JPS60142947A - 新規なベンジルフツ化スクアライン化合物を含む光導電性装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に、新規なスクアライン（ｓｑｕａｒａ−
Ｉｎｅ）　化合物、およびこれらの化合物を層構造を有
する光応答装置に導入することに関する。本発明の一実
施態様においては、新規なフルオロベンジルアミノスク
アライン化合物が提供される。この化合物は積層構造を
有する光応答装置、特にアミン正孔輸送層を含む装置に
おける有機光導布、性材料として有用である。このよう
に本発明によれば光導電性層として新規なフルオロベン
ジルアミノスクアライン化合物を含む光応答装置が提供
される。これらの光応答装置の感度はこれを変えること
ができ、あるいは強化することができ、とれらの装置、
を可視光に対しておよびレーザー印部りに必要な赤外光
に対して応答性にすることができる。

従ッて本発明のフルオロベンジルアミノスクアラインを
含有する光応答装置はスでクトルの赤外および／または
回着領域において、内蔵されている電荷キャリヤ光発生
材料の固有の性質を増強しまたは軽減するように機能す
ることができ、それによってこの装置を可視光および／
または赤外波畏の光に応答性にすることができる。

例えば融解セレンのような却−材料からガる均−屑ある
いは光導電性物質の分散液を含む複合積層構造を有する
装置をはじめとする多数のさまざまな↑Ｌ子写真光導電
性部材が知られている。接合電子写真光導電性部材のタ
イプの一例は例えば未開特許第３．　／　２１００６号
に記載されている。この特許には、電気的に絶縁性の有
機樹脂バインダー中に分散された光導電性無機化合物の
微細粒子が開示されている。これらの部材は、例えば、
紙支持体に塗布されており均一に分散された酸化亜鉛の
粒子を含むバインダ一層を備えている。この特許に開示
されているバインダー材料はポリカーボネート樹月旨、
ポリエステル樹脂、チリアミド拉１脂などの材料を含ん
でおシ、これらの材料は光導電性粒子によって発生した
注入された電荷キャリヤを有意な距離だけ輸送すること
ができない。従って、その結果、循環操作に必柴な電荷
の散逸を可能にするという目的のために、層全体にわた
って光導電性粒子は実質的に粒子と粒子が接触した状態
になければならない。このように速やかな放電に十分な
光導電性粒子と粒子の接触を得るためには、とこに述べ
た光導電性粒子の均一な分散と共に、光導電性負荷の比
較的高い容積濃度すなわち約３０容量％が一般に必要で
ある。このような高い光導電性負荷のために樹脂バイン
ダーの物理的な連続性が破壊され、そのためにその機械
的特性が大幅に低下するという結果が起こす得る。

無機または有機材料で構成された光受容材料も知られて
おシ、この材料においてはＩ！荷キャリヤ発生および電
荷キャリヤ輸送機能は不連続な接触層によって達惑され
ている。さらに層構造を有する光受容材料が先行技術に
開示されており、この材料は電気的に絶縁性の重合体か
らなる保ＪＩ５１１ａ層を含んでいる。しかし電子写真
技術は進夛を続けており、能力水準を大きくしさらに高
品質の画像を得るために、複写機がさらにきびしい要求
を満たすことが必要とされている。またレーザー印祠装
置用に選択された可視光および／または赤外光に対して
応答性を有する層構造をもつ光応答装置が望オれでいる
。

最近、その他の積層光応答―置が発表されている。これ
らの装置は分Ｋｆシた発生層および米国特ヴ第ダコ４　
、、Ｓ；　＠　９０号に記載された輸送層および正孔輸
送層がオーバーコートされ、さらに光発生層がオーバー
コートされた正孔注入、！＠を含むオーバーデートされ
た光卯答側斜および絶θ性有機樹脂の保％（ｔ！被被膜
構成されている。米国ｌ庁許第’１，２．！；ｌ乙／、
２号を参照さｔまたい。これら・の特許に開示されてい
る光発生層の例としては三方晶系セレンおよびフタロシ
ア千ンがあり、また輸送層の例としてはこの明部ｊ書中
に記載したある悼のジアミンが、ある。これらの点につ
いては米１１特許第り２／＞洩ｑ９θ号および第タコｓ
ｔ６．７２号を参照されたい。　、　。

その他−数の特許に発生物質を含む積層装置を備えた光
応答＠置が記載されている。集えば米国特許第３．０’
ｌｉ／１．７号には導電性支持体、−・光導電性層およ
びｗ１気絶縁性のポリマー材料からなるオーバーコート
層を有するオーバーコートされた画像要素が開示されて
いる。この要素は例えばこの要素を先ず第一の極性を有
する静電荷によって帯′醍させ、画像露光して静電潜像
を形成し、これを次に現像して可視像を形成するような
電子写゛嶌複写機に・使用される。次の画像サイクルの
前にこの画像要素を第１の極°性とは反対の極性をもつ
第」の・極性の・静電−荷によって帯電させることがで
きる。この第一の極性の電荷はこの要素全体にわたって
＃熱的に第一の極性の電場がっくシださ゛れるように十
分に適用される。同時に、例えば嬶亀性′支持体に電圧
・をかけることによって光導電性層に第１の、、極性を
有する移ｗＪ電荷を形成させる。現像す、ると可視像を
形成するような画像ポテンシャルが光導ｉｌ？Ｉ、性層
およびオーバーコート層全体に存在している。　、　′
、 またベルギー特許第７６３．左り０号には少な・くとも
一つの電気的に作用する層番治する電子写真要素が開示
されている。この第１の光導電性層は電荷キャリヤを光
により発生し、このキャリヤを有接輸送材料を含む連続
活性層に注入することができる。この有機輸送材料は使
用が意図されているスペクトル領域に実質的に吸収をも
たないが光導電性層から光により発生した正孔の注入を
行うことができ、かつこれらの正孔をこの活性層を辿し
て輸送せしめることができる。さらに米国特許第３，０
グｌ／／ｌ、号には支持体上に保持された融解セレンの
層の上にオーバーコートされた透明プラスチック材料を
含む光導電性材料が開示されている。

さらに米国特許第’Ａ　２３　Ｊ、　／　０２号および
第１１、２３３．３ｇ３号には綾酸ナトリウム、亜セレ
ン酸ナトリウムをドーピングした三方晶系セレンおよび
炭酸バリウムおよび亜セレン酸バリウムまたはこれらの
混合物をドーピングした三方晶系セレンを含む光応答性
画像要素が開示されている。さらに米国特許第ａｇλり
０９９号にはある梢の感光性ヒドロキシスクアライン化
合物が開示されている。この特許に開示されたスクアラ
イン化合物は通常の静電、写真画像装置において感光性
である。

また係属中の出願にはヒドロキシスクアラインのような
既知のスクアライン化合物を赤外線感光性光応答装置の
光導電層として使用することが開示されている。さらに
具体的にはこの係属中の出願には、支持体と、正孔遮断
層と、任意の接着界面層と、無機光発生層と、ヒドロキ
シスクアライン化合物をはじめとする種々のスクアライ
ン化合物から選ばれた光導電性化合物であって光発生層
の固有の性質を増大しまたは低減させることができるよ
うな光導電性化合物と、正孔輸送層とを含む改良された
光応答装置が開示されている。

さらに係属中の出願にはビス−ｑ−（ｇ−ヒドロキシジ
ュロリジニル）スクアラインのような新規なジュロリジ
ニル（ｌｕｌｏｌｌｄｌｎｇｌ）スクアライン化合物を
赤外光および／または可視光に対して感光性の光応答装
置の光導電性物質として使用することが開示されている
。この係属中の出願に示されているように、この改良さ
れた光応答装置の−実雄態秤は、支持体と、正孔遮断層
と、任意の接着界面層と、無機光発生層と、その出願に
開示された新規なジュロリジニルスクアライン化合物が
らなシ光発生層の固有の性濁を増大しまたは低減するこ
とができる光導電性化合物と、正孔輸送層とから構成さ
れている。これらの点については［新規なスクアライン
化合物を含有する光応答装置」という名称の係属中の米
国特許出願第グ９３．　／　／ダ／ざ３を参照されたい
。

スクアライン化合物は既知であるが新規なスクアライン
化合物、特に優れた感光性を有するスクアライン化合物
に対する要望が継続している。さらに光導電性層として
感光性の高い新規なスクアライン化合物を含む光応答装
置に対する要望が継続している。さらに積層光応答１Ｉ
ＩＩＩ像装置に使用された場合、許容できる画像を形成
することができ、かつその装置が＠鎗の環境または周囲
の条件によって劣化することなく多数の画像サイクルに
おいて繰返して使用することができるような新規なスク
アライン化合物に対する要望が継続している。

さらに複数の層の７つとして選択されたスクアライン化
合物がこの装−のユーザーに対して実質的に無害である
ような改良された積層画像襞素に対する要望が継続して
いる。さらに広す範囲の波長に対して感光性であり、さ
らに具体的には赤外光および可視光に対して感光性であ
、す、そのために多数の画像装置および印刷装置に使用
することができるようなオーバーコートされた光応答装
置に対する要望が継続している。

