
焼結体をもたらす好ましい本発明方法について、次に説
明する。
まず主原料であるＭｇＯ成分としては高純度のＭｇＯ粉
末が用意される。
末が用意される。
ここで使用されるＭｇｏ粉末としては、焼結体における
ＭｇＯ結晶粒子が高純度で存在していることが必要であ
るため、化学分析値が重量％で極めて高純度、具体的に
は９９％以上、望ましくＦｉ９９．９％以上のものとし
て用意される。
ＭｇＯ結晶粒子が高純度で存在していることが必要であ
るため、化学分析値が重量％で極めて高純度、具体的に
は９９％以上、望ましくＦｉ９９．９％以上のものとし
て用意される。
このように高純度のＭｇＯ粉末は高純度のＭｇ（ＯＲ）
１を、例えば８００℃、２時間仮焼することにより得る
ことができる。
１を、例えば８００℃、２時間仮焼することにより得る
ことができる。
また、この使用する粉末の粒度は微細結晶粒子の焼結体
とするために極めて微粉状であることが必要で、具体的
には１０ ｒｒ？／ｆ！以上、特には２０ｒｒ？／ｆｆ
以上の比表面積をもつ微粉末であることである。
とするために極めて微粉状であることが必要で、具体的
には１０ ｒｒ？／ｆ！以上、特には２０ｒｒ？／ｆｆ
以上の比表面積をもつ微粉末であることである。
りき゛Ｉτ本質的ＩＣｔ）水句住を付与する２Ｍｇ０・
５１０２ 相をもたらす５１０２成分としては、これま
た焼結体としてＭｇＯとの含量で９９．５％以上とする
ことが望ましいと同時に、ＭｇＯ粉末の個々の粒子表面
に可及的に薄層として２ ＭｇＯ−８ｉｎｓ相を生成さ
せることの必要からし１有機シリケート溶液を使用する
ことが望ましいことが見い出された。
５１０２ 相をもたらす５１０２成分としては、これま
た焼結体としてＭｇＯとの含量で９９．５％以上とする
ことが望ましいと同時に、ＭｇＯ粉末の個々の粒子表面
に可及的に薄層として２ ＭｇＯ−８ｉｎｓ相を生成さ
せることの必要からし１有機シリケート溶液を使用する
ことが望ましいことが見い出された。
この廟機シリケートとしてはシリケートのアルコラード
、例えばエチルシリケート、メチルシリケート、ブチル
シリケートなどが適当で、なかでもエチルシリケートが
最適である。
、例えばエチルシリケート、メチルシリケート、ブチル
シリケートなどが適当で、なかでもエチルシリケートが
最適である。
この有機シリケートと高純度微粉Ｍｇ０ｊｉ混合するこ
とでＭｇＯ粉末表面に粉末の状態で、Ｗ４後の焼成によ
り２Ｍｇ０・８１０２相を生成しうるようなｓ１０！質
コートが可能になるものと思われるが、この混合に際し
て、エチルシリケートなどの有機シリケートは通常空気
中では吸湿性が強く、これら自体が水利しＳ１０！を沈
澱し分離した現象を起こし、前述のＭｇＯ粉末の状態で
の表面コートが好ましく達成され帥いらしく、エチルシ
リケートなどが突気と接触しないような配慮が有効であ
る。
とでＭｇＯ粉末表面に粉末の状態で、Ｗ４後の焼成によ
り２Ｍｇ０・８１０２相を生成しうるようなｓ１０！質
コートが可能になるものと思われるが、この混合に際し
て、エチルシリケートなどの有機シリケートは通常空気
中では吸湿性が強く、これら自体が水利しＳ１０！を沈
澱し分離した現象を起こし、前述のＭｇＯ粉末の状態で
の表面コートが好ましく達成され帥いらしく、エチルシ
リケートなどが突気と接触しないような配慮が有効であ
る。
このためにはＭｇＯ粉末を有機シリケートを含む有機溶
剤中で混合することで解決できる。有機溶剤としてはＭ
ｇＯと水和しないアルコール等が適当で、例えばエタノ
ールで充分である。
剤中で混合することで解決できる。有機溶剤としてはＭ
ｇＯと水和しないアルコール等が適当で、例えばエタノ
ールで充分である。
このようにＭｇＯ粉末を例えばエチルシリケートとエタ
ノールの混合溶剤中で充分混合することでＭｇＯ粉末表
面に好ましい耐水利性をもたらす５１０２質コートが可
能となるものと思われる。
ノールの混合溶剤中で充分混合することでＭｇＯ粉末表
面に好ましい耐水利性をもたらす５１０２質コートが可
能となるものと思われる。
この焼成により２Ｍｇ０−８ｉ０２相をもたらすであろ
うと思われるＭｇＯ粉末表面の結合状態は、焼成前の段
階では、通常極めて薄い層として存在しているＭｇＯ粉
末表面のＭｇ（ＯＨ）ｚと（Ｃ＋Ｈｓ）４ｓｔとＯ，）
１１１ＯＨとが反応して ０−０．Ｈ。
