JPS60131895A - ウイスカの製造方法 - Google Patents
ウイスカの製造方法Info
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- JPS60131895A JPS60131895A JP58238492A JP23849283A JPS60131895A JP S60131895 A JPS60131895 A JP S60131895A JP 58238492 A JP58238492 A JP 58238492A JP 23849283 A JP23849283 A JP 23849283A JP S60131895 A JPS60131895 A JP S60131895A
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- JP
- Japan
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- whiskers
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- fibers
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野〕
本発明は、気相法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｑ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりセラミックウィスカ等のウ
ィスカを製造する方法に関する。
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりセラミックウィスカ等のウ
ィスカを製造する方法に関する。
ここでウィスカは、ひけ結晶とよばれ、径がミクロン単
位の針状又は棒状の結晶であり、欠陥が少ないため極め
て大きな強度をもつ。例えば、太さが数ミクロンの炭化
珪素のウィスカは、−平方レンチソー１−ルあたり１’
０．０Ｏｋｏもの引張強さを示す。
位の針状又は棒状の結晶であり、欠陥が少ないため極め
て大きな強度をもつ。例えば、太さが数ミクロンの炭化
珪素のウィスカは、−平方レンチソー１−ルあたり１’
０．０Ｏｋｏもの引張強さを示す。
近時、気相法によってウィスカを製造する方法が提供さ
れている。この製造方法では、反応容器内に設けられた
基体表面に原料ガスを導入、加熱し、該原料ガスを熱分
解又は還元等りることによって、基体表面上にウィスカ
を生成させる。しかしながら、この製造方法は学術ｔｉ
ｌ＋究として用いられる方法であり、ウィスカの生産量
は極めて少なく、かつ製造コストも＾い。従ってウィス
カは極めて大きな強度をもつ右利性にもかかわらず、そ
の二１−業的利用には限界がある。そのため産業界でｔ
Ｊｌウィスカの生産性を向上させ、これにより製造二」
ストを低下さＵるための研究が行なわれている。
れている。この製造方法では、反応容器内に設けられた
基体表面に原料ガスを導入、加熱し、該原料ガスを熱分
解又は還元等りることによって、基体表面上にウィスカ
を生成させる。しかしながら、この製造方法は学術ｔｉ
ｌ＋究として用いられる方法であり、ウィスカの生産量
は極めて少なく、かつ製造コストも＾い。従ってウィス
カは極めて大きな強度をもつ右利性にもかかわらず、そ
の二１−業的利用には限界がある。そのため産業界でｔ
Ｊｌウィスカの生産性を向上させ、これにより製造二」
ストを低下さＵるための研究が行なわれている。
（発明の目的）
本発明は上記した従来技術に鑑み成されたものである。
従って、本発明の目的は、生産性が向上したウィスノＪ
の製造方法を提供１−るにある。
の製造方法を提供１−るにある。
木発明者は上記した目的のもとに鋭意研究した結果、基
体の表面積を大ぎくずれば、ウィスカの生成■が著しく
増りことを発見した。本発明はこの発見に基づいてなさ
れたものである。
体の表面積を大ぎくずれば、ウィスカの生成■が著しく
増りことを発見した。本発明はこの発見に基づいてなさ