従って本発明の目的は新規なフルオロベンジルアミノス
クアライン化合物を提供することである。

本発明の他の目的は新規なフルオロベンジルアミノスク
アライン化合物を含有する改良された光応答性画像要素
を提供することである。

本発明のさらに他の目的はパンクａの、従って可視光な
らびに赤外光に対して感光性の、改良された光応答装置
を提供することである。

本発明のさらに具体的な目的な新規なスクアライン感光
性色素を有する光導電性層および正孔輸送層を含む改良
されたオーバーコートされた光応答装置を提供すること
である。

本発明のさらに他の目的は、正孔輸送層と、そ＋７）上
にコートされた新規なフルオロペンシルアミノスクアラ
イン化合物を含む光導電性層を備えた改良されたオーバ
ーコートされた光応答装置を提供することである。

本発明のさらに他の目的は新規なフルオロベンジルアミ
ノスクアライン化合物を含み、正孔輸送層と光発生層と
の間に配置された光導電性化合物を含む光応答装置を提
供することである。

本発明のさらに他の目的は、光発生層と支持体との間に
配置された新規なスクアライン光導電性化合物を含む改
良された積層構造の光応答装置を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、正孔輸送層と、新規なフル
オロベンジルアミノスクアライン化合物を含む光Ｎ％電
性層との間に配置された光発生化合物を含む改良された
オーバーコートされた光応答装置であって赤外光および
可視光に対して応答性を有する装置を挾供することであ
る。

本発明の他の目的は正孔輸送層と光発生化合物を含むＪ
−との間に配置された、この明細宿中に開示された新規
なスクアライン化合物を含む光導電性層を備えた改良さ
れたオーバーコートされた光応答装置であって赤外光お
よび可視光に対して応答性を有する装置を提供すること
である。

本発明のさらに他の目的はこの明細束中に記載された改
良されたオーバーコートされた光応答装置を用いた画僧
形成方法および印刷方法を枦供することである。

本発明のこれらの目的ならびＫその他の目的は（１）ビ
ス（コーンルオローダーメチルペンジルアミノフェニル
）スクアラインｓ　（ｉ）ビス（λ−フルオロ＝グーメ
チルーツやラークロロベンジルアミノフェニル）スクア
ライン％　（［）ビス（−一フルオローターメチルーパ
ラーフルオロペンジルアミノフェニル）スクアラインお
よヒＱＶ）ビス（２−フルオロ−ｌ−メチル−メタクロ
ロベンジルアミノフェニル）スクアラインからなる群か
ら選ばれる新規なフルオロベンジルスクアライン化合物
を提供することによって達成される。これらのスクアラ
イン化合物は次式によって表される。

：Ｌ ことに開示されている新規なスクアライン化合物は、一
般に適当なフルオロアニリン誘導体、例えばメタ−フル
オロ−Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアニリンとスクアリン
酸を、約ダ対約／、好ましくは約／、Ｓ対コ、Ｓのモル
比で、脂肪族アルコールおよび任意の共沸補助溶剤の存
在下で反応させることによシ製造される。スクアリン酸
０．７モルに対してアルコール約ｔｉ、ｏｏ−が使用さ
れるが、スクアリン酸０．７モルに対してアルコールｌ
θθＱ−までを選択することができる。この反応は一般
に約７Ｓ℃〜約／３０℃の温度で、好ましくは？！ｆ℃
〜ｉｏｓ”ｃの温度で攪拌しながら反応が終了するまで
行われる。次に所望の生成物を既知の方法、例えばト過
などによシ反応混合物から分離し、この生成物をＮＭＲ
およびマススペクトルなどをはじめとする分析機器によ
シ同駕する。さらに得られた生成物の同定を補助するも
のとして炭素、水素、フッ素、窒素および一素の元素分
析が選ばれる。

このフルオロアニリン誘導体は多数の方法によつて製造
することができる。ｆｌＪメーはメタフルオロアニリン
のような既知のフルオロアニ１）ンを、：Ａ−ルトギ酸
トリメチルをはじめとするオルトギ酸トリアルキルと約
／対約／、左のモル比で反応させ、Ｎ−メチルーメター
フルオロホルムアニ１ノーのようなＮ−アルキルーメタ
ーフルオロホルムアニ１ノドを得る。一般にこの反応は
、反応体を混合し約、２０θ℃以上の高温に加熱し、次
いで蒸留することにより達成される。その後、得らね、
だアユ１ノド生成物を塩酸のような酸で加水分角イし、
Ｎ−アルキル−メタ−フルオロアニリン ばＮ−メチルーメターフルオロアニ１ノンを生成させる
。次にベンジルクロライド“のようなペン・ゾルハライ
ド誘導体をこの生成したアユ１ノン生成物と約／対／の
モル比で反応させる。この反応し、はこれらの反応体を
混合し一般に７００°〜／１０°Ｃの温度に加熱して反
応を進行させることにより１１１つれる。こうしてアニ
リン誘導体、ｅＡＪえばＮ−アルキル−Ｎ−ペンジルー
メターフルオロアニＩＪン、好ましくけ四−メチル−Ｎ
−ベンジル−メタ−フルオロアニリンが得られる。次に
これをここにｌ己載したスクアリン酸と反応させ、式１
〜■で表１−）される本発明の新規なフルオロスクアラ
インを生成せしめる０ 本発明の新規なスクアラインを製造するのに選ばれるフ
ルオロアニリン誘導体の代表的な？＋１と１７ではメタ
−フルオロ−Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジル−ｙ　＝　Ｉ）
ン、メタ−フルオロ−Ｎ−メｆルーＮ−ノやラーフルオ
ローペンジルアニリン、メターフルメーｏ−Ｎ−メチル
−Ｎ−ノぞラークロロペンジルアニリンおよびメタ−フ
ルオロ−Ｎ−メチル−メタ−クロロベンジルアニリンが
挙げられる。反応体の７つとしてメタ−フルオロ−Ｎ−
メチル−Ｎ−ベンジルアニリンを選んだ場合、式■で表
わされるビス（Ｊ−フルオロ−クーメチルペン・ゾルア
ミノフェニル）スクアラインが得られる。同様に反１５
体としてメタ−フルオロ−Ｎ−メチル−〜ーノンラーク
ロロベンジルアニリン、メ夛ーフルオローＮーメチル−
Ｎ−パラ−フルオロベンジＪＩ・アユ１ノンまたはメタ
−フルオロ−Ｎ−メチル−〜ーメタークロロベンジルア
ニリンを選んだ場合、それぞれことに示した式＋１．Ｉ
および■によって表されるスクアライン化合物が得られ
る。

本発明のフルオロベンジルスクアラインを製造するのに
選ばれる脂肪族アルコールの代表的な例としては／−ブ
タノール、／−ペンタノール、ヘキサノールおよびヘキ
サノールが皐けられる。また共沸溶剤の代表的な例とし
てはベンゼン、トルエンおよびキシレンのような芳香族
化合物が洋げられる。

本発明の改良された積層光応答装置ドは一実＃Ｉ態様に
よれば、支持体と、正孔輸送層と、支持体およびＥ孔輸
送ｊ＠の間に配置された光嗜奄性層としての本発明のｊ
１規なフッ化スクアライン化合物とから４８　ｂ”Ｚさ
れている。もう一つの実施態様においては、支持体と、
本発明の新規なフッ化スクアライン化合物を含む光導電
性層、および支持体と光導１電性崩の間に配置された正
孔称送層で構成さｔた積層光応答装置が提供される。ま
た本発明によれば印刷装置べに有用な改良された光応答
装置であって、光発生層と正孔輸送層の間に配置された
光導電性組成物の層を備えており、あるいは光４酸性組
成物が光発生層とこの装置の支持体との間に配置され、
光導酸性組成物が本発明の新都１なフッ化スクアライン
化合物を含んでいるような改良された光応答装置が提供
される。例えば後者の装置灯においては光導電性層はス
ペクトルの赤外および／または可視光領域における光発
生層の固有の性１Ｍを増大し、または低減するように作
用する〇７つの具体的な実施態様において、本発明の改
良された光応答装置は１支持体、２正孔遮＃層、３任扁
の接着界面Ｊ拮、４無機光発生剤層、５ここに記載され
た新規々スクアライン化合物を含む光導電性組成物層、
および６正孔車７１１送巌がこの順序に積層された構成
をとっている。このように本発明の７つの重要な実施態
様における光応＠装（首は、導電性支持体、これと接触
している正孔遅断金属酸化物層、接着層、この接Ｎ層に
オーバーコートされた無機光発生材料、例えばスペクト
ルの赤外および／または可視光領域における光発生層の
固有の性質を増大し、または低減することができる式Ｉ
〜■で表される光導電性フルオロスクアライン化合物、
および最上層としての、樹脂マトリクス中に分散された
ある神のジアミンを含む正孔輸送層によって構成されて
いる。光導電性層の化合物は正孔’ｈｉ’ｌ送層と接触
していると光発生層が発生した正孔を輸送することがで
きる。さらに光導電性層は光発生１〜中で発生した正札
を実質的にトラップしない。まだ光導電性スクアライン
化合物層は選択フィルターとして作用し、ある波長の光
を光発生層中に透過させることができる。

