JPS60154502A - 金属磁性粉末の安定化法 - Google Patents
金属磁性粉末の安定化法Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 title abstract description 13
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims abstract description 54
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrate Chemical compound O.[Si] XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUPCBVUMRUSXIU-UHFFFAOYSA-N [Fe].OOO Chemical compound [Fe].OOO CUPCBVUMRUSXIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 fatty acid salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021519 iron(III) oxide-hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N dichloro(diethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)CC BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHCFIFIBAXEQFZ-UHFFFAOYSA-N bromo(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Br)(OCC)OCC PHCFIFIBAXEQFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVITXZAEWLRTEI-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](Br)(OC)OC NVITXZAEWLRTEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(OCC)OCC JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEHKWLKYFXJVLL-UHFFFAOYSA-N dichloro(dimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](Cl)(Cl)OC QEHKWLKYFXJVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 229910052598 goethite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M hydroxy(oxo)iron Chemical compound [O][Fe]O AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N tribromo(methyl)silane Chemical compound C[Si](Br)(Br)Br KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRCZLPQTJDWPKN-UHFFFAOYSA-N tribromosilicon Chemical class Br[Si](Br)Br KRCZLPQTJDWPKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFIHIMBHQWVNQ-UHFFFAOYSA-N tributoxy(chloro)silane Chemical compound CCCCO[Si](Cl)(OCCCC)OCCCC RYFIHIMBHQWVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQJYXISBATZORI-UHFFFAOYSA-N tributyl(ethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](CCCC)(CCCC)OCC ZQJYXISBATZORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SELBPKHVKHQTIB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(Cl)Cl SELBPKHVKHQTIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IORQPMCLCHBYMP-UHFFFAOYSA-N trichloro(methoxy)silane Chemical compound CO[Si](Cl)(Cl)Cl IORQPMCLCHBYMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWOVOXIQSOKSAH-UHFFFAOYSA-N triiodosilicon Chemical class I[Si](I)I BWOVOXIQSOKSAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/706—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material
