JPH03274022A - 光学変調素子及び表示装置 - Google Patents

光学変調素子及び表示装置

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JPH03274022A
JPH03274022A JP2074654A JP7465490A JPH03274022A JP H03274022 A JPH03274022 A JP H03274022A JP 2074654 A JP2074654 A JP 2074654A JP 7465490 A JP7465490 A JP 7465490A JP H03274022 A JPH03274022 A JP H03274022A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は屈折率異方性を有する材料を用いた光学変調素
子、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶を用いた光
学変調素子、及びそれを用いた表示装置に関する。
〔従来の技術〕
強誘電性カイラルスメクチック液晶を用いた光学変調素
子に於て、液晶の薄膜を互いに平行で、ごく薄い間隙（
例えば１〜２μｍ）を有する２枚の板の間に形成し、該
２枚の板の表面作用によって双安定な状態を作り出す方
式（ＳＳＦＬＣ：表面安定型強誘電性液晶、Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３６　（１９８０）８９９）は、
その高速度応答性、メモリー性等により様々な応用が期
待されている。
〔発明が解決しようとしている問題点〕前記双安定型の
強誘電性液晶素子は、液晶の薄膜を挟む両側の板の液晶
薄膜側にラビング等により形成される配向作用面の軸方
向（ラビング方向等）に対し、ある一定角度具なった方
向に於て２つの安定状態を示す。この安定状態間の％角
度をチルト角（以後θ。で表す）という。この液晶素子
の液晶薄膜面に対して垂直な方向に電圧を印加すると、
強誘電性液晶は一方の安定状態から他方の安定状態へ移
る。この変化は屈折率異方性を有する材料の光学軸を角
度２θ。だけ回転させることに対応している。従って、
１／２波長板の作用に相当する厚みを有する前記強誘電
性液晶素子に対し、偏光光が入射した場合、双安定の２
つの状態による入射偏光光に対する偏光回転作用は互い
に４０°だけ異なる。クロスニコル或は平行ニコル配置
の偏光素子（偏光板等）で前記強誘電性液晶素子を挟む
と ４θ。＝９０°　（θ。＝２２．５°）の時、２つの安
定状態間に於ける透過光量のオン・オフ比（透過率比、
コントラスト）は、最も高くなる。
しかしながら、前記チルト角θ。は液晶材料や配向作用
面の特性に強く依存しており、未だ十分なチルト角θ。
を有する強誘電性液晶素子は実現されておらず、光学変
調素子として用いる場合、その変調度は不十分てあった
。
本発明の目的は、高コントラストな表示を実現する光学
変調素子及びそれを用いた表示装置を提供することにあ
る。
本発明の別の目的は、高透過率特性を達成した光学変調
素子及びそれを用いた表示装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、第１に ａ、偏光子 ｂ、印加された電界に応じて、前記偏光子によって偏光
された光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複屈
折を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該薄
膜が第１の状態に選択された時に、１／２波長板として
機能する様に設定した膜厚の薄膜、並びに Ｃ９前記第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生
じることがなく、前記第１の状態を通過した光線に対し
て複屈折を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時
に、Ｘ波長板として機能する様に設定した膜厚の薄膜を
有し、複屈折を生じることなく前記Ｃ１の薄膜を通過し
た光線が複屈折を生じない第２の状態を通過し、複屈折
を生じることによって前記Ｃ１の薄膜を通過した光線が
複屈折を生じる第１の状態を通過し、その後検光子を通
過する様な配置を有する光学変調素子に第１の特徴を有
