JPS6110540A - 新規なスクアライン化合物を含有する光応答性装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に新規なスクアライン ｒｓｑｕａｒａｉｎｅ）化合物，および該化合物を使用
する積層光応答性装置（感光装置）に関する。即ち、一
つの実施態様において、本発明は積層光応答性装置、特
にホール移動層を含む積層光応答性装置中の有機光導電
性材料として新規なスクアライン化合物を使用する。本
発明の１つの重要な特徴は、上記積層光応答性装置の感
応性を変化または高揚させてこれら装置をしてレーザー
印刷に必要な可視光線および赤外線照射に対して応答可
能にすることにある。

従って、本発明の新規なスクアライン化合物を含む積層
光応答性装置はその中に含まれる電荷キャリヤー光発生
材料の本質的な性質を赤外線および／または可視スペク
トル領域内で高めまたは減じるように機能し、それによ
ってこれらの装置を可視光線および／または赤外線波長
に感応性にする。さらに、本発明によれば、スクアライ
ン化合物の新規な製造方法が提供される。

数多くの種々の静電複写光導電性部材は公知でアシ、例
えば、ガラス質セレンのような単一材料の均質層または
光導電性化合物の分散体を含む複合積層装置がある。あ
る種の複合静電複写光導電性部材の例は、例えば、米国
特許第３，ｉユハ００４号に記載されてお９、該特許に
は電気的に絶縁性の有機樹脂バインダー中に分散した光
導電性無機化合物の微細分割粒子が開示されている。こ
の特許に示されているバインダー材料は光導電性粒子に
より発性した注入電荷キャリヤーを任意の有意の距離で
移送でき々い材料である。従って、結果として、光導電
性粒子は、循環操作に必要な電荷の消散を可能にする目
的では、粒子全体を通じて実質的に隣接した粒子一粒子
が接触した状態でなければならない。即ち、上記の光導
電性粒子の均一分散体にあっては、比較的高容量濃度の
お＼よそＳＯ容量チの光導電性材料が急速放電のための
十分な光導電体粒子−粒子接触を得るのに通常必要であ
る。この高光導電体添加ｔ＃′ｉ樹脂パインダーの物理
的持続性を破壊する結果となり、その機械的性質を著し
く減少させ得る。上記米国特許に開示された具体的なバ
インダー材料の例は、例えば、ポリカーゼネート樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂等である。

また、電荷キャリヤー発生機能または電荷キャリヤー移
動機能が独立の隣接し九各層によシ運成される無機また
は有機材料からなる光受容体も公知である。さらに、積
層光受容体材料は上記従来技術に開示されており、電気
的に絶縁性重合体のオーバコーティング層を含む。しか
しながら、静電複写技術は進歩し続けて　より厳格な要
求が性能基準を増大しかつよシ高品質の像を得るために
複写装置になされている。また、レーザー印刷に必要な
可視光線および／または赤外線イルミネーションに応答
性の積層光応答性装置が所望されている。

最近、別々の発生層、米国特許第４，コ６３．タデθ号
に記載されたような移動層、およびホール移動層で次い
で光発生層のオーバーコーテイングお上び絶縁性有機樹
脂のトップコーティングでオーバーコートされたホール
注入層（ｈｏｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔｌｎｇｌａｙｅｒ）　
　を含むオーバーコート光応答性材料（米国特許第４，
コ！；／，ｌ，Ｉｔ号）とからなる装置を包含する他の
光応答性装置が開示されている。これらの特許に開示さ
れている先発性層の例は三方晶セレンおよびフタロシア
ニン類を包含し、移動層の例は本明細書で述べるある種
のアミン類を包含する。これらの特許、即ち、米国特許
第グ．．２Ａ．５ー，７９０号および第’１．２！；／
，ＡＩＪ，号のそれぞれの記載はすべて参考として本明
細書に合体するものとする。

光発生性物質を含む積層装置を包含する光応答性装置を
記載している多くの他の特許が存在し、例えば、米国特
許第；ｔ，ｏｔｔｉ，ｉｔｔ号は導電性物質、光導電性
層、および電気的に絶縁性の重合体材料のオーバーコー
テイング層を含むオーハーコー）された像形成部材を開
示する。この部材は、例えば、最初この部材を第２の極
性の静電荷で帯電させ像形成的に露出して静電潜像を形
成すること（その後、現像して可視像を形成できる）に
より電子写真複写方法に用いる。各引続く像形成ザイク
ルの前に、上記像形成部材は上記第２の極性とは極性的
に反対の第二の極性の静電荷で荷電する仁とができる。

この第二極性の十分な追加の荷電を像形成部材を横切っ
て第二極性の網状電場を生ずるように施す。同時に、上
記第２極性のモービル電荷を上記導電性物質に電位を施
すようなことにより上記光導電性層に生ぜしめる。この
発生して可視像を形成する像形成電位は上記光導電性層
とオーバーコーテイング層を横切って存在する。

ベルギー特許第１６．７，５７０号には、少なくとも一
つの電気的に作動する層を有する電子写真部材も開示さ
れており、その第２の層は電荷キャリヤーを光発生させ
該キャリヤーを有機移動材料を含む連続活性層に注入す
ることのできる光導電性層からなり、上記有機移動性材
料は意図する用途のスペクトル領域で実質的に非吸収性
であるが、光導電性層からの光発生したホールの注入を
可能にしかつこれらのホールを上記活性層を通して移動
せしめる点で活性である。さらに、米国特許第３、θダ
／、／／ｌ、号には、基質上に含まれるガラス質セレン
層上にオーバーコートした透明グラスチック材料を含む
光導電性材料を開示している。

さらにまた、米国第グ、２３コ、１０コ号および第’１
．２３３．３ｇ３号には、炭酸ナトリウム、セレン酸ナ
トリウムでドーピングした三方晶セレンおよび炭酸バリ
ウム、セレン酸バリウムまたはその混合物でドーピング
した三方晶セレンからなる光応答性像形成性部材が開示
されている。

さらに、光応答性像形成用装置中でのある釉のスクアラ
イン顔料の使用は知られており、例えば、同時係属中の
米国出願の記載には、基質、ホールブロッキング層、任
意構成分としての接着界面層、無機光発生層、該光発生
層の本質的な性質を高揚するかあるいは減少させること
のできる光導電性組成物、およびホール移動層とを含む
改良された光応答性装置が開示されている。この装置の
ための光導電性組成物としては、種々のスクアライン顔
料を選択することができ、上記同時係属出願の第１３頁
、２／行から示されている一般式のヒドロキシスクアラ
イン化合物がある。さらに、米国特許第３１ｇユａ、ｏ
ｑｑ号には、ある種の光感応性ヒドロキシスクアライン
組成物が開示されている。

この特許の記載によれば、そのスクアライン化合物は通
常の静電写真像形成系において光感応性である。

また、″新規なスクアライン化合物を含む光導電性装置
”なる名称の同時係属中の米国出願Ｓ　Ｎ　１１９５１
／ＩＩ／ｇ３　（その記載は参考として本明細書に引用
する）には、ビス−デー（ｇ−ヒドロキシジュロリジニ
ル）スクアラインのような物質の新規スクアライン化合
物を含む光応答性装置が記載されている。この同時係属
中の米国出願に記載されているように、１つの光応答性
装置は支持部材、ホールブロッキング層、任意構成成分
の接着界面層、無機光発生層、該光発生層の本質的性質
を高揚あるいは減少させることができ上記米国出願に記
載された新規スクアライン物質からなる光導電性化合物
層、およびホール移動層とからなる。

また、この米国出願には、基質、ホールブロッキング層
、任意構成成分としての接着性または接着界面層、該米
国出願に記載されたスクアライン物質からなる、スペク
トルの赤外線および／または可視領域で光発生性層の本
質的性質を高揚あるいは減少させ得る光導電性組成物、
無機光発生性層、およびホール移動層からなる改良され
た光応答性装置を例示している。

上記のスクアライン化合物を含む光応答性装置はその意
図する目的には適しているけれども、改良された装置特
に他の新規なスクアライン物質を含む積層装置の開発が
要求され続けている。さらに、所望の感応性、低暗減衰
性、高電荷受容値を有する新規なスクアライン光発生性
材料であってそのようなスクアラインを含む装置は静電
複写像形成装置での多数回の像形成サイクルに使用でき
る材料の開発が要求され続けている。さらにまた、積層
光応答性像形成装置に用いたとき許容できる像の発生を
可能にし、かつかかる装置を機械環境または周囲条件か
らの劣下なしに多数回の像形成サイクルで謙仮り伸圧で
撥Ａ駈棉弁スク了ライン化合物が要求されている。さら
に、各層に用いた材料がそのような装置の使用者に実質
的に不活性である改良された積層像形成性部材が要求さ
れている。さらにまた、広範囲の波長に対して感応性で
、さらに赤外線により特異的に感応性であり。

それによりそのような装置をガリウム　アーセナイト９
　アルミニウム　レーザーようなレーザーを用いる多く
の像形成および印刷系での使用を可能にするオーバーコ
ート光感応性装置が要求されている。また、新規なスク
アライン化合物およびそのような化合物の簡単で経済的
に魅力のある製造方法が要求されている。また、新規な
スクアライン化合物であって光受容体に合体したとき装
置が低暗減衰を示しかつ使用したスクアライン化合物が
ホ・−ルおよび電子移動性化合物と作用し得るものが要
求されている。

発明の要約 本発明の目的は新規なスクアライン化合物およびそのよ
うな化合物の製造方法を提供することである。

本発明の他の目的は新規なスクアライン化合物を含む改
良された光応答性像形成性部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は可視光線および赤外線に対し
てパンクロマティクであり感応性の改良された光応答性
装置を提供することである。

本発明のさらに特別な目的は新規なスクアライン光感応
性顔料とホール移動層とからなる光導電性層を含む改良
されたオーバーコート（被伏型）光応答性装置を提供す
ることである。

本発明のさらに別の目的はホール移動層とその上にコー
ティングした新規スクアライン化合物を含む光導電性層
とを含む改良されたオーバーコート光応答性装置を提供
することである。