本発明のもう７つの重要な実施態様は、光導電例フルオ
ロスクアライン化合物が光発生層と支持体との間に配置
されていることを除き、これまでに説明したような改良
された光応答装置に向けられている。従ってこの実施態
様において某発明の光応答装置は１支持体、２正孔遮断
層、３任意の一着界面層、４ここに開示された新規なス
クアライン化合物を含む光導電性組成物、５無機光発生
層、および６正孔輸送層がこの順序に積層された構成を
とっている。

本発明の積層光応答装置の露光および抹消は前面、後面
あるいはこれらの両者から行うことができる。

本発明の改良された光応答装置は多数の既知の方法によ
って製造することができる。プロセスの種々のパラメー
ターおよび層の塗布順序は所望の装置に従って決められ
る。従って例えば三層構造の光応答装置は支持体上に光
導電性層を真空昇華し、次に正孔輸送層を溶液塗布する
ことによって付着させることによシ製造することができ
る。もう７つの別のプロセスによれば積層光応答装置は
正孔遮断層と任意の接着層を含む導電性支持体を用意し
、これに溶媒塗布法、ラミネート法またはその他の方法
により、光発生層、スペクトルの赤外および／ｌたは可
視領域における光発生層の固有の性質を増大または低減
することができるような本発明の新規なスタフ２４フ４
６合物を含む光導電性組成物、および正孔輸送層を適用
することによシ製造することができる。

７つの具体的な製造順序によれば、約３ミル（θ、θ７
６２ｍｒｓ）の厚みを有する透過率２０％のアルミニウ
ムを被堺したマイラー支持体が用意される。これに３４
ミル（θ、θ／コア〒ｍ）のバードアプリ勿−ターによ
シはぼ室温でメチレンクロライド／トリクロロエタン溶
媒中のＥ、１．デュポンから入手可能なｌＩ乞ｏｏｏの
ような接、着剤が塗布され、次いで７００℃で乾燥され
る。次にこの接着層に本発明のフッ化スクアラインを含
む光導電性層が適用される。この適用もパードアグリケ
ータ−を用、いて行われ／、７５℃でアニールし次いで
アミンの輸送層を塗布する。このアミン、輸送層は既知
の溶液塗や法によシＳミル（０，／コア即）のパードア
、プリケータ−を用いて塗布され／　３　、！ｔ　’Ｃ
でアニールされる。この溶液は約２０〜約ｇＯ重慧％の
アミン輸送分子と約ｇθ〜約コθ重竜％のポリカー？ネ
ート利料のような樹脂バインダー物質を含んでいる。

本発明の改良された光応答装置は種々の画像装置、例え
ば電子写真向傷プロセスとして一般的に知られている装
置に組込むことができる。さらに無機光発生層および本
発明の新規スクアラインを含む光導電性−を備えた本発
明の改良された光応答装置は、可視光および／または赤
外光を用いた画像装置および印刷装置において機能する
ことができる。この実施態様では本発明の改良された光
応答装置は負に帯電され約ダθ０〜約７００θナノメー
ターの波長の光にｊ圃にまたは同時に露光され、こうし
て得られた画像が現像され、紙に転写される。上記ｊ−
序は伺回も繰返すことができる。

本発明ならびにその特徴をよりよく理解するために以下
に種々の好ましい実施態様を詳細に説明する。

ここに例示した新規なフルオロベンジルスクアライン化
合物を含む特定の光応答装置を参照して好ましい実施態
様を以下に説明する。均等な化合物も本発明の範囲内に
含まれるものであることに留意されたい。

第１図には本発明の光応答装置が例示されておシ、この
装置は支持体１と、任意に樹脂バインダ−組成物４に分
散されている新規なスクアライン化合物、ビス（，２−
フルオローダーメチルヘ７　）ルアミノフェニル）スク
アラインを含む光導電性１＠３と、不活性バインダー組
成物７に分散された電荷キャリヤ正孔輸送層５によって
構成されている０ 第２図には第１図に示されたものと実質的に同一の装置
が示されている。但し第２図では正孔輸送層が支持体と
光導電性層の曲に配置されている。

この図面に関し、さらに具体的に述べると、この光応答
装置は支持体１５と、不活性な樹脂バインダー組成物１
８中に分散された正孔輸送組成物からなる正札輸送層１
７と、任悲に樹脂バインダー組成物２１に分散された本
発明のスクアライン化合物、ビス（２−フルオロ−グー
メチルベンジルアミノフェニル）スクアラインからなる
光Ｓｓ′、性Ｊ＠　２０によって第１１￥成されている
。

第３図は本発明の光応答装置を示している。この装動は
支持体８と、正孔遮断金附喰化物層９と、任意の接ｆＩ
層１０と、電荷キャリヤ無機光発生層１１と、ス被りト
ルの赤外および／または可視光領域における光発生層１
２の同右の性質を増大し、または低減するようなビス（
２−フルオロ−＋−メチルベンジルアミノフェニル）ス
クアラインを含む有機光導電性組成物層１２と、電荷キ
ャリヤすなわち正孔輸送層１４によって構成されている
。

光発生層１１は任意に樹脂バインダー組成物１６に分散
された光発生物質によって一般に構成されており、同様
に有機光４電性層１２け任簡に樹脂バインダー１９に分
散されたフルオロスクアライン化合物を含んでいる。電
荷＠ｆｓ　ＩＮ　ｔ　４は、任意に不活性の樹脂バイン
ダー物質２３に分数されたアミン組成物のような電化輸
送物質を含んでいる。

第り図は第３図に示されたものと基本的に同じ装動を示
している。但し第９図の装Ｏｌにおいては光導電性層１
２は無機光発生層１１と支持体８との間に配置されてい
る。さらに具体的にいえばこの実施態様において光導′
屯性層１２１ｄｆ士意の接着剤層１０と無機光発生層１
１との間に配置されている。

第５図には本発明のさらに別の光応答装置が示されてい
る。この装置では支持体２５は厚みが約２０オングスト
ロームの２０％透過性アルミニウムの層を含む犀みが３
ミル（０，０７乙２龍）のマイラーで構成され、金Ｍ酸
化物ｒ＠２７は約２０オングストロームの厚みの酸化ア
ルミニウムで構成され、ポリエステル接着剤層２９のポ
リエステルＢＥ、＋、デュポンからｙｑｏｏｏポリエス
テルとして市ＮＰｙされており、この層は腫みが０．５
ミクロンであり、無機光発生層３１は約２．０ミクロン
のＪ享みをもち、ポリビニルカルパゾールバインダー３
２（９θ酊量％）中のＮ　ａ　２　Ｓｅ　Ｏ３とＮａ２
ＣＯ３をドーピングした三方晶系セレン（／θ重ｆｔ％
）で構成されており、光導電性）＠３３は約Ｏ，Ｓ　ミ
クロンの厚みをもち、樹脂バインダー３４（グツドイヤ
ーケミカルから市販されているＰε−コ０θ、ポリエス
テル）の７０重量％中に分散されたビス（２−フルオロ
−グーメチルベンジルアミノフェニル）スクアライン３
０重話％から構成されており、かつ正孔輸送層２５は約
、２Ｓミクロンの厚みをもち、ポリカーブネート樹脂バ
インダー３６に分散されたＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）　−Ｃｌ　／’−ビ
フェニル）　−ｔＡ４ｔ’−２７９７３０重量％を含ん
でいる。

第１図〜第Ｓ図に関連しこの光導電性ｊ〜は式ｎ〜■に
よって特定されたスクアライン化合物を含むことができ
る。

さらにこれらの図面について説明する。支持体は市販の
ポリマーであるマイラーをはじめとする、無機または有
機ポリマー材料のような絶縁性材料の層；インジウム８
酸化物のような半導体表面層を有する有機または無機材
料のｉｌｉまたはその上にアルミニウムが配置されたも
の、あるいはアルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅な
どの導体“、性材料の層で構成することができる。支持
体は可撓性であっても硬質のものであってもよく、多く
は多数のさまざまな異なる形状、例えばプレート、円筒
ドラム、スクロール、エンドレスフレキシブルベルトな
どの形をとっている。好ましくは支持体はエンドレスフ
レキシブルベルトの形状である。

ある場合には特に支持体が有機ポリマー材料、アンチカ
ール層、例えばマクロロンとして市販されているポリカ
ーブネート材料である場合には支持体の裏側にコーティ
ングをすることが望ましいＯ支持体層の厚みは経済的な
観点も含めて多くのファクターによって決められるＯ従
ってこの層は装置に悪影響を及瞑さない限りにおいて例
えば／θ０ミル（２，ｓｌＩｍ簿）を越える十分な厚み
、あるいはＡを小の厚みとすることができる。好捷しい
一実施態様ではこの層め厚みは約３ミル（θθ７６２龍
）〜約１０ミ襲（０，２’！ｒ　’ｌ−）である。