うと思われるＭｇＯ粉末表面の結合状態は、焼成前の段
階では、通常極めて薄い層として存在しているＭｇＯ粉
末表面のＭｇ（ＯＨ）ｚと（Ｃ＋Ｈｓ）４ｓｔとＯ，）
１１１ＯＨとが反応して ０−０．Ｈ。
いるものと考えられる。
ついで、このような状態の混合物をドクタプレード法や
プレス法などの公知の方法で所定形状通常シート状に成
型し、焼成することで本発明焼結体が得られるのである
が、ここで特徴的なのは焼成温度である。
プレス法などの公知の方法で所定形状通常シート状に成
型し、焼成することで本発明焼結体が得られるのである
が、ここで特徴的なのは焼成温度である。
即ち、このような本発明方法によれば、この焼成温度を
極めて低い温度としても焼結が容易に進むということで
あり、このためにＭｇＯ結晶の粒成長が抑制でき、低温
焼結にもかかわらず緻密な焼結体が得られるからである
。
極めて低い温度としても焼結が容易に進むということで
あり、このためにＭｇＯ結晶の粒成長が抑制でき、低温
焼結にもかかわらず緻密な焼結体が得られるからである
。
具体的には通常ＭｇＯ焼結体として緻密なものを得るに
は１６００℃以上の高温焼成が必要であるに対して、本
発明によれば１５００℃以下、特に通常１４５０℃以下
で充分であり、多くの場合１４００℃程度でも充分緻密
な焼結体が得られるのである。
は１６００℃以上の高温焼成が必要であるに対して、本
発明によれば１５００℃以下、特に通常１４５０℃以下
で充分であり、多くの場合１４００℃程度でも充分緻密
な焼結体が得られるのである。
このように本発明により得られるＭｇＯ焼結体は電気絶
縁ＭｇＯ基材用として必要な強度、電気絶縁性などの電
気的特性を維持しつつ高熱伝導という材質の特徴を生か
し、かつ従来の大きな弱点であった耐水利性の問題を焼
結体を得たあとの耐水和処理を特に必要とすることなく
（勿論付加的に行うことは差支えないし、有効でもある
）著しく改良することに成功したものであって、その工
業的価値は、高機能ＩＣ基板の開発をより可能ならしめ
るなど多大なものである。
縁ＭｇＯ基材用として必要な強度、電気絶縁性などの電
気的特性を維持しつつ高熱伝導という材質の特徴を生か
し、かつ従来の大きな弱点であった耐水利性の問題を焼
結体を得たあとの耐水和処理を特に必要とすることなく
（勿論付加的に行うことは差支えないし、有効でもある
）著しく改良することに成功したものであって、その工
業的価値は、高機能ＩＣ基板の開発をより可能ならしめ
るなど多大なものである。
本発明をさらに実施例にて説明する。
実施例
９９．９９％の高純度Ｍｇ（ＯＨ）＊を８００℃で２時
間仮焼することにより比表面積３０〜４０ｉ／ｆのＭｇ
Ｏ粉末を得た。
間仮焼することにより比表面積３０〜４０ｉ／ｆのＭｇ
Ｏ粉末を得た。
このＭｇＯ粉末の１００ｆに対してエチルシリケート２
０ω、エタノール５０ωの割合からなる混合物を調整し
、この混合物をボットミルで３時間混合後乾燥してプレ
ス成型し１４００℃で１時間焼成し、肉厚約１ｆｉのシ
ート状焼結体を得た。
０ω、エタノール５０ωの割合からなる混合物を調整し
、この混合物をボットミルで３時間混合後乾燥してプレ
ス成型し１４００℃で１時間焼成し、肉厚約１ｆｉのシ
ート状焼結体を得た。
この焼結体の断面組織を顕微鏡観察した結果及び化学分
析結果は次の通りであった。
析結果は次の通りであった。
０断面組織
極めて微細なＭｇ０（ペリクレース）結晶粒子が緻密に
絡み合った状態で焼結されており、このＭｇＯ結晶粒間
の大部分に２ ＭＭｇＯ−８ｉｎ相が容積比で合計約５
＋％程度として均等に分布して存在し、粒界面の一部に
も２Ｍｇ０・Ｓｉｎ、相が生成していた。このＭｇＯ結
晶の形状は略円形であり、その大きさはその殆んどが１
〜５μであって、２Ｍｇ０・８１０ｍ相の厚みは略０．
１〜０．５μ程度であった。
絡み合った状態で焼結されており、このＭｇＯ結晶粒間
の大部分に２ ＭＭｇＯ−８ｉｎ相が容積比で合計約５
＋％程度として均等に分布して存在し、粒界面の一部に
も２Ｍｇ０・Ｓｉｎ、相が生成していた。このＭｇＯ結
晶の形状は略円形であり、その大きさはその殆んどが１
〜５μであって、２Ｍｇ０・８１０ｍ相の厚みは略０．
１〜０．５μ程度であった。
０化学分析値（重量％）
焼結体全体
ＭｇＯ９８，９％
Ｓｉｎ、 １．Ｑチ
また、焼結体の諸性質、特性の測定結果は次 。