本発明の他の目的においては、ホール移動層と光発生性
層との間の新規なスクアライン化合物からガる光導電性
化合物を含む光応答性装置を提供する。

本発明の他の目的は光発生性層とそのような装置の支持
基質問にある新規なスクアライン光導電性化合物を含む
改良され九積層オーバーコート光応答性装置を提供する
ことである。

本発明の他の目的はホール移動層と新規なスクアライン
化合物から々る光導電性層間に置かれた光発生性化合物
を含む改良されたオーバーコート光応答性装置であって
赤外線および可視光線に同時に応答する装置を提供する
ことにある。

本発明のさらに別の目的はホール移動層と光発生装置か
らなる層との間に置かれた上述の新規スクアライン化合
物から々る光導電性層を含む改良されたオーバーコート
光応答性装置であって赤外線および可視光線に対して同
時に応答する装置を提供することにある。

本発明のさらに別の実施態様においては、本明細書で述
べる改良されたオーバーコート光応答性装置を用いた像
形成方法および印刷方法が提供される。

本発明のさらに別の目的においては、所望の光感応性、
低暗減衰および高電荷受容性を有する新規な種類の赤外
線感応性スクアライン化合物が提供される。

本発明のこれらおよび他の目的は新規なスクアライン化
合物およびこのような組成物を含む光応答性装置を調整
することにより達成される。その新規なスクアライン化
合物は次式を有するニ（式中、Ｒ１＋　Ｒ２およびＲ５
は、それぞれ、アルキル置換基およびアリール置換基か
らなる群から選ばれる） アルキル基の例は約１〜約２０炭素原子を含むもの、好
ましくは／〜約７の炭素原子を含むものでメチル、エチ
ル、プロビル、ブチル、ヘキシル、ペンチル、オクチル
、ノニル、ペンチル等であり、好ましいのはメチル、エ
チル、ｆロビルおよびブチルである。しかも、これらア
ルキル基は、本発明の目的を達成する限り、他の置換基
で置換することができ、これら置換基には、例えば、ハ
ロダン、アリール、ニトロ等がある。Ｒ置換基はそれぞ
れ同じアルキルであシ得るかあるいは異なるアルキル基
であり得る。すなわち、例えば、第−環構造体のＲ１は
メチル基でよく、第二の環構造体のＲ４はブチルである
。同様に、第２の環構造体上のＲ２またはＲ３がそれぞ
れメチルとプロピルであり得れば、第二の環構造体上の
ＲとＲ５はそれぞれメチルとブチルであシ得る。さらに
、Ｒ基のすべてが例えばメチル、プロピルまたはブチル
のアルキル基であり得る。

アリール基の具体的例は約６〜約コダ個の炭素原子を含
むもの、例えば、フェニル、ナフチル、アンスラシル等
であり、好ましいのはフェニルである。しかも、これら
アリール基は上述したようなアルキル基またはハロゲン
等の置換基で置換されていてもよい。アルキル置換基の
ときと同様に、各アリール基は同じ置換であシ得、即ち
、第２の環構造体上のＲ１けフェニル基であシ得、第二
の環構造体上のＲ１はまたフェニル基であり得る。

同様に、第２の環構造体上のＲ２とＲ５がフェニル基で
あシ得るならば、第二の環構造体上のＲ２とＲ５もまた
フェニル基である。また、第２の環構造体上のＲ１はフ
ェニル置換基であり、第二の環構造体上のＲ１はナフチ
ル基である。

前記一般式に含まれる本発明の新規スクアライン化合物
の具体的な特別な例としては、ビス（ダーノメチルアミ
ノーコーヒドロキシー６−メチル−フェニル）スクアラ
イン、　ビス（グージブチルアミノ−２−ヒドロキシ−
６−メチルフェニル）スクアライン、　ビス（弘−ジエ
チルアミノーコーヒドロキシ−６−メチルフェニル）ス
クアライン、　ビス（弘−エチルメチルアミノーコーエ
チル−６−ヒドロキシフェニル）スクアライン、ビス（
６−カルゲキシー弘−ジメチルアミノーコーヒドロキシ
フェニル）スクアライン、　ビス（６−カルデキシーダ
ーエチルメチルアミノーコーヒドロキシフエニル）スク
アライン、　　ビス（弘−ノメチルアミノーコーヒドロ
キシ−６−フルオロフェニル）スクアライン、　ビス（
クーエチルメチルアミノーコーヒドロキシ−６−フルオ
ロフェニル）スクアライン、　　ビス（Ｊ−１０ロー弘
−ジメチルアミノ−６−ヒドロキシフェニル）スクアラ
イン、およびビス（コークロローダーエチルメチルアミ
ノー６−ヒドロキシフェニル）スクアラインである。

上記した新規スクアライン化合物は一般にスクアリック
酸（ｓｑｕａｒｉｃ　ａｃｉｄ　：スクアリン酸）と芳
香族アミンとの反応により調製する。さらに詳しくは、
本発明の新規スクアライン化合物はスクアリック酸をｎ
−ブタノールのようなアルコールまたはトルエン中に懸
濁させ、次いで加熱することによシ調表する。次いで、
得られた混合物にジアルキルアミノメチルフェノールの
ような芳香族アミンを加える。

７つの具体的な実施態様においては、本発明の新規なス
クアライン化合物はスクアリック酸と芳香族アミンとを
約ｌ：ｌから約ｌニゲのモル比、好ましくは約／〜約２
の比で脂肪族アルコールまたはフェノールと任意成分と
しての共沸共溶剤との混合物の存在下に反応させること
によりＭ製する。０．２モルのスクアリック酸当シ約１
００ｔｄのアルコールを使用するが、０．２モルのスク
アリック酸当りＳＯθｄまでのアルコールも使用できる
。

また、約ａ（Ｈｚから約ａｏｏｏｙｔの共沸物質も使用
できる。反応は一般に約！ｒｏｏｃ〜約／３０ｏｃの温
度好ましくは約／　ＯＡ；ｏＣの温度で反応が終了する
まで攪拌しながら行う。続いて、所望生成物を濾過のよ
うな公知の方法で反応混合物から単離しＮＭＲ１質量ス
ペクトル分析、および炭素、水素およびチッ素の元素分
析を含む分析手段にょシ同足する。

アミン反応物の例には、３−ジメチルアミノ−５−メチ
ルフェノール、　３−ジブチルアミノ−５−メチルフェ
ノール、　　３−ジエチルアミノ−５−メチルフェノー
ル、　３−エチルメチルアミノ−５−メチルフェノール
、　３−ジメチルアミノ−３−エチルフェノール、　　
Ｓ−ジメチルアミン−３−ヒドロキシ安息香酸、　　３
−ジメチルアミノ−５−フルオロフェノール、　３−エ
チルメチルアミノ−５−フルオロフェノール、　３−ジ
メチルアミノ−３−クロロフェノール、　３−エチルメ
チルアミノ−５−クロロフェノール等である。

上記アミン反応物の大部分は商業的に入手可能かあるい
は文献に記載されているが、他のアミンは、芳香族アミ
ン反応物３−ブチルアミノ−Ｓ−メチルフェノールの如
く、新規な先駆体化合物であり得る。これらのアミンは
一般にオルシンのような置換レゾルシンとジメチルアミ
ンのような第二級アミンとを約ｌ：１〜約ｌ：Ｓのモル
比で反応させることにより調製できる。置換レゾルシン
１モル当シ約１モルの水を用いる。次いで、レゾルシン
とアミンとを約／３０ｏＣ〜約２００ｑＣの温度に圧力
装置内で約２〜約６時間加熱する。任意の未反応第二級
アミンを公知の方法、例えば、蒸発、蒸留または溶剤抽
出によシ除去し、得られた置換アニリン生成物を公知の
蒸留またはクロマトグラフィ技術によシ単離する。次い
でこの先駆体生成物を被磁性共鳴、質量分析および赤外
線分光分析を含む分析手段によシ同定する。

本発明の新規スクアラインの調製に用いる脂肪族アルコ
ールの具体的な例は／−ブタノール、ｌ−ペンタノール
、ｌ−オクタツール、ネオペンタノールおよびヘグタノ
ールであり、／−ブタノールが好ましく、一方便用でき
る共沸物質の具体的な例トしてはベンゼン、トルエンお
よびキシレンのような芳香族化合物が挙げられる。

本発明の新規スクアライン化合物を含む多数の積層光応
答性装置を作製できる。１つの実施態様においては、積
層光応答性装置は支持基質、ホール移動層、および該支
持基質とホール移動層間の本発明の新規なスクアライン
からなる光導電性層とからなる。本発明の他の実施態様
においては、基質、本発明の新規なスクアライン化合物
からなる光導電性層、該光導電性層と支持基質との間に
置かれたホール移動層とからなる積層光応答性装置を提
供する。さらに、本発明によれば、本発明の新規スクア
ライン化合物を含む光導電性化合物からなる印刷系に有
用な改良された光応答性装置が提供され、上記化合物は
光発生層とホール移動間ｋ［かれるかあるいは光導電性
層の新規スクアライン化合物が光発生層とそのような装
置の支持基質との間に置かれている。後者の装置におい
ては、スクアライン光導電性層は赤外線および／または
可視光線スペクトル領域内で光発生層の本質的性質を高
揚あるいは減少させる。

一つの特別の例示的実施態様においては、本発明の改良
された光応答性装置は、（１）支持基質、（２）ホール
ブロッキング層、（３）任意構成成分としての接着界面
層、（４）無機光発生層、（５）該光発生層の本質的性
質を高揚あるいは減少させ得、本発明の新規なスクアラ
イン化合物からなる光導電性化合物層、および（６）ホ
ール移動層の順序でなる。ある重要な例示的実施態様に
おいては、本発明の光応答性装置は、導電性基質、これ
と接触したホールブロッキング金属酸化物層、接着層、
この接着層上にオーバーコートした無機光発生材料、赤
外線および／または可視スペクトル領域内で光発生層の
本質的性質を高揚または減少させることができ、本発明
の新規なスクアライン化合物からなる光導電性化合物、
およびトップ層としての樹脂マトリックス内に分散せし
めたある種のジアミンからなるホール移動層からなる。

