JPS6193429A - 熱書込み液晶ライトバルブ - Google Patents
熱書込み液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPS6193429A JPS6193429A JP21387184A JP21387184A JPS6193429A JP S6193429 A JPS6193429 A JP S6193429A JP 21387184 A JP21387184 A JP 21387184A JP 21387184 A JP21387184 A JP 21387184A JP S6193429 A JPS6193429 A JP S6193429A
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- JP
- Japan
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- film
- liquid crystal
- liq
- light
- crystal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液晶の熱光学効果を利用した表示装置の熱書込
み液晶ライトバルブに関する。
み液晶ライトバルブに関する。
（従来技術とその問題点）
液晶を加熱、急冷することによってう／ダムな液晶分子
の配向状態が凍結され光を散乱する現象が生じ、これを
液晶の熱光学効果と称している。
の配向状態が凍結され光を散乱する現象が生じ、これを
液晶の熱光学効果と称している。
この現象を利用し比ものとして、液晶セルにレーザ光を
照射して照射部分に温度上昇を生ぜしめ画像書込みを行
−１更に書込まれた画像を消去するには液晶に電界をか
けて液晶分子を強制的に配向させる液晶ライト、５ルプ
がある。
照射して照射部分に温度上昇を生ぜしめ画像書込みを行
−１更に書込まれた画像を消去するには液晶に電界をか
けて液晶分子を強制的に配向させる液晶ライト、５ルプ
がある。
この液晶ライトバルブは、光吸収膜で発生した熱を液晶
層に伝えることにより液晶に相変化（スメクティック相
→ネマティック層→液相）を与え、液晶分子をう／ダム
な状態とし、液相からスメクティック相へ急冷すること
によってその状態を凍結（散乱核を形成）するわけであ
るが、降温時はできるだけすばやく液晶の温度を下げる
方が液晶分子のランダムな状態の凍結の度合いは強くな
り、その結果として投射光の散乱の度合も強くなりコノ
トラストが向上する。
層に伝えることにより液晶に相変化（スメクティック相
→ネマティック層→液相）を与え、液晶分子をう／ダム
な状態とし、液相からスメクティック相へ急冷すること
によってその状態を凍結（散乱核を形成）するわけであ
るが、降温時はできるだけすばやく液晶の温度を下げる
方が液晶分子のランダムな状態の凍結の度合いは強くな
り、その結果として投射光の散乱の度合も強くなりコノ
トラストが向上する。
第４図は従来の液晶ライトバルブの構造の断面図を示す
。レーザ光照射側ガラス基板１の内面にはＩＴＯ電極２
、ＣｄＴｅ光吸収膜３．ＡＪ光反射膜４，８ｉＱ液晶
配向膜５が順次形成されて論る。
。レーザ光照射側ガラス基板１の内面にはＩＴＯ電極２
、ＣｄＴｅ光吸収膜３．ＡＪ光反射膜４，８ｉＱ液晶
配向膜５が順次形成されて論る。
書込んだ画像は投射光により読み出されろクリ−ン上に
投射きれるが、この投射光側のガラス基板１０の内面に
１ＩＴｏ電極９．ＳｉＱ液晶配向膜７が順次形成されて
いる。この２枚の基板をスペーサ１１．１２を介し１周
囲を接着剤１３．１４で封止して間隙に液晶ノルマル・
オクチル・シアノ・ビフェニル６を注入している（５８
年春応用物理学会、７ａ −ｙ−：３参照）。従来の構
造の液晶ライトバルブでは書込みレーザパワーが１００
ｍＷ 、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが
最高でも７しか得られなかった。また液晶を再び配向さ
せるため、ＩＴＯ電極２と９の間に６０〜７０Ｖのかな
り大きな電圧を印加する必要がある。ま九、液晶配向膜
５にピンホール等の欠陥があった場合、その欠陥に電荷