し、第２に ａ、偏光子、 ｂ９印加された電界に応じて、前偏光子によって偏光さ
れた光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複屈折
を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該薄膜
が第１の状態に選択された時に各波長板として機能する
様に設定した膜厚の第１の薄膜、 Ｃ１前記第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生
じることがなく、前記第１の状態を通過した光線に対し
て複屈折を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時
に、Ｘ波長板として機能する様に設定した膜厚の第２の
薄膜、 ｄ、前記第２の薄膜を通過した光線を再度前記第２の薄
膜に向けて反射させる反射手段、並びにｅ、検光子、 を有する光学変調素子に第２の特徴を有している。
〔実施例〕
第４図は、本発明の機能及び作用を説明するための模式
図である。
第４図（Ａ）は配向軸方向をそろえた同一の双安定強誘
電性液晶の薄膜１１と１３と各波長板１２からなり、上
記２つの強誘電性液晶の薄膜１１と１３の片方の安定状
態（第１の安定状態）に於ける液晶分子の長袖方向ｎｌ
、ｎ３　（より厳密には液晶の屈折率楕円体の一生軸方
向）と、Ｘ波長板１２の屈折率楕円体の一生軸方向ｎ２
の３者は同じ方向を向いている。３枚の薄膜１１，１２
及び１３は、互いに平行であり、かつ各々は主波長に対
して１／２波長板相当の作用を成す。本構成の液晶素子
に対し、ｎｌ、ｎ２、ｎ３に平行な振動電場もつ電磁波
Ｅλが入射した場合、薄膜１１．１２及び１３の通過後
の振動電場Ｅ１、Ｃ２、Ｃ３及び出射光Ｅｏｕｔの振動
電場の方向は変化しない。（Ｅλ／　Ｅ　Ｉ／　Ｅ　２
　／Ｅｏｕｔ　（＝Ｅ　３　）） 一方、第４図（Ｂ）は、双安定強誘電性液晶の薄膜１１
と１３を他方の安定状態（第２の安定状態）に保った場
合の構成を示しており、強誘電性液晶の薄膜１１と１３
の液晶長軸方向は入射光Ｅｉｎの振動電場の方向に対し
て２θ。だけ同じ方向に回転している。まず、第１の液
晶薄膜１１を通過した光の電場Ｅ、は入射光に対して４
θ。だけ回転する。
次に、各波長板１２を通過した光の電場Ｅ２は屈折率の
１主軸ｎ２に対して−４００だけ回転した方向となる。
最後にＣ２に対して６θＣ（＝４０°＋２θＣ）だけ回
転した方向に液晶分子長軸ｎ３をもつ第２の液晶薄１１
１ｊ１３を通過した光の電場Ｅ　３（＝Ｅ＋）ｕｔ）は
液晶分子長軸ｎ３に対し°て、６θ。だけ回転した方向
となる。従って、出射光の電場方向は入射光の電場方向
に対して８θ。（＝２θ。＋６０Ｃ）だけ回転すること
になり、液晶薄膜の１つだけの場合と比較して、２倍の
偏光回転が可能となることを示している。即ち、 θ。＝１１．２５゜ のチルト角θ。で、透過光量のオン・オフ比（透過率比
、コントラスト）を最大にすることができる。
この際、本発明では、液晶薄膜１１．及び１３の膜は、
好ましくは１．２μｍ　ｚ　１、６μｍである。特に液
晶薄膜１１及び１３としてカイラルスメクチック液晶を
用いると、１．２μｍ〜１．６μｍの膜厚の時に、カイ
ラルスメクチック液晶が固有するらせん構成の形成が抑
制されて、双安定性を発現する配向状態が得られる。
第１図は本発明を投写型表示装置に適用した場合の実施
例の構成を示したものであり、第２図は光学変調素子部
の作用の概略説明図。第３図はその詳細構成を示したも
のである。
第１図に於て、不定偏光光を発する光源１６より発光し
た光は反射笠１７で反射され、コンデンサレンズ１８で
コリメートされた後、偏光ビームスプリッタ１９に入射
し、偏光ビームスプリッタ１９に対するＰ偏光成分は透
過し、Ｓ偏光成分が垂直方向に反射される。
上記Ｓ偏光成分はＸ波長板相当の双安定強誘電性液晶の
薄膜１１．　１／２波長板１４を通過して反射板１５に
よって反射され、再び１／２波長板１４、双安定強誘電
性液晶の薄膜１１を通過する。
上記Ｓ偏光成分は、双安定性強誘電性液晶薄膜１１の状
態に応じて旦偏光成分を生じ、再び偏光ビームスプリッ
タ１９に入射する際、Ｓ偏光成分は反射され、透過した
旦偏光戊分が投写レンズ１０により、不図示の画像投影
用スクリーン面上に結像投影される。偏光ビームスプリ
ッタ１９は本構成に於ては偏光子・検光子両者を兼ねて
いる。
第２図（Ａ）に於て、入射光は振動電場Ｅｉｎをもつ直
