JPS6230614B2 - - Google Patents
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- JPS6230614B2 JPS6230614B2 JP56186334A JP18633481A JPS6230614B2 JP S6230614 B2 JPS6230614 B2 JP S6230614B2 JP 56186334 A JP56186334 A JP 56186334A JP 18633481 A JP18633481 A JP 18633481A JP S6230614 B2 JPS6230614 B2 JP S6230614B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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-
- G—PHYSICS
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- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液晶表示装置に関するものであ
り、更に詳細には、特にレーザー熱書き込み液晶
ライトバルブに基づく液晶表示装置に関するもの
である。
り、更に詳細には、特にレーザー熱書き込み液晶
ライトバルブに基づく液晶表示装置に関するもの
である。
従来のレーザー熱書き込み液晶ライトバルブ
は、レーザー光によつて光散乱中心を作ることを
特徴としている。その原理をスメクテイツク液晶
を用いて簡単に説明すると次の通りである。スメ
クテイツク液晶は、温度の上昇に伴つて、クリス
タル相、スメクテイツクＣ相、スメクテイツクＡ
相、ネマテイツク相、アイソトロピツク相の順に
相転移をする。そして動作時には、スメクテイツ
クＣ相からスメクテイツクＡ相への相転移する温
度T1と、スメクテイツクＡ相からネマテイツク
相への相転移する温度T2との間の温度、すなわ
ちスメクテイツクＡ相が保持される温度にしてお
く。スメクテイツクＡ相では、その液晶分子が層
状構造になつていて、かつ、各層に垂直に並んで
いる。ガラス基板表面を予じめ表面処理しておく
と、その液晶分子は、そのガラス基板の表面に対
して垂直に層状をなして配列される。このような
配列にしておいた液晶層に、レーザー光を集光し
て照射すると、そのレーザー光が照射された部分
には熱が発生し、この熱が液晶に伝達されて、ス
メクテイツクＡ−ネマテイツク相転移温度T2を
超え、更にネマテイツク−アイソトロピツク相転
移温度T3を超えてアイソトロピツク相が生成す
る。そこで、レーザー光の照射を停止すると、加
熱されたアイソトロピツク相が冷えて再びスメク
テイツクＡ相に戻る挙動を示すが、急冷すること
によつて当初の整然と配列された状態には戻ら
ず、その配向方向が乱れた状態のまま保持される
ことになり、その部分がメモリーとして書き込ま
れることになる。なお、このようにして書き込ま
れた液晶セルに電圧を印加して、液晶分子の長軸
方向の誘電率が短軸方向のそれよりも大きくなる
と、そのように乱れた状態で配列していた液晶分
子は再び整熱とした層状の配列に戻り、書き込ま
れた情報が消去されることになる。すなわち、こ
のような動作原理によつて、レーザー光を走査
し、それに同期させてレーザー光強度を変調させ
れば画像の書き込み、次いで消去できる。
は、レーザー光によつて光散乱中心を作ることを
特徴としている。その原理をスメクテイツク液晶
を用いて簡単に説明すると次の通りである。スメ
クテイツク液晶は、温度の上昇に伴つて、クリス
タル相、スメクテイツクＣ相、スメクテイツクＡ
相、ネマテイツク相、アイソトロピツク相の順に
相転移をする。そして動作時には、スメクテイツ
クＣ相からスメクテイツクＡ相への相転移する温
度T1と、スメクテイツクＡ相からネマテイツク
相への相転移する温度T2との間の温度、すなわ
ちスメクテイツクＡ相が保持される温度にしてお
く。スメクテイツクＡ相では、その液晶分子が層
状構造になつていて、かつ、各層に垂直に並んで
いる。ガラス基板表面を予じめ表面処理しておく
と、その液晶分子は、そのガラス基板の表面に対
して垂直に層状をなして配列される。このような
配列にしておいた液晶層に、レーザー光を集光し
て照射すると、そのレーザー光が照射された部分
には熱が発生し、この熱が液晶に伝達されて、ス
メクテイツクＡ−ネマテイツク相転移温度T2を
超え、更にネマテイツク−アイソトロピツク相転
移温度T3を超えてアイソトロピツク相が生成す
る。そこで、レーザー光の照射を停止すると、加
熱されたアイソトロピツク相が冷えて再びスメク
テイツクＡ相に戻る挙動を示すが、急冷すること
によつて当初の整然と配列された状態には戻ら
ず、その配向方向が乱れた状態のまま保持される
ことになり、その部分がメモリーとして書き込ま
れることになる。なお、このようにして書き込ま
れた液晶セルに電圧を印加して、液晶分子の長軸
方向の誘電率が短軸方向のそれよりも大きくなる
と、そのように乱れた状態で配列していた液晶分