- G11B5/70605—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material metals or alloys
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録用金属磁性粉末の安定化法に関する
。
。
更に詳しくは1本発明は、金属鉄または鉄を主成分とす
る合金磁性粉末に気相でケイ素化合物と水とを交互に接
触させて粉末粒子表面に5i02被膜を形成させ、金属
鉄まだは鉄を主成分とする合金磁性粉末(以下、金属磁
性粉末と総称する。)の酸化安定性を改良する方法に関
するものである。
る合金磁性粉末に気相でケイ素化合物と水とを交互に接
触させて粉末粒子表面に5i02被膜を形成させ、金属
鉄まだは鉄を主成分とする合金磁性粉末(以下、金属磁
性粉末と総称する。)の酸化安定性を改良する方法に関
するものである。
金属磁性粉末の製法はすでに多数提案されている。代表
的な製法としては、各種の方法で得られるオキシ水酸化
鉄や酸化鉄または鉄以外の金属。
的な製法としては、各種の方法で得られるオキシ水酸化
鉄や酸化鉄または鉄以外の金属。
例えばNi+ C!O+ Or+ Mn+ Cu+ Z
n+ Fit V等の金属を含むオキシ水酸化鉄や酸化
鉄を、水素の如き還元性ガス雰囲気中でろ00〜500
°C程度の温度で加熱還元して金属磁性粉末にする加熱
還元法がある。
n+ Fit V等の金属を含むオキシ水酸化鉄や酸化
鉄を、水素の如き還元性ガス雰囲気中でろ00〜500
°C程度の温度で加熱還元して金属磁性粉末にする加熱
還元法がある。
しかし上述の方法で得られる金属磁性粉末粒子は、11
0μ程度と非常に小さく、比表面積が30〜60mシ′
グ程度で、還元終了後冷却してそのまま空気中にとりだ
すと、激しく酸化されてし甘うだめ・何らかの方法で安
定化しなければ空気中にとりだせないという問題点があ
る。
0μ程度と非常に小さく、比表面積が30〜60mシ′
グ程度で、還元終了後冷却してそのまま空気中にとりだ
すと、激しく酸化されてし甘うだめ・何らかの方法で安
定化しなければ空気中にとりだせないという問題点があ
る。
それ故従来金属磁性粉末の安定化については。
種々の提案がある。例えば(1)還元終了後の金属磁性
粉末を冷却してトルエン、キンレン等の有機溶剤中に浸
漬した後空気中にとりだして溶剤を徐々に蒸発させて粉
末粒子の表面に酸化被膜を形成させる方法、(2)還元
終了後、20〜100°C程度の比較的低温下に低酸素
分圧雰囲気丁で金属磁性粉末粒子表面を酸化して酸化被
膜を形成さぜる方法。
粉末を冷却してトルエン、キンレン等の有機溶剤中に浸
漬した後空気中にとりだして溶剤を徐々に蒸発させて粉
末粒子の表面に酸化被膜を形成させる方法、(2)還元
終了後、20〜100°C程度の比較的低温下に低酸素
分圧雰囲気丁で金属磁性粉末粒子表面を酸化して酸化被
膜を形成さぜる方法。
(3)金属磁性粉末と有機溶剤および種々の化合物。
例えば高級脂肪酸塩、ケイ素化合物、リン化合物。
アルミニウム化合物等とを混合し、これら化合物の被膜
を粉末粒子表面に形成させる方法等が提案されている。
を粉末粒子表面に形成させる方法等が提案されている。
しかしながら従来の安定化法で得られた金属磁性粉末は
、これを空気中に放置すると、徐々に酸化が進行して磁
気特性、特に飽和磁化(Me)が経時的に低下すること
が多く、空気中にとりだした後の酸化安定性に問題が残
されている。例えば後記比較例1および2からも明らか
であるように。
、これを空気中に放置すると、徐々に酸化が進行して磁
気特性、特に飽和磁化(Me)が経時的に低下すること
が多く、空気中にとりだした後の酸化安定性に問題が残
されている。例えば後記比較例1および2からも明らか
であるように。
上記(1)および(2)の如き安定化法で得られた金属
磁性粉末は、これを7日間60°Cで90%相対湿度下
に放置する劣化テストによると、25〜35係飽和磁化
が低下する。また従来の安定化法は、安定化操作が煩雑
であったり9寸だ期待した安定化効果が十分に発現され
ない場合が多く、改善の余地がある。
磁性粉末は、これを7日間60°Cで90%相対湿度下
に放置する劣化テストによると、25〜35係飽和磁化
が低下する。また従来の安定化法は、安定化操作が煩雑
であったり9寸だ期待した安定化効果が十分に発現され
ない場合が多く、改善の余地がある。
本発明者らはこれらの実情に鑑み、酸化安定性のすぐれ
た金属磁性粉末を簡単な操作で工業的に製造することを
目的として、金属磁性粉末の安定化について鋭意研究を
行った結果、金属磁性粉末に気相でケイ素化合物と水と
を交互に接触させると、粉末粒子表面に緻密で均質なケ
イ素化合物被膜が形成され、きわめてすぐれた酸化安定
性を示す金属磁性粉末が容易に得られることを知見し。
た金属磁性粉末を簡単な操作で工業的に製造することを
目的として、金属磁性粉末の安定化について鋭意研究を
行った結果、金属磁性粉末に気相でケイ素化合物と水と
を交互に接触させると、粉末粒子表面に緻密で均質なケ
イ素化合物被膜が形成され、きわめてすぐれた酸化安定
性を示す金属磁性粉末が容易に得られることを知見し。
本発明に到った。
本発明は、金属鉄または鉄を主成分とする合金粉末に気
相でケイ漱化合物と水とを交互に接触させることを特徴
