JPS60140589A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPS60140589A
JPS60140589A JP58250064A JP25006483A JPS60140589A JP S60140589 A JPS60140589 A JP S60140589A JP 58250064 A JP58250064 A JP 58250064A JP 25006483 A JP25006483 A JP 25006483A JP S60140589 A JPS60140589 A JP S60140589A
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JP
Japan
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data
memory device
host system
page
bubble memory
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Pending
Application number
JP58250064A
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English (en)
Inventor
Kengo Nogai
野涯 研悟
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明はバブルメモリ装置に係り、特にデークバソファ
の有効データ数及び空のデータ数により駆動磁界の制御
を行なうバブルメモリ装置に関する。
(2)技術の背景 バブルメモリ装置は不揮発性の固体メモリ装置であり読
み出し速度も比較的速いため多くの応用が考えられる技
術として注目されている。
(3)従来技術 従来のバブルメモリコントローラは、ホストシステムと
のデータの入出力を第1図(al〜(diに示すような
タイミングを用いて行っていた。ia1図、(b)図は
データをバブルメモリに書き込む方法を示し+C1図、
cd)図はバブルメモリからデータを読み出す方法を示
している。第1図でHRはデータの読み書きを可能にす
る駆動磁界のイネーブル信号。
TDRA、RDAはそれぞれホストシステムとバブルメ
モリ装置との書き込みハンドシェイク、読み出しハンド
シェイク信号である。即ち、ホストシステムはTDRA
の信号のrrfj、認後データをバブルメモリ装置に与
え、RDAの信号の確認でデータをバブルメモリ装置か
ら読み取る。fa1図の方法では駆動磁界は与えられて
いる間にデータ転送が行われ、ホストシステムはバブル
メモリコントローラがTDRA信号をオンにする度に対
応するデータを与えなければならず、ホストシステムが
遅れて次のTDRAまでにデータを与えられない場合エ
ラーとなってしまう。これに対しく′b)図ではデータ
の転送と駆動磁界を与える時間は異なりまず1ペ一ジ分
のデータをデータバッファに読み込んだ後、駆動磁界を
与えてバブルメモリにデータを書き込む。tbt図の方
法ではホストシステムが遅れても対応できるが、コント
ローラがバブルメモリにデータの書き込みを行なってい
る間、ホストシステムは待たされることになり遅いシス
テムとなってしまう欠点があった。データの読み出しの
場合も同様に駆動磁界を与えてデータが揃う度に。
ホストシステムの読み出しを要求する(C)図の方法と
、1ペ一ジ分のデータバッファに読み込んだ後に、ホス
トシステムが読み出す(d1図の方法がある。
書き込みの時と同様にfC1図の方法はホストシステム
の処理速度が高速でなくてはならず、(d)図の方法で
はシステムが遅くなってしまうという欠点があった。ま
た、これらの方法を従来はスイッチなどを用いて切換え
ていたが、ホストシステムの処理速度の時間的な変化が
大きい時に切換えの手段がなく効率低下の原因となって
いた。
(4)発明の目的 本発明の目的はバブルメモリコントローラ内のデータバ
ッファの使用量により駆動磁界を制御することにより、
ホストシステJ6の処理速度に応じて比較的高速なデー
タ転送を可能としたバブルメモリ装置を提供するにある
(5)発明の構成 本発明はホストシステムとデータの入出力を行なうデー
タ入出力手段と、バブルメモリディバイスとの中間に位
置し、データを一時保存するデータバッファ手段と、該
データバ・ノファ手段内のデータ数とを検出する検出手
段と、メモリゾツバイスの駆動を制御する駆動制御手段
と、前記検出手段の検出値によって、前記駆動制御手段
を介して前記メモリディバイスの駆動を停止または続行
するかを制御する制御手段を有することを特徴とするバ
ブルメモリ装置を提供するものである。
(6)発明の実施例 以下図面を参照して2本発明の一実施例を説明する。
第2図は本発明によるバブルメモリ装置の構成図である
第2図で外部からのデータあるいはデータバッファ7か
らのデータを一時保持するデータレジスタ1.バブルメ
モリ装置の読み書きに関する命令を保持するコマンドレ
ジスタ2.バブルメモリ装置の動作状態を示すフラグを
格納するステータスレジスタ3.誤りの状態を示すフラ
グを格納するエラーステータスレジスフ4.ページ単位
に区分された記憶情報のページアドレスを格納するペー
ジアドレスレジスフ5,1ページ毎にカウントされるペ
ージカウントレジスタ6はホストシステムとのインタフ
ェースに用いられ、データレジスタ1はバブルメモリ1
ページ分以上のノ\・7フア批を有するデータバッファ
7に接続され、他のレジスタ2〜6はシーケンサ8に接
続される。データバッファ7は不良ループ処理回路9.