子は再び整熱とした層状の配列に戻り、書き込ま
れた情報が消去されることになる。すなわち、こ
のような動作原理によつて、レーザー光を走査
し、それに同期させてレーザー光強度を変調させ
れば画像の書き込み、次いで消去できる。
ところで、この場合、スメクテイツク−ネマテ
イツク転移またはネマテイツク−アイソトロピツ
ク転移は一次の相転移であるために、相転移を起
させるためには潜熱が必要となるので、書き込み
の際に照射されるレーザー光の熱エネルギーがそ
の分だけ温度上昇に寄与しなくなる。これは書き
込み速度を上げるうえで大きな障害になる。ま
た、書き込まれた表示をメモリーとして保持でき
るには、十分な散乱状態を起させることが必要と
なり、そのためには急冷が不可欠となる。したが
つて、レーザー光によつて加熱するときの温度上
昇をできるだけ大きくしてやる必要があるので、
レーザー光照射による熱エネルギーに損失がある
ことは非常に不利である。
イツク転移またはネマテイツク−アイソトロピツ
ク転移は一次の相転移であるために、相転移を起
させるためには潜熱が必要となるので、書き込み
の際に照射されるレーザー光の熱エネルギーがそ
の分だけ温度上昇に寄与しなくなる。これは書き
込み速度を上げるうえで大きな障害になる。ま
た、書き込まれた表示をメモリーとして保持でき
るには、十分な散乱状態を起させることが必要と
なり、そのためには急冷が不可欠となる。したが
つて、レーザー光によつて加熱するときの温度上
昇をできるだけ大きくしてやる必要があるので、
レーザー光照射による熱エネルギーに損失がある
ことは非常に不利である。
また、書き込み状態として散乱状態を使用する
ことは、コントラストを上げるために困難な問題
が生じてくる。すなわち、前述した問題を解決す
るために、照射したレーザー光の光エネルギーを
できるだけ多くの熱エネルギーに変換する目的
で、アルミニウムなどの光吸収層を設けると光吸
収率は上がり書き込み効率は上昇するけれども、
表示方式は反射型となつてしまうので、透過型の
ように高いコントラストが得られないという欠点
がある。
ことは、コントラストを上げるために困難な問題
が生じてくる。すなわち、前述した問題を解決す
るために、照射したレーザー光の光エネルギーを
できるだけ多くの熱エネルギーに変換する目的
で、アルミニウムなどの光吸収層を設けると光吸
収率は上がり書き込み効率は上昇するけれども、
表示方式は反射型となつてしまうので、透過型の
ように高いコントラストが得られないという欠点
がある。
それで、透過型にするには、酸化インジウム−
酸化スズなどの透明導電膜を光吸収層とするか、
または液晶中に光吸収のできる色素を混入させる
方法などが考えられるが、これらはいずれもレー
ザー光の吸収率に限界があり、液晶の十分な温度
上昇をもたらすためにはまだ幾多の困難な問題を
解決しなければならない。
酸化スズなどの透明導電膜を光吸収層とするか、
または液晶中に光吸収のできる色素を混入させる
方法などが考えられるが、これらはいずれもレー
ザー光の吸収率に限界があり、液晶の十分な温度
上昇をもたらすためにはまだ幾多の困難な問題を
解決しなければならない。
この発明は、従来の液晶表示装置における諸欠
点を大巾に改善することができる液晶表示装置で
あつて、それに使用される液晶表示素子は極めて
高い光吸収効率ならびにコントラストを与えるこ
とができるものを提供するものである。
点を大巾に改善することができる液晶表示装置で
あつて、それに使用される液晶表示素子は極めて
高い光吸収効率ならびにコントラストを与えるこ
とができるものを提供するものである。
この発明において使用される液晶分子は、スメ
クテイツクＣ相と呼ばれる状態にあるスメクテイ
ツク液晶である。このスメクテイツクＣ相は、ス
メクテイツク相に共通の層状構造を有しており、
スメクテイツクＡ相が、その分子長軸がその層方
向に対して垂直になつているのに対し、第１図に
示すように、その分子長軸がその層に対する法線
からある角度（θ）傾いていることを特徴として
いる。そして、この角度は温度依存性がある。す
なわち、第２図に示すように、スメクテイツクＣ
相は、その温度が上昇するにつれて、その角度
（θ）が零に近づき、ある温度ＴCで零になる。つ
まり、この状態はスメクテイツクＡ相であるの
で、その温度ＴCはスメクテイツクＣ−スメクテ
イツクＡ相転移温度ということになる。
クテイツクＣ相と呼ばれる状態にあるスメクテイ
ツク液晶である。このスメクテイツクＣ相は、ス
メクテイツク相に共通の層状構造を有しており、
スメクテイツクＡ相が、その分子長軸がその層方
向に対して垂直になつているのに対し、第１図に
示すように、その分子長軸がその層に対する法線
からある角度（θ）傾いていることを特徴として
いる。そして、この角度は温度依存性がある。す
なわち、第２図に示すように、スメクテイツクＣ
相は、その温度が上昇するにつれて、その角度
（θ）が零に近づき、ある温度ＴCで零になる。つ
まり、この状態はスメクテイツクＡ相であるの
で、その温度ＴCはスメクテイツクＣ−スメクテ
イツクＡ相転移温度ということになる。
かかるスメクテイツクＣ相は、光学活性中心を
