JPS60151688A - 反射型液晶ライトバルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は液晶の熱光学効果を利用した熱書込み液晶ライ
トＫＬＶ’に関する。

一般に、液晶を加熱、急冷することによってランダムな
液晶分子の配向状態が凍結されるが、この凍結された液
晶は光を散乱する現象を生じ、この現象を液晶の熱光学
効果と称している。この現象を利用したものとして、液
晶セルにレーザ光を照射して照射部分に温度上昇を生せ
しめ画像書込みを行い、更に書込まれた画像を消去する
には液晶に電界をかけて液晶分子を強制的に配向させる
液晶ライトバルブがある。このような液晶ライトバルブ
を利用した投射型ディスプレイにおいては書込みレーザ
パワー、書込み速度、コントラストが液晶ライトバルブ
の光吸収率に大きく依存する。すなわち、光吸収率が大
きい程書込みレーザパワーは小さくてすみ、書込み速度
は速くでき、またコントラストは向上する。この光吸収
率は膜の吸収係数が大きい程大きくなる。

（従来技術） プの光吸収膜は、書込みレーザ光に対して商い光吸収率
を持つと共に、投射光に対して高い光透過率を示す必要
がある◇しかし、従来光吸収膜として用いられていたＩ
　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ、０ｘ１ｄｅ　）膜で
はＹＡＧレーザ光の波長に対し光吸収率が０．４２とい
う値しかなく、書込みレーザ光を半導体レーザ化するな
どして吸収波長が可視域に近くなると透過型の構造では
投写光の透過性とのトレードオフのため高い光吸収率が
得られないという欠点があった。

この問題を解決するために、光吸収膜とは別に新たに光
反射膜を設けた反射型の構造の液晶ライトパルプが考え
出された。このような反射型の構造では光吸収膜は不透
明でよく、書込みレーザ光に対し高い光吸収率が得られ
るため、透過型で得られた光吸収率よシも常に高い光吸
収率を持つ液晶ライトパルプが得らｎた。

第１図に従来の液晶ライトパルプの断面図を示す。レー
ザ光を照射する側のガラス基板１の内面にはＩＴＯの透
明電極２、光吸収膜３、Ａｔ光反射１１１！４．８１０
液晶配向膜５が順次形成されている。書込んだ画像は投
射光によシ読み出され、スクリーン上に投射されるが、
この投射光側のガラス基板９の内面にはＩＴＯ透明電極
８．８１０液晶配向膜７が順次形成されている。これら
２板のガラス基板１，９をスペーサ１０．１１によシ支
えて１これらの周囲を接着剤１２．１３で封止してその
間隙に液晶（ノルマル拳オクチル・シアノ・ビフェニル
）６を注入している。

従来使用されていたカドミウム・テルルの光吸収膜では
半導体レーザの波長に対して光吸収率が最大でも０．７
０と低く、書込みレーザパワーが１００ｍＷ、書込み速
度が３μＳ／ドツトでコントラストが最高でも３，５シ
か得られなかった。また、書込みレーザパワーが１００
ｍＷ、書込み速度が１．５μ８７ドツトでコントラスト
が最高でも１．６しか得られなかった。更に、液晶ライ
トパルプに書き込まれた画像を消去するために書込体レ
ーザ光側に電極を一層設けることによシ液晶ライトバル
ブ製造工程が複雑になるという欠点があった。

（発明の目的） 本発明の目的は、と牡らの欠点を除き、製造工程が簡略
化され、更に高い光コントラストを得られる反射型液晶
ライトバルブを提供することにｈＬ。

（発明の構成） 本発明の構成は、２枚の基板間に液晶を挟持してこの液
晶にレーザ光で画像を記録する反射型液晶ライトバルブ
において、前記レーザ光を照射する側の前記基板の内面
の少なくとも書込み領域全面に光吸収膜兼電極を形成す
ることを特徴とする。

（実　施　例） 以下本発明を図面によシ詳細に説明する。

第２図は本発明の実施例の断面図である。この実施例は
、レーザ光を照射する側ガラス基板１の内面にはモリブ
デンの光吸収膜兼電極１５、Ａｔ光反射膜４、ｓｔｏ液
晶配向農５が順次積層されている。一方、投射光側のガ
ラス基板９の円面にはＩＴＯ電極ｓ、ｓｉｏ液晶配向膜
７が順次積層されている。これら２枚のガラス基板１，
９をスペーサ１０．１１を介し、周囲を接着剤１２．１
３で封止して間隙に液晶（ノルマル・オクチル・シフ）
・ビフェニル）６を注入して構成される。

