JPS61115251A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS61115251A JPS61115251A JP59234156A JP23415684A JPS61115251A JP S61115251 A JPS61115251 A JP S61115251A JP 59234156 A JP59234156 A JP 59234156A JP 23415684 A JP23415684 A JP 23415684A JP S61115251 A JPS61115251 A JP S61115251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- recording medium
- optical recording
- crystal compsn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
狡亙立互
本発明は液晶物質の相転移を利用した光記録媒体に関す
る。
る。
災米狡夏
近年の情報量の増大に伴ない、光記録媒体を用いた大容
量の記録方式が各種検討され、一部実用化されつつある
ものもある。このような光記録方式としては、金属薄膜
あるいは金属含有ポリマー材料からなる記録部にレーザ
ービームを照射して、溶融、蒸発させて穴をあけて情報
を記録する方式があるが、記録内容を書き換えることは
できない。
量の記録方式が各種検討され、一部実用化されつつある
ものもある。このような光記録方式としては、金属薄膜
あるいは金属含有ポリマー材料からなる記録部にレーザ
ービームを照射して、溶融、蒸発させて穴をあけて情報
を記録する方式があるが、記録内容を書き換えることは
できない。
液晶を用いた書き換え可能な光記録方式としては、ネマ
ティック相と固′相との相転移をもつ液晶を用い、レー
ザーで書き込み、消去を行う方式が知られている。しか
しながら、この方式は書き込みに必要なエネルギー量が
大きいため、アルゴンレーザーを用いることが必要とな
り、装置が大型化するという欠点があった。
ティック相と固′相との相転移をもつ液晶を用い、レー
ザーで書き込み、消去を行う方式が知られている。しか
しながら、この方式は書き込みに必要なエネルギー量が
大きいため、アルゴンレーザーを用いることが必要とな
り、装置が大型化するという欠点があった。
l五立l蝮
本発明は、低エネルギーで記録の書込みが可能な液晶を
用いた光記録媒体を提供することを目的とする。
用いた光記録媒体を提供することを目的とする。
ILL!!2JL島
本発明の光記録媒体は、電極を有する透明基板間に、ス
メクティック相とネマティック相との相転移をもつ液晶
組成物が収納され、かつ。
メクティック相とネマティック相との相転移をもつ液晶
組成物が収納され、かつ。
該液晶組成物中に赤外線吸収剤が添加されていることを
特徴とする。
特徴とする。
以下、添付図面に沿って本発明をさらに詳細に説明する
。第1@は本発明の光記録媒体の実施例を示す断面図で
あり、透明電極15.17を有する透明基板11.13
の間に液晶組成物23が封入されている。19はシール
材を示し、21は基板間隔を保つためのギャップ材であ
る。そして、この液晶組成物23中には赤外線吸収材が
添加、混合されている。
。第1@は本発明の光記録媒体の実施例を示す断面図で
あり、透明電極15.17を有する透明基板11.13
の間に液晶組成物23が封入されている。19はシール
材を示し、21は基板間隔を保つためのギャップ材であ
る。そして、この液晶組成物23中には赤外線吸収材が
添加、混合されている。
赤外線吸収材は、赤外線領域の光、特に0.6〜0.7
μmの半導体レーザー発信波長領域の光を吸収して発熱
するものであり、たとえば、赤外線吸収色素として、−
日本感光色素よりNK−2772の商品名で販売されて
いる。
μmの半導体レーザー発信波長領域の光を吸収して発熱
するものであり、たとえば、赤外線吸収色素として、−
日本感光色素よりNK−2772の商品名で販売されて
いる。
液晶組成物23としてはスメクティック相とネマティッ
ク相との相転移をもつものが用いられ、好ましくは、ス
メクティック相とネマティック相との転移温度が40〜
60℃の範囲のものである。
ク相との相転移をもつものが用いられ、好ましくは、ス
メクティック相とネマティック相との転移温度が40〜
60℃の範囲のものである。
このような液晶組成物としては、たとえば以下のものが
挙げられる。
挙げられる。
(C−SA;21℃−5AN:33℃、N−I;40℃
) C,、H,1−ぐΣと→D←CNの混合物(c−5A;
50℃、5A−N140℃、N−I;43℃) (c−sA;6℃、5A−N;53℃、N−I;56℃
) c−sA:’結晶−スメクテイツクA相転移温度 5A−N: スメクテイツクA相−ネマチイック相転
移温度 N−I: ネマティック相−等方性液体転移温度 赤外線吸収剤は、液晶組成物中に2−10vt%の範囲
で添加するのが適当である。
) C,、H,1−ぐΣと→D←CNの混合物(c−5A;
50℃、5A−N140℃、N−I;43℃) (c−sA;6℃、5A−N;53℃、N−I;56℃
) c−sA:’結晶−スメクテイツクA相転移温度 5A−N: スメクテイツクA相−ネマチイック相転
移温度 N−I: ネマティック相−等方性液体転移温度 赤外線吸収剤は、液晶組成物中に2−10vt%の範囲
で添加するのが適当である。
透明基板としては、ポリエステルフィルム、ポリカーボ
ネートフィルム、ポリエーテルサルフオンフィルム、ポ
