JPS60164239A - 螢光ｘ線メツキ液分析装置 - Google Patents
螢光ｘ線メツキ液分析装置Info
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- JPS60164239A JPS60164239A JP2059184A JP2059184A JPS60164239A JP S60164239 A JPS60164239 A JP S60164239A JP 2059184 A JP2059184 A JP 2059184A JP 2059184 A JP2059184 A JP 2059184A JP S60164239 A JPS60164239 A JP S60164239A
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-
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- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は螢光Ｘ線メッキ液分析装置に関する。
金属板等の表面に鉄、亜鉛等のメッキを施す工程におい
てメッキ液中の鉄、亜鉛等、メッキ層を！ 形成するメッキ金属イオン濃度を螢光ＸＭ分析により定
量し、メッキ液中のメッキ金属イオン濃度を管理するこ
とが行なわれている０螢光Ｘ線分析はサンプルにＸ線を
照射し、サンプル中の元素より放射される元素に固有の
螢光Ｘ線の強度を測定し・サンプル中の元素の量を定量
するものであるが、複数の元素が存在するサンプルの場
合・元素から放射された螢光Ｘ線が他の元素に吸収され
て弱められるマトリックス効果のため・測定される螢光
Ｘｆｓの強度はサンプル中の元素から実際に放射された
螢光Ｘ線の強度に比して小さいものとなり、このため通
常螢光Ｘ線の測定値よりマトリックス補正を行なってサ
ンプル中の元素量をめる方法が採用されている＠ 一方、硫酸酸性メッキ液においては鉄、亜鉛等のメッキ
金属の硫酸塩とともにメッキ液の電気伝導度を向上させ
る目的で大量のＮａ、Ｓ０４が添加されており、このＮ
ａ、ＳＯ，からのＨａ に螢光Ｘ線が吸収されるマトリ
ックス効果は無視できずその補正が必要とされている・
しかしながらＨａ＋の螢光Ｘ線を測定するためには真空
にする必要等があり通常のメッキ工程中で連続してＮｔ
Ｌ の螢光Ｘ線を測定することはきわめて困難であるた
め従来の螢光Ｘ線メッキ液分析装置においてはＮａ＋に
よるマトリックス効果の補正は行なわれておらず、メッ
キ金属イオン濃度の測定精度は不充分なものであった〇 本発明は上記の点に鑑みなされたもので、Ｎａ＋の螢光
Ｘ線を測定することなく螢光Ｘ線分析の容易なメッキ金
属イオン、ＳＯＸ−の濃度を螢光Ｘ線分析によりめ、こ
れらに基きメッキ液中のＮ ａ ２ Ｓ ０４濃度を推
定し１Ｎα によるマトリックス効果の補正をも行なう
ことによってメッキ金属イオン濃度のより正確な定量を
行なうことのできる螢光Ｘ線メッキ液分析装置を提供す
ることを目的とする。
てメッキ液中の鉄、亜鉛等、メッキ層を！ 形成するメッキ金属イオン濃度を螢光ＸＭ分析により定
量し、メッキ液中のメッキ金属イオン濃度を管理するこ
とが行なわれている０螢光Ｘ線分析はサンプルにＸ線を
照射し、サンプル中の元素より放射される元素に固有の
螢光Ｘ線の強度を測定し・サンプル中の元素の量を定量
するものであるが、複数の元素が存在するサンプルの場
合・元素から放射された螢光Ｘ線が他の元素に吸収され
て弱められるマトリックス効果のため・測定される螢光
Ｘｆｓの強度はサンプル中の元素から実際に放射された
螢光Ｘ線の強度に比して小さいものとなり、このため通
常螢光Ｘ線の測定値よりマトリックス補正を行なってサ