とする金属磁性粉末の安定化法に関するものである。
相でケイ漱化合物と水とを交互に接触させることを特徴
とする金属磁性粉末の安定化法に関するものである。
本発明において安定化に供される金属磁性粉末は、金属
鉄磁性粉末および鉄を主成分とする合金磁性粉末である
。鉄を主成分とする合金磁性粉末の鉄以外の金属として
は、従来この種の磁気記録用磁性粉末に用いられている
Ni+ C!O+ Or+ Mn+ C!u+Zn+T
i+V等を挙げることができる。これら金属磁性粉末は
どのような方法で製造されたものでもよいが一般には従
来公知の種々の方法で得られた上記鉄以外の金属を含有
または含有しないオキシ本酸化鉄、酸化鉄等を水素の如
き還元性ガス雰囲気中で300〜500°C程度の温度
で加熱還元する方法で製造したものが使用される。
鉄磁性粉末および鉄を主成分とする合金磁性粉末である
。鉄を主成分とする合金磁性粉末の鉄以外の金属として
は、従来この種の磁気記録用磁性粉末に用いられている
Ni+ C!O+ Or+ Mn+ C!u+Zn+T
i+V等を挙げることができる。これら金属磁性粉末は
どのような方法で製造されたものでもよいが一般には従
来公知の種々の方法で得られた上記鉄以外の金属を含有
または含有しないオキシ本酸化鉄、酸化鉄等を水素の如
き還元性ガス雰囲気中で300〜500°C程度の温度
で加熱還元する方法で製造したものが使用される。
ケイ素化合物としては、気化し易く、まだ加水分解し易
い化合物であればいずれでもよく1次の一般式(1)お
よび(2)で表わされる化合物が好適である。
い化合物であればいずれでもよく1次の一般式(1)お
よび(2)で表わされる化合物が好適である。
RnS i (OR”)4−n・・・・・(1)(式中
R1はアルキル基、水素原子または・・ロゲン原子を示
し R2はアルキル基を示し、nは0゜1.2または6
である。) 。
R1はアルキル基、水素原子または・・ロゲン原子を示
し R2はアルキル基を示し、nは0゜1.2または6
である。) 。
SlR3mX4.、−]lIl・・・・・(2)(式中
R3は・・ロゲン原子、水素原子またはアルキル基を示
し9mは0,1.2または6である。)式(1)で表わ
されるケイ素化合物のR1よびR’l/)アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル。
R3は・・ロゲン原子、水素原子またはアルキル基を示
し9mは0,1.2または6である。)式(1)で表わ
されるケイ素化合物のR1よびR’l/)アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル。
ブチル等炭素数1〜4の低級アルキル基が、またR1の
・・ロゲン原子としては塩素、臭素等が好適である。
・・ロゲン原子としては塩素、臭素等が好適である。
式(1)で表わされるケイ素化合物の代表的なものとし
ては、テトラメトキシシラン、テトラエトキ77ラン、
テトラプロポキンシラン、テトラブトキ/ンラン等のテ
トラアルコキシシラン、トリットキシクロルシラン、ト
リエトキシクロルシラン。
ては、テトラメトキシシラン、テトラエトキ77ラン、
テトラプロポキンシラン、テトラブトキ/ンラン等のテ
トラアルコキシシラン、トリットキシクロルシラン、ト
リエトキシクロルシラン。
トリプロポキシクロルシラン、トリブトキシクロルシラ
ン、メトキシトリクロルシラン、ジメトキシジクロルシ
ラン、エトキジトリクロルシラン。
ン、メトキシトリクロルシラン、ジメトキシジクロルシ
ラン、エトキジトリクロルシラン。
ジエトキシジク口ルンラン、トリメトキングロモシラン
、トリエトキシブロモ7ラン、二重キシトリブロモシラ
ン等のアルコキシン・ロゲノソラン。
、トリエトキシブロモ7ラン、二重キシトリブロモシラ
ン等のアルコキシン・ロゲノソラン。
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキンシラン
、メチルトリプトキシシラン、エチルトリニドキシンラ
ン、エチルトリニドキシンラン。
、メチルトリプトキシシラン、エチルトリニドキシンラ
ン、エチルトリニドキシンラン。
ブチルトリニドキシンラン、ジメチルシェドキンシラン
、ジメチルジブトキンシラン、トリメチルメトキシシラ
ン、トリメチルエトキシンラン、l−リエチルイソグロ
ボキシシラン、トリブチルエトキシ7ラン等のアルコキ
シアルキルシランの如きケイ酸エステルが挙げられる。
、ジメチルジブトキンシラン、トリメチルメトキシシラ
ン、トリメチルエトキシンラン、l−リエチルイソグロ
ボキシシラン、トリブチルエトキシ7ラン等のアルコキ
シアルキルシランの如きケイ酸エステルが挙げられる。
また式(2)で表わされるケイ素化合物のXのノ・ロゲ
ン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等が好適で。
ン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等が好適で。
アルキル基としては炭素数1〜4の低級アルキル基が好
適である。
適である。
式(2)で表わされるケイ素化合物の代表的なものとし
ては、四塩化ケイ素、−水素化三塩化ケイ素。
ては、四塩化ケイ素、−水素化三塩化ケイ素。
四臭化ケイ素、−水素化三臭化ケイ素、四ヨウ化ケイ素
、−水素化三ヨウ化ケイ素、モノメチル三塩化ケイ素、
ジメチルニ塩化ケイ素、モノエチル三塩化ケイ素、ジエ
チル二塩化ケイ素、モノメチル三臭化ケイ素、ジエチル
二塩化ケイ素の如きノ・ロゲン化ケイ素が挙げられる。