れたものである。
本発明のウィスカの製造方法は、反応容器内に設【ノら
れた基体表面に原料ガスを導入、加熱し、該原料ガスよ
り該基体表面上にウィスカを生成させるウィスカの製造
方法において、 該基体は繊維または粒子の集合体であることを特徴とす
るウィスカの製造方法である。
れた基体表面に原料ガスを導入、加熱し、該原料ガスよ
り該基体表面上にウィスカを生成させるウィスカの製造
方法において、 該基体は繊維または粒子の集合体であることを特徴とす
るウィスカの製造方法である。
本発明の主たる構成要素である基体は、繊維または粒子
の集合体である。繊維や粒子の数は、生成するウィスカ
の種類、ウィスカ生成量等によって種々設定１−る。
の集合体である。繊維や粒子の数は、生成するウィスカ
の種類、ウィスカ生成量等によって種々設定１−る。
このように本発明の基体は繊維又は粒子の集合体から構
成されているため、該基体の表面積は従来の平板状又は
円筒状の基体の表−面積に比べて七しく大きくなってい
る。又本発明の基体は繊維又は粒子の集合体から構成さ
れているため、繊維又は粒子の大きさによっては、基体
の内部に通気のための空隙を形成することができる。従
って基体を反応容器内に充填しても、該基体内部の空隙
を介して原料ガスを基体内に流通さじることがＣぎる。
成されているため、該基体の表面積は従来の平板状又は
円筒状の基体の表−面積に比べて七しく大きくなってい
る。又本発明の基体は繊維又は粒子の集合体から構成さ
れているため、繊維又は粒子の大きさによっては、基体
の内部に通気のための空隙を形成することができる。従
って基体を反応容器内に充填しても、該基体内部の空隙
を介して原料ガスを基体内に流通さじることがＣぎる。
椎体の単位体積当りの体積含有率は３〜１０％程度が望
ましい。基体のかさ密度が小さすぎるとＪ、ル体の表面
積があまり人きくならずウィスカ生成量が抑えられ、又
基体のかさ密度が大きくなり！Ｊざると、１１４１；！
ｌガスを基体内部の空隙に流通させたどきに該原料ガス
の流量が低下するからである。
ましい。基体のかさ密度が小さすぎるとＪ、ル体の表面
積があまり人きくならずウィスカ生成量が抑えられ、又
基体のかさ密度が大きくなり！Ｊざると、１１４１；！
ｌガスを基体内部の空隙に流通させたどきに該原料ガス
の流量が低下するからである。
基体を構成する繊維としては知４Ｍ紐、長繊紺のいずれ
も用いることができる。繊維の直径は数μ程度がよく、
また、繊維の長さは数百μから数十ミリ程度が望ましい
。このような直径、長さの繊維を用いた場合には、従来
用いていた平板状又は円筒状の基体に比べて表面積は著
しく大きくなる。
も用いることができる。繊維の直径は数μ程度がよく、
また、繊維の長さは数百μから数十ミリ程度が望ましい
。このような直径、長さの繊維を用いた場合には、従来
用いていた平板状又は円筒状の基体に比べて表面積は著
しく大きくなる。
例えば−上記した繊維の体積含有率を１％とり−ると従
来の基体に比べて表面積は５倍程度と４すり、上記した
繊維の体積含有率を５％増とず゛ると表面積は３０倍程
度となる。使用条件によって【よ、繊維の直径、長さは
種々変更できる。例えば、ｊｌ径７μ、長さ２ Ｑ Ｏ
μの繊維を用いることができる。
来の基体に比べて表面積は５倍程度と４すり、上記した
繊維の体積含有率を５％増とず゛ると表面積は３０倍程
度となる。使用条件によって【よ、繊維の直径、長さは
種々変更できる。例えば、ｊｌ径７μ、長さ２ Ｑ Ｏ
μの繊維を用いることができる。
基体を構成する粒子は通常の形態でよい。例えば粒子ｔ
ま粒形状、海綿状、片状、多孔質状、多角形状等を用い
ることができる。粒子の粒径は数百μ〜数ミリの範囲が
望ましいがこれに限られるものではない。例えば粒子を
多孔賀状とした場合には、粒径が大きくてもまた粒子の
数が少なくでも例えば数個でもその表面積は大きい。な
お集合体の形態は、細かな粒子よりも繊維のｈが望まし
い。
ま粒形状、海綿状、片状、多孔質状、多角形状等を用い
ることができる。粒子の粒径は数百μ〜数ミリの範囲が
望ましいがこれに限られるものではない。例えば粒子を