正孔遮断金属酸化物層は酸化アルミニウムなどをはじめ
とする種々の適切な既知物質で構成することができる。

このノーの主たる目的は正孔の遮断、すなわち帯電の際
におよび帯磁の後に支持体から正孔が注入するのを阻止
することである。典型的にはこの層の厚みはＳθオンダ
スト四−ムよりも小さい。

接着剤層は、一般にポリエステル、−リピニルゾチラー
ル、ポリ−ニルピロリドンなどをはじめとするポリマー
材料で構成される。典型的にはこの層の厚みは約０６ミ
クロンより小さい。

無機光発生層は可視光に対して感光性の既知の光導電性
電荷キャリヤ発生材料で構成することができる。例えば
非晶質セレン、非晶質セレン合金、ハロゲンをドーピン
グした非晶質セレン、ハロゲンをドーピングした非晶質
セレン合金、三方晶系セレン、周期表ＩＡ族およびＬＡ
族元素の混合物、三方晶−系セレンを有する亜セレイ酸
および炭酸塩（これらのものについては、米国特許第’
Ａ２３２．／θλ号、および第各２３３．−ｇ３号を参
照されたい。）硫化カドミウム、セレン化カドミウム、
テルル化硫黄カドミウム、テルル化セレンカドミウム、
鋼および塩素をドーピングした硫化カドミウム、セレン
他力Ｐミウムおよびセレン化硫黄カドミウムなどがある
。本発明の範囲に含まれる□セレンの合金としてはセレ
ンテルル合金１．ｖ２３素合金、ヤ、レヶヤヤア素合金
および好ま□しくは塩素のようなハロゲン材料を約Ｓθ
〜約−〇θｐｐｍの量で含□む合金が拳げられる。

光発生層はまた例えば金属フタロシアニ／、金属を含ま
な゛い７′タロシアニン、バナジルフタ−シアニンなど
をはじめとする有機材料を含むビとができる。フタロシ
デエｙ′物質の例は米国特許笛体２　Ａ　、＆、　？”
９０号に記載されているのでこれを参照さゎえい。カヨ
生層。好ま、（、有、つ誓え、工はバナジルフタロシア
声ンｉよびＸ−金属を含まない７タロシアニンが挙げら
れる。　゛ユ、）ｔａ　、、）厚、、、よ−、晶、わ。

。ｉ２゜２〜ゎ１０ミクロンあるいはこれ以上であり、
好ましくは約０９ミフロン〜約３ミクロンであるが、こ
の層の厚みは主として光導′４性物質のＪｉｔに依存し
ており、その型破は、ｔ−１ｏｏ重緻％の範囲で変り得
る。一般にこのノーの厚みは、この層に対して画像また
は印刷露光工程において回けられる入射光の約デ０饅以
上を吸収するのに十分な厚みにすることが望ましい。こ
のＪＪの最大の厚みは機械的な事柄、例えばフレキシブ
ルな光応答装置が望まれているかどうかというようなフ
ァクターによって主として決定される。

本発明の光応答装置の極めて重要な層は式１１醒、２お
よびｌｖで示された新規なスクアライン化合物１構成さ
４芋光導電性ノー１あ６・０１．ら０化合物は一般にｔ
荷キャリヤ輸送ｊ−と砿子的に適合するものであり、光
によって励起きれた電荷キャリヤを輸送ノー中に注入せ
しめることができ、さら艷光４′を性′−と眠荷輸送′
ｉ″間０界面を越え１両方向に電荷キャリヤを移送させ
ることができる。

−一に光導電性層の厚みはその他の層の厚み、およびこ
の層中に含まれている光導゛成性材料の一度などのさま
ざまなファクターによって決められる。従ってこの層は
光導電性スクアライン化合物が約ＳＭ量％〜約１００Ｍ
ｋ１１％の量で存在する場合約θ０３ミクロン〜約７０
ミクロンの範囲であり、好ましくはこの層の厚みは光導
電性スクアライン化合物がこの層中に約３０重歳％在任
している場合に約０２Ｓミクロン〜約／ミクロンの範囲
である。このノｄの最大の厚みは主として機械的な、現
点、例えばフレキシブルな光応答装置が望まれているか
どうかという事柄によって決められる。

熊戟光発生材料または光導硫性材料はそれぞれのｂｌの
１００％を構成することができる。あるいはこれらの材
料は種々の適当な無機または１ｗ脂性ポリマーバインダ
ー材料中に約３重量％〜約９左京ＪＩＡ、％の量で好ま
しくは約２！ｉｔＬ量％〜約７３重通％のはで分散させ
ることができる。光発生組成物のために選択することが
できるポリマーバインダーＷ脂材料の例としては、例え
ば米国特許第３１２１００６号に記載されているような
ものが挙げられる。この特許には破りエステル、ポリビ
ニルブチラール、ホルムパール（Ｍ録商標）、ポリカル
ボネート樹脂、Ｉリビニルカルパゾール、エポキシ樹脂
、フェノキシ＃脂、特に市販のＩす（ヒドロキシエーテ
ル）樹脂などが開示されている。フルオロスクアライン
光導′１性化合物の樹脂バインダーは光発生バインダー
に関連してここに説明したものと同じバインダー材料か
ら選択することができるが、光導成性材料の樹脂バイン
ダーは一般にマクロロンとして市販されているようなポ
リカーがネート、グツドイヤーケミカルからＰＥ−２０
０として市販されているようなポリエステル、’７？リ
ビニルホルマールおよびポリビニルブチラールから選択
される。

本発明の一芙施顧様では以下に説明するジアミンのよう
な尾行キャリヤ輸送材料が光発生層または光４１戒性ｊ
錯の中に例えば約０重量％〜６０重量％の範囲の掖で導
入される。

７４１４のような電荷キャリヤ輸送層は正孔を輸送する
ことができる多数の適切な材料で構成することができる
。この層は一般に約５ミフロン〜約ＳＯミクロン、好ま
しくは約７０ミフロン〜約弘０ミクロンの範囲の厚みを
もっている。好ましい実ＩＭｒＬＱ様においてこの輸送
ＩＡけ高度に絶縁性の透明な有機樹脂バインダー中に分
散された次式で表される分子を倉んでいる。

土間式中Ｘはオルト−ｃｔ−＋５　、メタ−ＣＨ３、／
＃クラ−Ｈ３、オルト心、メタ心、ノ９う心からなる詳
から選ばれる。高度に絶縁性の樹脂は不適切な暗減衰を
防止するために少なくとも／θ１２オームー儂の固有抵
抗をもっており、必ずしも正孔の注入を支持することが
できるとは限らない材料である。

しかし絶縁性の樹脂はそれが約／θ〜りＳ重量−の上記
式に対応する置換されたＮ　、　Ｎ　、　Ｎ’、　Ｎ／
−テトラフェニル−（／、／−ビフェニル）−１゜弘′
−ジアミンを含んでいる場合には電気的に活性になる。

上記式に対応する化合物は例えばＮ　、　Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ　、　Ｎ／−ビス（アルキルフェニル）−（（
／、／−ビフェニル）　Ｑ　、　＋／−ジアミンであり
、アルキルは２−メチル、３−メチルおよびクーメチル
のようなメチル、エチル、プロピル、エチル、ヘキシル
などからなる群から選ばれる。ハロ置換基をもっている
場合、このアミンはＮ　、　Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、
　Ｎ／−ビス（ハロフェニル）−（／。

７′　−ビフェニル）　−％　、　弘’−ノアミンであ
り、ハロはコークロロ、３−クロロまたはＩＩ　−りｏ
　。

である。

電気的に不活性の樹脂に分散させて正孔を輸送するよう
な／ｉｆを形成することができる。、その他の電気的に
活性な小分子としては、ビス（クージエチルアミノーー
ーメチルフェニル）フェニルメタンＨ４ｔ’、４ｆ−ビ
ス（Ｓ）エチルアミン）−ユ／、　、！＃−ジメチルト
リフェニルメタン；ビス−＋−（ｙエチルアミノフエ・
ニル）フェニルメタン１およヒｔ。

ｙｉ　−ビス（ジエチルアミノ）−２，λ′−ジメテル
トリフェニルメタンが挙げられる。

本発明の目的が達成されるということを条件としてその
他の電荷キャリヤ輸送分子を本発明の先導Ｉ′１性装置
のために選択することができる。

＋１補送）−用の高度に絶縁性の画明な樹脂材料すなわ
ち不活性バインダー樹脂材料の例としては、米国特ｒｆ
：第３．　／　、２１００６号に記載されたような材料
が挙げられるので、と？特許を参照されたい。

有機樹脂材料の具体的な例とし不はポリカー日？ネート
、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロース
ポリマー、−リエステル、ポリシロキサン、ポリアミド
、ポリウレタンおよびエポキシならびにこれらのブロッ
クコポリマー、ランダムコポ、！マーあるいは交互コポ
リマーが挙げ？れる・好ましい（社）気的に不活性なバ
インダー材料は分子地が約２．、　ｏ、　、ｏ　ｏ、　
ｏ　〜約／　、ｑ、、、、、０．Ｃ００のポリカーゴネ
ート樹脂、であり１、分−子量が約ｓ　ｏ、　ｏ　ｏ　
ｏ〜約／　００．００θの範囲にあるものが６１芋に好
ましい。

