JPS59101622A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS59101622A JPS59101622A JP57211312A JP21131282A JPS59101622A JP S59101622 A JPS59101622 A JP S59101622A JP 57211312 A JP57211312 A JP 57211312A JP 21131282 A JP21131282 A JP 21131282A JP S59101622 A JPS59101622 A JP S59101622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- substrate
- liq
- crystal element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光ビーム誉込み液晶素子に係り、特に少ない
光ビームパワーで畳込みを達成するに好適な液晶素子に
関する。
光ビームパワーで畳込みを達成するに好適な液晶素子に
関する。
従来の液晶素子の構成は、例えば”Ａｂｓｏｒｂｉｎｇ
Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｒｅ目ｅｃｔｉｖｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｂｅａｍ Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ。
Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｒｅ目ｅｃｔｉｖｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｂｅａｍ Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ。
Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ＡｃｔｉｖＢｔｅｄ Ｌｉａ、ｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ （：ｅｌｌ″。
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ （：ｅｌｌ″。
ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 。
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 。
ＶＯｌ、 １８． Ｎｏ、 １１． Ｐ３７７６、 Ａ
ｐｒｉｌ １９７６に示されている。その内容は第１図
に示したように、２枚のガラス基板１，２によυ熱的に
励起され得る液晶材料３（例えばスメクチック人相液晶
など）をサンドインチ状に封入した構成になっている。
ｐｒｉｌ １９７６に示されている。その内容は第１図
に示したように、２枚のガラス基板１，２によυ熱的に
励起され得る液晶材料３（例えばスメクチック人相液晶
など）をサンドインチ状に封入した構成になっている。
また誓込み側のガラス基板２の内側には、光ビームし
てある。レーザビームρエネルギーを吸収して発熱させ
る熱吸収膜４及び投射光を反射する反射膜５が設けられ
ている。
る熱吸収膜４及び投射光を反射する反射膜５が設けられ
ている。
さらに、ガラス基板１の内面には液晶材料に電界全印加
する目的で透明電極６が設けられている。
する目的で透明電極６が設けられている。
なお、電界を印加するための他方の電極として、導電体
でおる反射膜５を利用する。
でおる反射膜５を利用する。
このような構成の液晶素子を用いると、豊込み用レーザ
ビームのエネルギーは、熱吸収膜によシ吸収されて発熱
し、液晶材料を昇温せしめ、液晶材料金熱励起して配回
方向が変化して画像や文字の曹込みが達成できるが、こ
のときよシ少ないしる。
ビームのエネルギーは、熱吸収膜によシ吸収されて発熱
し、液晶材料を昇温せしめ、液晶材料金熱励起して配回
方向が変化して画像や文字の曹込みが達成できるが、こ
のときよシ少ないしる。
上記文献中には、熱吸収膜としてゲルマニウムの薄膜（
３００−３０００人）を用いると６５−８０％の吸収効
率、色素を混入したポリマ（１−２μｍ）を用いると９
０％の吸収効率を達成すると示されている。
３００−３０００人）を用いると６５−８０％の吸収効
率、色素を混入したポリマ（１−２μｍ）を用いると９
０％の吸収効率を達成すると示されている。
また、他の文献” ＬＯＷ Ｐｏｗｅｒ Ｌａ５ｅｒ
−Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ ［，１ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ］）ｉ８ｐｌａｙ Ｄｅｖｉ
ｃｅ 、 ＩＢＭ ＴｅｃｈｎｉｃａＩ Ｄｉ
ｓｃｌｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ、Ｖｏｌ、２４ 、
Ａ ３．ｐｐ １５７０−１５７２ 。
−Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ ［，１ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ］）ｉ８ｐｌａｙ Ｄｅｖｉ
ｃｅ 、 ＩＢＭ ＴｅｃｈｎｉｃａＩ Ｄｉ
ｓｃｌｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ、Ｖｏｌ、２４ 、
Ａ ３．ｐｐ １５７０−１５７２ 。
Ａｕｇｕｓｔ １９８１には、熱吸収膜にＣｒ（３００
人）金剛いることが示されている。
人）金剛いることが示されている。
しかし、これらに見られる熱吸収膜では９０％を越す吸
収効率を実現することが不可能であった。
収効率を実現することが不可能であった。
本発明の目的は、熱吸収膜の吸収効率を増大して、よシ
少ない元ビームパワーでの書込み、あるいは高速度の簀
込みを達成し得る液晶素子を提供するにある。
少ない元ビームパワーでの書込み、あるいは高速度の簀
込みを達成し得る液晶素子を提供するにある。
本発明は、熱吸収膜材料として（’ｒ２０３ｆ：用いる
ことによシ、元ビームのエネルギーを効率よく吸収でき
るようにしたことを特徴としている。
ことによシ、元ビームのエネルギーを効率よく吸収でき
るようにしたことを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を第２図によυ説明する。第２
図は液晶表示素子の断面構造を示しており、対向面に透
明電極２６が形成されるガラス基板２１．対向面に熱吸
収膜２４．熱吸収膜２４の表面に設けられる反射膜２５
が形成されるガラス基板２２を対向させ、ガラス基板２
１．２２の間にスメクチック液晶を保持する。なお、熱
吸収膜２４・はＣｒ２０ｇの蒸着膜（５００−３０００
Ａ）、反射膜２５はＡｔの蒸着膜（５００−１００ＯＡ
