JPS585639A - メッキ液成分濃度測定方法 - Google Patents
メッキ液成分濃度測定方法Info
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- JPS585639A JPS585639A JP10304081A JP10304081A JPS585639A JP S585639 A JPS585639 A JP S585639A JP 10304081 A JP10304081 A JP 10304081A JP 10304081 A JP10304081 A JP 10304081A JP S585639 A JPS585639 A JP S585639A
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- Japan
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- component
- concentration
- plating solution
- ray
- fluorescent
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
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- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の成分を有するメッキ液の成分濃度を螢光
Ｘ線分析により測定する方法、特にオンラインでの測定
を可能とする方法及びこれを実施するための装置に関す
る。
Ｘ線分析により測定する方法、特にオンラインでの測定
を可能とする方法及びこれを実施するための装置に関す
る。
鋼板の連続メツキラインにおいてメッキ液の成分管理を
行うことは極めて重要である。そのためＫは成分濃度測
定は不可欠であるが、従来はメッキ液試料を分析用容器
に一定量採取して分析する方法をとっていたために断続
的にしか測定できず、また分析する都度、試料の採取及
び分析用容器への充填並びＫその試料を充填した分析用
容器の分析装置への装着等に多大の工数を要し煩瑣であ
った。また所かる工数を削減するために生産ラインから
分析装置に装着された分析用容器へポンプ等の供給装置
釦より試料を直接供給する形式のものは公知であるが、
試料中に混入する異物及び試料供給時に発生する気泡等
によシ螢光Ｘ線強度が影響を受けて試料の成分濃度を正
確に測定できないという問題もあった。！！た複数の成
分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線分析により測
、定する際、螢光Ｘ線強度が測定対象外の成分に左右さ
れ、Ｘ線強度を測定するだけではメッキ液の成分濃度が
判明しないという問題もあった。
行うことは極めて重要である。そのためＫは成分濃度測
定は不可欠であるが、従来はメッキ液試料を分析用容器
に一定量採取して分析する方法をとっていたために断続
的にしか測定できず、また分析する都度、試料の採取及
び分析用容器への充填並びＫその試料を充填した分析用
容器の分析装置への装着等に多大の工数を要し煩瑣であ
った。また所かる工数を削減するために生産ラインから
分析装置に装着された分析用容器へポンプ等の供給装置
釦より試料を直接供給する形式のものは公知であるが、
試料中に混入する異物及び試料供給時に発生する気泡等
によシ螢光Ｘ線強度が影響を受けて試料の成分濃度を正
確に測定できないという問題もあった。！！た複数の成
分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線分析により測
、定する際、螢光Ｘ線強度が測定対象外の成分に左右さ
れ、Ｘ線強度を測定するだけではメッキ液の成分濃度が
判明しないという問題もあった。
本発明は所かる問題点を解決するためＫなされたもので
あってその目的とするところは複数の成分を有するメッ
キ液の成分濃度をオンラインで精度よく測定でき、また
メッキ液の成分が変更され、或いは測定対象成分が変更
されても容易に測定できる方法及びその実施に使用する
装置を提供するＫある。
あってその目的とするところは複数の成分を有するメッ
キ液の成分濃度をオンラインで精度よく測定でき、また
メッキ液の成分が変更され、或いは測定対象成分が変更
されても容易に測定できる方法及びその実施に使用する
装置を提供するＫある。
本発明に係るメッキ液の成分濃度の測定方法は複数の成
分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線分析によシ測
定する方法において、各成分の濃度と各成分についての
螢光Ｘ線強度との関係がこれらを変数として表わされた
連立方程式の定数を、各成分の濃度が既知である標準試
料について螢光Ｘ線強度を測定した結果によって求め、
仁の定数を含む連立方程式と測定対象のメッキ液の各成