誤り訂正のためのECC回路12を通してバブルメモリ
ディバイスに接続される。不良ループバッファ10.E
CCバッファ13はそれぞれ不良ループ処理回路9、E
CC回路12を駆動するために用いられる。
タイミングジェネレーク11はバブルメモリ装置全体の
タイミングを決定する回路であり、ノ\プルコントロー
ルレジスタ14はバブルメモリプイノ−イスを制御する
レジスタである。
シーケンサ8はコマンドレジスタ2.ページアドレスレ
ジスタ5.ページカウントレジスタ6の各レジスタにホ
ストシステムより入力した値により、ハ゛プルメモリデ
ィハ′イスへの書き出し、あるいはバブルメモリディバ
イスからのデータの読み出しをデータバッファ7を介し
て行なう。
このとき、シーケンサ8はデータバッファ7から内部レ
ジスタ15を介して情報を読み比し内部レジスタの内容
を解読し、バブルコントロールレジスタ14にバブルメ
モリディバイスをイネーブル状態にするかどうかを示す
“′1”か“0”の信号を送り出す。さらにデータバッ
ファ7、不良ループ処理回路9.不良ループバッファ1
0.タイミングジェネレータ11.ECC回路12.E
CCバッファ13.バブルコントロールレジスタ14の
各回路の動作を制御する。
第2図の構成図の中で特に本発明に係る部分を。
第2図と同一部分に同一番号を付して第3図に示す。
データバッファ7は半導体メモリにより構成され、その
アドレスはマルチプレクサ31の出力で与えられる。マ
ルチプレクサ31は、データバッファ7の内容を読み出
す時のアドレスが格納されるリードカウンタ32及びデ
ータバッファにデータを書く時のアドレスが格納される
ライトカウンタ33を入力に有している。又、リードカ
ウンタ32、ライトカウンタ33のカウント値は内部レ
ジスタ15を介してシーケンサ8に入力する。シーケン
サ8は、バブルコントロールレジスタ14を介して駆動
磁界を制御するスタートストップ制御回路34を駆動す
る磁界駆動信号HRを出力する。スタートストップ制御
回路34は、バブルメモリディバイスを駆動するために
必要な磁界の位相及びタイミングを制御する回路である
データレジスタ1ば図示しないホストシステムに書き込
み可能であることを知らせる書き込みハンドシェイク信
号T D RA (Transfer Data Re
ceive Available )及びホストシステ
ムに読み出し可能であることを知らせる読み出しハンド
シェイク信号RD A (Read Data Ava
ilable )を用いてホストシステムとハンドシェ
イクで通信を行なう。
次に、第4図fa1. fblのタイミング図を用いて
第3図の回路の動作を説明する。
第4図(alは3ペ一ジ分の書き込みを行なう場合の書
き込みのタイミングを示す。+1llj図のi)は磁界
駆動信号)T Rを、ii)は書き込みハンドシェイク
信号T’D RAを、1ii)はホストシステムからの
データライトを、■)はバブルメモリ書き込み用のジェ
ネレータの動作状態をそれぞれ示す。
toT:書き込み動作を開始する。この時、データバッ
ファ7には、データは入力しておらず、リードカウンタ
32及びライト力うンタ33はデータバッファ7の同一
アl−レスを示している。シーケンサ8は、書き込みハ
ンドシェイク信号TI)RAをオンにし、ホストシステ
ムにデータ入力可能であることを示す。
ホストシステムは書き込みハンドシェイク信号TDRA
がオンであることを確認してデータレジスタ1にデータ
を書き込む。シーケンサ8はデータレジスタIにデータ
が書き込まれるとTDRAをオフにする。シーケンサ8
はマルチプレクサ31がライトカウンタ33を選択する
ように制御し、その後ライトカウンタ33の内容をアド
レスとして、データバッファ7にデータレジスタ1の内
容を転送する。この後火のデータ入力のために。
シーケンサ8はライトカウンタ33を1カウン1−アッ
プする。この動作をホストシステムから1ペ一ジ分のデ
ータを読み込むまで繰り返す。ライトカウンタ33は桁
上がりを無視してカウントアツプを行なうようにするの
でカウンタ出力が全て1の時にカウントアンプを行なう
とカウント値はOとなる。シーケンサ8は1ペ一ジ分の
データが人力されたら磁界駆動信号HRをオンにしてバ
ブルメモリへの書き込みを開始する。バブルメモリへの
書き込みはシーケンサ8がマルチプレクサ31をリード
カウンタ32側を選択するように制御した後に、リード
カウンタ32の内容をアドレスとして、データバッファ
7のデータを読み出す。読み出されたデータは不良ルー
プ処理回路9を介してバブルメモリディバイスに送られ
る。この時。
同時にバブルメモリ書き込み用ジェネレータを動作させ
ることにより、バブルメモリディバイスにデータが書き
込まれる。シーケン+8はデータバッファ7の読み出し
を行なう度に、リードカウンタ32をカウントアツプす