多孔賀状とした場合には、粒径が大きくてもまた粒子の
数が少なくでも例えば数個でもその表面積は大きい。な
お集合体の形態は、細かな粒子よりも繊維のｈが望まし
い。
その理由は、細かな粒子を用いた場合には、繊維を用い
た場合に比べて集合体の隙間が不連続になる傾向にあり
、そのため基体内部を通過する原料ガスの流量が低下す
るからである。
た場合に比べて集合体の隙間が不連続になる傾向にあり
、そのため基体内部を通過する原料ガスの流量が低下す
るからである。
基体は高温に加熱して用いるとよい。基体を加熱するに
あたっては、反応容器の周囲にヒータを設け、このヒー
タによって基体を１０００℃程度に加熱するとよい。あ
るいは、反応容器の周囲に高周波コイルを設け、この高
周波コイルによって基体を誘導加熱してもよい。誘導加
熱する場合には、基体を導電性材料である炭素から作製
する。
あたっては、反応容器の周囲にヒータを設け、このヒー
タによって基体を１０００℃程度に加熱するとよい。あ
るいは、反応容器の周囲に高周波コイルを設け、この高
周波コイルによって基体を誘導加熱してもよい。誘導加
熱する場合には、基体を導電性材料である炭素から作製
する。
誘導加熱する場合には、表皮効果によって繊ＩＩＩヤ）
粒子の表面を集中的に加熱できるため、基体表面が高温
となり、ウィスカ生成に都合がよい。
粒子の表面を集中的に加熱できるため、基体表面が高温
となり、ウィスカ生成に都合がよい。
基体を構成する繊維又は粒子は、炭素を主成分として構
成されていることが望ましい。例えば長さ０．１〜３ｍ
ｍ、直径５〜１５μの炭素繊維が望ましい。なお、長さ
は５０μ〜５００μまで使用できる。基体を炭素繊維又
は炭素粒子から構成すれば、ウィスカ生成後に熱処理を
行なって炭素繊維や炭素粒子を燃やして灰にＪれば、ウ
ィスカを繊維から容易に分離することができる。該熱処
理は８００〜１０００℃の空気中で行なうどよい。
成されていることが望ましい。例えば長さ０．１〜３ｍ
ｍ、直径５〜１５μの炭素繊維が望ましい。なお、長さ
は５０μ〜５００μまで使用できる。基体を炭素繊維又
は炭素粒子から構成すれば、ウィスカ生成後に熱処理を
行なって炭素繊維や炭素粒子を燃やして灰にＪれば、ウ
ィスカを繊維から容易に分離することができる。該熱処
理は８００〜１０００℃の空気中で行なうどよい。
反応容器内に導入４る原料ガスは、ウィスカを生成する
ための通常の原わ［ガスでよい。例えば、炭化珪素（Ｓ
ｉ Ｃ）のウィスカを生成づ゛る場合は、四塩化ケイ素
（ＳｆＣ１４）ガスとプロパン（Ｃ３１−１８＞ガスと
の混合ガスを、原料ガスとして用いる。窒化珪素（Ｓｉ
３Ｎａ＞のライスｈを生成Ｊる場合に（Ａ、四水素化
ケイ素（ＳｔＨｎ＞と窒１（Ｎｚ）系のガスを原料ガス
として用いるとにい。又ボウ化チタン（ＴｉＢｚ）のウ
ィスカを生成づ“る場合には、塩化チタン（ＴｉＣＩ
４）と塩化ホウ素（８Ｃ１３）と水素（Ｈ２）との混合
ガスを原料ガスとして用いるとよい。クラファイトウィ
スカを生成する場合にはベンゼンを原料ガスとして用い
るとよい。ウィスカの生成を促進させるために、又ウィ
スカの直径を６１！Ｊ整するために、金、銀、ブラチプ
、マグネシウム、クロム等を基体表面に微ｍ１−Ｊ盾さ
μてＪｊ ＜とＪ、い。
ための通常の原わ［ガスでよい。例えば、炭化珪素（Ｓ
ｉ Ｃ）のウィスカを生成づ゛る場合は、四塩化ケイ素
（ＳｆＣ１４）ガスとプロパン（Ｃ３１−１８＞ガスと
の混合ガスを、原料ガスとして用いる。窒化珪素（Ｓｉ
３Ｎａ＞のライスｈを生成Ｊる場合に（Ａ、四水素化
ケイ素（ＳｔＨｎ＞と窒１（Ｎｚ）系のガスを原料ガス
として用いるとにい。又ボウ化チタン（ＴｉＢｚ）のウ
ィスカを生成づ“る場合には、塩化チタン（ＴｉＣＩ
４）と塩化ホウ素（８Ｃ１３）と水素（Ｈ２）との混合
ガスを原料ガスとして用いるとよい。クラファイトウィ
スカを生成する場合にはベンゼンを原料ガスとして用い
るとよい。ウィスカの生成を促進させるために、又ウィ
スカの直径を６１！Ｊ整するために、金、銀、ブラチプ
、マグネシウム、クロム等を基体表面に微ｍ１−Ｊ盾さ
μてＪｊ ＜とＪ、い。
