JPS60118795A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、熱調き込み方式に用いうる液晶素子に関し、
詳しくはレーザビーム、具体的にはへリウムーネオンレ
ーザ、ＹＡＧレーザや半導体レーザあるいはアルゴンレ
ーザから生じた光信りに対応した光学像を形成しうる液
晶素子に関するものである。

これまで、２枚のガラス基板の間に負の誘電異方性をも
つネマチック液晶とコレステリック液晶との混合液晶あ
るいは正の誘電異方性をもつスメクチック液晶を配置し
た液晶素子を用意し、この液晶素ｒ−にレーザビームを
照射すると、その個所が局部的にイントロピンク相まて
加熱され、その後の急激な冷却により初期の一様な配向
状態と異なったランダムな配向状態の液晶相が形成され
る。その結果、レーザビームが照射された個所では光蔽
乱を生じ、　様な配向状態にある＋〒ｔｈ（域の液晶相
とで光学的特性に相違が生しることになる。

この種の液晶素子は、前述の如き力１）、でレーザｉ■
き込みにより形成された光学像を消去することも可能で
ある。すなわち、液晶素ｒ−を構成している２枚の基板
にそれぞれ電極を設け、レーザビームとは別の熱源（例
えばヒーター）で液晶素ｒの全体に亘って加熱すること
により、液晶相をイソトロピック相まで加熱し、次いで
前述の電極間に電圧を印加した状態で、例えばスメクチ
ック液晶の場合ではホメ第１・ロピック組織、あるいは
コレステリック−ネマチック液晶の場合ではグランシュ
アン組織が形成されるまで冷却することによって、先の
書き込みにより形成していた光学像を消去することがで
きる。

この液晶素子は、画素を形成するブトリフスミ極構造を
必要とせず、単に電気価りから変換された光信号の走査
によって画像パターンを形成することができ、しかもそ
れを大画面で？Ｕられる点に利点を有している。

−・力、コンピュータ端末からの電気信弓を光信時に変
換する手段として、これまでレーザヒ−１・をデジタル
画像情報に応じた駆動信号によって変調させ、この変調
されたレーザ・ビームを結像レンズ、ガルバメミラー等
の光偏向器からなる光ｉ′を系を介して、走査する方式
が採用されている。４．＋ｆに、近年ではかかる光信り
発生器のビーム源として゛１′、導体レーザが用いられ
る様になって来た。

前述の゛ト導体レーザは、一般に長波長域（例えば７５
０　ｍｍ以１−）にその発振波長をもっているにもかか
わらず、前述の液晶素ｆでは長波長ビームに対する熱変
換効率が低く、このため半導体レーザを用いて液晶素ｒ
−に占き込みを行なう際には、高パワーのレーザビーム
を照射することか必要となっていた。しかし、゛１′導
体レーザは一般にアルコンレーザ、ヘリウム−ネオンレ
ーザなどのガスレーザに較べそのパワーが小さく、その
ため前述の如き液晶素子に半導体レーザを用いた光信り
発生器よりの光イ菖−）を走査させても１・分な占き込
みが行なえないか、又はその光信ｔ′Ｆの走査スピード
をト分に遅くすることによってしか書き込みが行なえな
いという欠点があった。

このために、従来では例えば’５ｏｃｉｅｔｙ　ｏｆＩ
ｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ。

Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ
″Ｐ、Ｐ３４−４９．１７２−１８７　。

２３８−２５３（Ｉｎ２）に開示されている様にスメク
チック液晶に黒色の色素を混入したゲスト−ホストタイ
プのレーザ熱書き込み方式の液晶素ｆ−が提案されてい
る。

しかし、この種の液晶素ｆ−でも゛１′導体レーザから
のレーザビームを吸収し熱エネルギーに変換する効率が
十分なものではなく、高パワー又は低スピードの光信号
走査を必要としている。この点で莢国公聞２０９１７５
３号公報に開示された方式の液晶素子における欠点と共
通している。しかも前述の黒色の色素を用いた液晶素子
では黒色背景の中に白色の画像パターンが形成されてい
るため５人間Ｊ二学上良好な表示とはならない欠点があ
る。

従って、本発明の目的は前述の欠点を解消し１４、ｋに
レーザ光振器を用いた光信号発生器からの光信号走査に
応じて光学像のパターンを形成中ることができる液晶素
子を提供することにある。