）を用いる。また、透明゛電極２６としてインジウム−
スズ酸化物を用いている。さらに液晶分子の初期配向を
定めるため、液晶材料２３の界面は、本実施例では垂直
配向処理がなされているが、水平配向処理であっても本
発明は適用できる。
図は液晶表示素子の断面構造を示しており、対向面に透
明電極２６が形成されるガラス基板２１．対向面に熱吸
収膜２４．熱吸収膜２４の表面に設けられる反射膜２５
が形成されるガラス基板２２を対向させ、ガラス基板２
１．２２の間にスメクチック液晶を保持する。なお、熱
吸収膜２４・はＣｒ２０ｇの蒸着膜（５００−３０００
Ａ）、反射膜２５はＡｔの蒸着膜（５００−１００ＯＡ
）を用いる。また、透明゛電極２６としてインジウム−
スズ酸化物を用いている。さらに液晶分子の初期配向を
定めるため、液晶材料２３の界面は、本実施例では垂直
配向処理がなされているが、水平配向処理であっても本
発明は適用できる。
このような構成の液晶素子では、１．０６μｍの波長で
発振するＹＡＧレーザよυの光ビームであし るレーザビームＡを９６％吸収することを本発明者等は
確認した。また本発明者等が実際に畳込み実験を行なっ
たところ、沓込みに必要なレーザ照射時間は１点画シー
ＩＱｍｓとなシ、前述文献に開示されているＣｒ′（ｉ
−熱吸収膜として用いた素子を製作して同一条件で畳込
んだ場合の最小書込み時間にくらべ約半分になることを
確認した。
発振するＹＡＧレーザよυの光ビームであし るレーザビームＡを９６％吸収することを本発明者等は
確認した。また本発明者等が実際に畳込み実験を行なっ
たところ、沓込みに必要なレーザ照射時間は１点画シー
ＩＱｍｓとなシ、前述文献に開示されているＣｒ′（ｉ
−熱吸収膜として用いた素子を製作して同一条件で畳込
んだ場合の最小書込み時間にくらべ約半分になることを
確認した。
なお、本発明者等は上記実験を素子面で約１０ｍＷのレ
ーザパワーを有する書込み系を用いて行ない、また液晶
材料としてシアノビフェニル系スメクチック液晶（Ｓ−
１，ＢＤＨ社ｆｆ）ｔ−用いた。
ーザパワーを有する書込み系を用いて行ない、また液晶
材料としてシアノビフェニル系スメクチック液晶（Ｓ−
１，ＢＤＨ社ｆｆ）ｔ−用いた。
さら（（第３図に示すように、書込み側ガラス基板３１
の表面にレーザ光の波長に合わせた反射防止膜３２を設
けることによって数％程度の反射損失が低減され、レー
ザエネルギーの利用率が向上する。
の表面にレーザ光の波長に合わせた反射防止膜３２を設
けることによって数％程度の反射損失が低減され、レー
ザエネルギーの利用率が向上する。
以上述べた実施例に於いては、熱吸収膜の表面に反射Ｍ
を設けているが、熱吸収膜が電界を印加する電極を兼ね
、Ａｔの反射膜を設けなくとも良い。
を設けているが、熱吸収膜が電界を印加する電極を兼ね
、Ａｔの反射膜を設けなくとも良い。
本発明によれば、熱吸収膜による光ビームエネルギーの
吸収効率が増大するので、少ない光ビームパワーによる
書込み、あるいは書込み速度の向上が達成できる。
吸収効率が増大するので、少ない光ビームパワーによる
書込み、あるいは書込み速度の向上が達成できる。
第１図は、従来の液晶素子の断面図、第２図は本発明に
よる液晶素子の一実施例の断面図、また第３図は本発明
による液晶累子の他のダ実施例の簀込み側ガラス基板の
断面図でるる。
よる液晶素子の一実施例の断面図、また第３図は本発明
による液晶累子の他のダ実施例の簀込み側ガラス基板の
断面図でるる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対向面の少なくとも一部に透明′ｆｊｔ極が形成さ
れる一方の基板、対向面の少なくとも一部に熱吸収膜が
形成される他方の基板全対向させ、上記一方の基板と上
記他方の基板との間に液晶を保持し、上記熱吸収膜に光
ビームを照射して上記液晶の配向方向を変化させるもの
に於いて、上記熱吸収膜は酸化クロムによって形成され
ること全８Ｍとする液晶素子。 ２、特許請求の範囲第１項に於いて、上記熱吸収膜の表
面に反射膜を設けることを特徴とする液晶素子。 ３、特許請求の範囲第２項に於いて、上記反射膜はアル
ミニウム膜であることを特徴とする液晶素子。 ４、％許請求の範囲第１項または第２項に於いて、上記
他方の基板の非対向面に反射防止膜を設けることを特徴
とする液晶素子。 ５、特許請求の範囲第１項に於いて、液晶はスメクチッ
ク液晶であることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57211312A JPS59101622A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57211312A JPS59101622A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101622A true JPS59101622A (ja) | 1984-06-12 |
| JPH0213286B2 JPH0213286B2 (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=16603850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57211312A Granted JPS59101622A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295530A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶を用いた光デイスク装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120235A (en) * | 1981-12-04 | 1982-10-30 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Storage device |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57211312A patent/JPS59101622A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120235A (en) * | 1981-12-04 | 1982-10-30 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Storage device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295530A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶を用いた光デイスク装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213286B2 (ja) | 1990-04-03 |
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