導入することによつてカイラルスメクテイツクＣ
相（SmC*）になることが知られていて、この
状態では強誘電性を示す。このカイラルスメテイ
ツクＣ相の構造は、第３図で示すように、各層の
液晶分子は、スメクテイツクＣ相の各層と同様
に、その分子長軸がその層に対する法線からある
角度（θ）傾いていて、かつ、隣接する層の液晶
分子同志がその法線を軸として回転しているよう
ならせん構造になつていることを特徴としてい
る。したがつて、分子の双極子モーメントは、第
３図に示すように、分子短軸方向で分子長軸と法
線とが作る面に対して垂直方向である。かかるカ
イラルスメクテイツクＣ相ともつ液晶としては、
例えばｐ−デシルオキシ−ベンジリデン−p′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシルオキシ−ベンジリ
デン−p′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメ
ート（HOBACPC）などが挙げられる。
導入することによつてカイラルスメクテイツクＣ
相（SmC*）になることが知られていて、この
状態では強誘電性を示す。このカイラルスメテイ
ツクＣ相の構造は、第３図で示すように、各層の
液晶分子は、スメクテイツクＣ相の各層と同様
に、その分子長軸がその層に対する法線からある
角度（θ）傾いていて、かつ、隣接する層の液晶
分子同志がその法線を軸として回転しているよう
ならせん構造になつていることを特徴としてい
る。したがつて、分子の双極子モーメントは、第
３図に示すように、分子短軸方向で分子長軸と法
線とが作る面に対して垂直方向である。かかるカ
イラルスメクテイツクＣ相ともつ液晶としては、
例えばｐ−デシルオキシ−ベンジリデン−p′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシルオキシ−ベンジリ
デン−p′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメ
ート（HOBACPC）などが挙げられる。
前述したような液晶を使用してこの発明に係る
液晶表示装置に適用できる液晶表示素子は、第４
図に示すように、例えば、ガラス基板１ａ，１ｂ
の表面に透明電極２ａ，２ｂをそれぞれ設け、そ
の透明電極上に更に例えばポリビニルアルコール
をスピンコートして得られた水平配向層３ａ，３
ｂをそれぞれ設けて水平配向処理し、ラビングす
ることなしに、これらの水平配向層が数ミクロン
程度の間隔を置いて互いに対向するように配置さ
れ、そのガラス基板の両端にスペーサー４ａ，４
ｂを配置して空間を作り、その空間に液晶、例え
ばDOBAMBCを封入することによつて作成する
ことができる。
液晶表示装置に適用できる液晶表示素子は、第４
図に示すように、例えば、ガラス基板１ａ，１ｂ
の表面に透明電極２ａ，２ｂをそれぞれ設け、そ
の透明電極上に更に例えばポリビニルアルコール
をスピンコートして得られた水平配向層３ａ，３
ｂをそれぞれ設けて水平配向処理し、ラビングす
ることなしに、これらの水平配向層が数ミクロン
程度の間隔を置いて互いに対向するように配置さ
れ、そのガラス基板の両端にスペーサー４ａ，４
ｂを配置して空間を作り、その空間に液晶、例え
ばDOBAMBCを封入することによつて作成する
ことができる。
このような構成における液晶表示素子における
条件下では、カイラルスメクテイツクＣ相（スメ
クテイツクＣ*相）の温度範囲内でも、第３図に
示すようならせん構造は取ることができず、第４
図に示すような構造になつている。その理由は、
ガラス壁面での強い配列規制力がセル厚が薄いた
めにより強く影響を及ぼしらせん構造をとれなく
なるためであると考えられる。
条件下では、カイラルスメクテイツクＣ相（スメ
クテイツクＣ*相）の温度範囲内でも、第３図に
示すようならせん構造は取ることができず、第４
図に示すような構造になつている。その理由は、
ガラス壁面での強い配列規制力がセル厚が薄いた
めにより強く影響を及ぼしらせん構造をとれなく
なるためであると考えられる。
なお、第５図に示すように、液晶分子がガラス
壁面に対して取りうる平行な配列は２通りあつ
て、図中においてＡおよびＢとして示すようにこ
の二つの配列ＡおよびＢは、ドメインとなつて表
われ、エネルギー的には等価であつて、分子の双
極子モーメントの方向が逆になつている。したが
つて、これに直流電圧を印加し、その極性を切換
えることによつて、これらの二種類の配列のどち
らか一方を選択でき、双安定（バイステーブル）
スイツチング動作が可能である。
壁面に対して取りうる平行な配列は２通りあつ
て、図中においてＡおよびＢとして示すようにこ
の二つの配列ＡおよびＢは、ドメインとなつて表
われ、エネルギー的には等価であつて、分子の双
極子モーメントの方向が逆になつている。したが
つて、これに直流電圧を印加し、その極性を切換
えることによつて、これらの二種類の配列のどち
らか一方を選択でき、双安定（バイステーブル）
スイツチング動作が可能である。
前述したような構成をもつ液晶表示素子を具備
するこの発明に係る液晶表示装置においては、液
