JPS60153164A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60153164A JPS60153164A JP881484A JP881484A JPS60153164A JP S60153164 A JPS60153164 A JP S60153164A JP 881484 A JP881484 A JP 881484A JP 881484 A JP881484 A JP 881484A JP S60153164 A JPS60153164 A JP S60153164A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置の構造に関し、詳しくは半導体装置
の保＠膜の構造に関するものである。
の保＠膜の構造に関するものである。
従来半導体装置は、高精度目金せを必要としないで微細
パターンの形成が可能なＰｏｌｙｓ口ｉｃｏｎＳｅ ｌ
ｆ Ａｌ ｉ ｇｎｍｅｎ を法Ｃ特開昭５１−４０
８６６）による構造が多用されておシ、また半導体装置
の耐湿性向上のために表面にプラズマ化学気相成長法に
よるシリコン窒化膜（以下プラズマＣＫＤ♀化膜という
）を被着させて保護膜とする構造が多用されている。以
下第１図を用いて従来技術を散切する，。
パターンの形成が可能なＰｏｌｙｓ口ｉｃｏｎＳｅ ｌ
ｆ Ａｌ ｉ ｇｎｍｅｎ を法Ｃ特開昭５１−４０
８６６）による構造が多用されておシ、また半導体装置
の耐湿性向上のために表面にプラズマ化学気相成長法に
よるシリコン窒化膜（以下プラズマＣＫＤ♀化膜という
）を被着させて保護膜とする構造が多用されている。以
下第１図を用いて従来技術を散切する，。
Ｐ型シリコン基板１に、フォトレジストをマスクにリン
をイオン注入することによりコレクタ領域２を形成し、
次にシリコン基板を選択的に酸化して形成されたシリコ
ン酸化膜３と７オトレジストをマスクにホウ素をイオン
注入することによシベース領域４を形成する。次に表面
に多結晶シリコン膜を被着させてこの多結晶シリコンを
選択的に酸化して形成されたシリコン酸化膜５とフォト
レジストをマスクにホウ素をイオン注入してペース電極
となるＰ＋型多結晶シリコン領域６を形成する。次に酸
化膜５とフォトレジストをマスクに＋ リンをイオン注入して、コレクタ電極となるＮ型多結晶
シリコン領域７、エミッタ電極となるＮ＋型多結晶シリ
コン領域８およびエミッタ領域９を 。
をイオン注入することによりコレクタ領域２を形成し、
次にシリコン基板を選択的に酸化して形成されたシリコ
ン酸化膜３と７オトレジストをマスクにホウ素をイオン
注入することによシベース領域４を形成する。次に表面
に多結晶シリコン膜を被着させてこの多結晶シリコンを
選択的に酸化して形成されたシリコン酸化膜５とフォト
レジストをマスクにホウ素をイオン注入してペース電極
となるＰ＋型多結晶シリコン領域６を形成する。次に酸
化膜５とフォトレジストをマスクに＋ リンをイオン注入して、コレクタ電極となるＮ型多結晶
シリコン領域７、エミッタ電極となるＮ＋型多結晶シリ
コン領域８およびエミッタ領域９を 。
それぞれ形成する１、この時リンは最初に形成された単
結晶シリコン酸化膜３によってもマスクされるためエミ
ッタはペース領域中に自己整合的に形成きれる。７次に
表面に白金の膜を被着させて熱処理することによって多
結晶シリコンの表面に白金シリサイド１０を形成し、コ
レクタ・ベース・エミッタの各電極の配線抵抗を小さく
する（第１図Ａ）。次に層間絶縁物として表面に、化学
気相成長法によシリコン窒化膜（以下ＣＶＤシリコン酸
化膜と言う）１１を被着させスルーホールを開孔した後
、表面にアルミニウム１２を被着させ２層目配給を形成
する（第１図Ｂ）１６次にペレットの保護膜としてプラ
ズマＣＶＬ）シリコン窒化膜１３を被着させ、ケースへ
のボンディングに必要なボンティングパッドを開孔する
（第１図ＩＣ）。この様な構造の半導体装置を、組立工
程の熱処理温度（３００〜５００℃）に和尚する温度に
て熱処到シを施した場合の、熱処理時間に対するコレク
タとエミッタ間の制圧（ＢＶｃＩＩＯ）の臥１係を第２
図に実線で示す。またこの様な構造の半導体装置を基に
して周波数分周回路を構成した場合の、熱処理時間と最
高ｗ１作周波数の関係を第３図に実線で示す。これらの
図かられかる様に、従来構造では半導体装置の組立工程
における熱処理により、コレクタとエミッタ間の耐圧が
劣化（リーク箪カ１．が垢加）して、半導体装置の聾気
的判性か劣化捷たは回路動作不良になるというような欠
点があった。
結晶シリコン酸化膜３によってもマスクされるためエミ
ッタはペース領域中に自己整合的に形成きれる。７次に
表面に白金の膜を被着させて熱処理することによって多
結晶シリコンの表面に白金シリサイド１０を形成し、コ
レクタ・ベース・エミッタの各電極の配線抵抗を小さく
する（第１図Ａ）。次に層間絶縁物として表面に、化学
気相成長法によシリコン窒化膜（以下ＣＶＤシリコン酸
化膜と言う）１１を被着させスルーホールを開孔した後
、表面にアルミニウム１２を被着させ２層目配給を形成
する（第１図Ｂ）１６次にペレットの保護膜としてプラ
ズマＣＶＬ）シリコン窒化膜１３を被着させ、ケースへ
のボンディングに必要なボンティングパッドを開孔する
（第１図ＩＣ）。この様な構造の半導体装置を、組立工
程の熱処理温度（３００〜５００℃）に和尚する温度に