表の通りであった。
嵩密度 ３．５２ （３，４０）
常温 ９．３ （９，３）
耐水利性註） ０．０１２％ （０，０３％）比較例
１、 特開昭５８−２１７４８０公報に開示されている
多孔質ＭｇＯ焼結体に有機硅素化合物液を含浸処理して
表面を燃焼させ表面に２Ｍｇ０・８１０重を主体とする
被覆層を形成させた結果得られたＭｇＯ焼結体のデータ
を前表の（）内に本発明品と対比して示した。
多孔質ＭｇＯ焼結体に有機硅素化合物液を含浸処理して
表面を燃焼させ表面に２Ｍｇ０・８１０重を主体とする
被覆層を形成させた結果得られたＭｇＯ焼結体のデータ
を前表の（）内に本発明品と対比して示した。
２、実施例とｔｌは同様であるが、エチルシリケートを
含まないエチルアルコール中で混合した方法により得ら
れた成型体を１４００℃では焼結不十分であったため、
１６００℃で焼成した焼結体について耐水利性を測定し
、ようとしたところ、粉化してしまって測定するにまで
手続者響ｊＬｔＥ書 昭和ら０年３月２日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１８７９号 ２、発明の名称 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法３、補正をする
者 事件との関係 特詐山願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （
００４）旭硝子株式会社 虎ノ門千代田ビル 自発補正 ６、補正により増加する発明の数 なしく１）特許請求
の範囲 別紙の通り （２）発明の詳細な説明 ・第５頁最終行をｒ以下、同じ＜ １００ＫＩＩｚにお
ける誘電損失（Ｔａｎδ）が常温で３×１０／Ｉ以下、
電」と補正する。
含まないエチルアルコール中で混合した方法により得ら
れた成型体を１４００℃では焼結不十分であったため、
１６００℃で焼成した焼結体について耐水利性を測定し
、ようとしたところ、粉化してしまって測定するにまで
手続者響ｊＬｔＥ書 昭和ら０年３月２日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１８７９号 ２、発明の名称 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法３、補正をする
者 事件との関係 特詐山願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （
００４）旭硝子株式会社 虎ノ門千代田ビル 自発補正 ６、補正により増加する発明の数 なしく１）特許請求
の範囲 別紙の通り （２）発明の詳細な説明 ・第５頁最終行をｒ以下、同じ＜ １００ＫＩＩｚにお
ける誘電損失（Ｔａｎδ）が常温で３×１０／Ｉ以下、
電」と補正する。
・第６頁第１行目ｒｌｏ−４Ω＊ｃｍＪを「１ＱｌＯΩ
・Ｃｍ」と補正する。
・Ｃｍ」と補正する。
・第７頁第１４行目「提案は」と「殆んど」の間に「特
開昭５８−２１７４０号公報で開示されているように」
を挿入する。
開昭５８−２１７４０号公報で開示されているように」
を挿入する。
・第８頁第２行目から第５行目までを次の通り補止する
。
。
「さらに別の方法として特開昭５８−１８１７８４号公
報には緻密な焼結体を得るためにマグネシウム化合物と
珪酸ナトリウム溶液等の液状珪素化合物とを混合するこ
とも提案されているが、充分な耐水相性などを得るため
には至っていない、その理由は定かでないが、該特許の
目的とする焼結体が透光性のものであることからして２
８ｇ０・５ｉ０２等の粗界相をできるだけ少なくする必
要があるので液体状の珪素化合物を少量にとどめざるを
得ないことやそれに関連しているかどうかは分らないが
、混合物の成形前において７５０〜１１００℃での予箭
加熱処理をせねばならないことなどが考えられる。」・
第９頁第１０行目「絶縁性」を「熱伝導性」と補正する
。
報には緻密な焼結体を得るためにマグネシウム化合物と
珪酸ナトリウム溶液等の液状珪素化合物とを混合するこ
とも提案されているが、充分な耐水相性などを得るため
には至っていない、その理由は定かでないが、該特許の
目的とする焼結体が透光性のものであることからして２
８ｇ０・５ｉ０２等の粗界相をできるだけ少なくする必
要があるので液体状の珪素化合物を少量にとどめざるを