晶表示素子以外の構成は、従来の液晶表示装置と
何ら変わることなく、その構成要素となる部品を
適当に組合せることによつて作成することができ
る。
するこの発明に係る液晶表示装置においては、液
晶表示素子以外の構成は、従来の液晶表示装置と
何ら変わることなく、その構成要素となる部品を
適当に組合せることによつて作成することができ
る。
第６図において示したライトバルブに応用した
この液晶表示装置の一例を用いて書き込みを行な
うには、レーザー光源１１から照射された例えば
GaAsレーザーなどのレーザー光は、ビームエキ
スパンダー１２を介して変調器１３に導びかれ、
次いでＸ−Ｙガルバノミラー１４、集光レンズ１
５およびハーフミラー１６を介して、液晶表示素
子１０の所定位置に集光される。この場合、レー
ザー光の１部は、その液晶表示素子の透明電極に
よつて吸収され、これが熱に変換されて液晶層５
に伝わり、その部分の温度が上昇する。すなわ
ち、第２図で示すように、液晶分子がカイラルス
メクテイツクＣ相を保持する温度T1にヒーター
１７（第６図）によつて当初設定しておき、レー
ザー光照射によりその照射された液晶層部分が加
熱されて、角度（θ）が零になる温度、すなわち
カイラルスメクテイツクＣ−スメクテイツクＡ相
転移温度ＴCよりも高い温度T2にする。この場
合、T1はＴCよりも約２ないし10℃程度低い温度
に設定するのが好ましい。この場合の液晶分子の
状態は、第７図に示すように、レーザー光照射部
分ＣはスメクテイツクＡ相になつている。次いで
レーザー光の照射を停止すると、スメクテイツク
Ａ相に相転移した部分は再びスメクテイツクＣ*
相に戻る。しかし、この場合に、そのセルの厚み
方向に弱い直流電場を印加しておけば、第５図に
示すように、配列Ａまたは配列Ｂのいずれかに選
択的に極性を決めることができる。すなわち、配
列Ａでは液晶分子の双極子モーメントは上向きで
あるのに対し、配列Ｂでは液晶分子の双極子モー
メントは下向きになつているからである。ただ
し、このときの印加電圧は、温度T1のときに配
列配列Ｂのスイツチングをするには小さすぎる
程度の微小電圧である必要がある。このようにし
て書き込まれた状態は第８図のように示される。
この液晶表示装置の一例を用いて書き込みを行な
うには、レーザー光源１１から照射された例えば
GaAsレーザーなどのレーザー光は、ビームエキ
スパンダー１２を介して変調器１３に導びかれ、
次いでＸ−Ｙガルバノミラー１４、集光レンズ１
５およびハーフミラー１６を介して、液晶表示素
子１０の所定位置に集光される。この場合、レー
ザー光の１部は、その液晶表示素子の透明電極に
よつて吸収され、これが熱に変換されて液晶層５
に伝わり、その部分の温度が上昇する。すなわ
ち、第２図で示すように、液晶分子がカイラルス
メクテイツクＣ相を保持する温度T1にヒーター
１７（第６図）によつて当初設定しておき、レー
ザー光照射によりその照射された液晶層部分が加
熱されて、角度（θ）が零になる温度、すなわち
カイラルスメクテイツクＣ−スメクテイツクＡ相
転移温度ＴCよりも高い温度T2にする。この場
合、T1はＴCよりも約２ないし10℃程度低い温度
に設定するのが好ましい。この場合の液晶分子の
状態は、第７図に示すように、レーザー光照射部
分ＣはスメクテイツクＡ相になつている。次いで
レーザー光の照射を停止すると、スメクテイツク
Ａ相に相転移した部分は再びスメクテイツクＣ*
相に戻る。しかし、この場合に、そのセルの厚み
方向に弱い直流電場を印加しておけば、第５図に
示すように、配列Ａまたは配列Ｂのいずれかに選
択的に極性を決めることができる。すなわち、配
列Ａでは液晶分子の双極子モーメントは上向きで
あるのに対し、配列Ｂでは液晶分子の双極子モー
メントは下向きになつているからである。ただ
し、このときの印加電圧は、温度T1のときに配
列配列Ｂのスイツチングをするには小さすぎる
程度の微小電圧である必要がある。このようにし
て書き込まれた状態は第８図のように示される。
更に、第６図において示すように、前述したよ
うに書き込まれた液晶表示装置１０を、偏光子７
ａと検光子７ｂではさむことによつて、書き込ま
れた部分と書き込まれていない部分のコントラス
トをつけることができる。この場合には、消去状
のときの分子長軸方向に偏光子を置き、またこ
れに直角になるように検光子を置くことによつ
て、光源１８からの光は、コンデンサー１９及び
偏光子７ａを通つて液晶表示素子１０に入射した
直線偏光のままその液晶表示素子を通過し検光子
７ｂで光は遮断されて暗くなる。一方、書き込ま
れた部分は、そこの液晶の分子長軸方向と偏光子
の偏光方向が一致していないので、その素子の液
晶セル中で複屈折の影響を受けてその液晶セルを
出て行くときには楕円偏光となるので、一部の光
は検光子をもれて出てきて、次いでレンズ２１を
通してデイスプレイスクリーン２２に投影されて
読み取れるようになつている。
うに書き込まれた液晶表示装置１０を、偏光子７
ａと検光子７ｂではさむことによつて、書き込ま
れた部分と書き込まれていない部分のコントラス
トをつけることができる。この場合には、消去状
