JPS60153076A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPS60153076A JPS60153076A JP882984A JP882984A JPS60153076A JP S60153076 A JPS60153076 A JP S60153076A JP 882984 A JP882984 A JP 882984A JP 882984 A JP882984 A JP 882984A JP S60153076 A JPS60153076 A JP S60153076A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- film
- contrast
- light absorption
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は液晶の熱光学効果を利用した熱書込み液晶ライ
トパルプに関する。
トパルプに関する。
（従来技術）
一般に、液晶を加熱、急冷することによってランダムな
液晶分子の配向状態が凍結されるが、この凍結された液
晶は光を散乱する現象を生じ、この現輩を液晶の熱光学
効果と称している。この現象を利用したものとして、液
晶セルにレーザ光を照射して照射部分に温度上昇を生ぜ
しめ画像書込みを行い、更に書込ま扛た画像を消去する
には液晶に電界をかけて液晶分子を強制的に配向させる
液晶ライトパルプがある。このような液晶ライトパルプ
を利用した投射型ディスプレイにおいては、書込みレー
ザパワー、書込み速度、コントラストが液晶ライトパル
プの光吸収率に大きく依存する。
液晶分子の配向状態が凍結されるが、この凍結された液
晶は光を散乱する現象を生じ、この現輩を液晶の熱光学
効果と称している。この現象を利用したものとして、液
晶セルにレーザ光を照射して照射部分に温度上昇を生ぜ
しめ画像書込みを行い、更に書込ま扛た画像を消去する
には液晶に電界をかけて液晶分子を強制的に配向させる
液晶ライトパルプがある。このような液晶ライトパルプ
を利用した投射型ディスプレイにおいては、書込みレー
ザパワー、書込み速度、コントラストが液晶ライトパル
プの光吸収率に大きく依存する。
すなわち、光吸収率が大きい程書込みレーザパワーは小
さくてすみ、書込み速度は速くでき、またコントラスト
は向上する。
さくてすみ、書込み速度は速くでき、またコントラスト
は向上する。
第１図は従来の液晶ライトパルプの構造を示す断面図で
ある。このライトバルジは、レーザ光を照射する側のガ
ラス基板１の内面にｆＴＯ透明電ｉ２、カドミウム、テ
ルルからなる光吸収膜３、ＡＬの光反射膜４、ＳｉＯの
液晶配向膜５が順次形成されている。書込んだ画像は投
射光によシ読み出されスクリーン上に投射さ扛るが、こ
の投射元側のガラス基板９の内面にはＩＴＯ透明電極８
、ＳｉＯ液晶配向膜７が順次形成さ牡ている。これら２
板の基板１，９をスペーサ１０．１１によシ支え、とｎ
もの周囲を接着剤１２．’１３で封止して間隙に液晶（
ノルマル・オクチル−シアノ−ビフェニル）６を注入し
ている。
ある。このライトバルジは、レーザ光を照射する側のガ
ラス基板１の内面にｆＴＯ透明電ｉ２、カドミウム、テ
ルルからなる光吸収膜３、ＡＬの光反射膜４、ＳｉＯの
液晶配向膜５が順次形成されている。書込んだ画像は投
射光によシ読み出されスクリーン上に投射さ扛るが、こ
の投射元側のガラス基板９の内面にはＩＴＯ透明電極８
、ＳｉＯ液晶配向膜７が順次形成さ牡ている。これら２
板の基板１，９をスペーサ１０．１１によシ支え、とｎ
もの周囲を接着剤１２．’１３で封止して間隙に液晶（
ノルマル・オクチル−シアノ−ビフェニル）６を注入し
ている。
従来使用さ扛ていたカドミウム・テルル（ｃｄＩ′ｅ）
の光吸収膜３は、半導体レーザの波長に対して光吸収率
が最大でも０．７０と低く、書込みレーザパワーが１０
０ｍＷ、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが
最高でも３．５．；か得られず、また書込みレーザパワ
ーが１００ｒｎＷ、書込み速度が１，５μｓ／ドツトで
コントラストが最高でも１．６シが得ら扛なかった。
の光吸収膜３は、半導体レーザの波長に対して光吸収率
が最大でも０．７０と低く、書込みレーザパワーが１０
０ｍＷ、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが
最高でも３．５．；か得られず、また書込みレーザパワ
ーが１００ｒｎＷ、書込み速度が１，５μｓ／ドツトで
コントラストが最高でも１．６シが得ら扛なかった。
また、液晶ライトパルプの光吸収膜は吸収した光を熱に