が集中し、ｋｌ光反射膜４とＩＴＯ電極９との間にショ
ートが発生し。
投射きれるが、この投射光側のガラス基板１０の内面に
１ＩＴｏ電極９．ＳｉＱ液晶配向膜７が順次形成されて
いる。この２枚の基板をスペーサ１１．１２を介し１周
囲を接着剤１３．１４で封止して間隙に液晶ノルマル・
オクチル・シアノ・ビフェニル６を注入している（５８
年春応用物理学会、７ａ −ｙ−：３参照）。従来の構
造の液晶ライトバルブでは書込みレーザパワーが１００
ｍＷ 、書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが
最高でも７しか得られなかった。また液晶を再び配向さ
せるため、ＩＴＯ電極２と９の間に６０〜７０Ｖのかな
り大きな電圧を印加する必要がある。ま九、液晶配向膜
５にピンホール等の欠陥があった場合、その欠陥に電荷
が集中し、ｋｌ光反射膜４とＩＴＯ電極９との間にショ
ートが発生し。
ｌ光反射膜４が破壊されるという問題も生じていた。
また従来は書込みレーザビームの径１ｊ：ＩＯμｍに絞
っても、液晶降温時に熱の面内方向の広がりのため、約
１２μｍ径の散乱核しか形成できなかった。
っても、液晶降温時に熱の面内方向の広がりのため、約
１２μｍ径の散乱核しか形成できなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような問題を解決し、信頼性およ
び解像度が高く、かつ表示コントラストの高い液晶ライ
トバルブを提供することにある。
び解像度が高く、かつ表示コントラストの高い液晶ライ
トバルブを提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、対向する基板表面にそれぞれ液晶配向
膜を設けた２枚の基板間に液晶を挾持した熱書込み液晶
ライトバルブにおいて、少くとも一方の前記液晶配向膜
の前記基板間の面にＢｅＯ膜を形成したことを特徴とす
る。
膜を設けた２枚の基板間に液晶を挾持した熱書込み液晶
ライトバルブにおいて、少くとも一方の前記液晶配向膜
の前記基板間の面にＢｅＯ膜を形成したことを特徴とす
る。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の液晶ライトバルブの一実施例の断面図
である。レーザ光照射側ガラス基板１の内面にはＩＴＯ
’［極２ 、 ＣｄＴｅ光吸収膜３．ＡＪ光反射膜、ａ
、ｓｉｏ 液晶配向膜５が順次積層されている。一方、
投射光側のガラス基板１０の内面にはＩＴＯ電極９．反
応性クラスフ・イオン・ビーム法により製作したＢｅＯ
膜３．ＳｉＱ液晶配向膜７が順次形成されている。この
２枚のガラス基板をスペーｖ１１，１２ｅ介し１周囲を
接着剤１３゜１４で封止して間隙に液晶ノルマル・オク
チル・シアノ・ビフェニル６を注入した。
である。レーザ光照射側ガラス基板１の内面にはＩＴＯ
’［極２ 、 ＣｄＴｅ光吸収膜３．ＡＪ光反射膜、ａ
、ｓｉｏ 液晶配向膜５が順次積層されている。一方、
投射光側のガラス基板１０の内面にはＩＴＯ電極９．反
応性クラスフ・イオン・ビーム法により製作したＢｅＯ
膜３．ＳｉＱ液晶配向膜７が順次形成されている。この
２枚のガラス基板をスペーｖ１１，１２ｅ介し１周囲を
接着剤１３゜１４で封止して間隙に液晶ノルマル・オク
チル・シアノ・ビフェニル６を注入した。
本発明の特徴となるＢｅＯ膜、８は、室温で１０１０Ω
ｃｍ以上という高い電気抵抗を持った絶縁膜であるので
、このＢｅＯ膜８を液晶配向膜７とＩＴＯ電極９との間
に設けたことにより、液晶再配向時の電界印加時にＡＩ
ｌ光反射膜４ＩＴＯ雷極９との間でショートが発生する
という問題がなくなった。このシ町−ト防止という点か
らは絶縁膜としてＢｅＯ膜の他に５ｉＯｚ 、ＭｇＦｚ
、Ｃｅ０ｚ等の誘電体膜も考えられるが、ＢｅＯ膜は
以下に示す熱的観点から特に優れている。すなわち％Ｂ
ｅＯ膜は六方晶系の結晶構造を持ち、基板に対しＣ軸方
向に優先配向し、Ｃ軸方向の熱伝導率は２．６Ｗ／ｃｍ
−ｄｅｇ（３００Ｋ）と、Ｃ軸に垂直方向Ｏ熱伝導率０
．６Ｗ／ｃｍ−ｄｅｇ（３００Ｋ）に比べ約４．３倍の
値を持ち、熱伝導率に異方性を持つ。これはｌ（２，３
９Ｗ ７ｃｍ−ｄｅｇ（３００Ｋ ） ）とほぼ等しい