一般に面画バインダーは上記式に対応する活性材料約１
０〜約７５車臥％、好ましくはこの材料約３３％〜約３
０％を含んでいる。

ここに示した光応答装置を用いて画像を形成する方法も
本発明の範囲に含まれる。これらの画像形成方法は一般
に画像要素上に静電潜像を形成し、この潜像を既知の現
像剤組成物で現像し、次にこの像を適当な支持体に転写
し、そこにこの像を永久的に定着する工程を含んでいる
。この装置が印刷モードにおいて使用されるような環境
においては、画像形成方法は同様の工程を含んでいるが
、露光工程が広範囲のスペクトルの白色光源ではなくレ
ーザー装置またはイメージパーによって達成される点に
おいて異なっている。後者の実ｂ＊　＋ａ　＝では赤外
光に感光性の光応答装置が選ばれる。

次に本発明の特記の好ましい実ｆｉ悪球を参照して不発
明の詳細な説明する。これらの実施態様は例示す石ごと
のみを目ｉ的と、していることが理解されなげればなら
ない。本発明はここに引用された材料、条件またはプロ
セスのパラメーターに限定されるものではない。すべて
の部および６分率は他に明記されていない限りＴＬ−ｔ
によるものである。

実施例■、　・ ５０θｖｒＡの丸底フラスコにアルドリッチケミカル製
のｍ−フルオロアニリ：／／２’Ａ７ｇ（７１２モル）
とアルドリッチケミカル・裏の〕オルトギ酸トリメチル
７７ｇ６ｇ（ｌ乙Ｕモ・ル）を入れた。次にｆ１４硫舷
ｌＡるりを混合しながら加えた。次いでフラスコを真空
ジャケット付のビグル・−蒸留カラ、ム（直＆％イン、
チ、（１９ｃｒＩＬ、）区長さ／、２インチ（３０、Ｘ
））に取付け、混合物を約／・コθＣの油浴温度で攪拌
しながら加熱した。約７７　！；　ｍｌ！、のメタノー
ルが１時間で、蒸留された。次いで浴・泥を□ゆっくり
約コθＳＣまで・上昇させその温度゛で３ｇ分保持した
。さらに約２３’、ｗｒｆｌ、の揮発性物質が゛この間
に蒸留された。、、、゛“・ 仄に反、応混合物を呈湿まで冷却゛し蒸留装）はを具申
ポンプに連結した。分離された透、′明な黄色の液状生
成物であるＮ−メチル−ｍ−フ□ルオ′口・ホルムアニ
リドを単離し、真空蒸留によって精碩すると、この化合
物／・ｏｇ、弘ｇ（収率約６３襲）が得ら□れた。この
生成物はυ／９ｍｙｎＨｇ　において約７ｇＵで沸騰す
る。

実施例■ ｉｔのフラスコに実施例Ｉで調製したＮ−メチル−ｍ−
フルオロホルムアニリドｉｏｇｙり（０，’　７１モル
）を１０％塩酸３！；Ｏｍｄｌにより２時間還流温度で
加水分解した。次に混合物を室温まで冷却し、７３％水
酸化カリウム溶液を用いて塩基性にした。生成した有機
層を次に分離した。得られた水性１Ａを先ず炭酸カリウ
ムで飽和し、次にエーテルで抽出した（λ×グ００戒）
。有機分画を合わせ、水で洗い、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。ロータリーエバ？レータ−でエーテルを除
去した後、減王蒸留を行いＮ−メチル−ｍ−フルオロア
ニリン７ム３ｇ（収率ｇ７％）を無色液体として単離し
た。この生成物は１０ｘｉＨ９で約ｇＯＣで２騰する。

Ｍｌ　マススペクトル　／Ｊｊ（Ｍ＋）計算値（Ｃ７Ｈ
ＢＮＦ　として） Ｃ，／ｘ７．１ｇ、　Ｈ，ｈｌ１４ｔ、ｒｔ、／ｌ／９
゜Ｆ、／ぷ／ざ ン則定（直　Ｃ，６′７．．２グ、　Ｈ，／＞’１３．
　Ｎ、／／３λ。

Ｆ　、　／’Ａ９２ 実施利用 実施例■で調製したＮ−メチル−ｍ−フルオロアニリン
、１ｇ、３’ｊのベンジルクロライド（θ／クモル、ア
ルドリッチケミカルＪＪ＆、）、１１９ｇの無水酢酸ナ
トリウムおよび０．　／　、２　ｇのヨウ素の混合物を
約／１０Ｃの油浴温度で／２〜／６時間〃目熱した。次
に反応混合物を室温まで冷却し約１００艷の水を入れた
２３θ戒の分液ロートに移した。

この生成物の溶液を水酸化ナトリウム溶液で塩基性にし
、次いでエーテルで抽出した（　弘Ｘ　ｇ　０ｍ１ｌ　
）。

エーテル抽出物を合わせて水洗し次いで無水硫酸マグネ
シウムで乾像した。ロータリーエバポレーターによりエ
ーテルな除去した後、真空ジャケット付のビグルー蒸留
カラムを用いて真空蒸留により生成物を単離した。生成
物Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾルーｍ−フルオロアニリンは
無色の液体として約ａ２朋Ｈｇ　において７３３〜／３
ｇＣで単離された。収ｔ２１ｇ９（約９０％）。

ＭＳ　＋　２／３　（Ｍ＋） 計算値（Ｃ１４８１４ＮＦ）として ｃ、ｑｇ、ｉｉ、Ｈ，ムＳ乙、Ｎ、ム！；／、Ｆ、ｇ、
ｇ、３測定値　Ｃ，ｌ／４．Ｈ，ム７２．Ｎ、ム！ｆダ
、Ｆ、＆り６実施例■ 実施例１で説明した操作に従い、／′７．Ｓり（０７９
モル）のＮ−メチル−ｍ−フルオロアニリン、２３、７
　ｇ（０，／　４モル）のｐ−クロロベンジルクロライ
ド（アルドリッチ）、７７９ｇの無水酢酸ナトリウムお
よび０１．２ｇのヨウ素からＮ−メチル−Ｎ−ｐ−クロ
ロベンジル−ｍ−フルオロアニリンを調製した。収率、
２ふｇ９（７グ％）沸点θ／３ｍｒｔｔＨＯにおいて／
／、、２〜／７０Ｃ１ＭＳｉ、２１１．ワ（ＶｒＦ） 計算値（０１４Ｈ１３ＮＦα）として　Ｃ２乙７３ダＩ
Ｈ，左Ｊ＆ＩＮ　、　ｌｙ／　ＩＦ　、　７４／　ｓｃ
ｌ、　／１Ａ２０測定値　Ｃ１６２亭ｊｌＨ，左コλ；
Ｎ、左、５−＆ｉＦ、’Ｚダ７エ　α、　／’Ａ、３／ 実施例■ コム３９（０２１モル）のＮ−メチル−ｍ−フルオロア
ニリン、３θＡｇ（０２７モル）のｐ−フルオロベンジ
ルクロライド（アルドリッチ）、７７ｇｇの無水酢酸ナ
トリウムおよび０．　／　ｆｆ　ｇのヨウ素から実施Ｍ
ｌの操作に従ってＮ−メチル−Ｎ−ｐ−フルオロベンジ
ル−ｍ−フルオロアニリンを調製した。収量３よｌＩり
（クコ％）、沸点／３／〜１３りＣ／θ２ｘｔｙｉＨｇ
。

Ｍｓ　：　、２３３　（Ｆｉｔ＋） 計算値（Ｃ１４’１３”２　として） Ｃ，７ＬＯ９；Ｈ，左１２＋Ｎ、ムＯθ；Ｆ、／ムコ９
測定値　Ｃ＋７２．００：Ｈ，よ６グｇ　Ｎ　１よりコ
；Ｆ、／ム／ダ 実施例■ 実施例■に記載した操作に従い、／　？！　、５ｉ−９
Ｃθ１４ｔモル）　ｆ）　Ｎ　−メｆルーｍ−フルオロ
アニリン、２３ｇ（０７９モル）のｍ−クロロベンジル
クロライド（アルドリッチＬ　ｌ／９９の無水酢酸ナト
リウムおよび０．　／　２９のヨウ素からＮ−メチル−
Ｎ−ｍ−クロロベンジル−ｍ−フルオロアニリンを調製
した。収ｊ１．ｌ１ｇ（ざ３．７％）、沸点／７２Ｃ／
θＯ？−り。