線偏光光である。強誘電性液晶１１の長軸がｎｌが１／
２波長板１４の長軸ｎ４及びＥｉｎと平行な片方の安定
状態（第１の安定状態）に於ては偏光回転は起こらない
。一方、第２図（Ｂ）に示した如く、液晶１１の長軸ｎ
１が２０°だけＥλに対して回転した状態に於ては、ま
ず、液晶薄膜１１を通過した光の電場Ｅ、は入射光に対
して４θ。だけ回転する。次に区波長板１４を通過した
光の電場Ｅ２は円偏光となって、反射板１５によって反
射され、再び〃波長板１４に入射する。１／２波長板１
４を通過した電場Ｅ３は、ス波長板１４の屈折率の１主
軸ｎ４に対して一４０°だけ回転した方向となる。最後
にＥ３に対して６θ。（＝４０°＋２θＣ）だけ回転し
た方向に液晶分子長軸ｎ、をもつ液晶薄膜１１を通過し
た光の電場Ｅ４　（＝Ｅｏｕｔ）は液晶分子長軸に対し
て６θ０だけ回転した方向となる。
従って出射光の電場方向は入射光の電場方向に対して８
θ。（＝２０．＋６θＣ）だけ回転することになる。こ
の様に反射型構成とすることにより１つの変調素子で２
倍の偏光回転角が得られる。
第３図は、第２図に示した部分をより詳細に示したもの
であり、入射光側より、透明なガラス基板３０１（厚み
約１　ｍ　ｍ　）、電極作用をする透明なＩＴＯ膜３０
２（厚み約１５００人）、対向電極との短絡を避ける為
の絶縁膜３０３（厚み約１２００Å）、液晶を配向させ
る為のラビング処理を施したポリイミド膜３０４（厚み
約２０ＯＡ）、不図示の径１〜２μｍのビーズにより保
持された間隙に注入された液晶薄膜３０５、ポリイミド
膜３０４と同様のポリイミド膜３０６（厚み約２００人
）、ポリイミド膜３０６の基板となる薄い透明層３０７
（例えばガラス板）、屈折率異方性をもちＸ波長板相当
の作用を行なう高分子液晶薄膜３０８（厚み１μｍ以下
）、高分子液晶の配向を容易にする為にラビング処理を
施したポリイミド膜３０９（厚み約２００人）、１７０
膜３０２に対する対向電極作用及び、光の反射作用を兼
ねたアルミニウム蒸着膜３１０（厚み数μｍ）、及びガ
ラス基板３１１（厚み約１ｍｍ）の各部から構成されて
いる。
本光学変調素子は、ガラス基板３０１．３１１上に必要
な層を順次形成した後、両者の間隙３０５に液晶材料を
注入し、更に熱処理等により双安定強誘電状態とする。
出射光の偏光状態の変調は電極３０２゜３１０への印加
信号により行なう。
本光学変調素子は複数画素を独立に変調することにより
容易に画像表示に適用可能である。例えば、ＩＴＯ電極
３０２及びアルミニウム電極３１０を各々短冊型の複数
独立の電極とし、しかも両者を互いに直交させて、マト
リクス型の構成とした場合（いわゆる単純マトリクス駆
動）である。この様にして画像表示を行なう場合、同じ
画面サイズに於て解像力を向上させる為には１画素当り
のサイズを小さくする必要があり、投写型表示装置の如
く、小型の液晶表示素子を用いる場合例えば対角３イン
チに於て１画素約ロ６０μｍ（ＥＤＴＶ用）となる。
本発明の素子措戊に於ては１／２波長板として水晶、雲
母、延伸フィルム等に比べ屈折率異方性（Δｎ）が格段
に大きい（１〜２桁）高分子液晶（Δｎ〜０．２）を用
いることにより、区波長板の厚みを１μｍ以下に抑える
ことができる。
また、ポリイミド膜３０６の基板となるガラス板３０７
は素子保持強度として十分な厚みをもつガラス基板３１
１上に構成されるので非常に薄いガラス材を用いること
ができる。画素電極３０２．３１０間の他の層は従来構
成に於ても１画素サイズに比べて十分に薄い為、高分子
液晶によるス波長板３０８、及び極薄のガラス板３０７
は実効開口率の向上、画素間クロストークの防止に対し
て大きな効果を発揮することができる。
また、本発明では、ＩＴＯ膜３０２とアルミニウム蒸着
膜３１０とで形成した一対の電極間に正極性パルスと負
極性パルスとを選択的に駆動回路３１２から印加し、強
誘電性液晶で形成した液晶薄膜３０５に対して、正極性
パルス又は負極性パルスに応じて、第１の安定状態又は
第２の安定状態に配向させることができる。
本発明に用いる高分子液晶薄膜３０８の例としては、ネ
マチック高分子液晶（ＰＡｆＢ）が挙げられ、 ラビング処理を施したポリイミド膜（ＳＥ−１００、厚
み５００人）３０９上に、上記液晶のシクロヘキサノン
溶液（１０ｗｔ％）をスピンコードにより塗布し、乾燥
した後、熱処理（１００℃、２〜３時間）を施すことに
より、数千人の厚みをもつ均一な配向方向をもつ高分子
液晶が形成された。
なお、本実施例では、入射偏光軸Ｅｉｎ、液晶の片方の