、−水素化三ヨウ化ケイ素、モノメチル三塩化ケイ素、
ジメチルニ塩化ケイ素、モノエチル三塩化ケイ素、ジエ
チル二塩化ケイ素、モノメチル三臭化ケイ素、ジエチル
二塩化ケイ素の如きノ・ロゲン化ケイ素が挙げられる。
これらケイ素化合物は、それ自体公知の適当な方法2例
えば窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性カメ雰囲気下
に適宜に加温、冷却等により蒸気圧に応じた分圧下で気
下する方法、θ11点以七の分解しない温度範囲内で直
接気化する方法、まだケイ素化合物を、トルエン、ベン
ゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪
族炭化水素。
えば窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性カメ雰囲気下
に適宜に加温、冷却等により蒸気圧に応じた分圧下で気
下する方法、θ11点以七の分解しない温度範囲内で直
接気化する方法、まだケイ素化合物を、トルエン、ベン
ゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪
族炭化水素。
アルコール類、エーテル類、四塩化炭素等ケイ素化合物
と反応しない有機溶媒の溶液としてこれに窒素、アルゴ
ン、ヘリウム等の不活性ガスを通じることで平衡蒸気圧
に応じた分圧下で気化する方法等で気体状態にして使用
される。
と反応しない有機溶媒の溶液としてこれに窒素、アルゴ
ン、ヘリウム等の不活性ガスを通じることで平衡蒸気圧
に応じた分圧下で気化する方法等で気体状態にして使用
される。
気体状態にしたケイ素化合物は、これ単独で使用しても
キャリアガスに同伴させて使用してもよい。キャリアガ
スとしては非酸化性ガス、例えば窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等が挙げることができる。
キャリアガスに同伴させて使用してもよい。キャリアガ
スとしては非酸化性ガス、例えば窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等が挙げることができる。
また水もケイ素化合物と同様にそれ自体公知の方法で1
例えば不活性ガス雰囲気下に適宜に加温。
例えば不活性ガス雰囲気下に適宜に加温。
冷却等により蒸気圧に応じた分圧下で気化させる方法で
水蒸気の状態で使用される。
水蒸気の状態で使用される。
金属磁性粉末に気相でケイ素化合物と水とを交互に接触
させるにあたっては、どのような方法を採用してもよい
が、一般にはオキシ水酸化鉄や酸化鉄の還元性ガス雰囲
気下での加熱還元終了後。
させるにあたっては、どのような方法を採用してもよい
が、一般にはオキシ水酸化鉄や酸化鉄の還元性ガス雰囲
気下での加熱還元終了後。
引き続き還元性ガスにかえて気体状態にしたケイ素化合
物と水とを交互に供給する方法が採用される。また接触
は固定床、流動床9回転レトルト。
物と水とを交互に供給する方法が採用される。また接触
は固定床、流動床9回転レトルト。
ロータリーキルン等いずれで行ってもよいが、な 1か
でも流動床で接触させる方法は最も容易かつ効果的に金
属磁性粉末の表面にケイ素化合物被膜を形成させること
ができるので好適である。
でも流動床で接触させる方法は最も容易かつ効果的に金
属磁性粉末の表面にケイ素化合物被膜を形成させること
ができるので好適である。
またケイ素化合物と水とを気相で金属磁性粉末に交互に
接触させる際は、最初にケイ素化合物を接触させ9次い
で水を接触させる方法を採用するのが最も効果的である
。交互に接触させる回数は一般には2〜20回程度、好
ましくは一〜15回程度であるが、特に制限はiく、ケ
イ素化合物の被着量がS i 02換算で金属磁性粉末
に対し0.1〜15重量%、好ましくは1〜10重量%
になるように、交互に接触させるのが適当である。ケイ
素化合物の被着量が少なすぎると・期待される効果の発
現が不十分になり、まだ多すぎると磁気特性が悪くなる
。ケイ素化合物の被着量の調節は、接触条件2例えばケ
イ素化合物を同伴させたキャリアガスの流量、濃度、接
触時間、接触回数等を適宜かえることによって行うのが
適当である。
接触させる際は、最初にケイ素化合物を接触させ9次い
で水を接触させる方法を採用するのが最も効果的である
。交互に接触させる回数は一般には2〜20回程度、好
ましくは一〜15回程度であるが、特に制限はiく、ケ
イ素化合物の被着量がS i 02換算で金属磁性粉末
に対し0.1〜15重量%、好ましくは1〜10重量%
になるように、交互に接触させるのが適当である。ケイ
素化合物の被着量が少なすぎると・期待される効果の発
現が不十分になり、まだ多すぎると磁気特性が悪くなる
。ケイ素化合物の被着量の調節は、接触条件2例えばケ
イ素化合物を同伴させたキャリアガスの流量、濃度、接
触時間、接触回数等を適宜かえることによって行うのが
適当である。
最初にケイ素化合物を接触させ2次いで水を接触させる
方法による場合、゛まず金属磁性粉末粒子表面にケイ素
化合物が被着し2粒子表面に被着したケイ素化合物は1
次いで水との接触によって加水分解され、実質的に81
02になって粒子表面に均一な5i02の薄い被膜が形
成される。ケイ素化合物を接触させ1次いで水を接触さ
せる操作をくり返すことによってS i 02の薄い被
膜が粒子表面に重ねられ、緻密で耐久性のよい被膜を容
易に形成させることができ9発火性のな〜、\きわめて
酸化安定性のすぐれた磁気特性のよい金属磁性粉末が得
られる。