ＭＳ！コダ９　（Ｍ−）−） 計算値（Ｃ１４Ｈ１３ＮＦｃｔ１トシテ）Ｃ，４２，ｌ
、Ｈ，，１！ｒ、Ｎ、左１ｓ／。

α、／ｌＡコ０ ＋１ｊｌ定値　ｃ、ｔ、７．２０．Ｈ，！；、Ｊ９．Ｎ
、５７７ｍα、／ｌＡ弘λ 実施例■ スクアリン酸１　／４Ｌ９　（／θミリモル）と、実４
例１の操作に従って調製したＮ−メチル−Ｎ−ベンジル
−ｍ−フルオロアニリン４Ａ３／９（２゜ミリモル）を
約／３０Ｃの油浴温度でトルエン＜ｙ、ｏ戒）と／−ブ
タノール（ダθ滅）の混合物中で４流加熱した。ディー
／シュタルクトラップにより水を共沸除去した。ｇ時間
後、反応混合物を室温まで冷却した。生成物、ビス（コ
ーフルオロー弘−メチルベンジルアミノフェニル）スク
アラインを濾過して集めた。生成物をエーテルで洗浄し
、真空乾燥して緑色色素生成物０．．２４　ｇ（ｌＡ７
％）を得た。

融点　２３９．、ｔ−，２りθＳＣ 計算値Ｉ（Ｃ５２Ｈ２６Ｎ２Ｆ２ｏ２トシテ）Ｃ，７駁
Ｓ’ｆ、Ｈ左ｉｓ、Ｎ、左！；　／　ｔ　Ｆ　ａ　７り
７測定値ＩＱ、７ぷ弘３．Ｈ９左１０．Ｎ、よ４ｆｆ　
、　Ｆ　、　７．３ｇ実ｌ１１ｉ利■ １７１４９（／θミリモル）のスクアリン酸とダ３／（
ｊｃ２０ミリモル）のＮ−メチル−Ｎ−ベンジル−ｍ−
フルオロアニリンヲ約りθ＋ｍＨ９の減圧下、約１０ｋ
Ｃの油浴温度で／−ヘプタノールＳ０−中で反応させた
。ディーンシュタルクトラツゾにより水を共沸留去させ
集めた。−０時間後、混合−を室温まで冷却し、１過し
た。色素生成物をメタノールおよびエーテルで洗浄し、
真空乾燥すると／、１１ｇ９ｃ２９．１％）の緑色色素
ビス（２−フルオロ−弘−メチルペンツルアミノフェニ
ル）スクアラインが得られた。この生成物を、実施例■
の操作に従って同定を行い、実質的に同一の結果な優た
。

実施例■ Ｎ−，７１チル−Ｎ−べ／ジルーｍ−フルオロアニリン
の代わりに、実施例■の操作に従って調製したａｔ、Ａ
ｇ（約２０ミリモル）のＮ−メチル−Ｎ−ｐ−フルオロ
ベンジルアニリンを用いた他は実施例■の操作を繰返し
た。色素、ビス（２−フルオロ−グーメチル−ｐ−フル
オロベンジルアミノフェニル）スクアラインθ０！；Ｑ
（収率θり％）が得られた。

融点ｇ２０１！；−コθユＳＣ 計算値＋　（０５２８２４Ｎ２Ｆ４０２として）Ｃｍ７
０．！；ｇ、　Ｈ，帽暉、Ｎ、ゑｌダ、Ｆ、／、？、？
Ａ測定値寞 Ｃ，７０，ＡＯ，Ｈ，ＩＡ！；０．Ｎ、！；、０３．Ｆ
、／ｌＡ／７実施例Ｘ Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジル−ｍ−フルオロアニリンの代
わりに’Ａｌ、Ａ（１（２０ミリモル）のＮ−メチルー
Ｎ−ｐ−フルオロベンジルアニリンを使用した他は実施
例■の操作を繰返した。生成物、ビス（２−フルオロ−
クーメチル−ρ−７／Ｉ／オロベンジルアミノフェニル
）スクアライン１．！；７ｇ（収率λｇ％）が得られた
。この生成物を実施例９の操作に従って同定し、実質的
に同一の結果を得た。

実権例Ｘｌ Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジル−ｍ−フルオロアニリンの代
わりにダタｇ（１（２０ミリモル）のＮ−メチル−Ｎ−
ｐ−り四ロペンジルーｍ−フルオロアニリンを用いた他
は実施列■の操作な繰返した。

ビス（２−フルオロ−弘−メチル−ｐ−クロロペンジル
アミノフエニ〃）スクアライン１６ダク（収率コ＆ｔ％
）が得られた。

融点＝２弘よＳ−一ダ’ＩＯＣ 計３Ｅ値ｇ　（Ｃ５２Ｈ２４Ｎ２０ｚ１″２ｃｇ２とし
て）Ｃ１６ム３１ｓ、Ｈ，ｌＡ／？、ＮβすＳ。

Ｆ、ムｊｆ、　α、ｌユ、２ｇ 瀾定値：　ｃｔＡム！；０．　Ｈ，ｌＡ３３ｍ　Ｆ４，
４４７．ｔＡ）。

Ｆ、ムＳダ、　α、ｌユコ７ 実施例Ｘｌ Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジル−ｍ−フルオロアニリンの代
わりにｌＡｑｇｇ（コＯミリモル）のＮ−メチルーＮ−
ｍ−り日ロペＸジルーｍ−フルオロアニリンを用いた他
は実ｍ　ＰＩ　＄１の操作を繰返した。

ビス（２−フルオロ−弘−メチル−ｍ−りは四ベンジル
アミノフェニル）スクアライン０．４７　ｇ（収率１１
４％）が得られた。

融点Ｉココ０．１．−２２１１Ｃ 計算値：　（０５２８２４Ｎ２０２Ｆ２α２として）ｃ
　ｊＡム５ム、Ｈ，４Ａ／？＊　Ｎｅ侶ざＳ。

Ｆ、ムＳｇ、　０．１２．２ｇ 測定値Ｉ　Ｃ９６ム６り＊Ｈ＊’Ａ３θ、Ｎβ４６゜Ｆ
、ムクλ、α、ｌユ２ｇ 実施例　Ｘ層 光導電性材料として実施例■に従って製造したスクアラ
インを電荷輸送層として樹脂バインダー中に分散された
アミンを含む光応答装置を製造した。具体的には厚みｌ
ＳＯミクｐンの、ゴールで砂目立てしたアルミニウム支
持体を用意し、これにマルチノルクリアランスフイルム
アグリケーターを用いてＰＣＲリサーチケミカルズ（フ
ロリダ）販売のＮ−メチル−３−アミノプロビルトリメ
トキシランのエタノール溶液（／：Ｊθ容積比）の層を
、儒れたときの厚みがａ左ミル（θθ／コア龍）で塗布
することにより光応答装置を作成した。

次にこの層を室温でＳ分間乾燥し、さらに強制送風炉に
おいて／／θＣで７０分間キユアリングを行った。

次に３０重計％のビス（，２−フルオロ−弘−メチルベ
ンジルアミノフェニル）スクアラインを含む先導五層を
次のように作成した。

別々の２オンス（／＝（７ｄ）の琥珀色のビンに、θ３
３７の上Ｉ己スク゛アライン、０７タクのパイチルｐ　
Ｅ　−，２００（登録商標）（グツドイヤー製のぼりエ
ステル）、ｇｓｑの１／′８インチ（３，λ龍）のステ
ンレススチール製の散弾および、２０−のメチレンクロ
ライドを加えた。上記混合物をボールミルに２グ時間か
げた。得られたスラリーを次にマルチゾルクリアランス
フィルムアプリケータを用いて湿潤厚み／ミル（０，Ｏ
Ｊ　Ｊｔ朋）でアルミニウム支持体に塗布した。次にこ
の層をＳ分間風乾させた。得られた装置を次に強制通風
炉中／３左Ｃで４分間乾燥した。スクアライン層の乾・
操ｊ檗みは約７ミクロンであった。上記光・導電性層の
上に１荷輸送層をオーバーコートした。この電荷冶送層
は次のように作成した。

３０Ｍ量％のマクロロン（登録商標）（ラルペンサプリ
ツケンバイエルＡ、Ｇ、販売の一すカーポネー）ｍ脂）
からなる輸送層を３０重袋％のＮ　、　Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−／、／’−ビフェニルータ、グ′
−ジアミンと混合した。この溶液をメチレンクロライド
中９重碕％となるように混合した。これらの成分はすべ
て琥珀色のビンの中におかれ７容解された。ｌ昆合′吻
をマルチグルクリアランスフィルムアプリケーター（ウ
ェットギャップ厚み１５ミル（０，３ｇｗｎ））を用い
て上記スクアライン光導電性層の表面に塗布して乾燥）
ｆ−み３０ミクロンの層をつ（つた。次にこの装置な室
温で２０分間風乾しさらに強制通風炉中、／３左Ｃで乙
分間乾燥した。

次に上記光受容装置を電子写真画像試験装置妊＝ｒｈ　
込み、スチレンｎ−ブチルメタクリレート電脳を含むト
ナー粒子で現象を行い浸れた解像力をもつ高品質のコピ
ーを得た。