ンプル中の元素量をめる方法が採用されている＠ 一方、硫酸酸性メッキ液においては鉄、亜鉛等のメッキ
金属の硫酸塩とともにメッキ液の電気伝導度を向上させ
る目的で大量のＮａ、Ｓ０４が添加されており、このＮ
ａ、ＳＯ，からのＨａ に螢光Ｘ線が吸収されるマトリ
ックス効果は無視できずその補正が必要とされている・
しかしながらＨａ＋の螢光Ｘ線を測定するためには真空
にする必要等があり通常のメッキ工程中で連続してＮｔ
Ｌ の螢光Ｘ線を測定することはきわめて困難であるた
め従来の螢光Ｘ線メッキ液分析装置においてはＮａ＋に
よるマトリックス効果の補正は行なわれておらず、メッ
キ金属イオン濃度の測定精度は不充分なものであった〇 本発明は上記の点に鑑みなされたもので、Ｎａ＋の螢光
Ｘ線を測定することなく螢光Ｘ線分析の容易なメッキ金
属イオン、ＳＯＸ−の濃度を螢光Ｘ線分析によりめ、こ
れらに基きメッキ液中のＮ ａ ２ Ｓ ０４濃度を推
定し１Ｎα によるマトリックス効果の補正をも行なう
ことによってメッキ金属イオン濃度のより正確な定量を
行なうことのできる螢光Ｘ線メッキ液分析装置を提供す
ることを目的とする。
即ち本発明はメッキ金属の硫酸塩とＮａ、ｓｏ、を含有
する硫酸酸性メッキ液中のメッキ金属イオン濃度を螢光
Ｘ線分析により定量する螢光Ｘ線メッキ液分析装置にお
いて、該装置は測定用メッキ液を導入するサンプルホル
ダーと、該サンプルホルダー内のメッキ液にＸ線を照射
するＸ線照射手段と、サンプルより放射される螢光Ｘ線
を検出するＸ線検出器と、増幅器、多重波高分析器２有
するＸ線測定部と、演算器と、表示器とからなり、かつ
上記演算器がメッキ液中の各イオンの螢光Ｘ９強度から
Ｎａ、Ｓｏ、：０のときの検量線に基いてめたイオン濃
度よりマトリックス補正を行ない九メッキ金属イオン濃
度：０ｓ（ｆ／λ）と全５Ｏｊ−濃度：Ｓ（ｒ／λ）を
める演算と、上記Ｃ（とＳとからメッキ液中のＮａ２Ｓ
Ｏ４の推定濃度：Ｘ（ｆ’／Ａ）を次式 ％式％） （ただしＴ８（ｆ乙りはＣ（とＨ，Ｓｏ、濃度とよりめ
られる債でＮａ、Ｓｏ、による５ｏｊ−以外の５Ｏｊ−
の濃度ゞ、ＫはＮａ！Ｓｏ、中のｓｏ、の比率で０．６
７６２９である。） よりめる演算と、Ｎａ１ＳＯ４＝＝ＯおよびＨａ、５ｏ
４ＮＯの検量線に基いてめたｌＪａ、＋３０＝Ｑのとき
のメッキ金属イオン濃度との相対誤差：Ｙ′（イ）とＮ
ａ、Ｓｏ、濃度との相関関係を直線回帰によりめ、回帰
直線の傾き：ｘ１切片： Ｙ’。およびＮａｚＳＯ，濃
度が１００ ｆ／Ｉ１．のときの相対誤差：” １０Ｇ
（イ）と前記メッキ液中のＮａ２ＳＯ４の推定濃度：Ｘ
とから補正量：２を次式 １００ （ただしＡは？／Ｒ補正係数で、 Ａ−１００，７（Ｙ’、ｏｏ−ｊｏｏ）である。）より
め、該補正量：ｚと前記Ｎａ、５０４＝０のときの検量
線に基いて得た濃度をマトリックス補正してめたメッキ
金属イオン濃度：Ｃ（とからメッキ液中のメッキ金属イ
オンの最終分析値：Ｗｉ（り／Ｒ）を次式 ％式％） （ただしα、ｂは装置定数である。） に基いてめる演算とを行なうＯＰＵを有することを特徴
とする螢光ＸＭメッキ液液分製装置要旨とする。
する硫酸酸性メッキ液中のメッキ金属イオン濃度を螢光
Ｘ線分析により定量する螢光Ｘ線メッキ液分析装置にお
いて、該装置は測定用メッキ液を導入するサンプルホル
ダーと、該サンプルホルダー内のメッキ液にＸ線を照射
するＸ線照射手段と、サンプルより放射される螢光Ｘ線
を検出するＸ線検出器と、増幅器、多重波高分析器２有
するＸ線測定部と、演算器と、表示器とからなり、かつ
上記演算器がメッキ液中の各イオンの螢光Ｘ９強度から
Ｎａ、Ｓｏ、：０のときの検量線に基いてめたイオン濃
度よりマトリックス補正を行ない九メッキ金属イオン濃
度：０ｓ（ｆ／λ）と全５Ｏｊ−濃度：Ｓ（ｒ／λ）を
める演算と、上記Ｃ（とＳとからメッキ液中のＮａ２Ｓ
Ｏ４の推定濃度：Ｘ（ｆ’／Ａ）を次式 ％式％） （ただしＴ８（ｆ乙りはＣ（とＨ，Ｓｏ、濃度とよりめ