得ないことやそれに関連しているかどうかは分らないが
、混合物の成形前において７５０〜１１００℃での予箭
加熱処理をせねばならないことなどが考えられる。」・
第９頁第１０行目「絶縁性」を「熱伝導性」と補正する
。
・第１０頁第１３行目と第１４行目の間に次の文章を挿
入する。
入する。
「ここで１本発明焼結体についで顕微鏡写真を参照しな
がらより具体的にさらに説明する。
がらより具体的にさらに説明する。
第１図において、ｌはＭｇＯ粒子、２及び３は２Ｍｇ０
・５ｉ０２相である。
・５ｉ０２相である。
このように、ＭｇＯ粒子１は、粒子同志互いに密接に２
）ＩｇＯ・５ｉ０２相２及び３を介して強固に焼結して
おり、その大部分が粒径５μ以下であることが分る。
）ＩｇＯ・５ｉ０２相２及び３を介して強固に焼結して
おり、その大部分が粒径５μ以下であることが分る。
又、焼結体中には粒径が５〜１０ｇ程度のものも存在し
ているが、その量は多くても２０重量％以下であり、通
常は１０％程度乃至それ以下である。
ているが、その量は多くても２０重量％以下であり、通
常は１０％程度乃至それ以下である。
ここで、２Ｍｇ０・５ｉ０２相２はＭｇＯ粒子の周りを
覆っている（即ち粒界に存在している） ２Ｍｇ０・５
ｉ０２相であり、３は複数のＭｇＯ粒子間にまたがった
２Ｍｇ０・５ｉ０２として存在しているものである。
覆っている（即ち粒界に存在している） ２Ｍｇ０・５
ｉ０２相であり、３は複数のＭｇＯ粒子間にまたがった
２Ｍｇ０・５ｉ０２として存在しているものである。
尚、本発明において、このような・第８頁第２行目は、
容積割合として３％程度以上好ましくは５〜８％程度存
在していることが望ましい。
容積割合として３％程度以上好ましくは５〜８％程度存
在していることが望ましい。
・第１１頁第１６行目を次の通り補正する。
誘電損失（常温、１００ＫＨｚ） ３Ｘ１０−’（ＩＸ
ＩＯ−り以下・第１１頁最終行「重量増加率」の次に「
（試料の大きさは５０龍Ｘ５０ｍｍＸ厚さ１ｍｍの板状
体であるが、厚みがこの程度の薄板の場合、その大きさ
の影響は殆どないので、単位面積当りの増加率に相当） 尚、電気絶縁基板としての信頼性を評価する試験法とし
ては一般に１２０℃×２気圧水蒸気で５００時間置く試
験が使われる。この試験法での本発明焼結体を試験した
結果１重量増加は殆どなかった。」 ・第１４頁第１θ行目と第１１行目の間に次の文章を挿
入する。
ＩＯ−り以下・第１１頁最終行「重量増加率」の次に「
（試料の大きさは５０龍Ｘ５０ｍｍＸ厚さ１ｍｍの板状
体であるが、厚みがこの程度の薄板の場合、その大きさ
の影響は殆どないので、単位面積当りの増加率に相当） 尚、電気絶縁基板としての信頼性を評価する試験法とし
ては一般に１２０℃×２気圧水蒸気で５００時間置く試
験が使われる。この試験法での本発明焼結体を試験した
結果１重量増加は殆どなかった。」 ・第１４頁第１θ行目と第１１行目の間に次の文章を挿
入する。
「ここで、本発明で加える有機シリケートの配合量につ
いてふれると、本発明のより好ましい態様である充分優
れた耐水相性をもたせるためにはある程度以上の２８ｇ
０・５ｉ０２相が必要であることが分り、このためには
前述しているように焼結体としての５ｉ０２量が焼結体
の分析値として重量％で少なくとも０．５ｚとするのが
よいことを考慮すれば分る如く、５ｉ０２としてＭｇＯ
との合量で０．５ｚ以上の量とすることが望ましい。
いてふれると、本発明のより好ましい態様である充分優
れた耐水相性をもたせるためにはある程度以上の２８ｇ
０・５ｉ０２相が必要であることが分り、このためには
前述しているように焼結体としての５ｉ０２量が焼結体
の分析値として重量％で少なくとも０．５ｚとするのが
よいことを考慮すれば分る如く、５ｉ０２としてＭｇＯ
との合量で０．５ｚ以上の量とすることが望ましい。
また、５ｉ０２量は多くなりすぎると電気絶縁基板用と
しての必要な他の特性即ち熱伝導性などを損うことにな
るので前述した如く焼結体中の５ｉ０２量として最大５
％（重量）にとどめ重量を配合することが必要である。
しての必要な他の特性即ち熱伝導性などを損うことにな
るので前述した如く焼結体中の５ｉ０２量として最大５
％（重量）にとどめ重量を配合することが必要である。
有機シリケートの最適量は、焼結体中に残存する５ｉ０
２量２して０．８〜３重量％とすることである。