本発明の液晶素子は、液晶中に下記一般式（りおよび（
２）で示される化合物の少なくとも１ａｌを溶解させ九
液晶組成物を用いる点に特徴を有している。

一般式 式中、Ｒ１およびＲ２は、アルキル基（例えば。

メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、　ａｅ（＋−ブチル基、１８０−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−７ミルａ
ｔ　ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基
など）％置換アルキル基（例１；ｊ２−ヒト箪キクエチ
ル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチ
ル基、２−アセトキシエチル基、カルボキンメチル基、
２−カルボキクエチル基、３−カルボキクエチル基、２
−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホ
ブチル基、３−スル７エートフチル基、４−スル７エー
トフチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメ
チル基、３−（アセチルスルファミル）プロピル基、４
−（アセチルスルファミル）ブチル基など）、環式アル
キル基（例えば、シクロヘキシル基など）、アリル基（
ＯＨ２−ＯＨ−ＯＢ、　−）　、アラルキル基（例えば
、ベンジル基、７エネチル基、α−す７チルメチル基、
β−す７チルメチル基など）、置換アラルキル基（例え
ば、カルホキ／ベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロ
キシベンジル基など）、アリール基（例えば、フェニル
基など）または置換アリール基（例えば、カルボキシフ
ェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基な
ど）を示す。特に、本発明においては、これらの有機残
基のうち、疎水性のものが好ましい。

２、およびｚ２は、置換または未置換の複素環、例えば
、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−メチル
チアゾール、４−フェニルチア：／−ル、５−１＋ルチ
アゾール、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメチル
チアゾール％４．５−ジフェニルチアゾール、４−（２
−’ＩＦ−エニル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾ
ール系列の核（例、ｔｌｄ’　ベンゾチアゾール、５−
クロロベンゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール
、６−メチルベンゾチアゾ−＃、５．６−シメチルペン
ゾチアゾール、５−ブロモベンゾチアゾール、５−７エ
ールペンゾチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール
、６−メチルベンゾチアゾー＃、５．６−シメトキシベ
ンゾチアゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾチア
ゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドμ
キクベンゾチアゾール、　４，５，６．７−テト２ヒド
ロベンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核
（例えばす７）（２，１−ｄ）チアゾール、ナ７　）　
（１，２−α〕チアゾール、５−メトキシナフト（１，
２−ａ）チアゾール、５−エトキンナ、ｙト（１，２−
ａ）チアゾール、８−メトキシナ７）（２，１，−ｄ）
チアゾール、７−メドキシナ７）（２，１−ａ）チアゾ
ールなど）、チオナフテン（７，６−ａ　）チアゾール
系列の核（例えば７−メドキシチオナ７テン（７，６−
ｃｌ　）チアゾール）、オキサゾール系列の核（例えば
４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、４
−フェニルオキサソーＡ１．　４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、　（５−メチ
Ａｔヘンジオキサゾール、５，６−シメチルベンゾオキ
サゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メト
キシベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール、６−ヒドロキシペンジオキサゾールなど）、ナ
フトオキサゾール系列の核（例えばす、ｙト〔２，１−
ａ）オキサゾール、ナツト（１，２−ａ）オキサゾール
など）、セレナソール系列の核（例えば４−メチルセレ
ナソール、４−フェニルセレナゾールなト）。

ベンゾセレナゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾー
ル、５−クロロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾ
セレナゾール、５．６〜ジメチルベンゾセレナゾール、
５−メトキシベンゾセレナゾール、５−メチル−６−メ
トキシベンゾセレナゾール、５．６−シオキシメチレン
ベンゾセレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾー
ル、　４，５，６．７〜テトラヒドロベンゾセレナゾー
ルなど）、ナフトセレナゾール系列の？；（例えばナン
ド（２，１−ａ）セレナゾール、ナツト（１，２−ａ）
セレナゾール）、チアゾリン系列の核（例えばチアゾヂ
ン、４−メチルチアゾリン、４−ヒドロキシメチル−４
−メチルチアゾリン、４．４−ビス−ヒドロキシメチル
チアゾリンなど）、オキサゾリン系列の核（例えばオキ
サゾリン）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾリ
ン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メ
チルキノリン、６−クロロキノリン、６−メドキシキノ
リン、６−エトキシキノリン、６−ヒドロキシキノリン
）、４−キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メド
キ／キノリン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリ
ン）、１−インキノリン系列の核（例えはイソキノリン
、３，４−ジヒドロイソキノリン）、３−インキノリン
系列の核（例えばイソキノリン）、Ｓ、Ｓ−ジアルキル
インドレニン系列の核（例えば３，３−ジメチルインド
レニン、３．３−ジメチル−５−クロロイソドレニン、
３ｊ、５−トリメチルイソドレニン、　３，３．７−ト
リメチルイソドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピ
リジン、５−メチルビリジン）、ベンゾイミダゾール系
列の核（例えば１−エチル−５，６−ジクｏ自ベンゾイ
ミダゾール、１−ヒドロキシエチル−５，６−ジクロロ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロベンツイ
ミダゾール、１−エチル−５，ｂ−シアノベンゾイミダ
ゾール、１−ｘｆルー５−フェニルペンゾイミタゾール
、１−エチル−５−フルオロベン、／４　ミタソｋ。