光導電性層化合物はホール移動層と接触したとき光発生
層によシ発生したホールを移動せしめることができる。

さらに光導電性層は光発生層内で発生したホールを実質
的に捕捉すべきでない。また、光導電性層はある種の波
長の光線を光発生層に浸透せしめる選択性フィルターと
して機能し得る。

別の１要な実施態様において、本発明はこれまで述べて
来たような改良された光応答性装置に関するが、たソし
光発生層の本質的性質を高揚あるいは減少させ得る光導
電性化合物は光発生層と装置内に含まれる支持基質との
間にある。従って、この変形においては、本発明の光応
答性装置は（１）基質、（２）ホールブロッキング層、
（３）任意構成成分としての接着または接着性界面層、
（４）スペクトルの赤外線および／または可視光線内で
光発生層の本質的性質を高揚または減少させ得、本発明
の新規なスクアライン化合物よシなる光導電性組成物、
（５）無機光発生層および（６）ホール移動層の順序か
らなる。

本発明の積層光応答性装置の光露出および消去は前側、
後側またはその両方から行い得る。

本発明の改良された光応答性装置は多くの公知方法で製
造でき、処理条件および各層のコーティング順序は所望
する装置による。即ち、例えば、３層光応答性装置は支
持基質上への光導電性層の真空昇華次いで溶液コーティ
ングによｐホール移動層を沈着させることによｈａ成で
きる。別の処理形態では、積層光応答性装置は、ホール
ブロッキング層と任意構成成分の接着層とを含む導電性
基質を調製し、該基質に、溶媒コーティング法。

ラミネーテイング法、または他の方法によシ、光発生層
、本発明の新規スクアライン（このスクアラインがスペ
クトルの赤外線および／または可視領域内で光発生層の
本質的性質を高揚または減じ得る）からなる光導電性化
合物およびホール移動層とを適用して調製する。

本発明の改良された光応答性装置は静電複写像形成法の
ような通常公知の方法の如き各種像形成系に合体し得る
。さらに、無機光発生層、および本発明の新規スクアラ
インからなる光導電性層を含む本発明の改良された光応
答性装置は可視光線および／または赤外線によシ像形成
系および印刷系で同時に機能できる。この実施態様にお
いては、本発明の改良された光応答性装置は負に帯電さ
せ、約ダＯＯ〜約１０θＯノナメーターの波長の光線に
同時にまたは連続的に露出させることができ、次いで得
られた像を現像し紙に転写する。この操作は多数回繰返
し得る。

本発明およびその特徴は、本発明の好ましい実施態様に
ついての以下の詳細な説明および図面によシ一層理解さ
れるであろう。

好ましい実施態様の説明 第１図には、基質１、任意構成成分としての樹脂バイン
ダー組成物４中に分散させた本発明の新規スクアライン
組成物％にビス（４−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシ
−６−メチルフェニル）スクアラインからなる光導電性
層３、および不活性樹脂バインダー組成物６中に分散さ
せた電荷キャリヤーホール移り１層５とからなる本発明
の光応答性装置を示す。

第２図は、第１図で示した装置と本質的に同じ装置を示
すが、ホール移動層が支持基質と光導電性層との間に置
かれている。第２図に関してさらに詳細に述べると、支
持基質１５、不活性樹脂バインダー組成物１８中に分散
させたホール移動組成物からなるホール移動層１７、お
よび任意構成成分としての樹脂バインダー組成物２ｏ中
に分散させた本発明の新規スクアライン組成物からなる
光導電性層１９とからなる光応答性装置を示している。

第３図は基質８、ホールブロッキング金属酸化物ｒｆ４
９、任意構成成分としての接着＃１ｏ、電荷キャリヤー
無機光発生層１１、本発明の新規スクアライン化合物か
らなりスペクトルの赤外線および／または可視光線領域
内で光発生層１１の本質的性質を高揚または減少し得る
有機光導電性化合物層１２、および電荷キャリヤー即ち
ホール移動層１４とからなる本発明の改良された光応答
性装置を示す。

第９図は第３図に示す装置と本質的に同じである装置を
示すが、光導電性層１２７′ＪＥ無機光発生層１１と基
質８間に置かれている。さらに詳しく述べると、この実
施態様の光導電性層１２は任意成分の接着層１０と無機
光発生層１１との間に置かれている。

第Ｓ図は本発明の７つの好ましい光応答性装置を示し、
基質１５は約７０θオングストロームの厚さでλθチ透
過性アルミニウムの層なその上に含む３ミルの厚さのマ
イラーがらなり、金属酸化物層１７は約コＯオングスト
ロームの厚さの酸化アルミニウムからなり、ポリエステ
ル接着＃１８はＥ、　Ｉ　、　ｄｕｐｏｎｔ　社より’
１９．０００　　ポリ“エステルとして商業的に入手可
能であり約ｏ、ｏｓ　　ミクロンの厚さＫあシ、層１９
は三方晶セレンでドーピングしたＮａ　２　Ｓ　ｅ　３
０とＮａ２ＣＯ３の１０容量チとポリビニルカルバゾー
ルバインダーｑＯ容量からなシ、光導電性層２１は約２
．２ミクロン厚で７０容量チの樹脂バインダーＦｏｒｍ
ｖａｒ　（Ｍｏｎ５ａｎｔｏ　Ｃｈｅｍｉｃａ１社より
商業的に入手可能）中に分散した３０容量チのビス（ｌ
ｌ−ノメチルアミノーコーヒドロキシ−６−メチルフェ
ニル）スクアラインからなす、ホール移動層２３は約、
２タミクロンの厚さでポリカーゲネート樹脂バインダー
中に分散した５０重量％のＮ、Ｎ’　−ノフェニルーＮ
、Ｎ’　−ビス（３−メチルフェニル）−［：／、／’
　　−１１’フエニル＋＜２゜弘′　−ノアミンからな
る。

第１図は本発明の光応答性装置のさらに別の実施態様で
あり、基質３５はΩθチ透過性アルミニウムの約７００
オングストローム層を含む３ミル厚さのマイラーよりな
り、金属酸化物ホールブロッキング層３７は約−θオン
グストローム厚の酸化アルミニウムであり、任意構成成
分の接着層３８はＥ、Ｔ　、　ｄｕ　ｐｏｎｔ社よりｑ
ｑｏθＯポリエステルとして商業的に入手可能な？リエ
ステル材料であってＯ，ＯＳミクロンの厚さであり、光
発生層３９はＡ１１ｉｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａ１社よりポ
リ（ヒドロキシエーテル）、Ｂａｋｅｌｉｔｅ　　とし
て商業的に入手可能なフェノキシ樹脂バインダー中に分
散させた３３容ｉ％の三方晶セレンからなり０．クミク
ロンの厚さを有し、光導電性層４１はＭｏｎ５ａｎｔｏ
　Ｃｈｅｍｉｃａ１社よりＦｏｒｍｖａｒＲとして商業
的に入手可能な樹脂バインダー１０容量チ中に分散させ
た３０容量−のビス（クージメチルアミノーコーヒドロ
キシ−６−メチルフェニル）からなり約０．５ミクロン
の厚すヲ有し、ホール移動層４３は約２５ミクロンの厚
さを有し５０重量％のポリカーブネート樹脂バインダ中
に分散させた３０重量−〇Ｎ、Ｎ’　　−ジフェニル−
Ｎ、Ｎ’　−ビス（３−メチルフェニル）−［：／、／
’−ビフェニル＋ｔ、ｔ′　−ノアミンからなる。

第５図は、第１図に関して記載した装置と実質的に同じ
である本発明の別の光応答性装置を示すが、アミンホー
ル移動性材料を電子移動性物質に置換えている。

第り図は実施ガタで調製した光応答性装置で生じた線グ
ラフを示す。図示するように、実施例りの光応答性装置
は約５０７ナメーター以下より約ｑ００ノナメーターの
波長領域に対し約ｔｉｏ〜約７左の所望放電割合を有し
、スペクトルの可視および赤外線領域の両方で光応答性
を示すものである。チ放電は例えば１新規スクアライン
化合物“というタイトルの同時系属米国出願ＳＮ　ｌｌ
９５，１１３７ｇ３　　に記載されているようにして得
ることができ、その記載を参考として全体的に本明細書
に引用する。

第３図に関しであるいは第弘〜７図に関して具体的に示
さなかったけれども、無機光発生層、有機光導電性層お
よび電荷キャリヤーホール移動層は一般に樹脂バインダ
ー中に分散させた各々の化金物よりなる。即ち、例えば
、無機光発生層は不活性樹脂バインダー中に分散させた
本明細書で示したような無機光発生化合物よりなる。

基質層は不透明または実質的に透明でもよく、必要な機
械的特性を有する任意の適当な材料からなる。即ち、基
質は商業的に入手できる重合体であるマイラーのような
無機または有機重合体材料のような絶縁性材料の層；イ
ンジウム・スズ酸化物またはその上に配置したアルミニ
ウムのような半導体表面＠または例えば、アルミニウム
、クロム、ニッケル、黄銅等のような導電性材料を有す
る有機提たは無機材料の層からなり得る。基質は軟質ま
たは硬質いずれでもよく多くの異なる形状、例えば、プ
レート、円筒状ドラム、スクロール（渦形）、エンドレ
ス可とう性ベルトのような形状を有する。好ましいのは
、基質はエンドレス可とう性ベルトの形状である。ある
場合、特に基質が有機重合体材料であるときは基質の裏
面を例えばＭａｋｒｏｌｏｎ　　として商業的に入手で
きるポリカーボネート材料のような抗カール層でコーテ
ィングすることが望ましい。

基質層の厚さは経済的考察を含む多くの要因による。即
ち、基質層は例えばｌｏｏミル以上の実質的厚さがある
いは系に悪影響がないならば最小の厚さであり得る。ｌ
っの好ましい実施態様においては、基質層の厚さは約３
ミル〜約／θミルの範囲である。

