JPS60110782A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS60110782A JPS60110782A JP21979783A JP21979783A JPS60110782A JP S60110782 A JPS60110782 A JP S60110782A JP 21979783 A JP21979783 A JP 21979783A JP 21979783 A JP21979783 A JP 21979783A JP S60110782 A JPS60110782 A JP S60110782A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal element
- phase
- light
- laser
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱書き込み方式に用いうる液晶素子に関し、
詳しくはレーザビーム、具体的にはヘリウム−ネオンレ
ーザ、YAGレーザや半導体レーザあるいはアルゴンレ
ーザから生じた光信号に対応した光学像を形成しうる液
晶素子に関するものである。
詳しくはレーザビーム、具体的にはヘリウム−ネオンレ
ーザ、YAGレーザや半導体レーザあるいはアルゴンレ
ーザから生じた光信号に対応した光学像を形成しうる液
晶素子に関するものである。
これまで、2枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネマチック液晶とコレステリック液晶との程合液晶あ
るいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶をfJ!
、61した液晶素子を用意し、この液晶素子にレーザビ
ームを照射すると、その個所が局部的にイントロビック
相まで加熱され、その後の急激な冷却により初期の一様
な配向状態と異なったランダムな配向状態の液晶相が形
成される。その結果、レーザビームが照射された個所で
は光11に乱を生じ、一様な配向状態にある背景域の液
晶相とで光学的特性に相違が生じることになる。
つネマチック液晶とコレステリック液晶との程合液晶あ
るいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶をfJ!
、61した液晶素子を用意し、この液晶素子にレーザビ
ームを照射すると、その個所が局部的にイントロビック
相まで加熱され、その後の急激な冷却により初期の一様
な配向状態と異なったランダムな配向状態の液晶相が形
成される。その結果、レーザビームが照射された個所で
は光11に乱を生じ、一様な配向状態にある背景域の液
晶相とで光学的特性に相違が生じることになる。
この種の液晶素子は、前述の如き方法でレーザ1Bき込
みにより形成された光学像を消去することも可能である
。すなわち、液晶素子を構成してl、)る2枚の基板に
それぞれ電極を設け、レーザビームとは別の熱源(例え
ばヒーター)で液晶素子の全体に亘って加熱することに
より、液晶相をイソトロピック相まで加熱し、次いで前
述の電極間に電圧を印加した状1ムで、例えばスメクチ
ック液晶の場合ではホメオトロピックM1織、あるいは
コレステリック−ネマチック液晶の場合ではグランシュ
アン組織が形成されるまで冷却することによって、先の
書き込みにより形成していた光学像を消去することがで
きる。
みにより形成された光学像を消去することも可能である
。すなわち、液晶素子を構成してl、)る2枚の基板に
それぞれ電極を設け、レーザビームとは別の熱源(例え
ばヒーター)で液晶素子の全体に亘って加熱することに
より、液晶相をイソトロピック相まで加熱し、次いで前
述の電極間に電圧を印加した状1ムで、例えばスメクチ
ック液晶の場合ではホメオトロピックM1織、あるいは
コレステリック−ネマチック液晶の場合ではグランシュ
アン組織が形成されるまで冷却することによって、先の
書き込みにより形成していた光学像を消去することがで
きる。
この液晶素子は、画素を形成するマトリクス電極構造を
必要とせず、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で得られる点に利点を有している。
必要とせず、単に電気信号から変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で得られる点に利点を有している。
一方、コンピュータ端末からの電気信号を光信号に変換
する手段として、これまでレーザビームをデジタル画像
情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調され
たレーザ・ビームを結像i/ンズ、ガルバノミラ−等の
光偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用
されている。特に、近年ではかかる光信号発生器のビー
ム源として半導体レーザが用いられる様になって来た。
する手段として、これまでレーザビームをデジタル画像
情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調され
たレーザ・ビームを結像i/ンズ、ガルバノミラ−等の
光偏向器からなる光学系を介して、走査する方式が採用
されている。特に、近年ではかかる光信号発生器のビー
ム源として半導体レーザが用いられる様になって来た。
前述の半導体レーザは、一般に長波長域(例えば750
mm以上)にその発振波長をもっているにもかかわら
ず、前述の液晶素子では長波長ビームに対する熱変換効
率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子に書
き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを照射
することが必要となっていた。しかし、半導体レーザは