分についての螢光Ｘ線強度測定結果とに基き、その各成
分の濃度を求めることを特徴とする。
分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線分析によシ測
定する方法において、各成分の濃度と各成分についての
螢光Ｘ線強度との関係がこれらを変数として表わされた
連立方程式の定数を、各成分の濃度が既知である標準試
料について螢光Ｘ線強度を測定した結果によって求め、
仁の定数を含む連立方程式と測定対象のメッキ液の各成
分についての螢光Ｘ線強度測定結果とに基き、その各成
分の濃度を求めることを特徴とする。
以下本発明方法をその実施状態を示す図面に基き説明す
る。図面は本発明方法の実施状態を示す模式図であって
生産ラインのメッキ槽（図示せず）から導かれた供給管
ｌは上面開放のタンク４内の上部で開口されている。そ
の供給管１内を通流する試料（メッキ液）は供給管１に
介装した吸出ポンプ２及び−次フィルタ３を経由してタ
ンク４に注入貯留されるようになっているが、タンク４
内に貯留された試料の液面下に開口部５ａが位置するよ
うに配設された導管５は、試料採取ポンプ６が介装され
ており、また冷却槽７内へ導かれ、冷却槽７を潜ってタ
ンク４、冷却槽７より高所に配された上面開放の中間槽
９内へ導かれている。導管５内を通流する試料は冷却槽
７内を通流する間、冷却槽７内の水等の冷却媒体により
冷却され、更に導管５の中間槽９側開口部近傍に設けた
二次フィルタ８により濾過される。中間槽９の底壁には
適宜パツキンを介して仕切板９ａが上下動自在に且つ所
望位置で固定可能に設けられ、その仕切板９ａによって
中間槽は部分され、前記導管５の開口部５ｂが臨んだ方
が貯留部９ｂとなシ、他方が温液排出部９ｃとなる。溢
液管１０は温液排出部９ｃの下部にその開口部１０ａが
位置するように取付けられており、温液排出部９ｃとタ
ンク４とを５連結している。貯留部９ｂの上部側面に連
結されたチューブ１１は可撓性素材からなり、中間槽９
よシ下方に位置された測定試料分析用容器（以下測定試
料容器という）１２の頂壁１２ｄに接続されている。そ
の測定試料容器１２の底壁１２ａＫはＸ線照射窓１２ｂ
が開設され、そのＸ線照射窓１２ｂを被覆するようにマ
イラー（商品名）等により構成されるＸ線透過性膜１２
ｃが液密Ｉ／ｃ敷設されている。
る。図面は本発明方法の実施状態を示す模式図であって
生産ラインのメッキ槽（図示せず）から導かれた供給管
ｌは上面開放のタンク４内の上部で開口されている。そ
の供給管１内を通流する試料（メッキ液）は供給管１に
介装した吸出ポンプ２及び−次フィルタ３を経由してタ
ンク４に注入貯留されるようになっているが、タンク４
内に貯留された試料の液面下に開口部５ａが位置するよ
うに配設された導管５は、試料採取ポンプ６が介装され
ており、また冷却槽７内へ導かれ、冷却槽７を潜ってタ
ンク４、冷却槽７より高所に配された上面開放の中間槽
９内へ導かれている。導管５内を通流する試料は冷却槽
７内を通流する間、冷却槽７内の水等の冷却媒体により
冷却され、更に導管５の中間槽９側開口部近傍に設けた
二次フィルタ８により濾過される。中間槽９の底壁には
適宜パツキンを介して仕切板９ａが上下動自在に且つ所
望位置で固定可能に設けられ、その仕切板９ａによって
中間槽は部分され、前記導管５の開口部５ｂが臨んだ方
が貯留部９ｂとなシ、他方が温液排出部９ｃとなる。溢
液管１０は温液排出部９ｃの下部にその開口部１０ａが
位置するように取付けられており、温液排出部９ｃとタ
ンク４とを５連結している。貯留部９ｂの上部側面に連
結されたチューブ１１は可撓性素材からなり、中間槽９
よシ下方に位置された測定試料分析用容器（以下測定試
料容器という）１２の頂壁１２ｄに接続されている。そ
の測定試料容器１２の底壁１２ａＫはＸ線照射窓１２ｂ
が開設され、そのＸ線照射窓１２ｂを被覆するようにマ
イラー（商品名）等により構成されるＸ線透過性膜１２
ｃが液密Ｉ／ｃ敷設されている。
測定試料容器１２の頂壁１２ｄＦｉその容器１２内に流
入する気泡が容易且つ自然に排出できるように中央部に
頂部を持つ円錐台状としてあり、その中央部１７１ｊ可
撓性素材からなるチューブ１３の開口部１３ａが接続さ
れており、このチューブ１３ｔｉ中間槽９と測定試料容
器１２（！−の中間の高さに位置せしめられた上面開口
のオーバーフロー！１４の上部に接続されている。
入する気泡が容易且つ自然に排出できるように中央部に
頂部を持つ円錐台状としてあり、その中央部１７１ｊ可
撓性素材からなるチューブ１３の開口部１３ａが接続さ
れており、このチューブ１３ｔｉ中間槽９と測定試料容
器１２（！−の中間の高さに位置せしめられた上面開口
のオーバーフロー！１４の上部に接続されている。
１６は分析容器載置台であって測定試料容＠１２よシも
少し小さ込穴１６ａが開設されており、この穴１６ａＫ
向けて螢光Ｘ線分析装置を構成するＸ線発生器１８及び
Ｘ線検出器１９が配設されている。
少し小さ込穴１６ａが開設されており、この穴１６ａＫ