て熱処到シを施した場合の、熱処理時間に対するコレク
タとエミッタ間の制圧（ＢＶｃＩＩＯ）の臥１係を第２
図に実線で示す。またこの様な構造の半導体装置を基に
して周波数分周回路を構成した場合の、熱処理時間と最
高ｗ１作周波数の関係を第３図に実線で示す。これらの
図かられかる様に、従来構造では半導体装置の組立工程
における熱処理により、コレクタとエミッタ間の耐圧が
劣化（リーク箪カ１．が垢加）して、半導体装置の聾気
的判性か劣化捷たは回路動作不良になるというような欠
点があった。
本発明は上記の欠点を除くことができる半導体装置の構
造を提供することである。
造を提供することである。
本発明り従来の１地の構造は変更し、ないで保静膜とし
てＣＶＤシリコン険什膜を被着させ、その上にプラズマ
ＣＶＤシリコン窒化膜を被着させることをＩＶｊ徴とす
る。
てＣＶＤシリコン険什膜を被着させ、その上にプラズマ
ＣＶＤシリコン窒化膜を被着させることをＩＶｊ徴とす
る。
保護膜としてプラズマＣＶＤシリコン窒化膜を単独に用
いた従来構造の場合に、熱処理によって前述の様な特性
劣化の発生する原因の詳細は不明であるが（プラズマ窒
化膜の内部圧縮力が関係していると考えられる）、この
様な現象は、保護膜としてＣＶＤシリコン酸化膜を単独
に用いた場合には発生し々い。しかしＣＶＤシリコン酸
化膜は耐湿性の点でプラズマＣＶＤシリコン窒化膜よシ
劣るため保護膜として適当ではない。そこで保護膜の構
造としては熱処理による特性劣化対策として先ずＣＶＤ
シリコン酸化膜を成長した後、さらに耐湿性をも確保す
るためプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成長すれば良い
ことになる。
いた従来構造の場合に、熱処理によって前述の様な特性
劣化の発生する原因の詳細は不明であるが（プラズマ窒
化膜の内部圧縮力が関係していると考えられる）、この
様な現象は、保護膜としてＣＶＤシリコン酸化膜を単独
に用いた場合には発生し々い。しかしＣＶＤシリコン酸
化膜は耐湿性の点でプラズマＣＶＤシリコン窒化膜よシ
劣るため保護膜として適当ではない。そこで保護膜の構
造としては熱処理による特性劣化対策として先ずＣＶＤ
シリコン酸化膜を成長した後、さらに耐湿性をも確保す
るためプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成長すれば良い
ことになる。
この様な構造の半導体装置に熱処理を施した場合の熱処
理時間に対するコレクタとエミッタ間の制圧の関係を第
２図に点線で示す。またこの様な構造の半導体装置を基
にして、周波数分周回路を構成した場合の、熱処理時間
と最高動作周波数の関係を第３図に点線で示す。これら
の図かられかる様に本発明による構造では、半導体装置
の組立工程における階し処理によシ、コレクタとエミッ
タ間の耐圧の劣化（リーフ電流の垢・加）を防止して、
半導体装置、のｔり４的％性か劣化または回路動作不良
となることを防止できる。
理時間に対するコレクタとエミッタ間の制圧の関係を第
２図に点線で示す。またこの様な構造の半導体装置を基
にして、周波数分周回路を構成した場合の、熱処理時間
と最高動作周波数の関係を第３図に点線で示す。これら
の図かられかる様に本発明による構造では、半導体装置
の組立工程における階し処理によシ、コレクタとエミッ
タ間の耐圧の劣化（リーフ電流の垢・加）を防止して、
半導体装置、のｔり４的％性か劣化または回路動作不良
となることを防止できる。
第４図は本発明による構造の実施例でお本、第４図Ａま
では第１図Ｂまでと全く同じ工程で形成される。次に保
護膜としてＣＶＤシリコン醇化膜１４を被着させた後プ
ラズマＣＶＤシリコン９化膜１５を液分、させ、ケース
へのボンディング用に必黴なポンディングパッドを開孔
する（第４図Ｂ）。
では第１図Ｂまでと全く同じ工程で形成される。次に保
護膜としてＣＶＤシリコン醇化膜１４を被着させた後プ
ラズマＣＶＤシリコン９化膜１５を液分、させ、ケース
へのボンディング用に必黴なポンディングパッドを開孔
する（第４図Ｂ）。
以ＩにｔＮ Ｐ Ｎ ）ランジスタの賜金であるがＰＮ
Ｐトランジスタの場合でも全く同じである。また、コレ
クタ領域としてエピタキシャル層を用いても良い。
Ｐトランジスタの場合でも全く同じである。また、コレ
クタ領域としてエピタキシャル層を用いても良い。
第１図ＩＡ乃至Ｃは笹来構造の製造工程断面図。
第２図は熱処理時間とＢＶｃｗｏの関係を示すグラフ３
、第３図は熱処理時間と最高動作周波数の関係を示すグ
ラフ１．第４図Ａ、Ｂは本発哄１による構造の製造工程
断面図。 同図において、１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・
・・・・・コレクタ領域、３・・・・・・シリコン酸化
膜、４・・・・・・ベース領域、５・・・・・・シリコ
ン酸化膜、６・・・・・・ベース電極、７・・・・・・
コレクタ電極、８・・・・・・エミッタ電極、９・・・
・・・エミッタ細板、１０・・・・・・白金シリサイド
、１１・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化膜、１２・・・
・・・アルミニウム、１３・・・・・・プラズマＣＶＤ
シリコン窒化膜、１４・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化