一般にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなどの
ガスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前述の
如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信号発生器より
の光信号を走査させても十分な書き込みが行なえないか
、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くすること
によってしか書き込みが行□なえないという欠点力1つ
だ。
mm以上)にその発振波長をもっているにもかかわら
ず、前述の液晶素子では長波長ビームに対する熱変換効
率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素子に書
き込みを行なう際には、高パワーのレーザビームを照射
することが必要となっていた。しかし、半導体レーザは
一般にアルゴンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなどの
ガスレーザに較べそのパワーが小さく、そのため前述の
如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信号発生器より
の光信号を走査させても十分な書き込みが行なえないか
、又はその光信号の走査スピードを十分に遅くすること
によってしか書き込みが行□なえないという欠点力1つ
だ。
このために、従来では例えば”5ociety ofI
nformation Display Intern
ational Symposium。
nformation Display Intern
ational Symposium。
Digest of Technical Paper
″P、P34−49,172−187 。
″P、P34−49,172−187 。
23B−253(1982)に開示されている様にスメ
クチック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタ
イプのレーザ熱書き込み方式の液晶素子が提案されてい
る。
クチック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタ
イプのレーザ熱書き込み方式の液晶素子が提案されてい
る。
しかし、この種の液晶素子でも半導体レーザからのレー
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で芙国公開2091753号公
報に開示された方式の液晶素子における欠点と共通して
いる。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の画像パターンが形成されているため
、人間工学上良好な表示とはならない欠点がある。
ザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が十分な
ものではなく、高パワー又は低スピードの光信号走査を
必要としている。この点で芙国公開2091753号公
報に開示された方式の液晶素子における欠点と共通して
いる。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子では黒
色背景の中に白色の画像パターンが形成されているため
、人間工学上良好な表示とはならない欠点がある。
従って、本発明の目的は前述の欠点を解消し、特にレー
ザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に応じ
て光学像のパターンを形成することができる液晶素子を
提供することにある。
ザ発振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に応じ
て光学像のパターンを形成することができる液晶素子を
提供することにある。
本発明は、液晶中にピリリウム系化合物を溶解させた液
晶組成物を用いる点に特徴を有している。
晶組成物を用いる点に特徴を有している。
本発明で用いるピリリウム系化合物は、特に下記一般式
(1)〜(4)によって示すことができ、一般にビリリ
ヴム塩、チアピリリウム塩、セレナピリリウム塩、ベン
ゾビリリウム塩、ベンゾチアピリリウム塩、ベンゾセレ
ナピリリウム塩、ナフトピリリウム塩、ナフトチアピリ
リウム塩1ナフトセレナピリリウム塩などのビリリウム
塩系列の化合物を包含する。
(1)〜(4)によって示すことができ、一般にビリリ
ヴム塩、チアピリリウム塩、セレナピリリウム塩、ベン
ゾビリリウム塩、ベンゾチアピリリウム塩、ベンゾセレ
ナピリリウム塩、ナフトピリリウム塩、ナフトチアピリ
リウム塩1ナフトセレナピリリウム塩などのビリリウム
塩系列の化合物を包含する。
一般式
式中、R+ 、R4、Rs 、R4およびR3は、各々
(a) 水素原子 (b) アルキル基、特に炭素原子数1〜15のアルキ
ル基:例えば、メチル、エチル、プロピル、イングロビ
ル、ブチル、t−ブチル、アミル、インアミル、ヘキシ
ル、オクチル、ノニル、ドデシル (C) アルコキシ基:例えばメトキシ、工l・キシ、
プロポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オク
トキ7 (d) 了り一ル基:フェニル、α−ナフチル、β−す
7チル (e) 置換アリール基ニトリル、キシリル、ビフェニ
ル、エチルフェニル−、メトキシフェニル、エトキシフ
ェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジ
ェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニ
ル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、シフロモフェ
ニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメ
チルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル (f)ステリル基又は4−フェニル−1,3−ブタジェ
ニル基ニスチリル、4−フェニル−1,3−ブタジェニ
ル (g) !換スチリル基又は4−フェニル−1,3−ブ
タジェニル基:メトキシスチリル、ジメトキシスチリル
、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルア
ミノスチリル、ジエチルアミノスチリル%4−(P−ジ
メチルアミノフェニル) −1,3−ブタジェニル、4
−(P−ジエチルアミノフェニル)−1,3−フタジェ
ニル (h) R1とR1ならびにR4とR3は、結合してベ
ンゼン環を形成することができる。
(a) 水素原子 (b) アルキル基、特に炭素原子数1〜15のアルキ
ル基:例えば、メチル、エチル、プロピル、イングロビ
ル、ブチル、t−ブチル、アミル、インアミル、ヘキシ
ル、オクチル、ノニル、ドデシル (C) アルコキシ基:例えばメトキシ、工l・キシ、
プロポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オク
トキ7 (d) 了り一ル基:フェニル、α−ナフチル、β−す
7チル (e) 置換アリール基ニトリル、キシリル、ビフェニ
ル、エチルフェニル−、メトキシフェニル、エトキシフ
ェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジ
ェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニ
ル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、シフロモフェ
ニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメ
チルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル (f)ステリル基又は4−フェニル−1,3−ブタジェ
ニル基ニスチリル、4−フェニル−1,3−ブタジェニ
ル (g) !換スチリル基又は4−フェニル−1,3−ブ
タジェニル基:メトキシスチリル、ジメトキシスチリル
、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルア
ミノスチリル、ジエチルアミノスチリル%4−(P−ジ
メチルアミノフェニル) −1,3−ブタジェニル、4
−(P−ジエチルアミノフェニル)−1,3−フタジェ
ニル (h) R1とR1ならびにR4とR3は、結合してベ
ンゼン環を形成することができる。
(i) 置換又は未置換の複水環基:例えば、3−カル
バゾリル、9−メチル−3−カルノ< / IJル、9
−エチル−3−カルバゾリル、9−カルバゾリル Xは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表わし、zO
は、陰イオン例えばバークロレート、フルオロボレート
、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフェー
ト、パーアイオダイド、P−トルエンスルフォネートな
どを表わす。R6ど)又は了り−ル基(例えば、フェニ
ル、ナフチルなど)を示す。
バゾリル、9−メチル−3−カルノ< / IJル、9
−エチル−3−カルバゾリル、9−カルバゾリル Xは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表わし、zO
は、陰イオン例えばバークロレート、フルオロボレート
、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフェー
ト、パーアイオダイド、P−トルエンスルフォネートな
どを表わす。R6ど)又は了り−ル基(例えば、フェニ
ル、ナフチルなど)を示す。
mは0.1又は2である。但し、mが2の時R6はそれ
ぞれ同一であってもよく又、異なっていてもよい。
ぞれ同一であってもよく又、異なっていてもよい。
一般式(1)に示す代表的などIJ +Jウム系化合物
を下記に示す。
を下記に示す。
L
ClO2
(1鋤 OCHs
CtHll
(支))
t(24H。
一般式(2)に示す代表的などIJ リウム系染料は下
記のとおシである。
記のとおシである。
また、一般式(3)又は(4)で示されるビリリウム系
染料の代表例は、下記のとおシである〇剃) ■ 町) ■ (a9) ■ これらのビIJ 17ウム系化合物は、例えば米国特許
第3,554,745号公報、同第3,567,438
号公報、同第3,577.235号公報、同第3,58
6,500号公報、同第3,591.374号公報、同
第3,615,394号公報、同第3,615,416
号公報、同第4,327,169号公報、同第4,36
5,017号公報、同第4,315,983号公報など
に記載された方法によって容易に得ることができる。
染料の代表例は、下記のとおシである〇剃) ■ 町) ■ (a9) ■ これらのビIJ 17ウム系化合物は、例えば米国特許
第3,554,745号公報、同第3,567,438
号公報、同第3,577.235号公報、同第3,58
6,500号公報、同第3,591.374号公報、同
第3,615,394号公報、同第3,615,416
号公報、同第4,327,169号公報、同第4,36
5,017号公報、同第4,315,983号公報など
に記載された方法によって容易に得ることができる。
次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。
第1図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしれる。本