熱伝導率を示している。このようにＢｅＯ膜は熱の良導
体であり、５ｉ０２ 、ＭｇＦ２ 、ＣｅＯ２等の誘電
体膜に比べ熱伝導率が太ｔ＜、Ｃ軸方向、すなわち液晶
ライトバルブにおけるガラス基板ｌＯ方向への熱伝導率
が大きいわけであるから、液晶へのレーザ光による画像
書込み後の液晶降温への熱的効果も大きく、かつ熱伝導
率の異方性より解像度向上への寄与が大きい。またＢｅ
Ｏ膜は透明膜であるので投射光に対しては何ら影響はな
い。
ｃｍ以上という高い電気抵抗を持った絶縁膜であるので
、このＢｅＯ膜８を液晶配向膜７とＩＴＯ電極９との間
に設けたことにより、液晶再配向時の電界印加時にＡＩ
ｌ光反射膜４ＩＴＯ雷極９との間でショートが発生する
という問題がなくなった。このシ町−ト防止という点か
らは絶縁膜としてＢｅＯ膜の他に５ｉＯｚ 、ＭｇＦｚ
、Ｃｅ０ｚ等の誘電体膜も考えられるが、ＢｅＯ膜は
以下に示す熱的観点から特に優れている。すなわち％Ｂ
ｅＯ膜は六方晶系の結晶構造を持ち、基板に対しＣ軸方
向に優先配向し、Ｃ軸方向の熱伝導率は２．６Ｗ／ｃｍ
−ｄｅｇ（３００Ｋ）と、Ｃ軸に垂直方向Ｏ熱伝導率０
．６Ｗ／ｃｍ−ｄｅｇ（３００Ｋ）に比べ約４．３倍の
値を持ち、熱伝導率に異方性を持つ。これはｌ（２，３
９Ｗ ７ｃｍ−ｄｅｇ（３００Ｋ ） ）とほぼ等しい
熱伝導率を示している。このようにＢｅＯ膜は熱の良導
体であり、５ｉ０２ 、ＭｇＦ２ 、ＣｅＯ２等の誘電
体膜に比べ熱伝導率が太ｔ＜、Ｃ軸方向、すなわち液晶
ライトバルブにおけるガラス基板ｌＯ方向への熱伝導率
が大きいわけであるから、液晶へのレーザ光による画像
書込み後の液晶降温への熱的効果も大きく、かつ熱伝導
率の異方性より解像度向上への寄与が大きい。またＢｅ
Ｏ膜は透明膜であるので投射光に対しては何ら影響はな
い。
本実施例の構造では、書込みレーザパワーが１００ｍＷ
、＄込み速度が３ｆｉＳ／ドツトでコントラストの最高
値１１が得られ、従来の構造で同じ条件で得られたコン
トラストよりも高い値が得ら几た。また書込みビーム径
を１０μｍに絞った場合、液晶降温時の熱の面内方向へ
の逃げが基板方向への逃げに比べ非常に小さいので約１
０μｍの散乱核が形成さｎ１解像度も向上した。
、＄込み速度が３ｆｉＳ／ドツトでコントラストの最高
値１１が得られ、従来の構造で同じ条件で得られたコン
トラストよりも高い値が得ら几た。また書込みビーム径
を１０μｍに絞った場合、液晶降温時の熱の面内方向へ
の逃げが基板方向への逃げに比べ非常に小さいので約１
０μｍの散乱核が形成さｎ１解像度も向上した。
なお、本実施例は、投射光側の基板１０の８ｉ０液晶配
向膜７とＩＴＯ電極９の間にＢｅＯ膜８を設けたが、第
２図に示すように、書込み元側の基板１のＡＩ光反射膜
４とＳｉＯ液晶配向膜５との間に設けても、また第３図
に示すように、投射光側の８ｉ０液晶配向膜７とＩＴＯ
ｔ極９の間、書込み元側の１光反射膜４と８ｉＯ液昌配
向膜５の間の両方に設けても、従来の構造で得られたコ
ントラストよりも常に高いコントラストが得らル、また
解像度も向上し更にショートの発生による信頼性劣化の
問題も生じないことが確かめらｎた。
向膜７とＩＴＯ電極９の間にＢｅＯ膜８を設けたが、第
２図に示すように、書込み元側の基板１のＡＩ光反射膜
４とＳｉＯ液晶配向膜５との間に設けても、また第３図
に示すように、投射光側の８ｉ０液晶配向膜７とＩＴＯ
ｔ極９の間、書込み元側の１光反射膜４と８ｉＯ液昌配
向膜５の間の両方に設けても、従来の構造で得られたコ
ントラストよりも常に高いコントラストが得らル、また
解像度も向上し更にショートの発生による信頼性劣化の
問題も生じないことが確かめらｎた。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、信頼性。
解像度が高く、かつ表示コントラストの高い液晶ライト
バルブが得られる。
バルブが得られる。
第１図、第２図、第３図は本発明の第１．第２および第
３の実施例の断面図、第４図は従来の構造の液晶ライト
バルブの断面図である。図において １．１０・・・・・・ガラス基板、２，９・・・・・・
ＩＴＯ’［極、３・・・・・・ＣｄＴｅ光吸収膜、４・
・・・・・ＡＩ元反射膜、５．７・・・・・・ＳｉＯ液