２量２して０．８〜３重量％とすることである。
尚、４１機シリケートと有機溶剤の割合は、重量％で１
合り中前者が５０〜１０％、後者が５０〜９０％程度と
するのが好ましい。」 ・第１４頁第１１行目Ｆこの焼成により」をｒ本発明焼
結体はそシ焼成により」と補正する。
合り中前者が５０〜１０％、後者が５０〜９０％程度と
するのが好ましい。」 ・第１４頁第１１行目Ｆこの焼成により」をｒ本発明焼
結体はそシ焼成により」と補正する。
φ第１５頁第１５行目から第１θ行目に次の文章を挿入
する。
する。
「一方、十分焼結させるためには通常は１３００℃以」
：好ましくは１３５０℃以上での焼成が有効である。
：好ましくは１３５０℃以上での焼成が有効である。
また、本発明方法では混合物からシート状等に成型する
番コ際し、事前に何らの予備加熱処理なども必要とする
こと々く、混合物を乾帰することはあっても直接成型し
かつ直ちに所定の焼成温度での焼成が可能である。」・
第１８頁第１行目「誘電損失」の次にｒｌｏｏＫＨｚＪ
を挿入する。
番コ際し、事前に何らの予備加熱処理なども必要とする
こと々く、混合物を乾帰することはあっても直接成型し
かつ直ちに所定の焼成温度での焼成が可能である。」・
第１８頁第１行目「誘電損失」の次にｒｌｏｏＫＨｚＪ
を挿入する。
・第１８頁第５行目と第６行目の間に次の文章を挿入す
る。
る。
「実施例２
実施例１と同様にして調整したＭｇＯ粉末（純度９９．
８駕）、エチルシリケート及びエタノールからなる混合
物に、さらにバインダーとしてのポリビニルブチラール
１２％濃度溶液１００ｃｃを加えて混合したものをシー
ト状に成型し、１つは１４５０℃で、もう１つは１４４
０℃で１時間焼成し、肉厚的０．５ｍｍの２種類のシー
ト状焼結体を得た。
８駕）、エチルシリケート及びエタノールからなる混合
物に、さらにバインダーとしてのポリビニルブチラール
１２％濃度溶液１００ｃｃを加えて混合したものをシー
ト状に成型し、１つは１４５０℃で、もう１つは１４４
０℃で１時間焼成し、肉厚的０．５ｍｍの２種類のシー
ト状焼結体を得た。
この焼結体の断面組成及び化学分析結果は実施例１のも
のと殆ど回じであった。
のと殆ど回じであった。
また、焼結体の諸性質、特性の測定結果は次の通りであ
った。（）内は１４４０℃焼成品 嵩密度 ３．５０（３，４９） 抗折強度（ｋｇ／ＩＷＩｉ、常温） ’ ２７（２７）
誘導損失（Ｔａｎδ、 １００ＫＨｚ ）常温 １．３
Ｘ１Ｏ−４（２，４Ｘ１０−４）尚、熱伝導率、誘電
率、電気絶縁抵抗および耐水利性は実施例１のものと殆
ど同じであった。」
った。（）内は１４４０℃焼成品 嵩密度 ３．５０（３，４９） 抗折強度（ｋｇ／ＩＷＩｉ、常温） ’ ２７（２７）
誘導損失（Ｔａｎδ、 １００ＫＨｚ ）常温 １．３
Ｘ１Ｏ−４（２，４Ｘ１０−４）尚、熱伝導率、誘電
率、電気絶縁抵抗および耐水利性は実施例１のものと殆
ど同じであった。」
・第１８頁最終行に続いて次の文章を挿入する。
第１図は１本発明焼結体の結晶の構造を示す断面ｆｌ微
鏡写真である。縮尺はｌ目盛が３ＰＬである。 １はＭ−粒子、２及び３は２８ｇ０・５ｉ０２相である
。」（４）図面 別紙の通り提出する。 以上 別 紙 特許請求の範囲 １、［を鏡的にみてＭｇＯ結晶粒子の大きさが大部分５
川以下であって、少なくともこれらのＭｇＯ結晶粒子間
において２Ｍｇ０中５ｉ０２相 ゛が薄層として均等に
分布介在している組織からなり、かつ熱伝導率が常温で
０．０８ｃａｌ／Ｃ１１ｌ＠Ｓａｃ”℃以上、１００Ｋ
Ｈ２における誘電率が常温でｌＯ以工、電気絶縁抵抗が
３００℃で１０１０Ω・ｃｍ以上であるとともに優れた
耐水和特性を有していることを特徴とするＵ絶縁基材用
ＭｇＯ焼結体。 ２、少なくとも部分的にＭｇＯ結晶粒子界面にも２Ｍｇ
０・５ｉ（ｈ相が介在している特許請求の範囲第１項記
載のＭｇＯ焼結体。 ３ 、８ｇＯ結晶粒子の化学的分析値は重量％で９９．
５％以上からなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のＭｇＯ焼結体。 ４、焼結体としての嵩密度が３．４以上である特許請求
の範囲第１項又は第３項記載のＭｇＯ焼結体。 ５．焼結体としての化学分析値が１重量％で、５ｉ０２
ヲ０．５〜５％含ミ、 カつ５ｉ０２）ニー ＭｇＯの
含量が９９．５％以北である特許請求の範囲第１項又は