発明の素子で用いる液晶は、スメクチック液晶が適して
おり、特に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のA
相又はC相が適している。
発明の素子で用いる液晶は、スメクチック液晶が適して
おり、特に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のA
相又はC相が適している。
かかるスメクチック液晶は、レーザビームで局部的に加
熱されるまではホメオトロピック組織のスメクチック相
に配列されており、温度上昇に伴ないホメオトロピック
組織のスメクチック相→ネマチック相→イントロピック
相と相変化することができる。次いで、イントロピック
相から急冷状mでスメクチック相へ相変化させると光散
、!lL特性をもつフォーカルコニック組織のスメチッ
ク相が形成されることになる。従って、レーザビームを
照射して液晶素子中のスメクチック相を局部的にイント
ロピック相まで加熱し、その後急冷するとその個所がフ
ォーカルコニック組織のスメクチック相となり、この状
態が光散乱特性をもっているので、前述のレーザビーム
による光信号走査によって静止画像のパターンを形成す
ることができる。
熱されるまではホメオトロピック組織のスメクチック相
に配列されており、温度上昇に伴ないホメオトロピック
組織のスメクチック相→ネマチック相→イントロピック
相と相変化することができる。次いで、イントロピック
相から急冷状mでスメクチック相へ相変化させると光散
、!lL特性をもつフォーカルコニック組織のスメチッ
ク相が形成されることになる。従って、レーザビームを
照射して液晶素子中のスメクチック相を局部的にイント
ロピック相まで加熱し、その後急冷するとその個所がフ
ォーカルコニック組織のスメクチック相となり、この状
態が光散乱特性をもっているので、前述のレーザビーム
による光信号走査によって静止画像のパターンを形成す
ることができる。
本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭5
8−150030号公報、特開昭57−40429り公
報、特開昭57−51778号公報などに記載されたに
対して0.1重量%以上、好ましくは1ffi量%〜3
重量%の範囲で液晶組成物10日中に含有することがで
きる。
チック相を形成しうる化合物としては、例えば特開昭5
8−150030号公報、特開昭57−40429り公
報、特開昭57−51778号公報などに記載されたに
対して0.1重量%以上、好ましくは1ffi量%〜3
重量%の範囲で液晶組成物10日中に含有することがで
きる。
又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をもつスメク
チック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用いるこ
とも可能である。コレステリック液晶は、液晶組成物1
08中に0,5重量%〜15重ノ11%の範囲、好まし
くは1重量%〜5重量%の範囲で含有することが適して
いる。
チック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用いるこ
とも可能である。コレステリック液晶は、液晶組成物1
08中に0,5重量%〜15重ノ11%の範囲、好まし
くは1重量%〜5重量%の範囲で含有することが適して
いる。
本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイト、コレステ
リルヨータイト、コレステリルモトレード、コレステリ
ルクロロデヵノエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステリル
゛ ミリステート、コレステ−リルヘプチル力ルバメー
ト、コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウリ
ルエーテル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレ
ステリル化合物が挙げられる。
テリルクロライド、コレステリルブロマイト、コレステ
リルヨータイト、コレステリルモトレード、コレステリ
ルクロロデヵノエート、コレステリルブチレート、コレ
ステリルカプレート、コレステリルオレート、コレステ
リルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステリル
゛ ミリステート、コレステ−リルヘプチル力ルバメー
ト、コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウリ
ルエーテル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレ
ステリル化合物が挙げられる。
かかる混合液晶を用いた液晶素子は、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイントロピック相へ相変化を生じ、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニック組織のスメクチック相
を形成することができる。
部的な加熱によりホメオトロピックのスメクチック相か
らイントロピック相へ相変化を生じ、これを急冷すると
前述と同様にフォーカルコニック組織のスメクチック相
を形成することができる。
前述の如き方式で記録された液晶素子は、液晶組成物1
0Bを全面に例えばヒータにより加熱してイントロビッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
101と102 (例えば、透明ガラス板やアクリル板
などのプラスチック板)に設けた電極103と104の
間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷するこ
とによって、イントロピック相→ネマチック州→スメク
チック相へ相変化を生じることができる。この際、ネマ
チック相で液晶が正の誘電異方性を有しているために電
界方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却するホメ
オトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成さ
れて、書き込み画像パターンが消去される。i[極10
3と104は、一般的に酸化インジウム、耐化錫あるい
はI T O(Indium Tin 0w1de)の
透明導電膜によって得られ、又必要に応じてアルミニウ
ム、クロム、銀やニッケルなどの金属溝1に膜によって
得られる。この電極103と104は、ノ、(板101
と102の全面に亘って被膜されていることが望まし
く、必ずしも所定のパターン形状あるいはマトリクス電
極構造とする必要がない。しかし、所望に応じて所定の
パターン形状あるいはマ;・リフスミ極構造に設計する
ことも可能である。
0Bを全面に例えばヒータにより加熱してイントロビッ
ク相へ相変化させた後に、液晶素子を構成している基板
101と102 (例えば、透明ガラス板やアクリル板
などのプラスチック板)に設けた電極103と104の
間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷するこ
とによって、イントロピック相→ネマチック州→スメク
チック相へ相変化を生じることができる。この際、ネマ
チック相で液晶が正の誘電異方性を有しているために電
界方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却するホメ
オトロピック組織のスメクチックA相又はC相が形成さ
れて、書き込み画像パターンが消去される。i[極10
3と104は、一般的に酸化インジウム、耐化錫あるい
はI T O(Indium Tin 0w1de)の
透明導電膜によって得られ、又必要に応じてアルミニウ
ム、クロム、銀やニッケルなどの金属溝1に膜によって
得られる。この電極103と104は、ノ、(板101
と102の全面に亘って被膜されていることが望まし
く、必ずしも所定のパターン形状あるいはマトリクス電
極構造とする必要がない。しかし、所望に応じて所定の
パターン形状あるいはマ;・リフスミ極構造に設計する
ことも可能である。
本発明の液晶素子は、それぞれの電極103と104の
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜106と10
7を設けることができる。この配向制御11!210B
と107は、これらの臨界面で接する液晶組成物10
8の配列方向を所望の状態に制御することができる表面
構造を有している。又、この配向制御11り10Bと1
07は液晶組成物108を通して流れる電流の発生を防
止することができる絶縁膜としても機能する。この種の
配向制御膜10Bと107は、例えば−酸化珪素、二酸
化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネ
シウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化
物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂
、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキサン、ポ
リフッ化円チレンなどの絶縁性物質を蒸着法、浸漬塗布
法、スピンナー塗布法あるいはスプレー塗t1i法によ
り被11り形成することによって得られる。
上に絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜106と10
7を設けることができる。この配向制御11!210B
と107は、これらの臨界面で接する液晶組成物10
8の配列方向を所望の状態に制御することができる表面
構造を有している。又、この配向制御11り10Bと1
07は液晶組成物108を通して流れる電流の発生を防
止することができる絶縁膜としても機能する。この種の
配向制御膜10Bと107は、例えば−酸化珪素、二酸
化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネ
シウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化
物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂
、ユリア樹脂やアクリル樹脂、オルガノシロキサン、ポ
リフッ化円チレンなどの絶縁性物質を蒸着法、浸漬塗布
法、スピンナー塗布法あるいはスプレー塗t1i法によ
り被11り形成することによって得られる。
配向制御lll106とj07は、所定の書き込み方式
に応じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラビ
ングするか、あるいは被膜形成時に斜め蒸着法を用いる
ことによって、液晶組成物108をホモジニアス配向さ
せる表面構造をもつことができ、あるいはその表面を例
えば特開昭50−38150号公報に記・1&、された
パーフルオロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭5
0−50947号公報に記載されたアルキルトリアルコ
キシシラン、特開昭50−83955号公報に記載され
たテトラアルコキシシランなどの化合物により処理する
ことによって。
に応じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラビ
ングするか、あるいは被膜形成時に斜め蒸着法を用いる
ことによって、液晶組成物108をホモジニアス配向さ