のときの分子長軸方向に偏光子を置き、またこ
れに直角になるように検光子を置くことによつ
て、光源１８からの光は、コンデンサー１９及び
偏光子７ａを通つて液晶表示素子１０に入射した
直線偏光のままその液晶表示素子を通過し検光子
７ｂで光は遮断されて暗くなる。一方、書き込ま
れた部分は、そこの液晶の分子長軸方向と偏光子
の偏光方向が一致していないので、その素子の液
晶セル中で複屈折の影響を受けてその液晶セルを
出て行くときには楕円偏光となるので、一部の光
は検光子をもれて出てきて、次いでレンズ２１を
通してデイスプレイスクリーン２２に投影されて
読み取れるようになつている。
前述したように、この発明に係る液晶表示装置
は、従来法におけるようなスメクテイツクＡ−ア
イソトロピツク、コレステリツク−アイソトロピ
ツクなどの相転移を利用して急冷によつて形成さ
れるフオーカル・コニツク・テキスチヤーを表示
として用いる方法とは異なつていて、スメクテイ
ツクＣ*−スメクテイツクＡ相転移を用いるため
潜熱がなく、更に急冷も必要としないで、大きな
温度上昇をさせなくても済むから書き込み速度の
大幅な向上が実現できるという大きな利点があ
る。更に、表示方法がTN液晶表示セル類似した
やり方なので、単純な光学系で高いコントラスト
が得られ、また、レーザー光の吸収は、その液晶
層中に、そのレーザーの発振波長付近にλnaxを
もつ色素を混入することによつて実現できる。
は、従来法におけるようなスメクテイツクＡ−ア
イソトロピツク、コレステリツク−アイソトロピ
ツクなどの相転移を利用して急冷によつて形成さ
れるフオーカル・コニツク・テキスチヤーを表示
として用いる方法とは異なつていて、スメクテイ
ツクＣ*−スメクテイツクＡ相転移を用いるため
潜熱がなく、更に急冷も必要としないで、大きな
温度上昇をさせなくても済むから書き込み速度の
大幅な向上が実現できるという大きな利点があ
る。更に、表示方法がTN液晶表示セル類似した
やり方なので、単純な光学系で高いコントラスト
が得られ、また、レーザー光の吸収は、その液晶
層中に、そのレーザーの発振波長付近にλnaxを
もつ色素を混入することによつて実現できる。
第１図はスメクテイツクＣ相の層状構造を示す
断面図、第２図はスメクテイツクＣ相の相転移の
変化と温度との関係を示すグラフ、第３図はカイ
ラルスメクテイツクＣ相（スメクテイツクＣ*
相）の層状構造を示す断面図と双極子モーメント
の向きを示す説明図、第４図はこの発明に係る液
晶表示装置に使用される液晶表示素子の一例を示
す断面図、第５図は第４図の液晶分子の配列を示
す平面図、第６図はこの発明に係る液晶表示装置
の１例を示す配置図、第７図はレーザー光照射部
分の液晶分子配列を示す平面図、および第８図は
書き込まれた表示の液晶分子配列を示す平面図で
ある。なお図面に用いられた符号において、 １ａ，１ｂ……ガラス基板、５……液晶層、１
０……液晶表示素子である。
断面図、第２図はスメクテイツクＣ相の相転移の
変化と温度との関係を示すグラフ、第３図はカイ
ラルスメクテイツクＣ相（スメクテイツクＣ*
相）の層状構造を示す断面図と双極子モーメント
の向きを示す説明図、第４図はこの発明に係る液
晶表示装置に使用される液晶表示素子の一例を示
す断面図、第５図は第４図の液晶分子の配列を示
す平面図、第６図はこの発明に係る液晶表示装置
の１例を示す配置図、第７図はレーザー光照射部
分の液晶分子配列を示す平面図、および第８図は
書き込まれた表示の液晶分子配列を示す平面図で
ある。なお図面に用いられた符号において、 １ａ，１ｂ……ガラス基板、５……液晶層、１
０……液晶表示素子である。
Claims (1)
- １ エネルギー的には等価であるが、その双極子
モーメントが逆であるスメクテイツク液晶分子の
配列を互いにスイツチングするには小さすぎる電
圧を印加しながら、光照射して表示を行なうこと
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186334A JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
| KR1019820005212A KR840002532A (ko) | 1981-11-20 | 1982-11-18 | 액정표시장치 |
| PCT/JP1982/000442 WO1983001841A1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
| US06/530,596 US4639722A (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display apparatus |
| EP82903343A EP0094432B1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