第４項記載のＭｇＯ焼結体。 ６、常温での抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ２以上である特
許請求の範囲第１項記載のＭｇＯ焼結体。 ７、熱伝導率が常温で０．１ ｃａｌ／ＣＩｌ＠ｓｅｅ
＠ ’Ｃ以−Ｌである特許請求の範囲第１項記載のＭ
ｇＯ焼結体。 ８、＃Ｉ水和性が、オートクレーブ中１５０″Ｃで５気
圧蒸気の雰囲気に２時間保持するという方法においてＭ
ｇＯがＭｇ（０１１）ン になることによる重量増加が
０．０２％以下である特許請求の範囲第１項記載のＭｇ
Ｏ焼結体。 訂請求の範囲第１ＪＪｉ記載のＭｇＯ焼結体。 １１、ＭｇＯの純度が化学分析値として重量％で９９％
以上、比表面積が１０ｍ’／ｇ以」；テあるＮｇＯ粒子
を有機シリケートを含む有機溶剤中で十分混合したのち
成形焼成することにより、微細なＭｇＯ結晶粒子間に２
Ｍｇ０・５ｉ０２相が均等に分布介在している組織から
なり、かつ熱伝導率が室温で０．０８ｃａｌ／ｃＩｌ＊
ｓｅｅ ＠℃以以上型電気絶縁抵抗３００℃でＩＱＩ
ＯΩΦａｍ以上であるとともに優れた耐水和特性を付
与、せしめたことを特徴とするυ絶縁基材用ＭｇＯ焼結
体の製造法。 １２、ＭｇＯ粉末として比表面積が２０ｒｎ’／ｇ以上
のものを使用するｔ、ｙ許請求の範囲第Ｕ項記載の製造
法。 暴ユ有機シリケートとして、シリケートのアルコラード
を使用する特許請求の範囲ｉ１１項又は第１３項記載の
製造法。 秤、シリケートのアルコラードとしてエチルシリケート
を使用する特許請求の範囲ｉ１４男記載の製造法。 長、有機溶剤がアルコールである特許請求の範囲第１１
項又はｔｊＳｌａ項又は第１５項記載の製造法。 １７、アルコールがエタノールである特許請求の範囲第
１６項記載の製造法。 す、焼ｌ＆、温度が１５００°Ｃ以下である特許請求の
範囲第１１項乃至Ｍ′Ｓ１７項記載の製造法。 す、焼成温度が１４５０ ’Ｑ以下である特許請求の範
囲第１８ＸＪｉ記載の製造法。 者 １ （３
鏡写真である。縮尺はｌ目盛が３ＰＬである。 １はＭ−粒子、２及び３は２８ｇ０・５ｉ０２相である
。」（４）図面 別紙の通り提出する。 以上 別 紙 特許請求の範囲 １、［を鏡的にみてＭｇＯ結晶粒子の大きさが大部分５
川以下であって、少なくともこれらのＭｇＯ結晶粒子間
において２Ｍｇ０中５ｉ０２相 ゛が薄層として均等に
分布介在している組織からなり、かつ熱伝導率が常温で
０．０８ｃａｌ／Ｃ１１ｌ＠Ｓａｃ”℃以上、１００Ｋ
Ｈ２における誘電率が常温でｌＯ以工、電気絶縁抵抗が
３００℃で１０１０Ω・ｃｍ以上であるとともに優れた
耐水和特性を有していることを特徴とするＵ絶縁基材用
ＭｇＯ焼結体。 ２、少なくとも部分的にＭｇＯ結晶粒子界面にも２Ｍｇ
０・５ｉ（ｈ相が介在している特許請求の範囲第１項記
載のＭｇＯ焼結体。 ３ 、８ｇＯ結晶粒子の化学的分析値は重量％で９９．
５％以上からなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のＭｇＯ焼結体。 ４、焼結体としての嵩密度が３．４以上である特許請求
の範囲第１項又は第３項記載のＭｇＯ焼結体。 ５．焼結体としての化学分析値が１重量％で、５ｉ０２
ヲ０．５〜５％含ミ、 カつ５ｉ０２）ニー ＭｇＯの
含量が９９．５％以北である特許請求の範囲第１項又は
第４項記載のＭｇＯ焼結体。 ６、常温での抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ２以上である特
許請求の範囲第１項記載のＭｇＯ焼結体。 ７、熱伝導率が常温で０．１ ｃａｌ／ＣＩｌ＠ｓｅｅ
＠ ’Ｃ以−Ｌである特許請求の範囲第１項記載のＭ
ｇＯ焼結体。 ８、＃Ｉ水和性が、オートクレーブ中１５０″Ｃで５気
圧蒸気の雰囲気に２時間保持するという方法においてＭ
ｇＯがＭｇ（０１１）ン になることによる重量増加が
０．０２％以下である特許請求の範囲第１項記載のＭｇ
Ｏ焼結体。 訂請求の範囲第１ＪＪｉ記載のＭｇＯ焼結体。 １１、ＭｇＯの純度が化学分析値として重量％で９９％
以上、比表面積が１０ｍ’／ｇ以」；テあるＮｇＯ粒子
を有機シリケートを含む有機溶剤中で十分混合したのち
成形焼成することにより、微細なＭｇＯ結晶粒子間に２
Ｍｇ０・５ｉ０２相が均等に分布介在している組織から