せる表面構造をもつことができ、あるいはその表面を例
えば特開昭50−38150号公報に記・1&、された
パーフルオロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭5
0−50947号公報に記載されたアルキルトリアルコ
キシシラン、特開昭50−83955号公報に記載され
たテトラアルコキシシランなどの化合物により処理する
ことによって。
液晶組成物108をホメオトロピック配向させる表面構
造をもつことができる。
造をもつことができる。
配向制御119108と107は、使用した絶縁性物質
の種類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に
100A−1ルの範囲、好ましくは500A〜2000
Aの範囲に定めることが適しており、さらにこの配向制
御II!1!10Bと107が反射防止膜としても作用
する様なIIQ厚に設定しておくことが望ましい。
の種類によって、その最適な膜厚が異なるが、一般的に
100A−1ルの範囲、好ましくは500A〜2000
Aの範囲に定めることが適しており、さらにこの配向制
御II!1!10Bと107が反射防止膜としても作用
する様なIIQ厚に設定しておくことが望ましい。
又、本発明の液晶素子は図示する如く背面方向からレー
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、キ
セノンランプ光、蛍光灯光などの観察光109を素子中
に入射させて、この光線をコールドミラー105からの
反射光として、前述の静止画像を観察することができる
。このコールドミラー105は、一般に可視光に対して
は十分に高い反射率を有し、6001以上の長波長光に
対しては高い透過率特性を有している。具体的には、G
e/MgF2(1/4λ) /GeO2(1/4人)
/MgF2(1/4人)/CeO2(1/4人)からな
る多層膜が知られている。
ザビーム110を照射することによって前述の静止画像
を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ光、キ
セノンランプ光、蛍光灯光などの観察光109を素子中
に入射させて、この光線をコールドミラー105からの
反射光として、前述の静止画像を観察することができる
。このコールドミラー105は、一般に可視光に対して
は十分に高い反射率を有し、6001以上の長波長光に
対しては高い透過率特性を有している。具体的には、G
e/MgF2(1/4λ) /GeO2(1/4人)
/MgF2(1/4人)/CeO2(1/4人)からな
る多層膜が知られている。
しかし、本発明ではコールドミラー105の使用を省略
することもできる。又、本発明の素子はコールドフィル
ター(図示せず)を電極103 と配向制御膜10Bの
間に設けることもできる。このコールドフィルターは、
可視光に対しては十分に高い透過率を有し、又長波長光
に対しては十分に高い反射率特性を有している。
することもできる。又、本発明の素子はコールドフィル
ター(図示せず)を電極103 と配向制御膜10Bの
間に設けることもできる。このコールドフィルターは、
可視光に対しては十分に高い透過率を有し、又長波長光
に対しては十分に高い反射率特性を有している。
次に、本発明の液晶素子を用いて表示パターン化合物N
o、g(iの化合物をスメクチック液晶(4,4’−シ
アノオクチルビフェニル;正の誘電異方性をもつ)に対
して2重量%の割合となる様に溶解した。この際、液晶
組成物をイソトロピック相となるまで加熱してから、前
述の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピッ
ク配向処理されたセル中に注入し、その後徐冷すること
によってホメ第1・ロピック組織をもつスメクチック相
の液晶を形成させた。
o、g(iの化合物をスメクチック液晶(4,4’−シ
アノオクチルビフェニル;正の誘電異方性をもつ)に対
して2重量%の割合となる様に溶解した。この際、液晶
組成物をイソトロピック相となるまで加熱してから、前
述の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピッ
ク配向処理されたセル中に注入し、その後徐冷すること
によってホメ第1・ロピック組織をもつスメクチック相
の液晶を形成させた。
液晶セル201に画像を書き込むために使用するレーザ
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射された
長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射
された短波長のレーザビームを用いることができる。レ
ーザ発振器202より発射したレーザビーム−は、変調
器203、スリット204 、 Y輔偏向器205 、
X軸偏向器20Bを通過して変調と偏向されてから、
書き込みレンズ208により集光され、ダイクロイック
ミラー208を介して液晶素子201の背面から照射さ
れる。前述の変調器203 、 Y輛偏向器205 、
X軸偏向器20Bは、駆動用増幅器210を介して信
号@ 211と接続されており、これによってレーザビ
ームが制御されて、信号源211からのデジタル電気信
号を光信号に変換する。この光信号によって液晶素子2
01に画像パターンが書き込まれる。
ビームを発射するレーザ発振器202は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ、半導体レーザあるいはYAGレーザより発射された
長波長のレーザビームあるいはアルゴンレーザより発射
された短波長のレーザビームを用いることができる。レ
ーザ発振器202より発射したレーザビーム−は、変調
器203、スリット204 、 Y輔偏向器205 、
X軸偏向器20Bを通過して変調と偏向されてから、
書き込みレンズ208により集光され、ダイクロイック