安定状態の分子長軸”ｒ、’１／２波長板の一生軸ｎ４
を一致させることにより、片方の安定状態では主波長以
外でも位相差ずれのない状態を少なくとも１つ実現して
いる。従って、クロスニコル時は黒の透過率を低く抑え
コントラスト比を高くでき、平行ニコル時は白状部の色
相変化を抑えることができる。
しかしながら本来は、３者の軸方向の組合わせに制限な
く、いかなる組合わせに於ても少なくとも主波長に対し
ては０％、１００％の変調可能である。この際、高分子
液晶薄膜３０８の膜厚としては、０．６μｍ〜０．８μ
ｍが好ましい。
第５図は、本発明の別の実施態様を表わしている。
第４図と同一符号は、同一部材である。本実施例では、
Ａ反射板に相当する膜厚に設定されている高分子液晶薄
膜３０８と液晶薄膜３０５との間にラビング処理したポ
リイミド配向膜と、Ｓｉｎ、　ＳｉＯ２、Ｔｉ０２など
の絶縁材で形成した絶縁膜５１２と、電極として使用す
るＩＴＯ膜５１３とが配置されている。駆動回路３１２
からＩＴＯ膜３０２と５１３間に正極性パルスと負極性
パルスが印加される。
本実施例によれば、電極間距離が短くなる為、必要な印
加電圧を小さくできる。図中のアルミニウム蒸着膜３１
０が反射膜として機能している。
第６図は、本発明の別の実施態様を表わしている。
第４図及び第５図と同一符号は、同一部材である。
本実施例では、セル内に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を
用いたアクティブマトリクス駆動素子を用いたものであ
み。従って、図中の符号で示した部材は、下記のとおり
である。
６１４・・・透明なＩＴＯ電極 ６１５・・・絶縁膜（ＳｉＯ２など） ６１６・・・ラビング処理したポリイミド膜６１７・・
・ＴＰＴのゲート ６１８・・・窒化シリコン絶縁膜（ゲート絶縁膜）６１
９・・・ＴＰＴのソース ６２０・・・ＴＰＴのドレイン 以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明にお
いては、下記の点で有効に適用することができる。
（１）上述の実施例では、強誘電性液晶素子を用いたが
、電界により複屈折性を抑制する素子に対しては一般的
に有効である。
（２）適用装置例として、投写型表示装置の１例を示し
たが、本構成に限定する必要はなく、更に直視型表示装
置に於ても有効である。
（３）変調度として、０％、１００％の２点のみ示した
が、中間の偏光回転角を用いた濃度諧調、０％、１００
％の面積比を制御する面積諧調、或はその混合方式等の
諧調制御方式に於ても有効である。
（４）上述の実施例では、１／２波長板として配向処理
を施した高分子液晶を用いたが、水晶、雲母、延伸フィ
ルム等を用いても良く、少なくとも液晶変調素子が１ケ
で済むことによる効果は失われない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、 （１）双安定性強誘電性液晶素子に於て、小さなチルト
角θ。の材料でもコントラスト比の大きい変調が可能と
なる。
（２）反射型構成とすることにより、簡単な素子構成に
よって実現でき、この結果製造プロセスの簡略化が可能
となった。
（３）高分子液晶を〃波長板とすることにより、実効開
口率向上と画素間クロストーク（他画素への光のもれ込
み）の減少を実現できた。特に、■屈折率異方性が通常
の異方性物質（水晶、雲母、延伸フィルム等）に比べ大
きいので、厚みを薄くでき、開口率低下、画素間クロス
トークが緩和された。
■流動性の大きい高温状態に於て、配向させた後、配向
の安定する温度域で使用することができる為、同じく屈
折率異方性の大きい低分子液晶よりも扱いが容易となっ
た。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の表示装置を示す断面図である。 第２図（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の機能と作用を模式
的に説明するための斜視図である。 第３図は、本発明の光学変調素子の断面図である。 第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の別の機能と作用を
模式的に説明するための斜視図である。 第５図及び第６図は、本発明の別の光学変調素子の断面
図である。 １２０ （Ａ）喝ＩＯ嘗定状社 弔４図 辷んれ