ホールブロッキング金属酸化物層は酸化アルミニウムそ
の他を含む各種の適当な材料からなる。

好ましい金属酸化物層は酸化アルミニウムである。

この層の王な目的はホールのブロッキングを与えること
、即ち、荷電中および荷電後の基質からのホール注入を
防止することである。典型的には、この層はＳＯオング
ストロームより薄い厚さを有する。

接着層は、典型的には、ポリエステル、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルピロリドン等を包含する重合体材料
よりなる。典型的には、この厚さは約０．３ミクロンよ
り薄い厚さを有する。

無機光発生層は可視光線に対し感応性の公知の光導電性
電荷キャリヤー発生性材料、例えば無定形セレン、無定
形セレン合金、ハロゲンでドーピングした無定形セレン
、ハロゲンでドーピングした無定形セレン合金、三方晶
セレン、三方晶セレンの亜セレン酸塩および炭酸塩（米
国特許第４、コ３ａ、ｉｏλ号および第’Ｉ、：１３．
３．Ｉｇ３号参照）、硫化カドミウム、セレン化カドミ
ウム、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム・イオ
ウ、テルル化カドミウム・イオウ、セレノテルル化カド
ミウム、銅、および塩素でドーピングした硫化カドミウ
ム、セレン化カドミウムおよびセレン化カドミウム・イ
オウ等である。本発明の範囲内に含まれるセレン合金に
はセレン・テルル合金、セレン・ひ素合金、セレン・テ
ルル・ひ素合金があり、好ましいのは約Ｓθ〜約２０θ
ｐｐｍの一：の塩素のようなハロゲン物質を含むそのよ
うな合金である。

この層は、典型的には約ｏ、ｏｓ　ミクロンへ約１０ミ
クロンまたはそれ以上、好ましくは約０．７ミフロン〜
約３ミクロンの厚さを有するが、この層の厚さは５〜／
θ０容量チで変化する光導電性物質の容量に主として依
存する。一般に、この層の厚さはこの層に像形成または
印刷露出段階で照射された照射量の約９０−以上を吸収
するのに十分な厚さを与えることが望ましい。この層の
最大厚さは、例えば、可とう性光応答性装置が望まれる
かどうかのような機械的条件の如き要因に主として依存
する。

第３〜ｇ図に特に関連する本発明の光応答性装置の極め
て重要な層は本発明の新規スクアライン化合物からなる
。これらの化合物は一般に電荷キャリヤー移動層と電子
的に適応性であり、光刺激され比電荷キャリヤーな上記
移動層に注入できるようＫまた電荷キャリヤーを光導電
性層と電荷移動層間の界面を横切る両方向に移動できる
ようにする。

一般に、光導電性層の厚さは他の各層の厚さ、および光
導電性層に含まれる光導電性物質の混合割合を含む多く
の要因による。すなわち、この層は光導電性スクアライ
ン化合物が約５〜約／θＯ容！チの量で存在するとき約
Ｏ，ＯＳミルロン〜約／θミクロンの厚さであり得、好
ましいのは光導電性スクアライン化合物が層の約３０各
景チの量で存在するとき、約Ｏ，Ｓ５〜約１ミクロンの
範囲にある０この層の最大厚さは、例えば、可とり性光
応答性装置が望まれるかどうかのような機械的条件の如
き要因に主として依存している。

無機光発生材料または光導電性材料はそれぞれの層の１
００％からなり得るか、あるいはこれらの材料は種々の
適当な無機または樹脂重合体バインダー材料中に約３容
量チ〜約９５容量チの量好ましくは約３容量チ〜約９５
容量チの量で分散させ得る。使用できる重合体バインダ
ー樹脂材料の具体的例としては例えば米国特許第、３．
／２／、ＯＯＡ号に記載されているもの（該米国特許の
記載は参考として本明細書に引用する）、ポリエステル
、ポリビニルブチラール、ＦｏｒｍｖａｒＲ、ポリカー
ボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカル
バゾール、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂（特に商業的
に入手できるポリ（ヒドロキクエーテル）樹脂等が挙げ
られる。

本発明の７つの実施態様において、後述するジアミンの
ような電荷キャリヤー移動物質を光発生層′−！たは光
導電性層に例えば、０−ＡＯ容量チの範囲の奇で合体さ
せることができる。

Ｎ４１４のような電荷キャリヤー移動層はホールを移動
させ得る数多くの適当な材料からなり得、この層は一般
に約Ｓミクロンから約５０ミクロン好ましくは約２０ミ
クロンから約９０ミクロンの範囲の厚さを有する。好ま
しい実施態様において、この移動層は高絶縁性の透明有
機樹脂バインダー中に分散させた次式を有する分子から
なる；〔式中、Ｘは（オルソ）　ＣＨ３，（メタ）　Ｃ
Ｈ５゜（）臂う）　ＣＨ５，（オルソ）Ｃｌ、（メタ）
Ｃ７，（パラ）　Ｃｌからなる群より選ばれる〕。

少なくとも１０オーム−ａの抵抗を有し望１しくない暗
減衰を防止する高絶縁性樹脂は光発生層からのホールの
注入を必ずしも支持することができずかつこれらホール
の移動を樹脂を通して行い得ない物質である。しかしな
がら、この樹脂は上記式に相応する置換Ｎ、Ｎ、Ｎ’　
、Ｎ’−テトラフェニル（／、／、−ビフェニル〕−り
、ｔ′　−ジアミンを約７０〜７５重量％含むときは電
気的に活性となる。

上記式に相応する化合物は例えばＮ、Ｎ’　−ジフェニ
ル−Ｎ、Ｎ’　−ビス（アルキルフェニル）−〔／、／
、−ビフェニル〕−り、ｑ′　−ジアミンを包含し、こ
のときアルキルはニーメチル、３−メチルおよびクーメ
チルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキ
シル等からなる群より選ばれる。塩素置換の場合は、上
記アミンはＮ。

Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’　−ビス（ハロフェニル）
−［：／、／’、−ビフェニル〕−ｉａ、り′　−ジア
ミンであり、このときハロ原子はニークロロ、３−クロ
ロまたはクークロロである。

上記電気的に不活性な樹脂に分散させてホールを移動す
る層を形成できる他の電気的に活性な小分子量物質には
、ビス（ｑ−ジエチルアミン−２−メｆルフエニル）フ
ェニルメタン；＜ｚ、＜ｚ’−ビス（ジエチルアミノ）
−２，１’　−ジメチルトリフェニルメタン；ビス−１
Ｉ（ジエチルアミノフェニル）フェニルメタン；　オＪ
：ヒｌｌ　、　ＩＩ’　　−ヒス（ジエチルアミノ）−
一１．２′　−ジメチルトリフェニルメタンがある。

本発明の目的を達成する限り、他の電荷キャリヤー移動
分子も層１４に使用できる。

電荷移＝ｈ層用の高絶縁性の透明樹脂材料、即ち不活性
バインダー樹脂材料の例は、米国特許第３、／、２／、
ＯＯＡ号に記載されているような物質であり、該米国特
許の記載は参考として本明細書に引用する。有機樹脂材
料の具体的例としては、ポリカーボネート、アクリレー
トポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポ
リエステル、Ｉリシロキサン、ポリアミド、？リウレタ
ン、エポキシ、さらにこれらのブロック、ランダムまた
は交互共重合体がある。好ましい電気的に不活性なバイ
ンダー材料は分子量（ＭＷ）約コ０，００θ〜約１００
，００θを有するポリカーボネート樹脂であり、好まし
いのは分子量約Ｓθ、０θＯ〜約１０θｏ　、　ｏｏｏ
Ｏものである。

一般に１この樹脂バインダーは上記式に相応する活性物
質約１０〜約７５重量％、好１しくは約３５〜約５０重
：ｉｉｔ％を含む。

第１図および第２図で例示した３層装置に関しては、支
持基質、ホール移動層、光導電性層および樹脂バインダ
ー、並びにそれらの厚さはこれまで述べた如くである。

さらに詳しくは、例えば、支持基質１および１５は不透
明または実質的に透明で必要な機械的特性を有する適当
な材料からなり得る。この基質は無機または有機重合体
材料のような絶縁性材料の層、導電性表面を有する有機
または無機材料の層、あるいは例えばアルミニウム、ク
ロム、ニッケル、インジウム、酸化すず、黄銅またはそ
の他のような導電性材料の層からなり得る。また、基質
上は、任意構成の層として、酸化アルミニウムのような
ホールブロッキング層および例えば、Ｇｏｏｄｙｅａｒ
　Ｃｈｅｍｉｃａ１社より商業的に入手可能なポリエス
テルのような接着層でコーティングしてもよい。基質は
軟質または硬質のいずれでもよくまた任意の多くの異な
る形状、例えハフｖ−ト、円ｆｍｐドラム、スコール、
エンドレス可とう性ベルト等でよい。好ましいのは、こ
の基質はエンドレス可とう性ベルトの形状である。

ベルトの形状にあるときは、ある場合には、例えば第１
図の装置の使用基質に接着層のコーティングを施し次い
で酸化アルミニウムの如きホールブロッキング層を施す
ことが望ましい。

第１図および第２図において、光導電性層３および１９
は、それぞれ、任意成分としての樹脂バインダー４およ
び２ｏに分散させた本発明の新規スクアライン化合物、
特にビス（ダージメチルアミノーフーヒドロキシ−２−
メチルフェニル）スクアラインからなる。これらスクア
ラインは電荷移動層と電気的に適応性のあるもので、そ
れにより光により刺激さｆ’した電荷キャリヤーを移動
層に注入させ得、また電荷キャリヤーを電荷移動層と光
発生層間の界面横切る両方向に移動させる。