１−エチル−５−シアノベンゾイミダゾール、１−（β
−アセトキシエチル）−５−シアノベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−クロロ−６−ジアツペンゾイミダゾ
〜ル、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５〜アセチルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５〜カルボキシベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−スル７アミルベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５−メチルスルホニルベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５〜ト
リフルオ胃メチルスルフイニルベンゾイミダゾールなト
）を完成するに必要な非金属原子群を表わす。

次に５本発明の液晶素子で用いる前記一般式（り又は（
２）で表わされる化合物の具体例を下記に示す。

化合物置　化合物例 化合物置　化合物例 これらの化合物は、例えば米国特許第 ３６１７２７０号公報などに記載された方法で得ること
ができる。

次に、本発明の液晶素子を図面に従って説明する。

第１図は、本発明の液晶素子の断面図を表わしれる。本
発明の素子で用いる液晶は、スメクチック液晶が適して
おり、特に正の誘電異方性をもつスメクチック液晶のＡ
相又はＣ相が適している。

かかるスメクチック液晶は、レーザビームで局部的に加
熱されるまではホメオトロピック組織のスメクチック相
に配列されており、温度上昇に伴ないホメオトロピック
組織のスメクチック相→ネマチック相→イントロピック
相と相変化することができる。次いで、イントロピンク
和から急冷状Ｉｌｉでスメクチック相へ相変化させると
光散乱時Ｐ１をもつフォーカルコニック組織のスメチッ
ク相が形成されることになる。従って、レーザビームを
照射して液晶素子中のスメクチック相を局部的にイント
ロピック相まで加熱し、その後急冷するとその個所がフ
ォーカルコニック組織のスメクチンク相となり、この状
態が光散乱特性をもっているので、前述のレーザビーム
による光信号走査によって静止画像のパターンを形成す
ることができる。

本発明の液晶素子で用いる正の誘電異方性をもつスメク
チック相を形成しうる化合物としては、例えば４３′１
開閉５６−１５００３０号公報、特開昭５７〜４０４２
１１号公報、特開昭５７−５１７７９号公報などに記載
されたに対して０．１重呈％以に、好ましくは１重量％
〜３　屯１１％の範囲で液晶組成物１０８中に含有する
ことができる。

又、本発明の液晶素子は、正の誘電異方性をもつスメク
チック液晶とコレステリック液晶の混合液晶を用いるこ
とも可能である。コレステリック液晶は、液晶組成物１
０Ｂ中に０．５重量％〜１５重１．１％の範囲、ｋｆま
しくは１型間％〜Ｈ１％の範囲で含有することが適して
いる。

本発明で用いうるコレステリック液晶としては、コレス
テリルクロライド、コレステリルブロマイド、コレステ
リルヨーダイト、コレステリル−−）レート、コレステ
リルクロロデヵノエート、コレステリルブチレート、コ
レステリルカプレート、コレステリルオレート、コレス
テリルオレ−ト、コレステリルラウレート、コレステリ
ルミリステート、コレステリルヘプチルカル／曳メート
、コレステリルデシルエーテル、コレステリルラウリル
エーテル、コレステリルオレイルエーテルなどのコレス
テリル化合物が挙げられる。

かかる混合液晶を用いた液晶素ｒは、レーザビームの局
部的な加熱によりホメオトロピックの一スメクチック相
からイソトロピック相へ相変化を生じ、これを急冷する
と前述と同様にフォーカルコニック組織のスメクチック
相を形成することができる。