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ａ、偏光子、 ｂ、印加された電界に応じて、前記偏光子によって偏光
    された光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複屈
    折を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該薄
    膜が第１の状態に選択された時に、１／２波長板として
    機能する様に設定した膜厚の薄膜、並びに ｃ、前記第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生
    じることがなく、前記第１の状態を通過した光線に対し
    て複屈折を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時
    に、１／２波長板として機能する様に設定した膜厚の薄
    膜を有し、複屈折を生じることなく前記ｃ、の薄膜を通
    過した光線が複屈折を生じない第２の状態を通過し、複
    屈折を生じることによって前記ｃ、の薄膜を通過した光
    線が複屈折を生じる第１の状態を通過し、その後検光子
    を通過する様な配置を有する光学変調素子。
  2. （２）前記ｂ、の薄膜が液晶によって形成された薄膜で
    ある請求項（１）の光学変調素子。
  3. （３）前記液晶が双安定性をもつカイラルスメクチツク
    液晶である請求項（２）の光学変調素子。
  4. （４）前記ｃ、の薄膜が高分子液晶によって形成された
    薄膜である請求項（１）の光学変調素子。
  5. （５）前記ｂ、の薄膜を挟んで配置した一方及び他方の
    電極を備えた電界印加手段を有する請求項（１）の光学
    変調素子。
  6. （６）前記ｂ、の薄膜を挟んで配置した一方及び他方の
    電極を備え、両方の電極間に一方極性パルスと他方極性
    パルスとを選択的に印加する電界印加手段を有する請求
    項（１）の光学変調素子。
  7. （７）前記ｂ、の薄膜の膜厚が１．２〜１．６μｍであ
    る請求項（１）の光学変調素子。
  8. （８）ａ、偏光子 ｂ、印加された電界に応じて、前記偏光子によって偏光
    された光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複屈
    折を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該薄
    膜が第１の状態に選択された時に、１／２波長板として
    機能する様に設定した膜厚の第１の薄膜、 ｃ、前記第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生
    じることがなく、前記第１の状態を通過した光線に対し
    て複屈折を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時
    に、１／４波長板として機能する様に設定した膜厚の第
    ２の薄膜、 ｄ、前記第２の薄膜を通過した光線を再度前記第２の薄
    膜に向けて反射させる反射手段、並びにｅ、検光子 を有する光学変調素子。
  9. （９）前記第１の薄膜が液晶によって形成された薄膜で
    ある請求項（８）の光学変調素子。
  10. （１０）前記液晶が双安定性をもつカイラルスメクチツ
    ク液晶である請求項（９）の光学変調素子。
  11. （１１）前記第２の薄膜が高分子液晶によって形成され
    た薄膜である請求項（８）の光学変調素子。
  12. （１２）前記第１の薄膜を挟んで配置した一方及び他方
    の電極を備えた電界印加手段を有する請求項（８）の光
    学変調素子。
  13. （１３）前記第１の薄膜を挟んで配置した一方及び他方
    の電極を備え、両方の電極間に一方極性パルスと他方極
    性パルスとを選択的に印加する電界印加手段を有する請
    求項（８）の光学変調素子。
  14. （１４）前記第１の薄膜の膜厚が１．２〜１．６μｍで
    ある請求項（８）の光学変調素子。
  15. （１５）前記第２の薄膜の膜厚が０．６〜０．８μｍで
    ある請求項（８）の光学変調素子。
  16. （１６）前記第１の薄膜を挟んで配置した一方及び他方