向けて螢光Ｘ線分析装置を構成するＸ線発生器１８及び
Ｘ線検出器１９が配設されている。
測定試料容器１２は測定時にはそのＸ線照射窓１２ｂを
穴１６ａＫ’Ｍ合させられるが、後述するように標準試
料による螢光Ｘ線強度測定を行って定数を求める過程で
は穴１６ａ上から退避させ、これに替って標準試料分析
用容器（以下標準試料容器という）１７が穴１６ａ上に
位置せしめられる。標準試料容器１７Ｕ頂壁部に開閉自
在の蓋１７ａを配しており、測定試料容器１２の如きチ
ューブ１１゜１３の連結部を配していない外は、測定試
料容器１２と同様の形状をなし、内部には測定対象の成
分の濃度・が既知である標準試料が収容」れている。
穴１６ａＫ’Ｍ合させられるが、後述するように標準試
料による螢光Ｘ線強度測定を行って定数を求める過程で
は穴１６ａ上から退避させ、これに替って標準試料分析
用容器（以下標準試料容器という）１７が穴１６ａ上に
位置せしめられる。標準試料容器１７Ｕ頂壁部に開閉自
在の蓋１７ａを配しており、測定試料容器１２の如きチ
ューブ１１゜１３の連結部を配していない外は、測定試
料容器１２と同様の形状をなし、内部には測定対象の成
分の濃度・が既知である標準試料が収容」れている。
即ち、測定試料容器１２内の液及び標準試料容器１７内
の液を選択的に螢光Ｘ線分析装置の分析対象となし得る
ようＫしである。なお２０は螢光Ｘ線分析装置の信号処
理部である。
の液を選択的に螢光Ｘ線分析装置の分析対象となし得る
ようＫしである。なお２０は螢光Ｘ線分析装置の信号処
理部である。
オーバ−７０一槽１４下部には排出管１５が接続されて
おり、この排出管１５Ｆｉ生産ラインのメッキ情へ導か
れている。
おり、この排出管１５Ｆｉ生産ラインのメッキ情へ導か
れている。
さて複数の成分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線
分析により測定するＫあたり、測定しようとするメッキ
液の成分を有し、その成分濃度が既知の標準試料による
検量が必要であるか、その手法について説明する。まず
各成分の濃度と各成分についての螢光Ｘ線強度との関係
がこれらを変数として表わされた連立方程式の定数を、
各成分の濃度が既知である標準試料について螢光Ｘ線強
度を測定した結果によって求める。例えば本発明では下
記（１）〜（３）の方程式における定数を標準試料に基
いて決定すること釦より行う。
分析により測定するＫあたり、測定しようとするメッキ
液の成分を有し、その成分濃度が既知の標準試料による
検量が必要であるか、その手法について説明する。まず
各成分の濃度と各成分についての螢光Ｘ線強度との関係
がこれらを変数として表わされた連立方程式の定数を、
各成分の濃度が既知である標準試料について螢光Ｘ線強
度を測定した結果によって求める。例えば本発明では下
記（１）〜（３）の方程式における定数を標準試料に基
いて決定すること釦より行う。
１／ＩＡ＝ ａ＋＋（ａ、Ｗｉ＋＋ａｓＷｃ＋ａ４）／
Ｗ＊ ・・・ａ）１／Ｉｎ ＝ ｂ＋＋（ｂ！Ｗｃ＋
ｂｓＷＡ＋ｂ４）／ＷＢ−（２）１／ Ｉｃ ＝ ＣＩ
＋ （ｃｔ ＷＡ ＋ Ｃｓ ＷＢ ＋ Ｃ４）／ＷＣ
−（３）但し、ＩＡ＃ ＩＢＩ ＩＣ：成分Ａ、Ｂ、Ｃ
の螢光Ｘ線強度 ＷＡＩ ＷＢＩ ｗｅ ：成分Ａ、Ｂ、Ｃの濃度ａＩ
”’ ａ４ｙ ｂ１〜ｌ）４ ｔ Ｃ１〜Ｃ４ｍ定数ま
ず成分濃度既知の標準試料４種類を夫々に充填した標準
試料容器１７のＸ線照射窓１２ｍ）を穴１６ａＫ整合さ
せてこれらの標準試料について螢光Ｘ線強度を実測し、
各成分の実測値と既知の成分濃度とを（１）〜（３）式
に代入して未知の定数を求める。然る後に標準試料容器
１７１Ｃ替えて測定試料容器１２のＸ線照射窓１２ｂを
穴１６ａに整合させ測定試料容器１２ヘメツキ槽から供
給される測定対象試料の螢光Ｘ線強度を測定する。測定
試料は測定試料°容器１２へ連続的に供給されているが
、測定試料容器１２へ供給されるまでに一次フィルタ３
及び二次フィルタ８により濾過されるために異物が除去
されて分析に適した状態になっており、また冷却槽７に
より冷却されていてＸ線透過性膜１２ｃを傷めることが
ない。なお測定試料が測定試料容器１２内へ供給される
ときに発生する気泡は測定試料より比重が小さいので測
定試料中を上昇し、頂壁１２ｄＫ：導かれてチューブ１
３を経由してオーバーフロ一槽１４へ送られるから前述
のＸ線透過性膜１２ｃＫ＊泡が付着することがなく測定
の妨げになることがない。更に測定試料容器１２へは中
間槽貯留部９ｂｌＣ貯留された試料が供給されるが、測
定試料容器１２の底面から中間槽貯留部９ｂＫ貯留され
た試料の液面までの高さＨ即ち、測定試料容器１２に対
する試料供給系のヘッドは一定の値に保たれるからＸ線
透過性膜１２ｃに加わる圧力が一定とな＃）Ｘ線透過性
膜１２ｃが振動することがなく安定した測定が可能とな
る。
Ｗ＊ ・・・ａ）１／Ｉｎ ＝ ｂ＋＋（ｂ！Ｗｃ＋
ｂｓＷＡ＋ｂ４）／ＷＢ−（２）１／ Ｉｃ ＝ ＣＩ
＋ （ｃｔ ＷＡ ＋ Ｃｓ ＷＢ ＋ Ｃ４）／ＷＣ