る。 リードカウンタ32もライトカウンタ33と同様
に桁上がりを無視してカウントを行なう。このようにし
て、3ページのうち第1ページがデータバッファ7から
バブルメモリディバイスに送られる。 この時、データ
バッファ7の読み出しと同時に第2ページのデータをポ
ストシステムから転送して同じデータバッファ7に書き
込むことができる。そのためには、もしデータバッファ
7が1ペ一ジ分の容量しかない場合にはライトカウンタ
33が、すでに1ページ目のデータがすでに読み出しが
行われてしまっているデータバッファ7のアドレスを示
している必要がある。もしデータバッファ7が1ペ一ジ
分以上である場合には、1ページ目のデータが格納され
たアドレス以外の空のデータとなっているアドレスを指
定することができる。いずれにせよ、1ページ目のデー
タが2ページ目の書き込みによって消去されないように
する必要がある。lページ目のデータの読み出しと同時
に2ページ目のデータをデータバッファ7に書き込むた
めにシーケンサ8はTDRAをオンにしてデータレジス
タ11にデータを入力した後、データバッファ7の読み
出しが行われていない時に読み出しアドレスと異なるア
ドレスにデータレジスタ1がらデータを入力する。この
ようにホストシステムからのデータの入力とバブルメモ
リディバイスへの書き込みは、アドレスとして1ボート
しかない汎用のRAMでデータバッファ7を構成する場
合は、マルチプレクサ31を用いてリードカウンタ32
゜ライトカウンタ33を切換えることによって並行して
行なうことができる。本実施例では、データバッファ7
は1ペ一ジ分の容量を持つとする。このときシーケンサ
8は1ペ一ジ分のデータがバブルメモリディバイスに書
き込まれたら(tl)内部レジスタ15を介してリード
力うフタ32.ライトカウンタ33の内容を読み込む。
ここでリードカウンタ32とライトカウンタ33の値を
比較すると、データバッファ7内のデータの数が判る。
即ち、この比較の検査によってデータバッファ7に2ペ
ージ目に相当する1ペ一ジ分の書き込みデータが存在し
ているかどうかが判る。リードカウンタ32とライトカ
ウンタ33の値の差が1ペ一ジ分のデータ長となってい
る。即ち、書き込んだデータ数が1ペ一ジ分あれば、そ
のまま駆動磁界を動作させて、1ページ目と同様に2ペ
ージ目のデータをバブルディバイスに書き出すように制
御する。同様にして2ページ目をデータバッファ7から
読み出しているときに3ページ目をデータバッファに書
き込むことができる。しかし、3ページ目のデータを、
バブルディバイスへの書き出しと平行して行なっている
時、シーケンサが出したTDRAに対しホストシステム
が他の処理を行なっていて、データライトを行わなかっ
た場合には。
バブルメモリ書き込み用ジェネレータ動作終了時。
即ち2ページ目の1ペ一ジ分のデータがバブルメモリデ
ィバイスに書き込まれた時に、データバ・7フア7内の
有効データ数は1ペ一ジ分に達していないこの時刻かも
2である。
この時シーケンサ8は、磁界駆動信号HRをオフ(Lo
w)にし、バブルメモリディバイスへのデータの書き出
しを中止する。その後、ホストシステムが応答を開始し
、1ペ一ジ分のデータがデータバッファ7に入力された
らあらたに磁界駆動信号HRをオン(旧gh)にして、
データを書き込む。
fb1図は3ペ一ジ分の読み出しを行なう場合の読み出
しのタイミングを示す。+b1図のi)は磁界駆 ゛動
信号HRを、ii)はバブルメモリディバイスからのセ
ンス出力を、1ii)は読み出しハントシェイク信号R
D Aを、 IV)はホストシステムのデータリードを
それぞれ示す。
t3で読み出し動作を開始する。この時、データバッフ
ァ7内の有効データ数はOであり、リードカウンタ32
とライトカウンタ33は同一値を示している。シーケン
サ8は、磁界駆動信号HRをオン(lligh)にして
、バブルメモリディバイスからの入力を開始する。バブ
ルメモリディバイスからデータが読み出されたセンス信
号が出力されると、シーケンサ8はデータバッファ7の
ライトカウンタ33の示すアドレスにデータを書き込み
その後ライトカウンタ33をカウントア・ノブする。
次に、データバッファ7に有効データが用意されたので
、シーケンサ8は、読み出しノ\ンドシエイク信号RD
Aをオンとし、データレジスタ1にリードカウンタ32
で示されるアドレスのデータを転送する。ホストシステ
ムがデータリードを行なうと同時に、ハンドシェイク信
号RDAをオフとして、その後リードカウンタ32をカ
ウントア・ノブする。パブ)レメモリから1ペ一ジ分の
全てのデータを読み終った時刻、即ち、データバ・ノフ
ァに1ペ一ジ分のデータを書き込んだ時刻t4で、内部
レジスタ15を介してデータバッファ内の空のデータ数
をリードカウンタの値をみることによって検査する。t