本発明の光導電性スクアライン顔料は、一般に、種々の
適当な無機または有機バインダーのような樹脂バインダ
ー材料４または２ｏに約３容量チ〜約９５容量チの量で
好ましくは約コＳ容貴チ〜約７５容量係の借で分散させ
る。使用できる重合体樹脂バインダー材料の具体的例は
、例えば、米国特許第３，７２１．００６号に記載され
ているようなもの（該米国特許の記載は参考として本明
細書に引用する）、ポリエステル、ポリビニルブチラー
ル、Ｆｏｒｍｖａｒ　　、　　ｙＰ！　リカｙｆネ−ト
ａ脂（ｆｉｌｃＭａｋｒｏｌｏｎＲとして商業的に入手
可能なもの）、ポリビニルカルバゾール、エポキシ樹脂
、およびフェノキシ樹脂〔ポリ（ヒドロキシエーテル）
樹脂として商業的に入手可能〕等がある。

ホール移動層５および１７は、Ｍ３〜第ｇ図に関してこ
れまで述べたとおりである。

また、本発明の範囲にはこれまで述べた光応答性装置を
用いた像形成方法も包含される。これらの像形成方法は
一般に像形成性部材上に静電潜像を形成すること、次い
でこの潜像を現像剤組成物で現像すること、さらに像を
適当な基質陀転写し像を永久に固定することを含む。装
置を印刷方式で使用すべき状況忙おいては、像形成方法
は露出工程が広スイクトルの白色光源よりむしろレーザ
ー装置、またはイメージパー（ｉｒｎａｇｅ　ｂａｒ　
）で行なわれる以外は同じ工程を含む。後者の実施態様
においては、光応答性装置は赤外線照射に感応性である
ものが使用される。

第ｇ図は、電子移動層が使用されることを除いては第１
図で例示した装置と実質的に同じ光応答性装置である。

この実施態様においては、図面のＩＮ　５７はアミン移
動層ではなくポリカーブネート樹脂バインダーに分散さ
せた（グーブトキシカルゲニルーデーフルオレニリテン
）マロノニトリルおよびＮ、Ｎ’　−ソフェニルーＮ、
Ｎ’　　−ビス（３−メチルフェニル’）Ｃ／、／’　
　−ビフェニル〕−４，４’　−ジアミンを含む約１０
〜約３グミクロンの暉さを有する電子移動層からなる。

上記マロンニトリル電子移動物質のジアミン化合物に対
する比は約り；／に維持し、ジアミ／はポリカーデネー
）Ｋその／１当り約３．λミリモルの量で分散させる。

他の電子移動用物質は”積層光応答性装置”なる名称の
同時係属米国出願ＵＳ　ＳＮターＶ／９ｇ／ｇ３　　に
記載されているようにものを使用でき、その記載は本明
細書に参考として引用する。

本発明を以下具体的な好ましい実施態様について詳細に
述べるが、これらの実施例は単に例示することのみを意
図するものであることを理解されたい。本発明はこ＼に
記載した材料、条件または工程パラメーターに限定する
ものではなく、特に断らない限り、すべての部およびチ
は重量による。

実施例／ ゾーン−スタークトラップおよび還流コンデンサーを備
えた３θθ−三ツ−フラスコをスクアリック酸λ、３　
Ｐ　（０，０ユモル）、／−ブタノールＩ１０ｍＡおよ
びトルエン／コθ−で充した。反応混合物を１０３℃に
加熱した。約９５℃の＆［でスクアリック酸が溶解し始
めた。約３ｓ分で溶解が終つｆｒ）−”＆−，？−＝ゾ
メチルアＳノーヤーメチルフエノ−ルＡ、（１９）　（
０，０１７モル）を固形物として１回で加えた。反応温
度を／　０　！；ｃｃに反応が終るまで３時間維持した
。３−ジメチルアミノ−３−メチルフェノールを加えた
とき、無色の反応混合物は深緑色に変色し５．３０分で
０．７艷の水分がディークースタークトラップに集まっ
たとき、結晶がフラスコの底に集捷り始めた。３時間後
、０．６−の水がディークースタークトラップに集まっ
た時点で、ミリポア（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ　）　Ｌ　Ｃ
／　０ミクロンフィルター上に結晶を集めることにより
停止した。

結晶は酢酸エチルで３回洗浄した。

２９７°Ｃの分解点を有するメタリックグリーンの結晶
は重量分光分析、プロトン磁性共鳴、赤外線および化学
分析によりビス（４−ジメテルアミンーコーヒドロキシ
ー乙−メチルフェニル）スクアライン（ｓ−９ｑ　、　
７７％の収率）と同定した。

コ９７℃の分解は結晶がこの温度に達したとき緑色から
黒色したことを意味する。さらに、得られたスクアライ
ンの赤外線分析はＫＢｒ−ｓｒレットとして／Ａ／２ｃ
ｒｎ−１での吸収バンドを示した。質量ス硬りトルは３
ｇＯダルトンで分子イオンを示した。

プロトン磁気共鳴スペクトルは、）、、Ａ９，３．／、
２゜左、ｑｆｆ、　　乙、／９　および／３．３！ｒ　
ｐｐｍでプロトンシグナルを示した。

生成物は！；、３Ａの消光係数の対数によりＡＡＯノナ
メーターで塩化メチレン中での可視吸収・ぐンドを示し
た。

Ｃ２２Ｈ２ＡＮ２０３の化学分析 元　素　　　理論値　　　分析値 ＣＡｑ、Ｑ　　　　７０．θＳ Ｈ６，３ル　　　　６．ダ左 Ｎ　　　　　　７．、？Ａ　　　　　７．４’ｑ実施例
コ ディーンスタークトラップおよび還流コンデンサーを備
え７’ｃ、２θθ−三ツロフラスコをスクアリック酸、
ｚ、ｇ　ｙ　ｊθ、０２５モル）、／−ブタノール／θ
ＯｍｌおよびトルエンＡＯｒｄで充した。反応混合物を
／θＳｃｃに加熱した。約ｑｓ０ｃでスクアリック酸は
溶解し始めた。約３Ｓ分で溶解し終ったとき、３−ツメ
チルアミノ−５−メチルフェノール７、ｔａ　Ｐ　（０
，０１７９モル）を粉末として７回で加え、次いでオル
シンルモノハイドライ）　２．ｇ　ｆｔ　（０，０λモ
ル）を加えた。反応混合物を７０！；ａｃに反応が終了
する寸でグ時間維持した。３−ジメチルアミノ−ターメ
チル−フェノールを加えたとき、無色の反応混合物は深
緑色に変色した。反応が進行するにつが、反応混合物の
色は深緑色から青色に変った。２０分で０．７−の水が
ディーンースタークトラップ内に集１った。２時間後、
／、２ｍｌの水がディーンースタークトラップ内に集ま
った時点でミリがアＬＣ１０ミクロンフィルター上に結
晶を集めることにより反応を停止した。得られた結晶な
酢酸エチルで３回洗浄した。実施例／で示したのと実質
的に同じデータを与える赤外線分析および核磁気共鳴分
析によりビス（グージメチルアミノーーーヒドロキシ−
６−メチルフェニル）スクアラインとして同定したメタ
リックグリーン結晶７・７６ｇ−１収率７Ｓ％で得た。

実施例３ ／ｌの反応フラスコをスクアリック酸３／、’ｌ　５４
（０，１７ｓモル）、オルシンコ弘、、ｔ　？　（０，
１９ｇモル）および／−ヘプタツール９θＯ−で充した
。この／ｌ！フラスコをディークースタークトラップお
よび真空ポンプに連結し６θトールに減圧した。反応混
合物を１１７０℃油浴中で加熱して還流させた。

還流は反応混合物が９．２°Ｃの温度に達したとき始ま
り７・７−の水を３時間に亘ってディーノースタークト
ラップ中に集めた。３時間後、反応混合物の色は深青色
でありおびただしい量の微細緑色結晶を含んでいた。反
応混合物を１００ミフロンミリボアＬＣフイルター熱ｒ
過し、結晶を５回５０ｍ１部の酢酸エチルで洗浄した。

くすんだ緑色粉末を真空乾燥して一定重量ｇ６？（収率
ｇ２％）を得た。これらの緑色結晶を実施例／で報告し
たデータと実質的に同一のデータを与える赤外線分析お
よび核磁気共鳴分析によりビス（クーツメチルアミノ−
λ−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアラインと
して同定した。

実施例り ３００−のパール　ミニ）ｐム（Ｐａｒｒ　ｍｉｎｉｂ
ｏｍｂ）をオルシンモノハイトライ）　ｌＩ２　ｆＰ（
０，３モル）およびソーｎ−ブチルアミン／２ｇ−で充
した。

このミニゲムを密封しλ０ＯｏＣに加熱した。この温度
でミニデムの内圧をｒ−ジで調整して９０プント／平方
インチとした。−００℃でｌＩｇ時間後ミニボムを冷却
し、淡褐色シロップを薄層クロマトグラフィで分析した
。過剰のジ−ｎ−ブチルアミンをλＯトールでの蒸留に
より除去し、生成物をさらにシリカゲルカラムを通し溶
出剤として酢酸エチルを用いて精製した。生成物３−ジ
ブチルアミノ−５−メチルフェノールをＡ／％の収率：
ｑ３ｙで単離した。この物質をさらに特徴ずけることな
く次の反応に用いた。

ディーソースタークトラップと還流コンデンサーを備え
た３０θ−三ツロ反応フラスコをスクアリック酸１０．
３Ｐ　（０，（１９）モル）、ｎ−ブタノール１０θｒ
ｎｌおよびトルエン１００−で充した。

反応混合物な１０り尤に加熱した。約９ｓ℃の温度で、
スクアリック酸は溶解し始めた。約３５分で溶解し終っ
たとき、３−ジブチルアミノ−５−メチルフェノール４
ｔ、７７（０，１ｇモル）を５０−トルエン中のｌ容部
として添加した。反応温度をコ時間、反応が終了するま
で１０！’Ｃに維持した。２時間後、２．２−の水がデ
ィーノースタークトラップ中に集まり、結晶を深紫緑色
溶液から分離した。反応を反応混合物をｇｏｅｃに冷却
しミリｌ７ＬＣ１０ミクロンフィルター上に結晶な集め
ることにより停止した。生成物、ｔ、ｘ　ｙ　（収率／
／％）を質量分光分析、プロトンおよび炭素核磁気共鳴
によリヒス（クーゾプチルアミノーコーヒドロキシ−６
−メチルフェニル）スクアラインとして同定した。さら
に／６ψ（収率３θチ）をｎ−ブタノール−トルエン母
液を濃縮することにより回収できた。ビス（グージブチ
ルアミノーコーヒドロキシ−Ａ−メチルフェニル）スク
アライン３０重ス−＜クトルはｓｌＩｇダルトンで分子
イオンな示した。