実施ｌ＋ｌｌＸ八′ 厚みが３ミル（ａθ７乙２騙）のアルミニウム被覆マイ
ラー支持体を用意し、これにメチレンクロライドおよび
／、／、２−トリクロロエタン（１１，１）容積比）中
０．３重量％　（Ｄｙ”：ｚ、ｆ！　ｙ　’Ａ９，００
０接着剤（デュポン製ポリエステル）の層ヲ、・寸−ド
アプリケータ−を用いて湿潤厚みθ左ミル（０，０／２
り皿）となるように塗布した。この層を室温で７分間乾
燥し、次いで強制通風炉中／θ０Ｃで７０分間乾燥した
。得られた層の乾燥厚みは０、５ミクロンであった。

１０重吐％の三方晶系セレン、ユ古重量％のＮ。

Ｎｌ−ゾ７工二ルーＮ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）　／、／’−ビフェニルー糺１１．／−ジアミンお
よびＡ、Ｓ−重量％のポリビニルカルバゾールを含む光
発生剤層を次のように作成した。

λオンスＣ４０ｙｎＡ）の琥珀色のビンにθｇｇのポリ
ビニルカルバゾールと／９己の／：／容積比のテトラヒ
ドロフジン／トルエンを入れた。次にこの溶液に３、ｇ
ｇの三方晶系セレンと１００ｇの１／８インチ（，７，
，２ｍｍ）ステンレススチールｉ＆　□ｆｆ　ヲ加えた
。次にこの混合物を７．２〜？乙時間ボールミルの上に
載せた。次に得られたスラリー、ｔｇをテトラヒドロフ
ラン対トルエン（容積比／＋　／）のム３戒に溶かした
０１ｇ９のポリビニルークルパゾールトｏ、／！ｆｇノ
Ｎ、Ｎｌ−ジフェニル−Ｎ、Ｎｌ−ビス（３−メチルフ
ェニル）ｉ、’ｉ’−ビフェニルーク、ｑ′−ジアミン
の溶液に加えた。このスラリーを次に７０分間シェーカ
ーの上に載せた。′得られたスラリーを次にパードアグ
リケーク−を用いて上記ポリエステルの界面に湿潤厚み
がθ、１ミル（θＯ／コ’７　ｒｎｘ　）となるように
塗布し、得られた層を強制通風炉中／３！；Ｃで６分間
乾燥し、乾燥厚み２０ミクロンの層を得た。３０重責ｆ
＝アビス（、！−フルオローグーメチルベンジルアミノ
フェニル）スクアラインを倉む光導通性層を実施例Ｘ鳳
　の操作を繰返すことにより作成した。この層を乾諜厚
み７ミクロンとなるように／肴−ドアグリケーターを用
いて上記光発生剤層の上に塗布した。

次に上記光導１区性１脅に次のようにして作成した１荷
輸送層をオーバーコートした。

ＳＯ重潰％のマクロロン（壁外商標）（ラルベンサプリ
ツケンバイエルＡ、Ｇ販売のＩリカーデネート彌脂）か
らなる輸送層を５０重量％のＮ、Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）　−ｉ、ｉ’　−ビフェニル−＋、＜ｔ’
−ジアミンと混合した。この溶液をメチレンクロライド
に混合し９重斂％にした。これらの成分のすべてを琥珀
色のビンの中に入れ溶解した。次に、得られた混合物を
、上記光導成性スクアライン層の表面に塗布して乾燥厚
み３０ミクロンの層を得た。この塗布はマルチノルクリ
アランスフィルムアプリケーター（湿潤ギャップ厚／Ｓ
ミルＣ０，３ｇｒｔｒａ））により行った。次に得られ
た装置な室温で２０分間風乾し、次に強制通風炉中／３
！；Ｃで乙分間乾燥した。アルミニウム被覆したマイラ
ー支持体と、三方晶系セレンの光発生ノ脅と、ビス（２
−フルオロ−弘−メチルベンジルアミノフェニル）スク
アラインの先導＞ｉ性層と、最上層として、上記アミン
のは荷幅送；コとを備えた光応答装置が得られた。

光発生層として７！重駄％のセレンと２！；１８％のテ
ルルを含むセレンテルル合金または９９９９重−風％の
セレンと０．７重量％のヒ素を含むヒ素セレン合金を選
択した他は実施例ＸＭおよび実施例ＸＩＶの操作を繰返
すことによりその他の光応答装置も作成される。

さらにスクアライン光導重性組成物としてビス（２−フ
ルオロ−グーメチル−ｐ−クロロベンジルアミノフェニ
ル）スクアライン、ビス（２−フルオロ−クーメチル−
ｐ−フルオロベンジルアミノフェニル）スクアラインお
よびビス（２−フルオロ−グーメチル−ｍ−クロロベン
ジルアミノフェニル）スクアラインを選択した他は実施
例ｘ■およびＸ■の操作を繰返すことにより光応答装置
を作成した。

実施例ＸＩおよびｘ１〜′において作成した装置の、ス
ペクトルの可視赤外領域における感光性の試験を行った
。この試験は、これらの装置をコロナ放電により一ざ０
０デルトに負に帯電させ、次いで各装置を同時に約グθ
Ｏ〜約ｔθＯＯナノメーターの波長領域の単色光に露光
させることにより行った。実施例ＸＩの光応答装置はグ
ＱＯ〜９３０ナノメーターの波長領域の光に応答し、可
視および赤外光に感光性であることを示した。実施例Ｘ
１ｖの装置は約グＯＯ〜約９５θナノメーターの波長領
域の光に優れた応答性を示し、この装置が可視光および
赤外光に対して感光性であることを示した。

さらに実沌例Ｘ　ＩＶに従って作成した光応答装置を磁
子写真画巖試験装置に組込み、スチレンｎ−ブチルメタ
クリレート樹脂を含むトナー粒子で現像し、優れた解像
力をもつ高品質のコピーを得た。

本発明を特定の好ましい実施態様を参照して説明したが
本発明がこれらに限定されることを慧図したものではな
く、むしろ当業者は種々の変形および変更が可能である
ことを認識するであろう。