変換し、その熱を液晶層に伝える役割を果たすので、光
吸収膜の熱伝導率が大きい方が少ないレーザパワーで画
像書込みが可能となシコントラストも向上する。しかし
、 ＣｄＴｅ膜Ｑ熱伝導率は０．０７Ｊ／α・５−Ｋ（
３００°Ｋ）と小さく、コントラストに対する寄与が少
いという問題もあった。
変換し、その熱を液晶層に伝える役割を果たすので、光
吸収膜の熱伝導率が大きい方が少ないレーザパワーで画
像書込みが可能となシコントラストも向上する。しかし
、 ＣｄＴｅ膜Ｑ熱伝導率は０．０７Ｊ／α・５−Ｋ（
３００°Ｋ）と小さく、コントラストに対する寄与が少
いという問題もあった。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような問題点を解決し、高い光コ
ントラストを得られる液晶ライトパルプを提供すること
にある。
ントラストを得られる液晶ライトパルプを提供すること
にある。
（発明の構成）
本発明の構成は、２枚の基板間に液晶を挟持してこの液
晶にレーザ光を照射して画像の記録を行う液晶ライトパ
ルプにおいて、前記レーザ光を照射する側の基板の内面
の少なくとも書込み領域全面にモリブデンからなる光吸
収膜を形成することを特徴とする。
晶にレーザ光を照射して画像の記録を行う液晶ライトパ
ルプにおいて、前記レーザ光を照射する側の基板の内面
の少なくとも書込み領域全面にモリブデンからなる光吸
収膜を形成することを特徴とする。
（実施例）
以下本発明を図面によシ詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例の液晶ライトパルプの断面図で
ある。この実施例は、レーザ光を照射する側のガラス基
板１の内面にＩＴＯ電極２、モリブデン光吸収膜３’、
Ａｔ光反射膜４、ＳｉＯ液晶配向膜５が順次積層されて
いる〇一方、投射光側のガラス基板９の内面にはＩＴＯ
電極８ｂ ＳｉＯ液晶配向膜７がノ負次形成されている
。この２枚のガラス基板をスペーサ１０．１１で支え、
これらの周囲を接着剤１２．１３で封止して間隙に液晶
（ノルマル・オクチル・シアノ・ビフェニル）６を注入
している。
ある。この実施例は、レーザ光を照射する側のガラス基
板１の内面にＩＴＯ電極２、モリブデン光吸収膜３’、
Ａｔ光反射膜４、ＳｉＯ液晶配向膜５が順次積層されて
いる〇一方、投射光側のガラス基板９の内面にはＩＴＯ
電極８ｂ ＳｉＯ液晶配向膜７がノ負次形成されている
。この２枚のガラス基板をスペーサ１０．１１で支え、
これらの周囲を接着剤１２．１３で封止して間隙に液晶
（ノルマル・オクチル・シアノ・ビフェニル）６を注入
している。
この実施例のモリブデンの膜厚１ｓｏｏ；とじた場合、
光吸収率が０．７５と従来の光吸収膜で得ら扛た光吸収
率よりも高い値を示し、書込みレーザパワーが１００
ｍＷ 、書込み速度が３μｓ／ドツトでコントラス）３
．７、また書込みレーザパワーが１０、ＯｍＷ、書込み
速度が１．５μＳ／ドツトでコント２スト２が得られた
。また、モリブデンの膜厚を５０ＯＡとした場合、光吸
収率が０．９０と高い値を示し、書込みレーザパワーが
１００ ｍＷ、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラ
スト７．３、また書込みレーザパワーが１００ ｒｎＷ
、書込み速度が１．５μＶドツトでコントラスト４．２
が得られ従来の光吸収膜で得られたコントラストよシも
高す値が得られた。これらのモリブデンの膜厚以外の膜
厚でも従来の光吸収膜で得ら扛た光吸収率よ）も常に高
い光吸収率が得らｎた０このモリブデンによる光吸収膜
では、書込みレーザパワーが１００ｒｎＷ。
光吸収率が０．７５と従来の光吸収膜で得ら扛た光吸収
率よりも高い値を示し、書込みレーザパワーが１００
ｍＷ 、書込み速度が３μｓ／ドツトでコントラス）３
．７、また書込みレーザパワーが１０、ＯｍＷ、書込み
速度が１．５μＳ／ドツトでコント２スト２が得られた
。また、モリブデンの膜厚を５０ＯＡとした場合、光吸
収率が０．９０と高い値を示し、書込みレーザパワーが
１００ ｍＷ、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラ
スト７．３、また書込みレーザパワーが１００ ｒｎＷ
、書込み速度が１．５μＶドツトでコントラスト４．２
が得られ従来の光吸収膜で得られたコントラストよシも
高す値が得られた。これらのモリブデンの膜厚以外の膜
厚でも従来の光吸収膜で得ら扛た光吸収率よ）も常に高
い光吸収率が得らｎた０このモリブデンによる光吸収膜
では、書込みレーザパワーが１００ｒｎＷ。