炭素核磁気共鳴スペクトルはテトラメチルシランに対し
Ｉ３．ざ！ｒ、　２０．２６．２＋、９Ｊ、　３０．０
６．　ｊｔ／、ＯＡ。

ｑ７．７７、　／θデ、ｇｌ、、　／／／、／、？、　
／’Ｉ！；、、１９．　／！；左、！；’Ｉ。

Ｉ４７．３１．、、　Ｉ７１１．１ｇ　　および／ざ２
．Ａ／　ｐｐｍ　でピークを示した。一方、プロトン核
磁気共鳴スペクトルは、テトラメチルシランに対し／、
０．八＋ｔ、　／、１．、．２．Ａ。

３、／、　３．４ｔ、乙、θ、乙、λ　および／、？、
、？ｐｐｍ　　でピークを示しグ也。

実施例５ 光応答性装置を、３ミル厚のアルミニウム処理マイラー
基質を調製し次いでその上にマルチデルクリアランス（
ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｃｌｅａｒａｎｃｅ　）　　フィル
ムアプリケータでＯ１ｓミルのセット厚でアミノプロビ
ルトリメトキシシラン（フロリダのＰＣＲＲｅａｅａｒ
ｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ　　がら入手した）のエタノ
ール中波（／：左θ容量比）の層を適用することにより
調製した。次いで、この層を室温でＳ分間乾燥し次いで
強制通風炉中で７７０℃で７０分間硬化させた。続いて
、実施例／で調製したビス（クーノメチルアミノーコー
ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアライン３０重
ｆ％を含む光導電性層を次の如くして調製した。

枝分７１１オンス褐色ビンに、０．３３１の各スクアラ
イン、０．７７　ｆ／　ノＶｉｔｅｌ　ＰＥ　−：１０
０Ｒ（Ｇｏｏｄｙｅａｒ　社から入手できるポリエステ
ル）、７（１９）の７．、＜ｏ、３２５−）ステンレス
スチールショット、および／Ａ、３’ｆ　ｌｉ’のメチ
ル　エチル　ケトン／トルエン混合物（ｌＩ：／容量比
）を加えた。

得られた混合物を、２＋時間ビールミル処理した。

次いで得られたスラリーを基質にマルチグル　クリアラ
ンス　フィルム　アプリケーターでｌミルの湿潤厚さに
コーティングした。各層をＳ分間空転した。得られた装
置を７５　！；’Ｃで６分間強制通風炉中で乾燥した。

スクアライン層の乾燥厚は７ミクロンであった。

次いで、上記光導電性層を次の如くして調製した電荷移
動層でオーバーコートした： ＳＯ重！チのＭａｋｒｏｌｏｎ　（Ｌａｒｂｅｎｓａｂ
ｒｉｃｋｅｎＢａｙｅｒ　Ａ、　Ｇ、より手入できるポ
リカーブネート樹脂）からなる移動層をＳθ重ｉ％のＮ
、Ｎ’　−ノフェニルーＮ、Ｎ’　−ビス（３−メチル
フェニル）−／、／’−ビフェニルー＋、ｌＩ’　　−
ジアミンと混合した。この溶液を塩化メチレン中にデ重
ｌｔ％に混合した。これら化合物すべてを褐色ビンに入
れ溶解した。混合物を上記光導電性層の上にマルチデル
　クリアランス　フィルム　アプリケーターＣ／３ミル
湿潤隙間厚さ）を用いて３０ミクロンの乾燥厚を有する
層を与えるよう忙コーティングした。得られた装置を次
いで室温で、２θ分間空転し続いて強制送風炉中で／３
！ｃ′Ｃで６分間乾燥した。

実施例６ 光応答性装置を３ミル厚のアルミニウム処理マイラー基
質を用意し次いでこれにマルチプル　クリアランス　フ
ィルム　アプリケーターで０．５ミルの湿潤厚で３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラ／（フロツグのＰ　ＣＲ
Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｇより入手できる
）のエタノール中波（ｔ：ｓＯ容ｉ比）の層を施した。

次いでこの層を室温で３分間乾燥させ、続いて強制送風
炉で／１０ｏＣで１０分間硬化させた。実施例コで調製
したビス（Ｑ−一ノメチルアミノーコーヒドロキシ−６
−メチルフェニル）スクアライン３０重ｔ％を含む光導
電性層を次の如くして調製した。

枝分れλオンス褐色ビンに、０．３３　Ｐの各スクアラ
イン、θ、３３ノのＶ　：　ｔｅｌ　ＰＥ　−２００（
Ｇｏｏｄｙｅａｒ　社より入手できるポリエステル）、
１０１０に“　ステンレススチールショット、および／
１．．３’ｌ？のメチル　エチル　ケトン／トルエン溶
剤混合物（ダ；ｌ容量比）を入れた。混合物−ターで／
、Ｓミルの湿潤厚さにコーティングし部層をＳ分間空転
させた。得られた装置を／、？！ｃ′Ｃで６分間強制送
風炉で乾燥させた。スクアライン層の乾燥厚はｌ滓ミク
ロンであった。

次いで、上記光導電性層を次の如くして電荷移動層でオ
ーバーコートした。

５０重量％のＭａｋｒｏｌｏｎ　（Ｌａｒｂｅｎｓａｂ
ｒｉｃｋｅｎＢａｙｅｒ　Ａ、　Ｇ、から入手できるポ
リカーメネート樹脂）からなる移動層を５０重量％のＮ
　、　Ｎ’　　−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’　−ビスＣ３−
メチルフェニル）−／　、　／’　　−ビフェニルーダ
、ｌＩ′　　−ノアミンと混合した。この溶液を塩化メ
チレン中に９重量％に溶解した。これらの化合物すべて
を褐色ビンに入れ溶解した。混合物をマルチプル　クリ
アランス　フィルム　アプリケーター（７，１ミルの湿
潤隙間、ｌ＠）を用いて上記光導電性層上に３θミクロ
ンの乾燥厚を有する層を与えるようコーティングした。

次いで、得られた装置を室温で一θ分間空乾し続いて７
５タ℃でる分間強制送風炉中で乾燥した。

実姉例７ 光応答性装置を、３ミル厚のアルミニウム処理マイラー
基質を用意し次いでこれにマルチプルクリアランス　フ
ィルム　アプリケーターを用い−ｃｏ、ｓミルの湿潤厚
で３−アミノゾロピルトリメトキシシラン（フロツグの
Ｐ　ＣＲＲｅ５ｅａｒｃｈＣｈｅｒｎｉｃａ１８より入
手できる）のエタノール中波（／：Ｓθ容量比）を施す
ことにより調製した。

次いで、この層を室温でＳ分間乾燥し、さらに強制送風
炉で７７０℃で７０分間硬化させた。実施例／でｉ周與
したビス（９−ゾメチルアミノーλ−ヒドロキシ−６−
メチルフェニル）スクアライン３０重ｔチを含む光導電
性層を次の如くして調製した。

枝分れコオンス褐色ビンに、ｏ、ｕｏ　ｆＩ　の各スク
アライン、０．ｌ１０ｆのＶｉｔｅｌ　ＰＥ　−２００
Ｒ（Ｇｏｏｄｙｅａｒ　社よりのＩリエステル）、７／
１のステンレススチールショット、およ０　／２．ｇｔ
、、　ｇのメチル　エチル　ケトン／トルエン溶剤混合
物（り：／容膏比）を入れた。混合物を、２１重時間ボ
ールミル処理したのち、得られたスラリーを上記基質に
／ミルの湿潤厚さにマルチプル　クリアランス　フィル
ム　アプリケ−ターを用いてコーティングした。得られ
た層をＳ分間空転した。得られた装置を強制送風炉中で
乙分間／３左ヤで乾燥させた。スクアライン層の乾燥厚
は７ミクロンであった。

次いで、上記光導電性層を次の如くして調製した電荷移
動層でオー／４−コートした。

３０重量％のＭａｋｒｏｌｏｎ　（Ｌａｒｂｅｎｓａｂ
ｒｉｃｋｅｎＢａｙｅｒ　Ａ、　Ｇ、　よシ入手できる
ポリカーゴネート樹脂）からなる移動層をＳθ重量那の
Ｎ、Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’　−ビス＜３−メチ
ルフェニル）−／、／’−ビフェニルーク、弘′　　−
ジアミンと混合した。この溶液を塩化メチレン中に９重
量％に混合した。これら化合物のすべてを褐色ビンに入
れ溶解した。混合物をマルチプル　クリアランス　フィ
ルム　アプリケーター（／、Ｓ’ミル湿潤隙間厚）を用
いて上記光導電性層上に３０ミクロンの乾燥厚を有する
層を与えるようにコーティングした。次いで得られた装
置を室温で２０分間空乾しさらに強制送風炉で６分間／
　３Ｓｒで乾燥させた。

実施例ｇ 先受容体装置を３ミル厚のアルミニウム処理マイラー基
質を用意しそれに湿潤厚さθ、Ｓミルで塩化メチレンお
よび／、／、ｌ−トリクロロエタン（ｌｌ：／容量比）
中θ、！Ｍｍ％のＤｕＰｏｎｔ　４ｔ９，００θ接着剤
（Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社より入手できるポリエステル）の層
をマルチプル　クリアランス　フィルム　アプリケータ
ーで施すことにより調製した。湿潤厚さはθ、Ｓミルで
あった。次いで、この層を７分間室温で乾燥せしめ、７
００℃で１０分間強制送風炉で乾燥させた。得られた層
は約θ、ＯＳ　　ミクロンの乾燥厚を有していた。

Ｕｎｉｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ社より入手できるフェノキ
シバインダーＢａｋｅｌｉｔｅ　　中の３３容量チの三
方晶セレンと１３容量チのＮ、Ｎ’　　−ジフェニル−
Ｎ　、　ｍ’−ピス＜３−メチルフェニル）／、ｌ’　
　−ビフェニル−＋、＜ｃ’　−ジアミンとを含む光発
生層を次のようにして調製した。

ｔオンス褐色ビンに、／、４ＳＦの上記フェノキシ樹脂
、２／−のメチル　エチル　ケトンおよび７ｍ／酢酸メ
トキシエチルとを加えた。この溶液に３．２７の三方晶
セレンと２００２の　２“ステンレススチールショット
を加えた。この混合物を７コ〜ｑｔ時間ボールミル処理
した。このスラリーを次いで上記−ジエステル上にマル
チプル　クリアラン清子すケーターでθ、左ミルの湿潤
厚さにコーティングした。この層を／３Ａ；ｃｃで６分
間強制送風炉中で乾燥させた。

実施例／で調製したビス（ｌＩ−ジメチルアミノ−一一
ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアラインを含む
光導電性層を次のようにして調製した。

枝入れａオンス褐色ビルに、０．３３　！ｉ’の各スク
アライン、０．７７５１’のＶｉｔｅｌ　ＰＥ　−２０
０（Ｑｏｏｄｙｅａｒ社より入手できるポリエステル）
、７０１の占“　ステンレススチールショットおよヒ／
ｌ、、３’ｌ　！ｉ’のメチル　エチル　ケトン／トル
エン溶剤混合物（グ：／容量比）とを加えた。混合物を
２’１時間ボールミル処理した。次いで、得ら扛たスラ
リーを上記光発生層にマルチプル　クリアランス　フィ
ルム　アプリケーターでｌミルの湿潤厚にコーティング
した。各層を５分間空転させた。得られた装置を７５り
℃、６分間強制送風炉中で乾燥させた。スクアライン層
の乾燥厚さは７ミクロンであった。

次いで、この光導電性層を次のようにして調製した雷、
荷移動層でオーバーコートした。

ＳＯ重−１／％のＭａｋｒｏｌｏｎ　（Ｌａｒｂｅｎｓ
ａｂｒｌｃｋｅｎＢａｙｅｒ　Ａ、Ｇ、　　から入手で
きるＩリカーゲネート樹脂）からなる移動層を５０重量
−〇Ｎ、Ｎ’　−ソフェニルーＮ、Ｎ’　　−ビスＣ３
−）チルフェニル）−／、／’　　−ビフェニル−ｑ、
弘′　−ジアミンと混合した。この溶液を９重量％に塩
化メチレン中に混合した。これら化合物すべてを褐色ビ
ンに入れ溶解した。混合物を上記光導電性の上に３θミ
クロンの乾燥厚を有する層を与えるようにマルチグル　
クリアランス　フィルム　アプリケーター（／タミル湿
潤隙間厚）を用いてコーティングした。次いで、得られ
た装置を室温で、２０分間空乾しさらに／３５°Ｃ，６
分間強制送風炉中で乾燥させた。

実施例デ 厚さ７５０ミクロンのブラシ掛はアルミニウム基質（表
面をざらざらにした）を用意し次いでこれに３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン（フロリダのＰ　ＣＲＲｅ
５ｅａｒｃｈ　Ｃｈｅｒｎｉｃａｌｓがら入手できる）
のエタノール空液（／：２０容脩比）の層をθ、タミル
の湿潤厚でマルチグル　クリアランスアプリケーターに
より施すことにより光応答性装置を調製した。次いでこ
の層を室温でＳ分間乾燥せしめ、次いで強制送風炉中で
７７０℃で７０分間硬化させた。続いて３０重量％の実
施例コで調製し７たビス（ケージメチルアミノ−２−ヒ
ドロキシ−Ａ−メチルフェニル）スクアラインを含む光
導電性層を調製した。

枝分れコオンス褐色ビンに、０．３３　Ｐ（７）各スク
アライン、０．７７　！７−のＶｉｔｅｌ　ＰＥ　−２
００（ｃｏｏｄｙｅａｒ　　社より入手できるポリエス
テル）、１０７のイ　ステンレススチールショット、お
よび／、２．ｇろＪのメチル　エチル　ケトン／トルエ
ン溶剤混合物（ｌｌ；／容量比）を加えた。混合物を、
２を時間列？−ルミル処理し、得られ之スラリーを上ｇ
己ノ占′改ににマルチプル　クリアランス　フィルム　
アプリケーターでハタミルの湿潤厚さにコーティングし
た。得られた層をＳ分間空転した。

得られた装置を７５５℃で６分間強制送風炉中で乾燥さ
せた。スクアライン層の乾燥厚は／、＆ミクロンであっ
た。

この光導電性層を次のようにして調製した電荷移動層で
オーバーコーテイングした。

移動層の溶液を八０１の（ｌＩ−ブトキシカル？ニルー
デーフルオレニル）マロニトリル、０．．３ｇ１のＮ、
Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ、’Ｎ’　−ビス（３−メトキ
シフェニル）−Ｃ／、／’　　−ピフェニル〕−ｐ、ｌ
ｌ’−ノアミン、および八ｏ１のＭａｋｒｏｌｏｎを、
２０−の塩化メチレンに溶解することにょシ調製した。

次いでこの溶液をマルチプル　クリアランス　フィルム
　アプリケーターにより上記光導電性層上にコーティン
グし、強制送風炉中で／３！ｒａｃ、３θ分間乾燥した
のち７７ミクロン厚の移動層を得た。

実施例に〜ｔの各光応答性装置を、スペクトルの可視お
よび赤外線領域中での光感応性について実施例５〜ｇの
装置をコロトロンで−ｑ！ｒθ？ルトに負に荷電させ一
方実施例ヲの装置はｇ２０ボルトに正に荷電させ、次い
で各装置を約ｔｏθ〜約１０θＯナノメーターの波長領
域の単色光に同時に露出することにょシ試験した。次い
で、各装置の表面電圧をこれらの波長に露出したのち電
気プローブで測定した。各装置の光応答性を示す放電度
を続いて４川定した。

実施例５〜９の各装置は約ＩＩｏｏ〜約ｑＳＯノナメー
ターの波長領域の光に応答するのに十分な放電性を有し
、各装置について可視および赤外線の両方の光感応性を
示した。

また、実施例ｊ−ｇで調製した各光応答性装置を暗所で
ｑｓｏｚルトの表面電圧に荷電し、実施例デの装置を暗
所でｇλＱｙＷルトの表面電圧に荷電し、次いで各装置
をその表面電圧の半分に放電するのに必要なエルグ／鑞
２でのキセノンランプで供給された単色光の光エネルギ
ーの量を電気プローブで測定することにより光感応性試
験に供した。例えば／θθ以下の低放電数は本発明の装
置のすぐれた光感応性を示している０ ＩＩｏｏ〜１０Ｏノナメーターの波長では、実施例！、
Ａ、７およびｇの各装置は、それぞれ、２３．１ｇ、９
およびグの光放電数を示し、一方、ｇ３０ノナメーター
の波長で実施例に、Ａ、７゜ざおよびりの各装置は、そ
れぞれ、／θ、　ｇ　、　ｊ＋７および：１５の光放電
数を示した。

本発明を特定の好捷しい実施態様について記載して来た
けれども、それらに限定するものではなく、むしろ当業
者ならば本発明の精神および特許請求の範囲内において
種々の変形および修正が可能であることは理解できるで
あろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光応答性装置の一部断面略図である。 第２図は本発明の光応答性装置の一部断面略図である。 第３およびケスは本発明に包含される光応答性装置の一
部断面略図である。 第Ｓ図は本発明の光応答性装置の一部断面略図である。 第１図は本発明の光応答性装置の別の実施態様を示す。 第ｇ図は本発明の光応答性装置の別の実施態様を示す。 第９図は実施例！で調製した光応答性装置に対しての波
長の関数としてのチ放電を示す。 口Ｌｉ’っＩｉ”＋１＋（内τ、−に変更なし）ＦＩＧ
、／ ＦＩＧ、５