なお、ホウ化チタン（ＴｉＢｚ）のウイスｊノを生成す
る場合には、基体温度を１０５０〜１０７０度とし、基
体上にきｌυ、プラチナ、ぎん、パラジウム、１−１シ
ウム等を（−Ｊ ｉ７ざＵるとよい。
る場合には、基体温度を１０５０〜１０７０度とし、基
体上にきｌυ、プラチナ、ぎん、パラジウム、１−１シ
ウム等を（−Ｊ ｉ７ざＵるとよい。
本発明の製造方法では反応容器内に導入Ｊ゛る原料ガス
を、熱分解等のために加熱する必要がある。
を、熱分解等のために加熱する必要がある。
この場合、反応容器の外方に設（〕Ｉζヒータによって
、原料ガスを反応容器ごと加熱Ｊればよい。尚原料ガス
は反応容器に導入する前に８００〜９ＯＯ℃に予熱して
Ｊ３＜とよい。
、原料ガスを反応容器ごと加熱Ｊればよい。尚原料ガス
は反応容器に導入する前に８００〜９ＯＯ℃に予熱して
Ｊ３＜とよい。
本発明のような気相方法で生成できるウィスカは、主と
してセラミックウィスカである。、Ｌ？シミツクウィス
カとしては、例えば炭化珪素（Ｓ ＋ ｃ＞のウィスカ
、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）のウィスカ、ホウ化チタン（
ＴｉＢｚ）のウィスカ、リン化ブタン（Ｔ ｉ Ｐ）の
ウィスカ、アルミナウィスカ等がある。
してセラミックウィスカである。、Ｌ？シミツクウィス
カとしては、例えば炭化珪素（Ｓ ＋ ｃ＞のウィスカ
、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）のウィスカ、ホウ化チタン（
ＴｉＢｚ）のウィスカ、リン化ブタン（Ｔ ｉ Ｐ）の
ウィスカ、アルミナウィスカ等がある。
〔発明の効果〕
本発明のウィスカの製造方法においては、基体が繊維又
は粒子の集合体から構成されている。そのため本発明で
は基体の表面積が従来に比して大きく、ウィスカの生産
性を従来に比して向上させることができる。
は粒子の集合体から構成されている。そのため本発明で
は基体の表面積が従来に比して大きく、ウィスカの生産
性を従来に比して向上させることができる。
（実施例〕
第１図は炭化珪素ウィスカの製造方法を示Ｊ−第１の実
施例の図である。この第１の実施例ｒ″ｔよまず、長さ
５０〜３００μ、直径７μの炭素繊維を体積含有率５％
で三個の反応容器１の中央部にそれぞれ装填リ−る。該
炭素ｍ随の集合体は基体２となる。１この状態では基体
２は上下の多孔板３によって反応容器１内に保持され°
【いる。尚反応容器１を三個どしたのは、ウィスカ生成
量を増ずためである。
施例の図である。この第１の実施例ｒ″ｔよまず、長さ
５０〜３００μ、直径７μの炭素繊維を体積含有率５％
で三個の反応容器１の中央部にそれぞれ装填リ−る。該
炭素ｍ随の集合体は基体２となる。１この状態では基体
２は上下の多孔板３によって反応容器１内に保持され°
【いる。尚反応容器１を三個どしたのは、ウィスカ生成
量を増ずためである。
一グｊ、反応容器１の周囲に設けた外部ヒータ４にＪ：
って基体２の温度が１０００℃程度になるように加熱し
、その温度を保持する。そして、８７０℃前後に予熱し
た原３′３１ガスを導入管５から三個の反応容器１内に
それぞれ導入する。この場合、原料ガスには四塩化ケイ
素（ＳｉＣ’ｌ ４）とプロパン（０３Ｈ８）の混合ガ
スを用いＩ、：。四塩化ケイ素のガスどプ１］パンガス
との混合比は、４：１とした。また、原料ガスの流量を
３．０ｃｃ／ｓｅＣ，反応時間を２０分間とした。その
結果基体２である炭素繊維の集合体の表面に、長さ５０
〜２００μ、直径Ｏ１１〜１μの炭化珪素（Ｓｉ Ｃ；
＞のウィスカが植毛状に多数生成した。本例では多孔板
３によって基体２を支持しているので、基体２である集
合体に原料ガスを均一に流通させつる。
って基体２の温度が１０００℃程度になるように加熱し
、その温度を保持する。そして、８７０℃前後に予熱し
た原３′３１ガスを導入管５から三個の反応容器１内に
それぞれ導入する。この場合、原料ガスには四塩化ケイ
素（ＳｉＣ’ｌ ４）とプロパン（０３Ｈ８）の混合ガ
スを用いＩ、：。四塩化ケイ素のガスどプ１］パンガス