なり、かつ熱伝導率が室温で０．０８ｃａｌ／ｃＩｌ＊
ｓｅｅ ＠℃以以上型電気絶縁抵抗３００℃でＩＱＩ
ＯΩΦａｍ以上であるとともに優れた耐水和特性を付
与、せしめたことを特徴とするυ絶縁基材用ＭｇＯ焼結
体の製造法。 １２、ＭｇＯ粉末として比表面積が２０ｒｎ’／ｇ以上
のものを使用するｔ、ｙ許請求の範囲第Ｕ項記載の製造
法。 暴ユ有機シリケートとして、シリケートのアルコラード
を使用する特許請求の範囲ｉ１１項又は第１３項記載の
製造法。 秤、シリケートのアルコラードとしてエチルシリケート
を使用する特許請求の範囲ｉ１４男記載の製造法。 長、有機溶剤がアルコールである特許請求の範囲第１１
項又はｔｊＳｌａ項又は第１５項記載の製造法。 １７、アルコールがエタノールである特許請求の範囲第
１６項記載の製造法。 す、焼ｌ＆、温度が１５００°Ｃ以下である特許請求の
範囲第１１項乃至Ｍ′Ｓ１７項記載の製造法。 す、焼成温度が１４５０ ’Ｑ以下である特許請求の範
囲第１８ＸＪｉ記載の製造法。 者 １ （３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、顕微鏡的にみてＭｇＯ結晶粒子の大きさが大部分５
μ以下であって、少くともこれらのＭｇＯ結晶粒子間に
おいて２Ｍｇ０・Ｓ１０．相が薄層として均等に分布介
在している組織からなり、かつ熱伝導率が常温で０．０
８ （！ａ１．／ｃｒｎ・ｓｅａ １℃以上、１００Ｋ
Ｈｚにおける誘電率が常温で１０以下、誘電損失（Ｔａ
ｎδ）が常温でＩ Ｘ １０−’以下、電気絶縁抵抗が
３００℃で１０１００・備以上であるとともに優れた耐
水和特性を有していることを特徴とする絶縁基材用Ｍｇ
Ｏ焼結体。 ２、少くとも部分的にＭｇＯ結晶粒子界面にも２Ｍｇ０
・８１０！相が介在している特￥ｔｉｌｔ求の範囲第１
項記載のＭｇＯ焼結体。 ３、ＭｇＯ結晶粒子の化学分析値は重量％で９９．５％
以上からなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＭ
ｇＯ焼結体。 ４、焼結体としての嵩密度が３．４以上である特許請求
の範囲第１項又は第３項記載のＭｇＯ焼結体。 ５、焼結体としての化学分析値が、重量％で、Ｂ１０２
を０．５〜５％含み、かつＳ１０！とＭｇＯの含量が９
９．５チ以上である特許請求の範囲第１項又は第４項記
載のＭｇＯ焼結体。 ６、常温での抗折強度が２５ｋｖ／−以上である特許請
求の範囲第１項記載のＭｇＯ焼結体。 ７、熱伝導率が常温で０．１ ｃａｌ／ｚ−８ｅ（！
Ｈ’Ｃ以上であるＩＲ＃’ｆ請求の範囲第１項記載のＭ
ｇＯ焼結体。 ８、耐水和特性が、オートクレーブ中１５０℃で５気圧
蒸気の雰囲気に２時間保持するという方法においてＭｇ
ＯがＭｇ（ＯＨ）ｚになる仁とによる重量増加が０．０
２１以下である特許請求の範囲第１項記載のＭｇＯ焼結
体。 ９、ＭｇＯの純度が化学分析値として重量％で９９チ以
上、比表面積が１０ ｍ’／ ９以上であるＭｇＯ粉末
を有機シリケートを含む有機溶剤中で充分混合したのち
成形焼成することにより、微細なＭｇＯ結晶粒子間に２
Ｍｇｏ・８１０．相が均等に分布介在している組織から
なり、かつ熱伝導率が室温で０．０８ ｃａｌ／ｃｔｎ
−ｓｅａ ・’Ｃ以上、電気絶縁抵抗が３００℃で１０
１ｆｌΩ・儒以上であるとともに優れた耐水和特性を付
与せしめたことを特徴とする絶縁基材用ＭｇＯ焼結体の
製造法。 ＩＱ、ＭｇＯ粉末として純度が９９．９％以上ものを使
用する特許請求の範囲第９項記載の製造法。 １１、ＭｇＯ粉末として比表面積が２０ｒｒ？／ｆ以上
のものを使用する特許請求の範囲第９項記載の製造法。 認、有機シリケートとして、シリケートのアルコラード
を使用する特許請求の範囲第９項記載の製造法。 １３、シリケートのアルコラードとしてエチルシリケー
トを使用する特許請求の範囲第１２項記載の製造法。 １４、有機溶剤がアルコールである特許請求の範囲第９
項、第１１項又は第１３項記載の製造法。 １５、アルコールがエタノールである特許請求の範囲第
１４項記載の製造法。 １６、焼成温度が１５００℃以下である特許請求の範囲
第９項乃至第１５項いずれか記載の製造法。 １７、焼成温度が１４５０℃以下である特許請求の範囲