Claims (56)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、アルキル置換
   基およびアリール置換基から成る群より、それぞれ独立
   して選ばれる）を有するスクアライン化合物。
2. （２）アルキル置換基が、約１〜約２０の炭素原子を含
   有する特許請求の範囲第１項に記載のスクアライン化合
   物。
3. （３）アルキル置換基が、メチル、エチル、プロピル、
   ブチルまたはペンチルである特許請求の範囲第２項に記
   載のスクアライン化合物。
4. （４）アリール置換基が約６〜約２４の炭素原子を含有
   する特許請求の範囲第１項に記載のスクアライン化合物
   。
5. （５）アリール置換基がフェニルである特許請求の範囲
   第４項に記載のスクアライン化合物。
6. （６）Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３が約１〜約１０の炭
   素原子を含有するアルキル置換基である特許請求の範囲
   第１項に記載のスクアライン化合物。
7. （７）アルキル置換基の１つがメチルである特許請求の
   範囲第６項に記載のスクアライン化合物。
8. （８）アルキル置換基のすべてがメチルである特許請求
   の範囲第６項に記載のスクアライン化合物。
9. （９）ビス（４−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシ−６
   −メチルフェニル）スクアラインである特許請求の範囲
   第１項に記載のスクアライン化合物。
10. （１０）ビス（４−ジブチルアミノ−２−ヒドロキシ−
    ６−メチルフェニル）スクアラインである特許請求の範
    囲第１項に記載のスクアライン化合物。
11. （１１）ビス（４−ジエチルアミノ−２−ヒドロキシ−
    ６−メチルフェニル）スクアラインである特許請求の範
    囲第１項に記載のスクアライン化合物。
12. （１２）支持基質と、特許請求の範囲第１項のスクアラ
    イン化合物から成る光導電性層と、ジアミンから成るホ
    ール移動層とを、この順序で有することを特徴とする光
    応答性装置。
13. （１３）支持基質と、ジアミンから成るホール移動層と
    、特許請求の範囲第１項のスクアライン化合物から成る
    光導電性層とを、この順序で有することを特徴とする光
    応答性装置。
14. （１４）スクアライン化合物が、ビス（４−ジメチルア
    ミノ−２−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアラ
    インである特許請求の範囲第１２項に記載の光応答性装
    置。
15. （１５）スクアライン化合物が、ビス（４−ジメチルア
    ミノ−２−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアラ
    インである特許請求の範囲第１３項に記載の光応答性装
    置。
16. （１６）支持基質が、導電性金属材料から構成されるか
    、または、その表面に半導電性層を含有することがある
    絶縁性ポリマー材料から構成される特許請求の範囲第１
    ２項に記載の光応答性装置。
17. （１７）支持基質が、導電性金属材料から構成されるか
    、または、その表面に半導電性層を含有することがある
    絶縁性ポリマー材料から構成される特許請求の範囲第１
    ３項に記載の光応答性装置。
18. （１８）基質がアルミニウムであり、半導電性材料が透
    光性アルミニウムまたはインジウム・スズ酸化物である
    特許請求の範囲第１６項に記載の光応答性装置。
19. （１９）基質がアルミニウムであり、半導電性材料が透
    光性アルミニウムまたはインジウム・スズ酸化物である
    特許請求の範囲第１７項に記載の光応答性装置。
20. （２０）スクアライン化合物が約５〜約９５体積パーセ
    ントの量で樹脂バインダ中に分散されており、ホール移
    動用ジアミンが約１０〜約７５体積パーセントの量で樹
    脂バインダに分散されている特許請求の範囲第１２項に
    記載の光応答性装置。
21. （２１）スクアライン化合物が約５〜約９５体積パーセ
    ントの量で樹脂バインダ中に分散されており、ホール移
    動用ジアミンが約１０〜約７５体積パーセントの量で樹
    脂バインダに分散されている特許請求の範囲第１３項に
    記載の光応答性装置。
22. （２２）スクアライン化合物の樹脂バインダがポリエス
    テル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール
    、ポリカーボネートまたはフェノキシ樹脂であり、また
    、ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカーボネ
    ート、ポリエステルまたはビニルポリマーである特許請
    求の範囲第２０項に記載の光応答性装置。
23. （２３）スクアライン化合物の樹脂バインダがポリエス
    テル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール
    、ポリカーボネートまたはフェノキシ樹脂であり、また
    、ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカーボネ
    ート、ポリエステルまたはビニルポリマーである特許請
    求の範囲第２１項に記載の光応答性装置。
24. （２４）ジアミンが、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、オルト−ＣＨ＿３、メタ−ＣＨ＿３、パ
    ラ−ＣＨ＿３、オルト−Ｃｌ、メタ−Ｃｌおよびパラ−
    Ｃｌから成る群より選ばれる）を有し、高絶縁性で輸送
    性の有機樹脂に分散されている特許請求の範囲第１２項
    に記載の光応答性装置。
25. （２５）ジアミンが、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、オルト−ＣＨ＿３、メタ−ＣＨ＿３、パ
    ラ−ＣＨ＿３、オルト−Ｃｌ、メタ−Ｃｌおよびパラ−
    Ｃｌから成る群より選ばれる）を有し、高絶縁性で輸送
    性の有機樹脂に分散されている特許請求の範囲第１３項
    に記載の光応答性装置。
26. （２６）ジアミンがＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−
    ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１−ビフェニル〕
    −４，４′−ジアミンである特許請求の範囲第２４項に
    記載の光応答性装置。
27. （２７）ジアミンがＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−
    ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１−ビフェニル〕
    −４，４′−ジアミンである特許請求の範囲第２５項に
    記載の光応答性装置。
28. （２８）支持基質と、金属酸化物から成るホールブロッ
    キング層と、接着剤層（但し、任意構成要素）と、無機
    光発生層と、特許請求の範囲第１項のスクアライン化合
    物から成る光導電性材料と、ジアミンから成るホール移
    動層とを、この順序で有する光応答性装置。
29. （２９）支持基質と、金属酸化物から成るホールブロッ
    キング層と、接着剤層（但し、任意構成要素）と、特許
    請求の範囲第１項のスクアライン化合物から成る光導電
    性材料と、無機光発生層と、ジアミンから成るホール移
    動層とを、この順序で有する光応答性装置。
30. （３０）支持基質が、導電性金属材料から構成されるか
    、または、その表面に半導電性層を含有することがある
    絶縁性ポリマー材料から構成される特許請求の範囲第２
    ８項の光応答性装置。
31. （３１）支持基質が、導電性金属材料から構成されるか
    、または、その表面に半導電性層を含有することがある
    絶縁性ポリマー材料から構成される特許請求の範囲第２
    ９項の光応答性装置。
32. （３２）基質がアルミニウムであり、半導電性材料が透
    光性アルミニウムまたはインジウム・スズ酸化物である
    特許請求の範囲第３０項の光応答性装置。
33. （３３）基質がアルミニウムであり、半導電性材料が透
    光性アルミニウムまたはインジウム・スズ酸化物である
    特許請求の範囲第３１項の光応答性装置。
34. （３４）スクアライン化合物が約１０〜約７５体積パー
    セントの量で樹脂バインダ中に分散されており、ホール
    移動用ジアミンが約１０〜約７５体積パーセントの量で
    樹脂バインダに分散されている特許請求の範囲第２８項
    の光応答性装置。
35. （３５）スクアライン化合物が約５〜約９５体積パーセ
    ントの量で樹脂バインダ中に分散されており、ホール移
    動用ジアミンが約１０〜約７５体積パーセントの量で樹
    脂バインダに分散されている特許請求の範囲第２９項の
    光応答性装置。
36. （３６）スクアライン化合物の樹脂バインダがポリエス
    テル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール
    、ポリカーボネートまたはフェノキシ樹脂であり、また
    、ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカーボネ
    ート、ポリエステルまたはビニルポリマーである特許請
    求の範囲第３４項の光応答性装置。
37. （３７）スクアライン化合物の樹脂バインダがポリエス
    テル、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール
    、ポリカーボネートまたはフェノキシ樹脂であり、また
    、ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカーボネ
    ート、ポリエステルまたはビニルポリマーである特許請
    求の範囲第３５項の光応答性装置。
38. （３８）ジアミンが、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、オルト−ＣＨ＿３、メタ−ＣＨ＿３、パ
    ラ−ＣＨ＿３、オルト−Ｃｌ、メタ−Ｃｌおよびパラ−
    Ｃｌから成る群より選ばれる）を有し、高絶縁性で輸送
    性の有機樹脂に分散されている特許請求の範囲第２８項
    の光応答性装置。
39. （３９）ジアミンが、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、オルト−ＣＨ＿３、メタ−ＣＨ＿３、パ
    ラ−ＣＨ＿３、オルト−Ｃｌ、メタ−Ｃｌおよびパラ−
    Ｃｌから成る群より選ばれる）を有し、高絶縁性で輸送
    性の有機樹脂に分散されている特許請求の範囲第２９項
    の光応答性装置。
40. （４０）ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカ
    ーボネート、ポリエステルまたはビニルポリマーである
    。特許請求の範囲第３８項の光応答性装置。
41. （４１）ホール移動用ジアミンの樹脂バインダがポリカ
    ーボネート、ポリエステルまたはビニルポリマーである
    。特許請求の範囲第３９項の光応答性装置。
42. （４２）ジアミンがＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−
    ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１−ビフェニル〕
    −４，４′−ジアミンである特許請求の範囲第３８項の
    光応答性装置。
43. （４３）ジアミンがＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−
    ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１−ビフェニル〕
    −４，４′−ジアミンである特許請求の範囲第３９項の
    光応答性装置。
44. （４４）光発生層が、セレン、ハロゲンがドーピングさ
    れたセレン、セレン合金、または、ハロゲンがドーピン
    グされたセレン合金である特許請求の範囲第２８項の光
    応答性装置。
45. （４５）光発生層が、セレン、ハロゲンがドーピングさ
    れたセレン、セレン合金、または、ハロゲンがドーピン
    グされたセレン合金である特許請求の範囲第２９項の光
    応答性装置。
46. （４６）セレン合金が、セレン・テルル、セレン・ヒ素
    またはセレン・テルル・ヒ素である特許請求の範囲第４
    ４項の光応答性装置。
47. （４７）セレン合金が、セレン・テルル、セレン・ヒ素
    またはセレン・テルル・ヒ素である特許請求の範囲第４
    ５項の光応答性装置。
48. （４８）セレン合金が、約５０〜約２００ｐｐｍの量の
    塩素でドーピングされている特許請求の範囲第４６項の
    光応答性装置。
49. （４９）セレン合金が、約５０〜約２００ｐｐｍの量の
    塩素でドーピングされている特許請求の範囲第４７項の
    光応答性装置。
50. （５０）光発生層が三方晶セレンである特許請求の範囲
    第２８項の光応答性装置。
51. （５１）光発生層が三方晶セレンである特許請求の範囲
    第２９項の光応答性装置。
52. （５２）光発生層が、三方晶セレンでドーピングされた
    Ｎａ＿２ＳｅＯ＿３およびＮａ＿２ＣＯ＿３である特許
    請求の範囲第２８項の光応答性装置。
53. （５３）スクアライン化合物がビス（４−ジメチルアミ
    ノ−２−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアライ
    ンである特許請求の範囲第２８項の光応答性装置。
54. （５４）スクアライン化合物がビス（４−ジメチルアミ
    ノ−２−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）スクアライ
    ンである特許請求の範囲第２９項の光応答性装置。
55. （５５）ビス（４−ジエチルアミノ−２−ヒドロキシ−
    ６−メチルフェニル）スクアラインである特許請求の範
    囲第１項の光応答性装置。
56. （５６）ビス（４−ジメチルアミノ−２−エチル−６−
    ヒドロキシフェニル）スクアラインである特許請求の範
    囲第１項の光応答性装置。