方法による場合、゛まず金属磁性粉末粒子表面にケイ素
化合物が被着し2粒子表面に被着したケイ素化合物は1
次いで水との接触によって加水分解され、実質的に81
02になって粒子表面に均一な5i02の薄い被膜が形
成される。ケイ素化合物を接触させ1次いで水を接触さ
せる操作をくり返すことによってS i 02の薄い被
膜が粒子表面に重ねられ、緻密で耐久性のよい被膜を容
易に形成させることができ9発火性のな〜、\きわめて
酸化安定性のすぐれた磁気特性のよい金属磁性粉末が得
られる。
金属磁性粉末に気相でケイ素化合物と水とを交互に接触
させ鼠際の温度は、使用するケイ素化合物の種類にもよ
るが、温度が低すぎるとケイ素化合物の加水分解速度が
遅(5i02被膜の形成が不十分になりやすく、また高
すぎると金属磁性粉末粒子の形崩れが起り磁気特性の低
下をきたしやすくなるので、一般には室温〜500°C
程度の温度。
させ鼠際の温度は、使用するケイ素化合物の種類にもよ
るが、温度が低すぎるとケイ素化合物の加水分解速度が
遅(5i02被膜の形成が不十分になりやすく、また高
すぎると金属磁性粉末粒子の形崩れが起り磁気特性の低
下をきたしやすくなるので、一般には室温〜500°C
程度の温度。
好ましくは100〜350°Cの温度が適当である。
次に実施例および比較例を示す。
各側において金属磁性粉末の劣化テストは、安定化処理
した金属磁性粉末を、7日間60°Cで90チ相対湿度
下に放置した後、飽和磁化(Me )を測定する方法で
行った・ 実施例1 鉄に対してニッケルを5原゛子チ含むゲーサイト(平均
長軸0.2μm)の顆粒状粉末30グを、内径501m
の流動床反応管に入れ、空気を4Nt/%の流量で流通
させながら流動状態下、650°Cで1時間焼成した。
した金属磁性粉末を、7日間60°Cで90チ相対湿度
下に放置した後、飽和磁化(Me )を測定する方法で
行った・ 実施例1 鉄に対してニッケルを5原゛子チ含むゲーサイト(平均
長軸0.2μm)の顆粒状粉末30グを、内径501m
の流動床反応管に入れ、空気を4Nt/%の流量で流通
させながら流動状態下、650°Cで1時間焼成した。
つづいて370°Cにて、水素を4Nη分の流量で流通
させながら5時間還元して。
させながら5時間還元して。
金属磁性粉末とした。引きつづき、同装置内に。
気化温度60°Cのテトラエトギン7ランをくぐらせた
窒素ガスを4N々扮の流量で10分間流した。
窒素ガスを4N々扮の流量で10分間流した。
次いで、50°Cの水をくぐらせた窒素ガスを4N々分
の流量で3分間流した。以後同様の方法で、テトラエト
キシンラフ6分間次いで水6分間の接触処理を10回く
り返した。
の流量で3分間流した。以後同様の方法で、テトラエト
キシンラフ6分間次いで水6分間の接触処理を10回く
り返した。
室温まで冷却した後、金属鉄磁性粉末を空気中。
に取り出したが発火はしなかった。またケイ素化合物の
被着量は5102 として金属磁性粉末に対して6.0
重量%であった。
被着量は5102 として金属磁性粉末に対して6.0
重量%であった。
接触処理後の金属磁性粉末の保磁力(He)、飽和磁化
(Ms)、残留磁化(Mr)等の磁気特性および劣化テ
ストの結果を第1表に示す。
(Ms)、残留磁化(Mr)等の磁気特性および劣化テ
ストの結果を第1表に示す。
実施例2〜10
実施例1と同様の方法でケイ素化合物の種類。
接触処理条件等を第1表に記載のとおりにかえて実施例
1と同様の金属磁性粉末の接触処理を行った。接触処理
後の金属磁性粉末の磁気特性および劣化テストの結果を
第1表に示す。なお接触処理後の金属磁性粉末はいずれ
も空気中に取り出しても発火しなかった。
1と同様の金属磁性粉末の接触処理を行った。接触処理
後の金属磁性粉末の磁気特性および劣化テストの結果を
第1表に示す。なお接触処理後の金属磁性粉末はいずれ
も空気中に取り出しても発火しなかった。
比較例1
実施例1と同様に焼成還元して金属磁性粉末とした後、
これをトルエン中に取り出し、風乾させて、空気中で発
火しない金属磁性粉末を得だ。磁気特性と劣下テストの
結果を第1表に示す。
これをトルエン中に取り出し、風乾させて、空気中で発
火しない金属磁性粉末を得だ。磁気特性と劣下テストの
結果を第1表に示す。
比較例2
実施例1と同様に焼成還元して金属磁性粉末としだ後、
室温にまで冷却し、窒素ガスを4 N IA>の流量で
流しながら反応器内が50°Cを越えないように空気を
入れ、空気を01容f1.%から100容量%1で徐々
に増加させ、空気中で発火しない金属磁性粉末を得た。
室温にまで冷却し、窒素ガスを4 N IA>の流量で
流しながら反応器内が50°Cを越えないように空気を
入れ、空気を01容f1.%から100容量%1で徐々
に増加させ、空気中で発火しない金属磁性粉末を得た。
磁気特性と劣下テストの結果を第1表に示す。
比較例3
比較例1のトルエン中にテトラエトキンシランを金属磁
性粉末に対して20重量%になるように入れておいだほ
かは、比較例1と同様にして金属磁性粉末を得た。磁気
特性と劣化テストの結果を第1表に示ず7、 比較例4 比較例1のトルエン中にシリコンオイルを金属磁性粉末
に対して20重量%になるように入れておいたほかは、
比較例1と同様にして金属磁性粉末を得た。磁気特性と
劣化テストの結果を第1表に示す。
性粉末に対して20重量%になるように入れておいだほ
かは、比較例1と同様にして金属磁性粉末を得た。磁気
特性と劣化テストの結果を第1表に示ず7、 比較例4 比較例1のトルエン中にシリコンオイルを金属磁性粉末
に対して20重量%になるように入れておいたほかは、