前述の如き方式で記録された液晶素ｆは、液晶組成物１
０８を全面に例えばヒータにより加熱し一〇イントロピ
ック相へ相変化させた後に、液晶素ｆ−を構成している
基板１０１と１０２（例えば、透明ガラス板やアクリル
板などのプラスチック板）に設けた電極１０３　と１０
４の間に適当な直流又は交流を印加するとともに徐冷す
ることによって、イントロピック相→ネマチック相→ス
メクチック相へ相変化を生じることができる。この際、
ネマチック相で液晶が正の誘電異方性を有しているため
に電界方向にネマチック液晶が配列し、さらに冷却する
ホメオトＯピック組織のスメクチックＡ相又はＣ相が形
成されて、書き込み画像パターンが消去される。電極１
０３と１０４は、一般的に酸化インジウム、酸化錫ある
いはｆ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）
の透明導電膜によって得られ、又必要に応じてアルミニ
ウム、クロム、銀やニッケルなどの金属導電〃Ｑによっ
て得られる。この電極１０３と１０４は、ノ、（板１０
１　と１０２の全面に亘って被膜されていることが望ま
しく、必ずしも所定のパターン形状あるいはマトリクス
電極構造とする必要がない、しかし、所望に応じて所定
のパターン形状あるいはマトリクス’ｊｌＬ極構造に設
計することも０工能である。

本発明の液晶素子は、それぞれの電極１０３と１０４の
ヒに絶縁性物質の被膜からなる配向制御膜ｌＯ６と１０
７を設けることができる。この配向制御１１１１０８と
１０７は、これらの臨界面で接する液晶組成物１０８の
配列方向を所望の状ｆｌｉに制御することができる表面
構造を有している。又、この配向制御膜１０６と１０７
は液晶組成物１０８を通して流れる電流の発生を防止す
ることができる絶縁膜としても機能する。この種の配向
制御膜１０６と１０７は。

例えば−酸化珪素、二醜化珪素、酸化アルミニウム、ジ
ルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化
セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒
化物、ポリビニルアル」−ル、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリニス戸ルイミド、ポリパラキシレリン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール
、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロ
ース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂、
オルガノシロキナン、ポリフッ化エチレンなどの絶縁性
物質を蒸着法、浸漬塗布法、スピンナー塗布法あるいは
スプレー塗布法により被膜形成することによって得られ
る。

配向制御ｌり１０６と１０７は、所定の書き込み方式に
応じて、その表面を布、紙やビロードなどによりラヒン
グするか、あるいは被膜形成時に斜め／Ａ前着法用いる
ことによって、液晶組成物＋０８をホモジニアス配向さ
せる表面構造をもつことができ、あるいはその表面を例
えば特開昭５０−３８１５０号公報に記載されたパーフ
ルオロアルキル基をもつシラン化合物、特開昭５０−５
０９４７号公報に記載されたアルキルトリアルコキシシ
ラン、特開昭５０−８３９５５号公報に記載されたテト
ラアルコキシシランなどの化合物により処理することに
よって、液晶組成物１０８をホメ第１・ロピック配向さ
せる表面構造をもつことができる。

配向制御１１Ａ１０Ｂと１０７は、使用した絶縁性物質
の種類によって、その最適な膜厚が異なるが、　一般的
に１００Ａ〜１ルの範囲、好ましくは５００Ａ〜２００
ＯＡの範囲に定めることが適しており、さらにこの配向
制御１模１０６　と１０７が反射防１に股としても作用
する様な膜厚に設定しておくことが望ましｕ〜。

又、本発明の液晶素ｒは図示する如く背面方向カラシー
１？’ヒ−１，１１Ｑを照射することによっテ前述の静
止画像を形成し、正面方向から自然光、ハロゲンランプ
光、キセノンランプ光、蛍光灯光などの観察光１０９を
素子中に入射させて、この光線をコールドミラー１０５
からの反射光とし゛Ｃ１前述の静止画像を観察すること
ができる。このコールドミラー１０５は、一般に＋ｉＪ
視尤に対しては１′分に高い反射率を有し、６ｏθＩＩ
＋１以にの長波長光に対しては高い透過率特性を有して
いる。ＪＬ体的には。

Ｇｅ／ＮｇＦ２　（＋／４λ）　／ＣｅＯ２（１／４入
）　／）ＩｇＦ、（１／４λ）／ＣｅＯ２（１／４人）
からなる多層１模が知られている。

しかし、本発明ではコールドミラー１０５の使用を省略
することもできる。又、本発明の素ｒ−はコールドフィ
ルター（図示せず）を電極１０３　と配向制御膜１０Ｂ
の間に設けることもできる。このコールドフィルターは
、可視光に対しては１−分に高い透過率を有し、又長波
長光に対しては１・分に高い反射率特性を有している。