第１６項記載の製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021879A JPS60166260A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法 |
| GB08502416A GB2153814B (en) | 1984-02-10 | 1985-01-31 | Mgo ceramics for electrically insulating substrates |
| DE19853504035 DE3504035A1 (de) | 1984-02-10 | 1985-02-06 | Mgo-keramik fuer elektrisch isolierende substrate und verfahren zur herstellung derselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021879A JPS60166260A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60166260A true JPS60166260A (ja) | 1985-08-29 |
| JPH04945B2 JPH04945B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=12067407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021879A Granted JPS60166260A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 絶縁基材用ＭｇＯ焼結体及びその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60166260A (ja) |
| DE (1) | DE3504035A1 (ja) |
| GB (1) | GB2153814B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0776126B2 (ja) * | 1986-06-03 | 1995-08-16 | 神島化学工業株式会社 | マグネシア焼結体の製造方法 |
| AT392464B (de) * | 1988-08-10 | 1991-04-10 | Veitscher Magnesitwerke Ag | Magnesiumoxid in form eines feinen pulvers und seine verwendung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181764A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高緻密質マグネシア焼結体の製造法 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021879A patent/JPS60166260A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-31 GB GB08502416A patent/GB2153814B/en not_active Expired
- 1985-02-06 DE DE19853504035 patent/DE3504035A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181764A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高緻密質マグネシア焼結体の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2153814A (en) | 1985-08-29 |
| GB2153814B (en) | 1987-06-24 |
| JPH04945B2 (ja) | 1992-01-09 |
| GB8502416D0 (en) | 1985-03-06 |
| DE3504035A1 (de) | 1985-08-14 |
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