| DE8282903343T DE3279596D1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Liquid crystal display unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186334A JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887535A JPS5887535A (ja) | 1983-05-25 |
| JPS6230614B2 true JPS6230614B2 (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=16186525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186334A Granted JPS5887535A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639722A (ja) |
| EP (1) | EP0094432B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5887535A (ja) |
| KR (1) | KR840002532A (ja) |
| DE (1) | DE3279596D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983001841A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE34966E (en) * | 1980-01-08 | 1995-06-13 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices with LC molecules aligned at angle Ω(α) from normal to substrates |
| US4813767A (en) * | 1980-01-08 | 1989-03-21 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4958916A (en) * | 1980-01-08 | 1990-09-25 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4840463A (en) * | 1987-08-19 | 1989-06-20 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| USRE34950E (en) * | 1980-01-08 | 1995-05-23 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices with means for aligning LC molecules at Ω(α) from normal to the means |
| US5083855A (en) * | 1980-01-08 | 1992-01-28 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| GB2067811B (en) * | 1980-01-16 | 1983-08-10 | Standard Telephones Cables Ltd | Co-ordinate addressing of smetic display cells |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| US4938570A (en) * | 1985-04-18 | 1990-07-03 | Sony Corporation | Method and system for data display and input via display screen |
| JPS61256321A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 液晶投射型表示装置 |
| US4751509A (en) * | 1985-06-04 | 1988-06-14 | Nec Corporation | Light valve for use in a color display unit with a diffraction grating assembly included in the valve |
| GB8606783D0 (en) * | 1986-03-19 | 1986-04-23 | Gen Electric Co Plc | Picture synthesizers |
| GB8608276D0 (en) * | 1986-04-04 | 1986-05-08 | British Telecomm | Optical devices |
| JPS62291624A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6310132A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| GB8616165D0 (en) * | 1986-07-02 | 1986-08-06 | Stc Plc | Liquid crystal cell |