ミラー208を介して液晶素子201の背面から照射さ
れる。前述の変調器203 、 Y輛偏向器205 、
X軸偏向器20Bは、駆動用増幅器210を介して信
号@ 211と接続されており、これによってレーザビ
ームが制御されて、信号源211からのデジタル電気信
号を光信号に変換する。この光信号によって液晶素子2
01に画像パターンが書き込まれる。
しかる後に、液晶素子201の周辺部に取り付けたベル
チェ素子212を電源213により作動させて、急冷状
態となして、液晶素子201を冷却し、フォーカルコニ
ック組織のスメクチック相を形成させ、光信号の照射さ
れた個所が光散乱状態となった画像パターンが形成され
た。この際、ベニルチェ素子212は温度コントロール
器214により温度コントロールされる。
チェ素子212を電源213により作動させて、急冷状
態となして、液晶素子201を冷却し、フォーカルコニ
ック組織のスメクチック相を形成させ、光信号の照射さ
れた個所が光散乱状態となった画像パターンが形成され
た。この際、ベニルチェ素子212は温度コントロール
器214により温度コントロールされる。
この画像パターンは、液晶素子201の前面に゛配置い
たi;ζ−明源215を点灯することによって 観察す
ることができる。
たi;ζ−明源215を点灯することによって 観察す
ることができる。
次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
201に設けた透明ヒータ216(例えば、酸化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温度コントロール器2
17を介したヒータ用電源21Bにより加熱し、液晶相
からイソトロピック相へ相変化を生じさせる。しかる後
、液晶素子201に設けた電極219と220の間に交
流電源221より電圧を印加しながら、液晶素子201
を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック相を
形成させた。
201に設けた透明ヒータ216(例えば、酸化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ITO膜)を温度コントロール器2
17を介したヒータ用電源21Bにより加熱し、液晶相
からイソトロピック相へ相変化を生じさせる。しかる後
、液晶素子201に設けた電極219と220の間に交
流電源221より電圧を印加しながら、液晶素子201
を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック相を
形成させた。
この結果、書き込まれた画像パターンが消去された。
本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして応用す
ることが可能であり、又所定の情報を含む光信号をトラ
ックに沿って走査してピットを形成する記録方式の光デ
イスクシステムにも応用することができる。
ることが可能であり、又所定の情報を含む光信号をトラ
ックに沿って走査してピットを形成する記録方式の光デ
イスクシステムにも応用することができる。
第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。
第2図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の1例を
表わす説明図である。 +01,102;基板 103、+04;電極 105;コールドミラー 1.08,107;配向制御膜 108;液晶組成物 108;観察光 110;レーザビーム トtoq しI10
表わす説明図である。 +01,102;基板 103、+04;電極 105;コールドミラー 1.08,107;配向制御膜 108;液晶組成物 108;観察光 110;レーザビーム トtoq しI10
Claims (1)
- 液晶とピリリウム系化合物を含有する液晶組成物を有す
ることを特徴とする液晶素子〇
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21979783A JPS60110782A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21979783A JPS60110782A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60110782A true JPS60110782A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=16741179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21979783A Pending JPS60110782A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60110782A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62291624A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP21979783A patent/JPS60110782A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62291624A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0551884B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1993-08-03 | Hitachi Ltd |
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