この光吸収膜兼電極１５としてモリブデンを用いること
によシ、従来のように画像消去用の電極を新たに一層設
ける必要がなく、製造工程が簡略化される。

またモリブデンの膜厚を８０ＯＡとした場合、光吸収率
が０．７５と従来の光吸収膜で得られた光吸収率よシも
高い値を示し、書込みレーザパワーが１００ｍＷ、書込
み速度が３μＶドツトでコントラスト３．７　、また書
込みレーザパワーが１００　ｍＷ。

書込み速度が１．５μ８／ドツトでコントラスト２が得
られた。更に、モリブデンの膜厚を５０ＯＡとした場合
光吸収率が０．９０と高い値を示し、書込みレーザパワ
ーが１００ｍＷ％書込み速度が３μｓ／ドツトでコント
ラストｚ３　、また臀みレーザパワーが１００ｍＷ　、
書込み速度１．５μｓ／ドツトでコントラスト４．２が
得られた０こｎらモリブデンの膜厚５００Ａ、８００Ａ
以外の他の膜厚でも従来の光吸収膜による光吸収率よシ
も常に高い光吸収率が得られ、書込みレーザパワーが１
００ｍＷ。

書込み速度が３μＳ／ドツトでコントラストが最高で８
．また書込みレーザパワーが１００ｍＷ、書込み速度が
１．５μ８／ドツトでコントラストが最高５となシ、同
じ条件で書込みを行った場合の従来の構造によるコント
ラストよシも常に高い値が得ら扛た。

また、この光吸収膜兼電極１５にニッケル膜を用いた場
合も同様に液晶ライトパルプ製造工程が簡略化された。

このニッケルの膜厚を１００ＯＡとした場合、光吸収率
が０．７６と従来の光吸収膜による光吸収率よシも高い
値を示し、書込みレーザパワーが１００　ｍＷ　ｓ　＆
助速度が３顯４°ツトでコントラス）３．８．また書込
みレーザパワーが１００ｍＷ％書込み速度が１．５μｓ
／ドツトでコントラスト２が得ら扛た。更に、このニッ
ケルの膜厚を６０ＯＡとした場合、光吸収率が０．８８
となシ、書込みレーザパワーが１００ｍＷ１書込み速度
が３μｓ／ドツトでコントラスト７、また書込みパワー
が１００ｍＷ。

書込み速度が１．５μ８７ドツトでコントラスト４が得
られた。さらに、このニッケルの他の膜厚でも従来の光
吸収膜による光吸収率よシも常に高い光吸収率が得られ
た。書込みレーザパワーが１００ｍ　Ｗ　、書込み速度
が３μ８／ドツトでコントラストが最高で８、また書込
みレーザパワーが１００　ｍＷ。

書込み速度が１．５μＳ／ドツトでコントラストが最高
５となシ、同じ条件で書込みを行った場合の従来の構造
によるコントラストよシも常に高い値が得られた。

さらに、こｎらモリブデン、ニッケル以外で大きな光吸
収係数をもったマンガン、鉄等の他の金属膜の場合にも
、従来の光吸収膜による光吸収率よシも高い光吸収率が
得られ、また電極としても使用可能である。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によ扛ば、高いコントラス
トが得られ、かつ製造工程が簡略化された液晶ライトパ
ルプを得ることが出来る０

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の液晶ライトパルプの断面図、第２図は本
発明の一実施例の断面図でめる０図において １１，９・・・・・・ガラス基板、２，８・・・・・・
ＩＴＯ透明宵、極、３・・・・・・光吸収膜、４・・・
・・・Ａｔ光反射膜、５゜７・・・・・・Ｓ１０液晶配
向膜、６・・・・・・液晶、１０．１１・・・・・・ス
ペーサ、１２．１３・・・・・・接着剤、１５・・・・
・・光吸収膜兼電極である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２枚の基板間に液晶を挟持してこの液晶にレーザ光によ
   って熱的に画像を記録する反射型液晶ライトバルブにお
   いて、前記レーザ光を照射する側の前記基板の内面の少
   なくとも書込み領域全面に形成された光吸収膜兼電極を
   設けたことを特徴とする反射型液晶ライトバルブ。