られる債でＮａ、Ｓｏ、による５ｏｊ−以外の５Ｏｊ−
の濃度ゞ、ＫはＮａ！Ｓｏ、中のｓｏ、の比率で０．６
７６２９である。） よりめる演算と、Ｎａ１ＳＯ４＝＝ＯおよびＨａ、５ｏ
４ＮＯの検量線に基いてめたｌＪａ、＋３０＝Ｑのとき
のメッキ金属イオン濃度との相対誤差：Ｙ′（イ）とＮ
ａ、Ｓｏ、濃度との相関関係を直線回帰によりめ、回帰
直線の傾き：ｘ１切片： Ｙ’。およびＮａｚＳＯ，濃
度が１００ ｆ／Ｉ１．のときの相対誤差：” １０Ｇ
（イ）と前記メッキ液中のＮａ２ＳＯ４の推定濃度：Ｘ
とから補正量：２を次式 １００ （ただしＡは？／Ｒ補正係数で、 Ａ−１００，７（Ｙ’、ｏｏ−ｊｏｏ）である。）より
め、該補正量：ｚと前記Ｎａ、５０４＝０のときの検量
線に基いて得た濃度をマトリックス補正してめたメッキ
金属イオン濃度：Ｃ（とからメッキ液中のメッキ金属イ
オンの最終分析値：Ｗｉ（り／Ｒ）を次式 ％式％） （ただしα、ｂは装置定数である。） に基いてめる演算とを行なうＯＰＵを有することを特徴
とする螢光ＸＭメッキ液液分製装置要旨とする。
以下本発明の一実施例を図面に基き説明するＯ第１図に
おいて１はタングステン球管、クロム球管等のＸ線発生
球管を有するＸ線発生装置、２は該Ｘ線発生装置１に電
源供給を行なうＸ線電源、６はサンプルホルダーで、該
サンプルホルダー３には、メッキ液槽１２より測定用の
メッキ液が導入される０４は放射される螢光ｘｍを検出
して螢光Ｘ線のエネルギーに比例したパルス電流を生ず
る半導体Ｘ線検出器、５は増幅器６と多重波高分析器７
とを有するＸ線測定部、８はインターフェイス９と０Ｐ
ＵＩ Ｑを有する演算器、１１はディスプレイ、プリン
ター等の表示器である０次に本発明装置の作用を、−例
として鉄、亜鉛の硫酸塩と、Ｎ ａ ２ Ｂ・０４を含
有する硫酸酸性メッキ液の分析を行なう場合について説
明する０ 。
おいて１はタングステン球管、クロム球管等のＸ線発生
球管を有するＸ線発生装置、２は該Ｘ線発生装置１に電
源供給を行なうＸ線電源、６はサンプルホルダーで、該
サンプルホルダー３には、メッキ液槽１２より測定用の
メッキ液が導入される０４は放射される螢光ｘｍを検出
して螢光Ｘ線のエネルギーに比例したパルス電流を生ず
る半導体Ｘ線検出器、５は増幅器６と多重波高分析器７
とを有するＸ線測定部、８はインターフェイス９と０Ｐ
ＵＩ Ｑを有する演算器、１１はディスプレイ、プリン
ター等の表示器である０次に本発明装置の作用を、−例
として鉄、亜鉛の硫酸塩と、Ｎ ａ ２ Ｂ・０４を含
有する硫酸酸性メッキ液の分析を行なう場合について説
明する０ 。
Ｘｍ発生装置１よりサンプルホルダー３内のメッキ液に
Ｘ線１２か照射されると、メッキ液中の各元素は各々固
有の螢光Ｘ１１１３を放射する０放射された螢光Ｘ＠１
５が半導体Ｘ線検出器４に検出されると該検出器４は螢
光Ｘ線１３のエネルギーに比例したパルス電流を発生し
、該パルス電流は増幅器６で増幅されて多重波高分析器
７に送られ波高分析される。波高分析器７からの出力は
演算器８のインターフェイス９を介して０ＰＩＴＩＯに
送られ、ＱＰＵｌ ０において波高分析器７からの出力
データに基いて以下の如き演算が行なわれるＯ まず鉄、亜鉛、ｓｏ２″″の螢光Ｘ線測定値から・Ｎ
ａ ２ Ｓ ０４ ＝０のときの鉄、亜鉛、５ＯＺ−の
検量線に基いて各イオン濃度をめ、これらの値よりマト
リックス補正を行ない鉄イオン、亜鉛イオン等のメッキ
金属イオンの各濃度：０ζ（ｆ／Ｑ）と全５ｏｊ−濃度
： ｓ （Ｐ／Ａ）をめる。次にこれらマトリックス補
正後のメッキ金属イオンの各濃度：０６と全５Ｏｊ−濃
度：Ｓとからメッキ液中に存在するＮａ、８０４の推定
濃度：ｘ（ｒ／Ａ）を次式％式％） よりめる。上記式においてＫはＨａ、ＳＯ２中のｓｏ、
比率で０．６７６２９でありＴＳはＮａ２ＳＯ４による