書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが最高で８
、また書込みレーザノ切−が１００ｍＷ １％％み速度
が１５μ８／ドツトでコントラストが最高５と々シ、従
来の構造で得ら扛たコントラストよシも常に高い値が得
られた。
、また書込みレーザノ切−が１００ｍＷ １％％み速度
が１５μ８／ドツトでコントラストが最高５と々シ、従
来の構造で得ら扛たコントラストよシも常に高い値が得
られた。
なお、この光吸収膜としては、モリブデンの他にニッケ
ル、マンガン等の金Ｍｌを用いることが出来るが、熱伝
導率の大きい方がコントラストの向上への寄与が大きい
点をみると、モリブデンの熱伝導率が１．４３ Ｊｌｏ
ｎ・Ｓ ・Ｋ （３００°■ぐ）と大きいのに対し、ニ
ッケル、マンガンの熱伝導率ばそｎソｎ Ｏ，９Ｊ／ｃ
ｍ−８・Ｋ（３００’Ｋ）、０．２０ Ｊ／ｍ・Ｓ ・
Ｋ（３０，ＯＫ）と小さいので、光吸収膜としてはモリ
ブデンが適当である。
ル、マンガン等の金Ｍｌを用いることが出来るが、熱伝
導率の大きい方がコントラストの向上への寄与が大きい
点をみると、モリブデンの熱伝導率が１．４３ Ｊｌｏ
ｎ・Ｓ ・Ｋ （３００°■ぐ）と大きいのに対し、ニ
ッケル、マンガンの熱伝導率ばそｎソｎ Ｏ，９Ｊ／ｃ
ｍ−８・Ｋ（３００’Ｋ）、０．２０ Ｊ／ｍ・Ｓ ・
Ｋ（３０，ＯＫ）と小さいので、光吸収膜としてはモリ
ブデンが適当である。
また、本実施例では半導体レーザの波長に対して説明し
たが、モリブデン光吸収膜は半導体レーザの波長のみな
らず気体レーザであるヘリウム・ネオン・レーザやアル
ゴンイオン・レーザ、あるいは固体レーザであるＹＡＧ
レーザの波長に対して等、多くのレーザ光の波長に対し
高い光吸収率を示すことが確かめら扛た。
たが、モリブデン光吸収膜は半導体レーザの波長のみな
らず気体レーザであるヘリウム・ネオン・レーザやアル
ゴンイオン・レーザ、あるいは固体レーザであるＹＡＧ
レーザの波長に対して等、多くのレーザ光の波長に対し
高い光吸収率を示すことが確かめら扛た。
（発明の効果）
荻上説明したように、本発明によれば、高い光吸収率が
得られ、光のコントラストの高い液晶ライトバルブを得
ら扛る。
得られ、光のコントラストの高い液晶ライトバルブを得
ら扛る。
第１図は従来の液晶ライトパルプの断面図、第２図は本
発明の実施例の断面図である０図において、 １．９・・・・・・ガラス基板、２，８・・・・・・Ｉ
ＴＯ！極、３・・・・・・光吸収膜、３′ｌ・・・・・
・モリブデン光吸収膜、４・・・・・・Ａｔ光射膜、５
，７・・・・・・ＳｉＯ液晶配向膜、６・・・・・・’
ｔＬ晶ｓ １０ 、１１・・団・スベー？、１２．１３
・・・・・・接着剤、 である。
発明の実施例の断面図である０図において、 １．９・・・・・・ガラス基板、２，８・・・・・・Ｉ
ＴＯ！極、３・・・・・・光吸収膜、３′ｌ・・・・・
・モリブデン光吸収膜、４・・・・・・Ａｔ光射膜、５
，７・・・・・・ＳｉＯ液晶配向膜、６・・・・・・’
ｔＬ晶ｓ １０ 、１１・・団・スベー？、１２．１３
・・・・・・接着剤、 である。
Claims (1)
- ２枚の基板間に液晶を挟持しこの液晶にレーザ光によっ
て熱的に画像を記録する液晶ライトノくルブにおいて、
前記レーザ光を照射する側の基板の円面の少なくとも書
込み領域全面にモリブデンからなる光吸収膜を形成する
ことを特徴とする液晶ライトパルプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP882984A JPS60153076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP882984A JPS60153076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153076A true JPS60153076A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11703675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP882984A Pending JPS60153076A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153076A (ja) |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP882984A patent/JPS60153076A/ja active Pending
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