晶配向膜、６・・・・・・液晶ノルマル・オクチル・シ
アノ・ビフェニール、８・・・・・・ＢｅＯ膜、１１，
１２・川・・スペーサ、１３．１４・・・・・・接着剤 である。 代理人 弁理士 内 原 晋 芽２ 口 峯 ３ 個 峯４−凹
３の実施例の断面図、第４図は従来の構造の液晶ライト
バルブの断面図である。図において １．１０・・・・・・ガラス基板、２，９・・・・・・
ＩＴＯ’［極、３・・・・・・ＣｄＴｅ光吸収膜、４・
・・・・・ＡＩ元反射膜、５．７・・・・・・ＳｉＯ液
晶配向膜、６・・・・・・液晶ノルマル・オクチル・シ
アノ・ビフェニール、８・・・・・・ＢｅＯ膜、１１，
１２・川・・スペーサ、１３．１４・・・・・・接着剤 である。 代理人 弁理士 内 原 晋 芽２ 口 峯 ３ 個 峯４−凹
Claims (1)
- 対向する表面にそれぞれ液晶配向膜を設けた２枚の基板
間に液晶を挾持した熱書込み液晶ライトバルブにおいて
、少くとも一方の前記液晶配向膜の前記基板側の面にＢ
ｅＯ膜を形成したことを特徴とする熱書込み液晶ライト
バルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21387184A JPS6193429A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 熱書込み液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21387184A JPS6193429A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 熱書込み液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193429A true JPS6193429A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16646394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21387184A Pending JPS6193429A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 熱書込み液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490004A (en) * | 1994-05-02 | 1996-02-06 | Hughes Jvc Tech Corp | Photoconductivity reduction in cadmium telluride films for light blocking applications using nitrogen incorporation |
| JP2009075503A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21387184A patent/JPS6193429A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490004A (en) * | 1994-05-02 | 1996-02-06 | Hughes Jvc Tech Corp | Photoconductivity reduction in cadmium telluride films for light blocking applications using nitrogen incorporation |
| JP2009075503A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
| US8432526B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-04-30 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus including the same |
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