５ｏｊ−以外の５ｏｊ−の濃度であり、ＴＳは次式より
めることができる。
Ｘ線１２か照射されると、メッキ液中の各元素は各々固
有の螢光Ｘ１１１３を放射する０放射された螢光Ｘ＠１
５が半導体Ｘ線検出器４に検出されると該検出器４は螢
光Ｘ線１３のエネルギーに比例したパルス電流を発生し
、該パルス電流は増幅器６で増幅されて多重波高分析器
７に送られ波高分析される。波高分析器７からの出力は
演算器８のインターフェイス９を介して０ＰＩＴＩＯに
送られ、ＱＰＵｌ ０において波高分析器７からの出力
データに基いて以下の如き演算が行なわれるＯ まず鉄、亜鉛、ｓｏ２″″の螢光Ｘ線測定値から・Ｎ
ａ ２ Ｓ ０４ ＝０のときの鉄、亜鉛、５ＯＺ−の
検量線に基いて各イオン濃度をめ、これらの値よりマト
リックス補正を行ない鉄イオン、亜鉛イオン等のメッキ
金属イオンの各濃度：０ζ（ｆ／Ｑ）と全５ｏｊ−濃度
： ｓ （Ｐ／Ａ）をめる。次にこれらマトリックス補
正後のメッキ金属イオンの各濃度：０６と全５Ｏｊ−濃
度：Ｓとからメッキ液中に存在するＮａ、８０４の推定
濃度：ｘ（ｒ／Ａ）を次式％式％） よりめる。上記式においてＫはＨａ、ＳＯ２中のｓｏ、
比率で０．６７６２９でありＴＳはＮａ２ＳＯ４による
５ｏｊ−以外の５ｏｊ−の濃度であり、ＴＳは次式より
めることができる。
ＴＳ＝■（Ｏｉ ／ Ｍ ｔ ） Ｋ ｉ ＋ＨＳ ／
Ｋ Ｈ＄ ここで、Ｈ８はＨ，Ｓｏ、濃度 ＫＨはＨ，８０，中のｓｏ、＃Ｊ率 Ｍｊは各金属の硫酸塩中の金属比率 ｘｔは各金属の硫酸塩中のＳＯ，比率 である。
Ｋ Ｈ＄ ここで、Ｈ８はＨ，Ｓｏ、濃度 ＫＨはＨ，８０，中のｓｏ、＃Ｊ率 Ｍｊは各金属の硫酸塩中の金属比率 ｘｔは各金属の硫酸塩中のＳＯ，比率 である。
一方、濃度既知の鉄、亜鉛を含有するサンプルについて
Ｎａ、ＳＱ、＝Ｑのときの鉄、亜鉛の検量線と、異なる
複数の濃度のＮ（１，Ｓｏ、を含有するときの鉄、亜鉛
の検量線とから、Ｈａ２８０４ ＝ ０のときの鉄、亜
鉛の測定値とＮ ａ２ Ｓ ０４ ’ｑ Ｏのときの鉄
。
Ｎａ、ＳＱ、＝Ｑのときの鉄、亜鉛の検量線と、異なる
複数の濃度のＮ（１，Ｓｏ、を含有するときの鉄、亜鉛
の検量線とから、Ｈａ２８０４ ＝ ０のときの鉄、亜
鉛の測定値とＮ ａ２ Ｓ ０４ ’ｑ Ｏのときの鉄
。
亜鉛の測定値との相対誤差：Ｙ′（イ）をめ、相対誤差
：Ｙ′と、Ｈａ、８０．濃度： Ｘ’ （ｙ／ｉｔ）と
の相関関係を直線回帰によりめ、回帰直線 Ｙ’ ＝＝Ｋ ６ Ｘ’ −１−Ｙ’ 。
：Ｙ′と、Ｈａ、８０．濃度： Ｘ’ （ｙ／ｉｔ）と
の相関関係を直線回帰によりめ、回帰直線 Ｙ’ ＝＝Ｋ ６ Ｘ’ −１−Ｙ’ 。
より傾き二にと切片： Ｙ’。およびｘ’：＝１ｏｏＳ
’／Ａのときの相対誤差：Ｙ′１゜。（イ）をめる。
’／Ａのときの相対誤差：Ｙ′１゜。（イ）をめる。
次いでこれらの値と、前記メッキ液中のＮａ、Ｓｏ。
の推定濃度：Ｘとより補正量：２を次式（ただしＡはｆ
／Ｉｔ補正係数で、 Ａ＝１００／（Ｙ’、。。−１００）である。）よりめ
、Ｎａ、ＳＯ，＝Ｏのときの検量線に基いて得た濃度を
マトリックス補正してめたメッキ金属イオンの各濃度：
Ｃｉと上記補正量：２とから各メッキ金属イオンの最終
分析値； ｗ ｉ （ｔ／１）を Ｗ ＜ ＝ Ｚ ＊ （（１＠ Ｏｉ ＋ ６ ）（た
だしα、ｈは装置定数である０） よりめる０ 。
／Ｉｔ補正係数で、 Ａ＝１００／（Ｙ’、。。−１００）である。）よりめ
、Ｎａ、ＳＯ，＝Ｏのときの検量線に基いて得た濃度を
マトリックス補正してめたメッキ金属イオンの各濃度：
Ｃｉと上記補正量：２とから各メッキ金属イオンの最終
分析値； ｗ ｉ （ｔ／１）を Ｗ ＜ ＝ Ｚ ＊ （（１＠ Ｏｉ ＋ ６ ）（た
だしα、ｈは装置定数である０） よりめる０ 。
以上のようにして螢光Ｘ＠測定値にマトリックス補正を