このような変形および変更は本発明の精神の範囲内にあ
り、また特許請求の範囲の中に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の光応答装置の一部概略断面図
である。 １、・・、支持体、３　、、、、先導名性層、４、．６
．靭脂バインダー組成物、５．、、、正孔輸送Ｍ　ｓ７
・・・・侮脂バインダー組成物。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　ビス（コーフルオローダーメチルペンジルアミノフ
   ェニル）スクアライン１．ビス（Ｊ−フルオロ−クーメ
   チル−ｐ−クロロベンジルアミノフェニル）スクアライ
   ン、ビス（２−フルオロ−２−メチル−ｐ−フルオロベ
   ンジルアミノフェニル）スクアラインおよびビス（，２
   −フルオロ−１１−メｆルーｍ−クロロペンジルアミノ
   フ□ メチル）スクアラインからなる群から選ばれるスクアラ
   イン化合物０　・ コ　ビス（２−フルオローダーメチルペンゾルアミノフ
   ェニル）、スクアラインであ、る特許請求の範囲第１項
   記載のスクアライン化、金物。　−３、ビス（２−フル
   オロ−グーメチル−ｐ−クロロベンジルアミノフェニル
   ）スフアラインチする特許請求の範囲第、７項記載のス
   クアライン化金物。 侶　ビス（２−フルオロ−ｌ−メチル−ｐ−フルオロベ
   ンジルアミノフェニル）スクアラインである特許請求の
   範囲第１項記載のスクアライン化合物。 ぶ　ビス（λ−フルオローグーメチルーｍ−りＯロペン
   ジルアミノフェニル）スフアラインチする特許請求の範
   囲第１項記載のスクアライン化合物。 ム　１支持体、２特許請求の範囲第１項記載のスクアラ
   イン化合物を含む光導電性層、および３ジアミン正孔輸
   送層がこの順に積層されてなる改良された光応答装置。 ７１子持体、２ジアミン正孔輸送層および３特許請求の
   範囲第１項記載のスクアライン化合物を含む光導電性層
   がこの順にＭＩ？ｊされてなる改良された光応答装置。 　□ ＆　支持体が、アルミニウムまたは有機重合体である特
   許請求の範囲第Ａｍ記載の改良された光応答装置。 ９　支持体が、アルミニウムまたは有機重合体である特
   許請求の範囲第７項記載の改良された光応答装置。 １０　スクアライン化合物が約Ｓ重量％〜約９５重景％
   の量で樹脂バインダー中に分散されておシ、ジアミン正
   孔輸送材料が約１０重量％〜約７左重量％の債で樹脂バ
   インダー中に分散されている特許請求の範囲第６項記載
   の改良された光応答装置。 ／／　スクアライン化合物が約Ｓ重量％〜約９Ｓ重量％
   の隋：で樹脂バインダー中に分散されており、ジアミン
   正孔輸袴材料が約／θ重量％〜約７３重軟％の匍−で樹
   脂バインダー中に分散てれている％許情求の範囲第７　
   、ＧＪ’４記載の改良された光応答銭ＩＮ０ ／２スクアライン化合物の樹脂バインダーが、ポリエス
   テル、ポリビニルブチラール、ポリカーゴネートまたは
   ポリビニルホルマールで６す、ジアミン正孔輸送層の樹
   脂バインダーが、ポリカーボネート、ポリエステルまた
   はビニルポリマーである特許請求の範囲第７０項記載の
   改良されだ光応答装置。 ／３スクアライン化合物の樹脂バイン〆−が、ポリエス
   テル、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートまたは
   ポリビニルホルマールテアリ、ジアミン正孔輸送層の樹
   脂バインダーが、ポリカーボネート、ポリエステルまた
   はビニ四ポリマーである特許請求の範囲第１／項記載の
   改良された光応答装置。 ／ＩＩ　ジアミン組成物が、高ｒに絶縁性の透明な有機
   樹脂バインダー中に分散された次式で表される分子を含
   んでいる特許請求の範囲第６項記載の改良された光応答
   装置。 上記式中Ｘはオルト−ＣＨ５，メタ−ｃ）ｌ、　、　／
   ４’　５−ＣＨ３，オルト−α、メタ−αおよびパラ−
   αからなる群から選ばれる。 ／Ｓ−）アミン組成物が、高度に絶縁性の透明な有機樹
   脂バインダー中に分散された次式で表される分子を含ん
   でいる特許請求の範囲第７項記載の改良された光応答装
   置。 上記式中Ｘはオルト−ＣＨ３、メタ−ＣＨ３、ノ臂う−
   Ｃｔ−ｔ、、オルト−α、メタ−αおよびノやうαから
   なる群から選ばれる。 ／ム　１支持体、２金属酸化物正孔遮断層、３任意の接
   着層、４無機光発生廣、５％許請求の範囲第１項記載の
   フッ化スクアライン化合物を含む光導電性組成物および
   ６ジアミン正孔輸送層をこの順序に積層してなる改良さ
   れた光応答装置。 ７７．１支持体、２金属酸化物正孔遮断層、３任意の接
   着層、４特許請求の範囲第１項記載のフッ化スクアライ
   ン化合物を含む光導電性組成物、５無機光発生層および
   ６ジアミン正孔輸送層をこの順序に積層してなる改良さ
   れた光応答装置。　゛／ｇ、支持体が導電性金属物質ま
   たはその表面に半導体材料を任意に含んでいる絶縁性重
   合体で構成されている特許請求の範囲第１乙項記載の改
   良された光応答装置。 ／９支持体が導電性金属物質またはその表面に半導体材
   料を任意に含んでいる絶縁性重合体で構成さすしている
   特許請求の範囲第７７項記載の改良された光応答装置。 コθ導電性支持体がアルミニウムであり、半導体材料が
   透過性アルミニウム％またＬインジウム錫酸化物である
   特許請求の範囲第１ｇ項記載の改良された光応答装置。 コ／導電性支持体がアルミニウムであシ、半導体材料が
   透過性アルミニウム、またはインジウム錫酸化物である
   特許請求の範囲第７９項記載の改良された光応答装置Ｏ ｎ　ジアミン組成物が、高度に絶縁性の透明な有機樹脂
   材料中に分散された次式で表され、る分子を含んでいる
   特許請求の範囲第１乙項記載の改良された光応答装置。 上記式中Ｘはオル）−〇）’１ｇ　、メタ−ＣＨ３、ノ
   ’ラ−ＣＨ３、オルト−α、メタ−αおよびノ母う−α
   からなる群から選ばれる。 コ３ジアミン組成物が、高度に絶縁性の透明な有機樹脂
   材料中に分散された次式で表される分子を含んでいる特
   許請求の範囲第１７項記載の改良された光応答装置０ 上記式中Ｘはオルト−ＣＨｇ、メタ−ＣＩ−１３、・臂
   う−ＣＨオルト−α、メタ−αおよびノ母う−α３　％ からなる群から選ばれる。 評　ジアミン正孔輸送材料の樹脂ノ々インダーカ；、ポ
   リカーブネート、ポリエステルまたはビニルポリマーで
   ある特許請求の範囲第２．２項真己載の改良された光応
   答装置０ ．２＆　ジアミン正孔輸送材料の樹脂ノ々インダー７３
   （、ポリカーブネート、ポリエステルまたはビニルポリ
   マーである特許請求の範囲第２３工１記載の改良された
   光応答装置０ ム　ジアミンカＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス
   （３−メチルフェニル）−４％／−ビフェニル〕−％　
   ｑ’−ジアミンからなる特許請求の範囲第２２項記載の
   改良された光応答装置。 、２り　ジアミンがＮ　＊　Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ
   ’−ビス＜３−メチルフェニル）−［４／−ビフェニル
   〕−１１．ダ′−ジアミンからなる特許請求の範囲第２
   ３項記載の改良された光応答装置。 ２Ｋ　光発生層が・、セレン、ハロゲンをドーピングし
   たセレン物質、セレン合金またはハロゲンをドーピング
   したセレン合金で構成されている特許請求の範囲第２２
   項記載の改良された光応答装置ｌｏ・　・ λ９光発生層がセレン、ハロゲンをドーピングしたセレ
   ン物質、セレン合金またはハロゲンをドーピングしたセ
   レン合金で構成されている特許請求の範囲第２３項記載
   の改良された光応答装置０ ３θセレン合金がテルル化セレン、ヒ化セレンまた１テ
   ルル化ヒ化セレンで構成されている特許請求の範囲第２
   ｇ項記幀の改良された光応答装置。 ３１　セレン合金がテルル化セレン、ヒ化セレンまたは
   テルル化ヒ化セレンで構成されている特許請求の範囲第
   ２９項記載の改良された光応答装置０ ３．２　セレン合金が約ｊＯｐｐｍ〜約２００　ｐｐｍ
   の量の塩素によってドーピングされている特許請求の範
   囲第３θ項記載の改良された光応答装置。 ３．３．セレン合金が約、ｔ７ｐｐｍ〜約コθＯｐｐｍ
   の葉の塩素によってドーピングされている特許請求の範
   囲Ｍ３／項記載の改良された光応答＠侍。 ３ダ　光発生層が三方晶系セレンである特許請求の範囲
   第２２項記載の改良された光応答＠置。 ３左党発生層が三方晶系セレンである９　請求の範囲第
   ２−項記載の改良された光応答装置。 ３ｋ　光発生層が三方晶系セレンをドーピンクシタＮａ
   ２Ｓ＠０３およびＮａ２ＣＯ，で構成されている特許請
   求の範囲第２２項記載の改良された光応答装［。 ３７　光発生層が三方晶系セレンをドーピンｙシーｈＮ
   ａ２Ｓ＠０５およびＮａ２Ｃｏ５　で構成されている特
   許請求の範囲第２３項記載の改良された光応答装置θ。 ３ｇ　スクアラインがビス（，２−フルオロ−グーメチ
   ルベンジルアミノフェニル）スクアライン、ビス（２−
   フルオロ−’Ｉ−メｆルーｐ　−りｏ　。 ベンジルアミノフェニル）スクアライン、ビス（，２−
   フルオロ−クーメチル−ｐ−フルオロベンジルアミノフ
   ェニル）スクアラインおよびビス（ｃ２−フルオロ−’
   ｌ−メｆルーｍ−クロロベンジルアミノフェニル）スク
   アラインからなる群から選ばれる特許請求の範囲第１乙
   項記載の改良された光応答装置。 ３９　スクアラインがビス（２−フルオロ−クーメチル
   ベンジルアミノフェニル）スクアライン、ビス（６２−
   フルオロ−クーメチル−ｐ−クロロベンジルアミノフェ
   ニル）スクアライン、ビス（２−フルオロ−クーメチル
   −ｐ−フルオロベンジルアミノフェニル）スクアライン
   およびビス（，２−フルオロ−ｐ−メチル−ｍ−クロロ
   ベンジルアミノフェニル）スクアラインからなる群から
   選ばれる特許請求の範囲第７７項記載の改良された光応
   答装置。 ダθスクアラインがビス（２−フルオロ−グーメチルベ
   ンジルアミノフェニル）スクアライン、ビス（，２−フ
   ルオロ−ダニメチル−ｐ−クロロベンジルアミノフェニ
   ル）スクアライン、ビス（，２−フルオロ−クーメチル
   −ｐ−フルオロベンジルアミノフェニル）スクアライン
   およびビス（，２−フルオロ−クーメチル−ｍ−クロロ
   ベンジルアミノフェニル）スクアラインからなる＃イー
   から選ばれる特許請求の範囲第２．２項記載の改良され
   た光応答装置。 １１／　スクアラインがビス（−一フルオローグーメチ
   ルペンジルアミノフェニル）スクアライン、ビス（，２
   −フルオロ−クーメチル−ｐ−クロロベンジルアミノフ
   ェニル）スクアライン、ビス（２−フルオロ−グーメチ
   ル−ｐ−フルオロベンジルアミノフェニル）スクアライ
   ンおよびビス（２−フルオロ−ｚ−メチル−ｍ−りＯＯ
   ベン・ゾルアミノフェニル）スクアラインからなる群か
   ら選ばれる特許請求の範囲第、２３項記載の改良された
   光応答装置０