次に、本発明の液晶素ｆ−を用いて表示パターン化合物
Ｎｏ、　２の化合物をスメクチック相晶（４，４゜−シ
ア／オクチルビフェニル：正の誘電異方性をもつ）に対
して２重量％の割合となる様に溶解した。この際、液晶
組成物をイントロピック相となるまで加熱してから、前
述の化合物を添加し、この液を内壁面がホメオトロピッ
ク配向処理されたセル中に注入し、その後徐冷すること
によってホメオトロピック組織をもつスメクチック相の
液晶を形成さゼた。　一 液晶セル２０１に画像を書き込むために使用するレーデ
ビームを発射するレーザ発振器２０２は、液晶中に含有
させた前述の化合物の吸収効率に対応した波長のものか
ら選択することができるが、特にヘリウム−ネオンレー
ザ、半導体レーザあるいはＹＡＧレーザより発射された
長波長のレーザビームあるいは？ルゴンレーザより発射
された１υ波長のレーザビームを用いることができる。

レーザ発振器２０２より発射したレーザビームは、変調
器２０３　、　スリ、、ト２０４、Ｙ軸偏向′ＩＪｔ２
０５　、　Ｘ輔偏向器２０θを通過して変調と偏向され
てから１．りき込みレンズ２０８により集光され、ダイ
クロイックミラー２０８を介して液晶素子２０１の背面
から照射される。前述の変調器２０３　、　Ｙ輔偏向器
２０５　、　Ｘ軸偏向器２０６は、駆動用増幅器２１０
を介して信号源２１１と接続されており、これによって
レーザビームが制御されて、信号源２１１からのデジタ
ル電気信号を光信号に変換する。この光信号によって液
晶素子２０１に画像パターンが古き込まれる。

しかる後に、液晶素子２０１の周辺部に取り伺けたベル
チェ素子２１２をＴＬ源２１３により作動させて、急冷
状態となして、液晶素子２０１を冷却し。

フォーカルコニック組織のスメクチック相を形成させ、
光信号の照射された個所が光散乱状ＦＮとなった画像パ
ターンが形成された。この際、ベニルチェ素子２１２は
温度コントロール器２１４により温度コントロールされ
る。

この画像パターンは、液晶素子２０１の前面に配置いた
照明源２１５を点灯することによって、観察することが
できる。

次いで、前述の画像パターンを消去するには、液晶素子
２０１に設けた透明ヒータ２１６（例えば、醇化インジ
ウム膜、酸化錫膜、ＩＴＯ膜）を温度コントロール器２
＋７を介したヒータ川電源２１８により加熱し、液晶相
からイントロピンク相へ相変化を生じさせる。しかる後
、液晶素Ｊ’−２０１に設けた電極２１９と２２０の間
に交流電源２２１より電圧を印加しながら、液晶素子２
０＋を徐冷して、ホメオトロピック組織のスメクチック
相を形成させた。

この結果、書き込まれた画像パターンが消去された。

本発明の液晶素子は、大画面ディスプレイとして応用す
ることが可能であり、又所定の情報を含む光信号をトラ
ックに沿って走査してピットを形成する記録方式の光デ
イスクシステムにも応用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第２図は、本発明の液晶素子を用いた表示方式の１例を
表わす説明図である。 ＋０１，１０２；基板 １０３．１０４．１ｒ！、極 １０５；コールドミラー １０Ｊ１０７；配向制御膜 １０８；液晶組成物 １０８；観察光 １１０；レーザビーム 特許出願人　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 液晶と下記一般式（１）および（２）で示される化合物
   の少なくとも１種を含有する液晶組成物を有する液晶素
   子。 一般式 （式中、２．およびｚ２け置換又は未置換の含窒素複素
   環を完成するに必要な原子群を表わす。Ｒ７およびＲ２
   は、水素原子、置換もしくけ未置換のアルキル基、環式
   アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のアラルキ
   ル基又は置換もしくは未置換のアリール基である。ｍお
   よびｎＶｉ、０又は１である。Ｒ３およびＲ４は、水素
   原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは
   未置換のアリール基又は置換もしくは未置換のアラルキ
   ル基である。Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，およびＲ８け水素原子、
   ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は置換もしくは未置換の
   アラルキル基である。父、Ｒ５とＲ４で結合してベンゼ
   ン環を完成してもよく、又Ｒ５とＲ６並びにＲ７とＲ６
   でそれぞれ結合してベンゼン環を完成してもよい。）