行なって得られた各メッキ金属イオン濃度：ａＳに更に
Ｎａ＋によるマトリックス効果の補正をしてめられた最
終分析値：Ｗイはインターフェイス９を介して表示６１
１に出力され表示される。
行なって得られた各メッキ金属イオン濃度：ａＳに更に
Ｎａ＋によるマトリックス効果の補正をしてめられた最
終分析値：Ｗイはインターフェイス９を介して表示６１
１に出力され表示される。
以上説明したように本発明の装置は螢光ｘｍ分析による
定量が可能なメッキ液中のメッキ金属イオンと５ｏｊ−
の螢光Ｘ線分析結果からメッキ液中のＮ ａ ２ Ｓ
０４の濃度を推定し、メッキ金属イオンの測定値にＨａ
”によるマトリックス効果を補正する演算を行なうＯＰ
Ｕを演算器が備えたことにより、メッキ工程中において
螢光ＸＭ分析によりＨａ＋の濃度を測定することが困難
である理由により従来無視されていたＭＱ＋によるマト
リック￥ ス効果の補正をＮ、の濃度を直接測定することなく行な
うことができ、メッキ液中のメッキ金属イオンの濃度を
きわめて正確に分析してメッキ雇の管理精度の向上を図
ることができる効果を有する０
定量が可能なメッキ液中のメッキ金属イオンと５ｏｊ−
の螢光Ｘ線分析結果からメッキ液中のＮ ａ ２ Ｓ
０４の濃度を推定し、メッキ金属イオンの測定値にＨａ
”によるマトリックス効果を補正する演算を行なうＯＰ
Ｕを演算器が備えたことにより、メッキ工程中において
螢光ＸＭ分析によりＨａ＋の濃度を測定することが困難
である理由により従来無視されていたＭＱ＋によるマト
リック￥ ス効果の補正をＮ、の濃度を直接測定することなく行な
うことができ、メッキ液中のメッキ金属イオンの濃度を
きわめて正確に分析してメッキ雇の管理精度の向上を図
ることができる効果を有する０
図面は本発明の一実施例を示すもので・本発明装置の構
成を示すブロック図である。 １・・・・・・Ｘ線発生装置 ２・・・・・・ｘｉ電源
６・・・・・・サンプルホルダー ４・・・・・・半導体Ｘ線検出器 ５・・・・・・ＸＳ測定部 ６・・・・・・増幅器７・
・・・・・多重波高分析器 ８・・・・・・演算器 １ｏ・・・・・・ｏｐｔｙｌｌ
・・・・・・表示器 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
成を示すブロック図である。 １・・・・・・Ｘ線発生装置 ２・・・・・・ｘｉ電源
６・・・・・・サンプルホルダー ４・・・・・・半導体Ｘ線検出器 ５・・・・・・ＸＳ測定部 ６・・・・・・増幅器７・
・・・・・多重波高分析器 ８・・・・・・演算器 １ｏ・・・・・・ｏｐｔｙｌｌ
・・・・・・表示器 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メッキ金属の硫酸塩とＮ ａ ２ Ｓ ０４を含有する
硫酸酸性メッキ液中のメッキ金属イオン濃度を螢光Ｘ線
分析によ、り定置する螢光Ｘ＠メッキ液液分製装置おい
て、該装置は測定用メッキ液を導入するサンプルホルダ
ーと、該サンプルホルダー内のメッキ液にｘｍを照射す
るＸ線照射手段と・サンプルより放射される螢光Ｘ線を
検出するＸ線検出器と、増幅器・多重波高分析器を有す
るｘｌｓ測定部と、演算器と１表示器とからなり、かつ
上記演算器がメッキ液中の各イオンの螢光ｘＪ１強度か
らＮ（１，Ｓｏ、 ＝０のときの検量線に基いてめたイ
オン濃度よりマトリックス補正を行ない、メッキ金属イ
オン濃度： Ｏｉ （ｆ／ｆｉ）と全ＳＯｊ’−濃度＝
８（Ｓ’／Ｉ１．）をめる演・算と、上記ａｉと８とか
らメッキ液中のＮ （１１８０４の推定濃度：ｘ（ｆ／
λ）を次式 ％式％） （ただしＴｓ（ｆ乙０は０イとＨ，Ｓｏ、濃度とよりめ
られる値でｉｉａ、ｓｏ、による５ｏｌ−以外のＳｏｊ
の濃度、ＫはＨａ、Ｓｏ、中の８０４の比率で０．６７
６２９である。） よりめる演算と、Ｈａｄ ８０４ ＝ ０およびＮ ａ