−（３）但し、ＩＡ＃ ＩＢＩ ＩＣ：成分Ａ、Ｂ、Ｃ
の螢光Ｘ線強度 ＷＡＩ ＷＢＩ ｗｅ ：成分Ａ、Ｂ、Ｃの濃度ａＩ
”’ ａ４ｙ ｂ１〜ｌ）４ ｔ Ｃ１〜Ｃ４ｍ定数ま
ず成分濃度既知の標準試料４種類を夫々に充填した標準
試料容器１７のＸ線照射窓１２ｍ）を穴１６ａＫ整合さ
せてこれらの標準試料について螢光Ｘ線強度を実測し、
各成分の実測値と既知の成分濃度とを（１）〜（３）式
に代入して未知の定数を求める。然る後に標準試料容器
１７１Ｃ替えて測定試料容器１２のＸ線照射窓１２ｂを
穴１６ａに整合させ測定試料容器１２ヘメツキ槽から供
給される測定対象試料の螢光Ｘ線強度を測定する。測定
試料は測定試料°容器１２へ連続的に供給されているが
、測定試料容器１２へ供給されるまでに一次フィルタ３
及び二次フィルタ８により濾過されるために異物が除去
されて分析に適した状態になっており、また冷却槽７に
より冷却されていてＸ線透過性膜１２ｃを傷めることが
ない。なお測定試料が測定試料容器１２内へ供給される
ときに発生する気泡は測定試料より比重が小さいので測
定試料中を上昇し、頂壁１２ｄＫ：導かれてチューブ１
３を経由してオーバーフロ一槽１４へ送られるから前述
のＸ線透過性膜１２ｃＫ＊泡が付着することがなく測定
の妨げになることがない。更に測定試料容器１２へは中
間槽貯留部９ｂｌＣ貯留された試料が供給されるが、測
定試料容器１２の底面から中間槽貯留部９ｂＫ貯留され
た試料の液面までの高さＨ即ち、測定試料容器１２に対
する試料供給系のヘッドは一定の値に保たれるからＸ線
透過性膜１２ｃに加わる圧力が一定とな＃）Ｘ線透過性
膜１２ｃが振動することがなく安定した測定が可能とな
る。
以上のように本発明はメッキ液の成分濃度をオンライン
で測定することを可能とし、しかも異物。
で測定することを可能とし、しかも異物。
気泡或いは、Ｘ線照射面の振動等の影響を排した高精度
での測定を可能とするのでメッキ液の成分管理に優れた
効果を奏する。そしてメッキ液の成分或いは測定対象成
分が変更された場合には所要成分を含む標準試料を収容
した容器１７を用いて必要な検量を行うことＫよって対
応できるから、極めて柔軟性に富むメッキ液成分濃度測
定システムが実現できる。
での測定を可能とするのでメッキ液の成分管理に優れた
効果を奏する。そしてメッキ液の成分或いは測定対象成
分が変更された場合には所要成分を含む標準試料を収容
した容器１７を用いて必要な検量を行うことＫよって対
応できるから、極めて柔軟性に富むメッキ液成分濃度測
定システムが実現できる。
図面は本発明方法の実施状態を示す模式図である。
３・・・−次フィルタ ４・・・タンク ７・・・冷却
槽８・・・二次フィルタ ９・・・中間槽 １２・・・
測定、試料容器 １４・・・オーバー７０一槽 １７・
・・標準試料容器 １８・・・Ｘ線発生器 １９・・・
Ｘ線検出器特 許 出 願 人 住友金属工業株式
会社代理人 弁理士 河 野 登 夫
槽８・・・二次フィルタ ９・・・中間槽 １２・・・
測定、試料容器 １４・・・オーバー７０一槽 １７・
・・標準試料容器 １８・・・Ｘ線発生器 １９・・・
Ｘ線検出器特 許 出 願 人 住友金属工業株式
会社代理人 弁理士 河 野 登 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の成分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線
分析によシ測定する方法において、各成分の濃度と各成
分についての螢光Ｘ線強度との関係がこれらを変数とし
て表わされた連立方程式の定数を、各成分の濃度が既知
・である標準試料にりいて螢光Ｘ線強度を測定した結果
によって求め、この定数を含む連立方程式と測定対象の
メッキ液の各成分についての螢光Ｘ線強度測定結果とに
基き、その各成分の濃度を求めることを特徴とするメッ
キ液成分濃度の測定方法。 ２、複数の成分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線
分析によシ測定する方法において、各成分の濃度と各成
分についての螢光Ｘ線強度との関係がこれらを変数とし
て表わされた連立方程式の定数を、所要成分の濃度が既
知である標準試料を収容した容器をＸ線照射領域に位置
させて螢光Ｘ線強度を測定した結果によって求め、この
定数を含む連立方程式と前記容器に替えて測定対象のメ
ッキ液を通流させ得る容器をＸ線照射領域に位置させて
各成分の螢光Ｘ線強度を測定した結果とに基き、その各
成分の濃度を求めることを特徴とするメッキ液成分濃度
の測定方法。 ８、複数の成分を有するメッキ液の成分濃度を螢光Ｘ線
分析によシ測定する装置において、底壁にＸ線透過性膜
を取付けた開口部を有する測定試料容器及び標準試料容
器の前記開口部をＸ線照射領域に適訳的に臨ませ得るよ
うＫＬ、前記測定試料容器に＃′ｉ測定対象メッキ液を
一定ヘッドで通流供給し得るように構成したことを特徴