膜、１５・・・・・・プラズマＣＶＩ）シリコン窒化膜
をそれぞれ示す。 乃 ／ 閃 ０ ’２ ４ ６ Ｂ 弁仏匁し工里Ｆｆ１−ＦＡ（四青田） 力２久 焦処哩時間（時間） 馬３■ 躬 ４ 圀
、第３図は熱処理時間と最高動作周波数の関係を示すグ
ラフ１．第４図Ａ、Ｂは本発哄１による構造の製造工程
断面図。 同図において、１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・
・・・・・コレクタ領域、３・・・・・・シリコン酸化
膜、４・・・・・・ベース領域、５・・・・・・シリコ
ン酸化膜、６・・・・・・ベース電極、７・・・・・・
コレクタ電極、８・・・・・・エミッタ電極、９・・・
・・・エミッタ細板、１０・・・・・・白金シリサイド
、１１・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化膜、１２・・・
・・・アルミニウム、１３・・・・・・プラズマＣＶＤ
シリコン窒化膜、１４・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化
膜、１５・・・・・・プラズマＣＶＩ）シリコン窒化膜
をそれぞれ示す。 乃 ／ 閃 ０ ’２ ４ ６ Ｂ 弁仏匁し工里Ｆｆ１−ＦＡ（四青田） 力２久 焦処哩時間（時間） 馬３■ 躬 ４ 圀
Claims (2)
- （１）単結晶シリコンと多結晶シリコンを選択的に酸化
したシリコン酸化膜をマスクに不純物を拡“ 散してエ
ミッタをペース領域に自己整合的に形成した半導体製置
において、ペレット表面の保霞膜が、ＣＶＤシリコン酸
化膜およびその上のプラダ？ ＣＶ Ｄシリコン窒化膜
よ、シなることを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体装置か周波数分周回路であることを特徴と
する請求
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP881484A JPS60153164A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP881484A JPS60153164A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153164A true JPS60153164A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11703282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP881484A Pending JPS60153164A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114231A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510976A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Baueru Kousan Kk | Method of washing industrial bag filter and waste stained by oil and metal powder* etc* |
| JPS57155773A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | High pressure-resistant planar transistor |
| JPS58148458A (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS58206158A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP881484A patent/JPS60153164A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510976A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Baueru Kousan Kk | Method of washing industrial bag filter and waste stained by oil and metal powder* etc* |
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| JPS58148458A (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS58206158A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114231A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0738443B2 (ja) * | 1985-11-14 | 1995-04-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
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