２８０４ Ｓ Ｏの検量線に基いてめたＨａ、５ｏ４＝
０のときのメッキ金属イオン濃度とＮ ａ ２８０４Ｎ
Ｏのときのメッキ金属イオン濃度との相対誤差：Ｙ′（
イ）とＮａＱＳＯ，濃度との相関関係を直線回帰により
め、回帰直線の傾き：に１切片：Ｙ′。 およびＨａ２Ｓｏ、濃度が１００ ｆ／ｆｌのときの相
対誤差：Ｙ′、。。（イ）と前記メッキ液中のｍａ、ｓ
ｏ、の推定濃度：Ｘとから捕正量：２を次式 （ただしＡはり／ｎ補正係数で、 Ａ＝＝ｇ’ｊ Ｏｏ／（ｙ’５ｏｏ−１００）であるＣ
）よりめ、該補正量：２と前記Ｈａ、８０４：０のとき
の検量線に基いて得た濃度をマトリックス補正してめた
メッキ金属イオン濃度二０１とからメッキ液中のメッキ
金属イオンの最終分析値：Ｗゼ（１／込）を次式 ％式％） （ただしα、ｂは装置定数である。） に基いてめる演算とを行なうＣＰＵを有することを特徴
とする螢光Ｘ線メッキ液分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2059184A JPS60164239A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 螢光ｘ線メツキ液分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2059184A JPS60164239A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 螢光ｘ線メツキ液分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60164239A true JPS60164239A (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=12031483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2059184A Pending JPS60164239A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 螢光ｘ線メツキ液分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60164239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158500A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電気メッキ浴の調整方法 |
| WO2019031125A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 上村工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析の測定方法及び蛍光ｘ線分析の測定装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57179732A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Apparatus for analysis of plating liquid |
| JPS585639A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メッキ液成分濃度測定方法 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP2059184A patent/JPS60164239A/ja active Pending
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