リサルフオンフイルムなどのプラスチックフィルム、ガ
ラスなどが用いられる。透明電極はITO膜、NESA
膜のような透明導電膜を蒸着、スパッタリング等により
形成するなど、常法により形成することができる。また
、透明基板は、配向剤を塗布してラビングするなどの方
法により、配向処理が施されている。
ネートフィルム、ポリエーテルサルフオンフィルム、ポ
リサルフオンフイルムなどのプラスチックフィルム、ガ
ラスなどが用いられる。透明電極はITO膜、NESA
膜のような透明導電膜を蒸着、スパッタリング等により
形成するなど、常法により形成することができる。また
、透明基板は、配向剤を塗布してラビングするなどの方
法により、配向処理が施されている。
第2図〜第4図は本発明の光磁気記録媒体を用いて、情
報の記録、読出しおよび消去を行う方法について説明す
るための図である。保存条件下において液晶組成物23
はスメクテイック相を示し、液晶分子は第2図に示すよ
うに基板11゜13に対して水平に配向している。情報
の記録は、第3図に示すように、基板1.1.13間に
電圧を印加して選択的にレーザー光31を照射して行う
。
報の記録、読出しおよび消去を行う方法について説明す
るための図である。保存条件下において液晶組成物23
はスメクテイック相を示し、液晶分子は第2図に示すよ
うに基板11゜13に対して水平に配向している。情報
の記録は、第3図に示すように、基板1.1.13間に
電圧を印加して選択的にレーザー光31を照射して行う
。
レーザー光31が照射された箇所では液晶組成物23中
に添加された赤外線吸収剤がレーザー光を吸収して効率
よく熱エネルギーに変換し、これによる加熱とレーザー
光による直接の加熱とが相撲って液晶組成物が加熱され
てS−N転移温度を越え、液晶組成物がスメクティック
相からネマティック相に変化する。このネマティック液
晶は電界に沿って分子が基板に垂直に配向する。加熱信
号がなくなると、再びネマティック相からスメクティッ
ク相に転移し、その配向状態が維持され、この信号加熱
部が記録ピットを形成する。なお、上記においてはレー
ザー光による加熱を説明したが、針電極を用いるような
他の信号加熱方式も可能である。
に添加された赤外線吸収剤がレーザー光を吸収して効率
よく熱エネルギーに変換し、これによる加熱とレーザー
光による直接の加熱とが相撲って液晶組成物が加熱され
てS−N転移温度を越え、液晶組成物がスメクティック
相からネマティック相に変化する。このネマティック液
晶は電界に沿って分子が基板に垂直に配向する。加熱信
号がなくなると、再びネマティック相からスメクティッ
ク相に転移し、その配向状態が維持され、この信号加熱
部が記録ピットを形成する。なお、上記においてはレー
ザー光による加熱を説明したが、針電極を用いるような
他の信号加熱方式も可能である。
信号加熱部と非信号加熱部とでは液晶分子の配向性が異
なるので、これを検出することにより記録情報の再生が
可能である。第4図は偏光板を使って旋光性の違いを検
出する再生方法を示し、第1の偏光板33とこれと平行
な吸収軸を有する第2の偏光板35との間に光記録媒体
30を挟み、相転板を起こさないエネルギー量の全面光
照射(矢印37)を行うと、垂直配向部のみで光が透過
して情報の読出しが行われる。
なるので、これを検出することにより記録情報の再生が
可能である。第4図は偏光板を使って旋光性の違いを検
出する再生方法を示し、第1の偏光板33とこれと平行
な吸収軸を有する第2の偏光板35との間に光記録媒体
30を挟み、相転板を起こさないエネルギー量の全面光
照射(矢印37)を行うと、垂直配向部のみで光が透過
して情報の読出しが行われる。
記録ピットの消去は、基板間に電圧を印加することなく
、光記録媒体全体あるいは記録ピット部をS−N転移温
度以上に加熱すればよい。
、光記録媒体全体あるいは記録ピット部をS−N転移温
度以上に加熱すればよい。
加熱により液晶組成物がスメクテイツク相からネマティ
ック相に変化し、垂直に配向していた液晶分子も基板の
配向処理に従って水平に配向する。
ック相に変化し、垂直に配向していた液晶分子も基板の
配向処理に従って水平に配向する。
なお、以上においては記録媒体全体に電界をかけて1選
択的に信号加熱して記録ピットを形成する方法について
示したが、加熱下に選択的に電界を印加して情報を記録
することも可能である。
択的に信号加熱して記録ピットを形成する方法について
示したが、加熱下に選択的に電界を印加して情報を記録
することも可能である。
mす1股
本発明によれば、相転移を有する液晶組成物を用い、か
つ、この組成物中に赤外線吸収剤を添加することにより
、低エネルギーで液晶の相転移を利用して可逆的に記録
再生することが可能となる。また、レーザー光を利用で
きるので、微小な記録ピットを形成でき、記録密度の向
上が可能となり、しかも、赤外線吸収剤によりし一ザー
光の吸収が効率よく行われるため、小型な半導体レーザ
ーを用いることができる。さらに、記録内容を目視でき
るので、内容表示のためのラベルの書込みも可能である
。
つ、この組成物中に赤外線吸収剤を添加することにより
、低エネルギーで液晶の相転移を利用して可逆的に記録
再生することが可能となる。また、レーザー光を利用で
きるので、微小な記録ピットを形成でき、記録密度の向
上が可能となり、しかも、赤外線吸収剤によりし一ザー
光の吸収が効率よく行われるため、小型な半導体レーザ
ーを用いることができる。さらに、記録内容を目視でき
るので、内容表示のためのラベルの書込みも可能である
。
また、基板としてプラスチックフィルムを用いれば、軽