比較例1と同様にして金属磁性粉末を得た。磁気特性と
劣化テストの結果を第1表に示す。
Claims (1)
- 金属鉄または鉄を主成分とする合金磁性粉末に気相でケ
イ素化合物と水とを交互に接触させると七を特徴とする
金属磁性粉末の安定化法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59009534A JPS60154502A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 金属磁性粉末の安定化法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59009534A JPS60154502A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 金属磁性粉末の安定化法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60154502A true JPS60154502A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11722930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59009534A Pending JPS60154502A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 金属磁性粉末の安定化法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60154502A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62247005A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Hitachi Metals Ltd | 金属圧粉磁心の製造方法 |
WO1990008380A1 (en) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Konica Corporation | Magnetic recording medium |
JPH02222503A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Dowa Mining Co Ltd | 磁気記録用強磁性粉末の表面改質法 |
EP1063639A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-27 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic composite particles for magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic recording medium using the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58120704A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | 強磁性金属粉末の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59009534A patent/JPS60154502A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58120704A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | 強磁性金属粉末の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62247005A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Hitachi Metals Ltd | 金属圧粉磁心の製造方法 |
WO1990008380A1 (en) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Konica Corporation | Magnetic recording medium |
US5284716A (en) * | 1989-01-19 | 1994-02-08 | Konica Corporation | Magnetic recording medium |
JPH02222503A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Dowa Mining Co Ltd | 磁気記録用強磁性粉末の表面改質法 |
EP1063639A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-27 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic composite particles for magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic recording medium using the same |
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