JPS60158625A - 平板固定装置 - Google Patents

平板固定装置

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Publication number
JPS60158625A
JPS60158625A JP59011961A JP1196184A JPS60158625A JP S60158625 A JPS60158625 A JP S60158625A JP 59011961 A JP59011961 A JP 59011961A JP 1196184 A JP1196184 A JP 1196184A JP S60158625 A JPS60158625 A JP S60158625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
air
vacuum
valve
dust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59011961A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidezo Sano
秀造 佐野
Naoto Nakajima
直人 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS60158625A publication Critical patent/JPS60158625A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はマスクアライナ、ウェハ検査装置、マスク検査
装置など平板状のウェハやマスクのハニドリング及び固
定を必要とする様な装置で、塵埃発生を特に微らう装置
に好適な平板固定装置に関する。
〔発明の背景〕
従来のウェハ同市装置を例にとシ、従来技術の問題点を
図に従がって説明する。第１図は前記装置の概略を示し
たものであり、固定ブロック上にはウェハを吸着または
離脱時に空気の流れる溝３及びその供給諒となる穴４が
形成されている。
第２図、第５図はそれぞれウエノ・１を固定ブロック２
に固定または離脱する時の動作を示したものである。５
は真空−錯気供給切換弁６と穴４を結ぶ配管、７は真空
−空気供鮒切侯弁内の切換弁で真窒糸８と窒気糸９の切
換えを行なう０１１はウェハ１の着脱時搬送アームであ
る。
この様な構成において、例えばマスクアライナではウェ
ハ１を粗アライメント後、第２図のごとく切換弁７を真
空側にして固定ブロック２上に固定し、精アライメント
・露光を行なった後切換弁７を空気側にしてウェハ１の
固定ブロック２からの離脱を行なう。
ところで、この様に供給されるウェハ１は例えば裏面に
レジストが付いていたり、ハンドリング時に他からごみ
が付着するなど屋埃の間顕があり真空と突気配管を共通
にする従来の方法では真空吸着時にウェハ１からの塵埃
１０か配管系内に呼び込まれるが（第２図）、離脱時に
この配管系内の塵埃１０が供給空気９により丹ひ外部に
放出され、露光糸で異物になるなど装置性能の大巾劣化
を生ずる可能性が大であった。
〔発明の目的〕
本弁明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、半
導体製造の歩留りを向上させる平板固定装置を提供する
にある。
〔発明の概晋〕
上Ｈｒ２目的を達成するために、真空と空気の谷配管を
独立にし、それぞれを専用にすることにより流体が常に
１方向にの＋流れるようにした。、。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を第４図から第７図に従がって説明する
。第４図は本発明による固定チャックの概略を示しだも
のであり、第５図はその動作説明図である。固定ブロッ
ク２上の溝３は従。
米と同じであるが、空気用の穴１２・真空用の穴１６が
それぞれ独立に設けられている。これらの穴に対しそれ
ぞれ空気用配管１２・フィルタ１３・電磁弁１４が、ま
た真空用配管１５・電磁弁１６が接続されている。１４
′・１６′はそれぞれ電磁弁の可動弁である。
上記構成により可動弁１４′開・１６′閉の場合はフィ
ルタ１５を辿して消＃窒気がウェハ１に供給され離脱が
可能である。他方可動弁１４′・１６′開の場合はウェ
ハ１が固定チャック２に成層されるとともにウェハ１に
付層のごみも真を用配管１５を通して管内を運ばれる。
第６図・第７図は上記方式を積極的に用いてウェハ裏面
の渭沖化を行なうもので、第６図に概略を、第７図に動
作説明図を示す。
構成は第４図・第５図七ｌｔとんと同じであり、加えて
空気供給穴１２をＩｉ！ｒｉ定チャックチャツク２設は
周上がら空気が噴き出すように構１７を有する構造とな
っている。この構成においてウェハ１が搬送アーム１１
により同定チャック２上に趣はれてくると、各電磁弁１
４・１６′が開いてフィルタ１３を辿った消浄窒気が空
気穴１２より供給され固定チャック２の周上に設けられ
た溝１７より噴き出し、ウェハ１の矢面に当たる。
一方真空が作動しているため、八１５からは空気が引か
れてお９上記ウエハ１の裏面に当たったを気もこの真壁
穴１５から引かれ、この空気の流れとともにウェハ１の
裏面に付着のごみが除去される。
一定時間の後、ｉｉＪ動弁１４′を閉じることによりウ
ェハ１の固定チャック２へのｌＩ！ｉＪ足が可能であり
、また可動弁１６′を閉じ１４′を開く仁とにより離脱
も可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、平板を成層固定時に平板１ｔｌ１１．
。
からの塵埃を再び平板側に吹き出すことがなく、塵埃の
発生を少なくできるので、半導体開運装置のように塵埃
に敏感な装置りにおいて歩留りの大巾向上の効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の平板固定装置の断面を含む斜視図、第２
図、第３図は第１図の動作を説明する断ｉｎｊ図、第４
図は本発明の一実施例の平板固定装置の断面を含む斜視
図、第５図は第４図の動作説明図、第６図は本発明の他
の実施例の平板固定装置斜視図、第７図は第６図の動作
釈明図である。 １……ウエハ ２・・・・・・固定チャック １０・・・・・・こみ １２・・・・・・空気穴 １５・・・・・・真空穴 第　ｊ　図 第　２　図 第　３　閏 第　４０ 第　ろ　■ゴ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　平板を固定する固定台と、該−足台に対し固定台に
    設けた鍔を介して平板を成層、離脱可能に真空口と流体
    吹き出し口をそれぞれ独立に設けたことを特徴とする平
    板固定装置。
JP59011961A 1984-01-27 1984-01-27 平板固定装置 Pending JPS60158625A (ja)

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JP59011961A JPS60158625A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 平板固定装置

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JP59011961A JPS60158625A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 平板固定装置

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JPS60158625A true JPS60158625A (ja) 1985-08-20

Family

ID=11792208

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JP59011961A Pending JPS60158625A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 平板固定装置

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JP (1) JPS60158625A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61285733A (ja) * 1985-06-12 1986-12-16 Mitsubishi Electric Corp パタ−ン転写装置
JPS6437044U (ja) * 1987-08-31 1989-03-06
JP2002313896A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Foi:Kk 高清浄空間形成装置
CN105954975A (zh) * 2016-06-29 2016-09-21 南通大学 一种专用于匀胶机托盘真空吸片口上的WiFi型端盖

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61285733A (ja) * 1985-06-12 1986-12-16 Mitsubishi Electric Corp パタ−ン転写装置
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JP2002313896A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Foi:Kk 高清浄空間形成装置
CN105954975A (zh) * 2016-06-29 2016-09-21 南通大学 一种专用于匀胶机托盘真空吸片口上的WiFi型端盖
CN105954975B (zh) * 2016-06-29 2019-11-26 南通大学 一种专用于匀胶机托盘真空吸片口上的WiFi形端盖

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