| EP0271900B1 (en) * | 1986-12-17 | 1993-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Device, method and apparatus for optical modulation |
| JP2698357B2 (ja) * | 1987-08-17 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 |
| US5026145A (en) * | 1987-09-24 | 1991-06-25 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2551055B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1996-11-06 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| NL9002808A (nl) * | 1990-12-19 | 1992-07-16 | Philips Nv | Inrichting ten behoeve van projectieweergave. |
| JPH05150244A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-06-18 | Canon Inc | 強誘電液晶素子 |
| JP3263517B2 (ja) * | 1994-02-08 | 2002-03-04 | 株式会社小松製作所 | 液晶マスクマーカの駆動方法 |
| US5731797A (en) * | 1994-10-06 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving method for spatial light modulator and projection display system |
| US6275211B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Gateway, Inc. | Waste heat actuated display back light |
| AU2002246714A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-08-06 | Sara L. Johnson | 3d display devices with transient light scattering shutters |
| US7631877B2 (en) * | 2006-01-26 | 2009-12-15 | Battenfeld Technologies, Inc. | Firearm targets and methods for manufacturing firearm targets |
| WO2008058142A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | University Of Massachusetts | Systems and methods of all-optical fourier phase contrast imaging using dye doped liquid crystals |
| EP3031967B1 (de) * | 2014-12-11 | 2019-02-27 | SIPRA Patententwicklungs- und Beteiligungsgesellschaft mbH | Maschine und Verfahren zur Herstellung von Maschenware |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4150396A (en) * | 1974-09-06 | 1979-04-17 | Thomson-Csf | Erasable thermo-optic storage display of a transmitted color image |
| FR2292254A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Thomson Csf | Procede de visualisation a cristal liquide, dispositif de traitement de l'information appliquant ce procede |
| FR2296198A1 (fr) * | 1974-12-24 | 1976-07-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede thermique de commande de proprietes optiques d'un cristal liquide et dispositifs mettant en oeuvre ledit procede |