とするメッキ液成分濃度の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10304081A JPS585639A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | メッキ液成分濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10304081A JPS585639A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | メッキ液成分濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585639A true JPS585639A (ja) | 1983-01-13 |
| JPH0332735B2 JPH0332735B2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=14343548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10304081A Granted JPS585639A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | メッキ液成分濃度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585639A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60164239A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線メツキ液分析装置 |
| WO2019031125A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 上村工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析の測定方法及び蛍光ｘ線分析の測定装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119432A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Continuous electrogalvanizing method |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10304081A patent/JPS585639A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119432A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Continuous electrogalvanizing method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60164239A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線メツキ液分析装置 |
| WO2019031125A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 上村工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析の測定方法及び蛍光ｘ線分析の測定装置 |
| KR20200035403A (ko) * | 2017-08-07 | 2020-04-03 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 형광 x선 분석의 측정 방법 및 형광 x선 분석의 측정 장치 |
| JPWO2019031125A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2020-07-02 | 上村工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析の測定方法及び蛍光ｘ線分析の測定装置 |
| US11047814B2 (en) | 2017-08-07 | 2021-06-29 | C. Uyemura & Co., Ltd. | X-ray fluorescence analysis measurement method and X-ray fluorescence analysis measurement device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332735B2 (ja) | 1991-05-14 |
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