    の電極を備え、一方の電極を前記第１と第２の薄膜との
    間に配置した電界印加手段を有する請求項（８）の光学
    変調素子。
  17. （１７）前記第１の薄膜が双安定性カイラルスメクチツ
    ク液晶によって形成され、前記第２の薄膜が高分子液晶
    によって形成された薄膜である請求項（１６）の光学変
    調素子。
  18. （１８）前記一方と他方の電極間に一方極性パルスと他
    方極性パルスとを選択的に印加する手段を有する請求項
    （１６）の光学変調素子。
  19. （１９）ａ、偏光子、 ｂ、印加された電界に応じて、前記偏光子によって偏光
    された光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複屈
    折を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該薄
    膜が第１の状態に選択された時に、１／２波長板として
    機能する様に設定した膜厚の第１の薄膜、 ｃ、前記第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生
    じることがなく、前記第１の状態を通過した光線に対し
    て複屈折を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時
    に、１／２波長板として機能する様に設定した膜厚の第
    ２の薄膜、 ｄ、複屈折を生じることなく前記第２の薄膜を通過した
    光線が複屈折を生じない第２の状態を通過し、複屈折を
    生じることによって前記第２の薄膜を通過した光線が複
    屈折を生じる第１の状態を通過する第３の薄膜、並びに ｅ、検光子、 を有する光学変調素子。
  20. （２０）前記第３の薄膜の膜厚が、第１の状態に選択さ
    れた時に１／２波長板として機能する様に設定されてい
    る請求項（１９）の光学変調素子。
  21. （２１）前記第１及び第３の薄膜が液晶によって形成さ
    れた薄膜である請求項（１９）の光学変調素子。
  22. （２２）前記液晶が双安定性をもつカイラルスメクチツ
    ク液晶である請求項（２１）の光学変調素子。
  23. （２３）前記第２の薄膜が高分子液晶によって形成され
    た薄膜である請求項（１９）の光学変調素子。
  24. （２４）前記第１及び第３の薄膜の膜厚が１．２〜１．
    ６μｍである請求項（１９）の光学変調素子。
  25. （２５）ａ、不定偏光光線を発生する光源、ｂ、偏光ビ
    ーム・スプリッター、 ｃ１、印加された電界に応じて、前記偏光子によって偏
    光された光線に対して、複屈折を生じる第１の状態と複
    屈折を生じない第２の状態とを生じる薄膜であって、該
    薄膜が第１の状態に選択された時に、１／２波長板とし
    て機能する様に設定した膜厚の第１の薄膜、ｃ２、前記
    第２の状態を通過した光線に対して複屈折を生じること
    がなく、前記第１の状態を通過した光線に対して複屈折
    を生じ、前記薄膜が第１の状態に選択された時に、１／
    ４波長板として機能する様に設定した膜厚の第２の薄膜
    、並びにｃ３、前記第２の薄膜を通過した光線を再度前
    記第２の薄膜及び偏光ビーム・スプリツターに向けて反
    射させる反射手段を有する光学変調素子、並びにｄ、前
    記第１の薄膜に電界を印加する電界印加手段を有する表
    示装置。
  26. （２６）前記第１の薄膜が液晶によって形成された薄膜
    である請求項（２５）の表示装置。
  27. （２７）前記液晶が双安定性カイラルスメクチツク液晶
    である請求項（２６）の表示装置。
  28. （２８）前記第２の薄膜が高分子液晶によって形成され
    た薄膜である請求項（２５）の表示装置。
  29. （２９）前記電界印加手段が前記第１の薄膜を挟んで配
    置した一対の電極を備えた手段であり請求項（２５）の
    表示装置。
  30. （３０）前記一対の電極間に一方極性パルスと他方極性
    パルスを選択的に印加する手段を有する請求項（２５）
    の表示装置。
  31. （３１）前記第１の薄膜の膜厚が１．２〜１．６μｍで
    ある請求項（２５）の表示装置。
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