| FR2404272A1 (fr) * | 1977-09-23 | 1979-04-20 | Thomson Csf | Dispositif de reproduction d'images monochromes et systeme de teletransmission d'images utilisant un tel dispositif |
| US4291948A (en) * | 1977-11-10 | 1981-09-29 | International Standard Electric Corporation | Liquid crystal display incorporating positive and negative smectic material |
| US4563059A (en) * | 1983-01-10 | 1986-01-07 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| EP0032362B1 (en) * | 1980-01-10 | 1984-08-22 | Noel A. Clark | Chiral smectic liquid crystal electro-optical device and process of making the same |
| FR2489564A1 (fr) * | 1980-09-02 | 1982-03-05 | Thomson Csf | Procede et dispositif de visualisation utilisant un effet thermo-optique avec memoire dans une couche mince de cristal liquide disquotique |
| FR2507802A1 (fr) * | 1981-06-10 | 1982-12-17 | Thomson Csf | Dispositif d'affichage a cristal liquide associant deux modes d'adressage |
| US4514045A (en) * | 1981-06-22 | 1985-04-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Helichromic-smectic liquid crystal compositions and display cells |
| US4477151A (en) * | 1981-12-28 | 1984-10-16 | Itt Industries, Inc. | Smectic liquid crystal cell with heat pulse and laser |
| US4479118A (en) * | 1982-02-11 | 1984-10-23 | General Electric Company | Power outage indicator |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186334A patent/JPS5887535A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-18 KR KR1019820005212A patent/KR840002532A/ko unknown
- 1982-11-19 WO PCT/JP1982/000442 patent/WO1983001841A1/ja active IP Right Grant
- 1982-11-19 DE DE8282903343T patent/DE3279596D1/de not_active Expired
- 1982-11-19 EP EP82903343A patent/EP0094432B1/en not_active Expired
- 1982-11-19 US US06/530,596 patent/US4639722A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0094432A1 (en) | 1983-11-23 |
| JPS5887535A (ja) | 1983-05-25 |
| EP0094432A4 (en) | 1986-03-18 |
| WO1983001841A1 (en) | 1983-05-26 |
| DE3279596D1 (en) | 1989-05-11 |
| US4639722A (en) | 1987-01-27 |
| KR840002532A (ko) | 1984-07-02 |
| EP0094432B1 (en) | 1989-04-05 |
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