量、薄型の記録媒体゛が可能となり、加工も容易となり
汎用性の大きなものが実現しうる。
量、薄型の記録媒体゛が可能となり、加工も容易となり
汎用性の大きなものが実現しうる。
実施例
100μm厚の2枚のポリエステルフィルム上に、30
0人のITO膜を蒸着して、透明電極をを形成した。つ
いで、ポリイミド系配向処理剤(日立化成製、HL 1
00)を塗布、焼成してラビングして配向処理を施した
。
0人のITO膜を蒸着して、透明電極をを形成した。つ
いで、ポリイミド系配向処理剤(日立化成製、HL 1
00)を塗布、焼成してラビングして配向処理を施した
。
この配向処理基板の1枚に外周部に注入口を残してシー
ル剤を印刷し、他の1枚にはギャップ剤として10μm
径のジビニルベンゼン共重合体を分散させて、両方の基
板を対向配置し、加熱焼成してセルを形成した。
ル剤を印刷し、他の1枚にはギャップ剤として10μm
径のジビニルベンゼン共重合体を分散させて、両方の基
板を対向配置し、加熱焼成してセルを形成した。
ついで、赤外線吸収色素(日本感光色素社製。
N K −2772)を5wt%添加した液晶物質(C
−8A;21℃、5A−N;33℃、N−I;40℃) を前記セル内に封入して、本発明の光記録媒体を得た。
−8A;21℃、5A−N;33℃、N−I;40℃) を前記セル内に封入して、本発明の光記録媒体を得た。
この記録媒体に対して、電極間に5vの直流電圧を印加
し、半導体レーザーを用いて消費電力5mW、照射時間
100μSの条件で照射したところ、直径1μmの微小
ピットが形成された。
し、半導体レーザーを用いて消費電力5mW、照射時間
100μSの条件で照射したところ、直径1μmの微小
ピットが形成された。
第1図は本発明の光記録媒体の実施例を示す断面図であ
る。 第2図〜第4図は本発明の光記録媒体を用いた記録方法
を説明するモデル図である。 11.13・・・基 板 15,17・・・電
極19・・・シール材 23・・・液晶組成物
31・・・レーザー光 33・・・第1の偏光板35
・・・第2の偏光板 ff5を又 悄4図
る。 第2図〜第4図は本発明の光記録媒体を用いた記録方法
を説明するモデル図である。 11.13・・・基 板 15,17・・・電
極19・・・シール材 23・・・液晶組成物
31・・・レーザー光 33・・・第1の偏光板35
・・・第2の偏光板 ff5を又 悄4図
Claims (1)
- 1、電極を有する透明基板間に、スメクティック相とネ
マティック相との相転移をもつ液晶組成物が収納され、
かつ、該液晶組成物中に赤外線吸収剤が添加されている
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234156A JPS61115251A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234156A JPS61115251A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61115251A true JPS61115251A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16966526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59234156A Pending JPS61115251A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61115251A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0278446A2 (de) * | 1987-02-11 | 1988-08-17 | BASF Aktiengesellschaft | Laseroptisches Schreib- und Leseverfahren |
JPH06251080A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯型情報再生装置及び情報転送装置 |
US5532952A (en) * | 1992-04-07 | 1996-07-02 | Nematel Dr, R. Eidenshink | Selectively alterable optical data memory |
US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59234156A patent/JPS61115251A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
EP0278446A2 (de) * | 1987-02-11 | 1988-08-17 | BASF Aktiengesellschaft | Laseroptisches Schreib- und Leseverfahren |
US5532952A (en) * | 1992-04-07 | 1996-07-02 | Nematel Dr, R. Eidenshink | Selectively alterable optical data memory |
JPH06251080A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯型情報再生装置及び情報転送装置 |
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