との混合比は、４：１とした。また、原料ガスの流量を
３．０ｃｃ／ｓｅＣ，反応時間を２０分間とした。その
結果基体２である炭素繊維の集合体の表面に、長さ５０
〜２００μ、直径Ｏ１１〜１μの炭化珪素（Ｓｉ Ｃ；
＞のウィスカが植毛状に多数生成した。本例では多孔板
３によって基体２を支持しているので、基体２である集
合体に原料ガスを均一に流通させつる。
ウィスカを生成した原料カスは上方の多孔板３３を通り
、更に排出管６を通って排出される。このように炭化珪
素のウィスカが基体２に生成したならば、反応容器１
ｈ冒う基体２を取出し、該基体２を８００〜１０００℃
の空気中で熱処理ツることにより、該基体２を燃焼させ
る。このようにすれば基体２を構成する炭素繊維が燃焼
して灰となるので、炭化珪素のウィスカを基体２から分
断することができる。第１の実施例ではウィスカの生成
ｔ１（よ約１０９であった。これは、従来用いられてい
た平板状又は円筒状の基板の場合に比して約１０倍の生
成ｍである。
、更に排出管６を通って排出される。このように炭化珪
素のウィスカが基体２に生成したならば、反応容器１
ｈ冒う基体２を取出し、該基体２を８００〜１０００℃
の空気中で熱処理ツることにより、該基体２を燃焼させ
る。このようにすれば基体２を構成する炭素繊維が燃焼
して灰となるので、炭化珪素のウィスカを基体２から分
断することができる。第１の実施例ではウィスカの生成
ｔ１（よ約１０９であった。これは、従来用いられてい
た平板状又は円筒状の基板の場合に比して約１０倍の生
成ｍである。
第２図は本発明の第２の実施例を示す図である。
０：Ｉ ｒｉ［２した第１の実施例では、基体２を反応
容器１の外方に設けた外部ヒータ４によって加熱したが
、この第２の実施例では、反応容器１１の周囲に高周波
コイル１／Ｉを設け、この高周波コイル１４に通電りる
ことによって基体１２を誘導加熱する構成である。この
第２の実施例では、基体１２を誘導加熱りるＩこめ、導
電性月わ１である炭素繊維から基体１２を４Ｍ成してい
る。ここで高周波コ、イル１４に高周波電流を流づと、
基体１２を構成する炭糸織純に誘導電流が生ずる。これ
により基体１２が加熱される。このように基体１２をＨ
Ｓ １Ｊ１１熱により加熱づれば、いわゆる表皮効果に
Ｊ：つで、炭素！Ｊｌ ｔｉｌｌの表面が集中的に加熱
されるため、ウィスカ生成釘が増える。なＪ３高周波電
流の周波数は４００に〜４ＭＩ−（Ｚが望ましい。
容器１の外方に設けた外部ヒータ４によって加熱したが
、この第２の実施例では、反応容器１１の周囲に高周波
コイル１／Ｉを設け、この高周波コイル１４に通電りる
ことによって基体１２を誘導加熱する構成である。この
第２の実施例では、基体１２を誘導加熱りるＩこめ、導
電性月わ１である炭素繊維から基体１２を４Ｍ成してい
る。ここで高周波コ、イル１４に高周波電流を流づと、
基体１２を構成する炭糸織純に誘導電流が生ずる。これ
により基体１２が加熱される。このように基体１２をＨ
Ｓ １Ｊ１１熱により加熱づれば、いわゆる表皮効果に
Ｊ：つで、炭素！Ｊｌ ｔｉｌｌの表面が集中的に加熱
されるため、ウィスカ生成釘が増える。なＪ３高周波電
流の周波数は４００に〜４ＭＩ−（Ｚが望ましい。
第１図は本発明の第１の実施例を示し、 ？ＪＩ ｌ１
ｌｌＪ断じて示Ｊ′装置全体の正面図である。４５２図
【よＡ（発明の第２の実施例を示し、一部切断して示１
反応容器部分の正面図である。 図中、１及び１１は反応容器、２及び１２ＧまＬ（体、
４は外部ヒータ、１４は高周波コイルを示Ｊ−０特訂出
願人 １］本電装株式会礼 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 胚谷 條 同 弁理士 丸山明大
ｌｌＪ断じて示Ｊ′装置全体の正面図である。４５２図
【よＡ（発明の第２の実施例を示し、一部切断して示１
反応容器部分の正面図である。 図中、１及び１１は反応容器、２及び１２ＧまＬ（体、
４は外部ヒータ、１４は高周波コイルを示Ｊ−０特訂出
願人 １］本電装株式会礼 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 胚谷 條 同 弁理士 丸山明大