4では1ペ一ジ分のデータが全てホストシステムに読ま
れているので磁界駆動信号HRを引き続き与えて9次の
2ページ目のページのバブルメモリからデータを読み込
む。しかし。
このページにおいて、シーケンサ8が読み出しノ\ンド
シエイク信号RDAをオンとしても、ホストシステムが
データリードを行わなかった場合が図には示されそいる
。この時シーケンサ8は、バブルメモリディバイスから
のセンス出力によって。
データバッファ7に読み出しデータを格納して。
1ペ一ジ分のデータを読み終えた時(t5)に内部レジ
スタ15を介して、データバッファ7の空データ数をり
−lカウンタの値をみることによって検査する。ここで
は空データが1ページ分無いので磁界駆動信号HRをオ
フ(Low)として、バブルメモリからのデータの読み
出しを中止する。
その後、ホストシステムがデータリードを行って1ペ一
ジ分のデータが転送された後、磁界駆動信号HRをオン
(Iligh)として3ページ目のデータの読み込みを
同様に行なう。
以上本発明の一実施例を図面を参照して説明したが1本
発明はこの実施例に限るものではなく。
他の実施例として例えば、有効データ数、空データ数が
1ペ一ジ分以上のある一定値になった場合において磁界
駆動を制御する方式など1本発明の範囲内で変形しても
同様の効果を有する。
(7)発明の効果 以上、説明したように9本発明によれば、バブルメモリ
装置において、ホストシステムの処理が遅れた場合にも
データを失うことなく高速のデータ転送が可能なバブル
メモリ装置を得ることができる。即ち、ホストシステム
の処理速度が時間的に大きく変化しても、データが失わ
れたり、ホストシステムが長く待たされることのない使
い易いバブルメモリ装置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来方法によるバブルメモリ装置の駆動タイ
ミング図、第2図は2本発明のノープルメモリ装置の構
成図、第3図は本発明に係る部分の詳細な構成図、第4
図は本発明によるバブルメモリ装置を駆動するタイミン
グ図をそれぞれ示す。 1・・・データレジスタ 7・・・データバッファ 3
2・・・リードカウン タ 33・・・ライトカウンタ 8・・・シーケンサ 34・・・ス タート・ストップ制御回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ホストシステムとデータの入出力を行なうデータ
    入出力手段と、メモリディバイスとの中間に位置し、デ
    ータを一時保存するデータバッファ手段と、該データバ
    ッファ手段内のデータ数とを検出する検出手段と、メモ
    リディバイスの駆動を制御する駆動制御手段と、前記検
    出手段の検出値によって、前記駆動制御手段を介して前
    記メモリディバイスの駆動を停止するかまたは続行する
    かを制御する制御手段を有することを特徴とするメモリ
    装置。
  2. (2)前記メモリディバイスがバブルメモリディバイス
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のメ
    モリ装置。
  3. (3)前記データバッファ手段が、記憶手段と2つの計
    数手段により構成されることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のメモリ装置。
  4. (4)前記検出手段が、前記2つの計数手段の計数値を
    読み出すことによって有効データ数あるいは空のデータ
    数を調べることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のメモリ装置。
JP58250064A 1983-12-28 1983-12-28 メモリ装置 Pending JPS60140589A (ja)

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JP58250064A JPS60140589A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 メモリ装置

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JP58250064A JPS60140589A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 メモリ装置

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JPS60140589A true JPS60140589A (ja) 1985-07-25

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