Claims (6)
- （１）反応容器内に設けられた基体表面に原料ガスを導
入、加熱し、該原料ガスより該基体表面上にウィスカを
生成させるウィスカの製造方法において、 該基体は繊維または粒子の集合体であることを特徴とづ
るウィスカの製造方法。 - （２）基体は、通気のための空隙を有した状態で反応容
器内に装填されている特許請求の範［１１＋第１項記載
のウィスカの製造方法。 - （３）基体は、炭素繊維の集合体から構成されている特
許請求の範囲第１項記載のウィスカの製造方法。 - （４）基体を構成するａＪＡｓｒｔの長さは５０μ〜５
００μである特許請求の範囲第１項記載のウィスノｊの
製造方法。 - （５）ウィスカは炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ
３Ｎ４）、ホウ化チタン（ＴｉＢｚ）、リン化チタン
（Ｔ ｉ Ｐ）の群から選択された１種である特許請求
の範囲第１項記載のウィスカの製造方法。 - （６）基体は、導電性相別から作製されており、誘導加
熱によって加熱される特許請求の範囲第１項記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238492A JPS60131895A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | ウイスカの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238492A JPS60131895A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | ウイスカの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131895A true JPS60131895A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17031047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58238492A Pending JPS60131895A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | ウイスカの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310265A1 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | The Standard Oil Company | Formation of fibrous silicon carbide and silicon nitride |
| JPH06279200A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | セラミックウィスカの成長方法及び繊維強化複合材料の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-17 JP JP58238492A patent/JPS60131895A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310265A1 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | The Standard Oil Company | Formation of fibrous silicon carbide and silicon nitride |
| JPH06279200A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | セラミックウィスカの成長方法及び繊維強化複合材料の製造方法 |
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