JPS5920634B2 - 炭化珪素被覆炭素材の製造法 - Google Patents
炭化珪素被覆炭素材の製造法Info
- Publication number
- JPS5920634B2 JPS5920634B2 JP55077966A JP7796680A JPS5920634B2 JP S5920634 B2 JPS5920634 B2 JP S5920634B2 JP 55077966 A JP55077966 A JP 55077966A JP 7796680 A JP7796680 A JP 7796680A JP S5920634 B2 JPS5920634 B2 JP S5920634B2
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- Japan
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- carbon material
- iron
- silicon carbide
- manufacturing
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、炭素材の表面に炭化珪素（以下ＳｉＣと記す
。
。
）被覆、を形成する方法に関するものである。
炭素材（反応が２０００℃という高温で行われることか
ら、このような高温で黒鉛化反応等により変形収縮する
のを避けるため黒鉛材料を用いる場合が多い。
ら、このような高温で黒鉛化反応等により変形収縮する
のを避けるため黒鉛材料を用いる場合が多い。
）の表面にＳｉＯ被覆を形成させる方法として、珪石の
ようにＳｉの酸化物を含有する物質と、これを還元する
ための炭素粉末又は金属粉末とを混合したものを高温（
約１８００℃）に加熱して一酸化珪素（Ｓｉｎ）ガスを
発生させ、発生したＳｉＯガスを炭素製品の表面に反応
させる方法は公知である。
ようにＳｉの酸化物を含有する物質と、これを還元する
ための炭素粉末又は金属粉末とを混合したものを高温（
約１８００℃）に加熱して一酸化珪素（Ｓｉｎ）ガスを
発生させ、発生したＳｉＯガスを炭素製品の表面に反応
させる方法は公知である。
この場合、ＳｉＯガスの発生と炭素製品との反応を同一
系内で行うと、反応原料は熱伝導率が小さいためと吸熱
反応であるため原料の温度が上昇せず、ＳｉＯガスの発
生速度が遅くなる。
系内で行うと、反応原料は熱伝導率が小さいためと吸熱
反応であるため原料の温度が上昇せず、ＳｉＯガスの発
生速度が遅くなる。
ＳｉＣ被覆層の厚さとしては加工も考慮して、０．７±
０．１朋以上あることが要求される。
０．１朋以上あることが要求される。
ＳｉＣ被覆層の厚さはＳｉＯガスの濃度に左右されるた
めＳｉＯガスの発生速度が遅いと被覆層を厚くできない
。
めＳｉＯガスの発生速度が遅いと被覆層を厚くできない
。
被覆層を厚くするためには高濃度のＳｉＯガスを短時間
で作用させるのがよい。
で作用させるのがよい。
ＳｉＯガスの発生速度を犬にするために原料の温度を上
げなければならないが、そうすると必然的に炭素材の温
度も上昇し、せっかく生成した８ｉ０が分解して消耗し
て寸法精度が得られないし、被覆層のＳｉＯが結晶成長
して銀黒色の色むらを生じたりする。
げなければならないが、そうすると必然的に炭素材の温
度も上昇し、せっかく生成した８ｉ０が分解して消耗し
て寸法精度が得られないし、被覆層のＳｉＯが結晶成長
して銀黒色の色むらを生じたりする。
本発明は原料温度を上昇することなく ＳｉＯの発生速
度を高め、もって良好なＳｉＯ被覆炭素材を得ることを
目的とする。
度を高め、もって良好なＳｉＯ被覆炭素材を得ることを
目的とする。
本発明は、鉄分の存在下にＳｉＯガス発生原料を加熱し
て、発生したＳｉＯガスと炭素材とを反応させて炭素材
の表面をＳｉＣ化させることを特徴とするＳｉＯ被覆炭
素材の製造法である。
て、発生したＳｉＯガスと炭素材とを反応させて炭素材
の表面をＳｉＣ化させることを特徴とするＳｉＯ被覆炭
素材の製造法である。
ＳｉＯガス発生原料とは、珪石のようにＳｉの酸化物を
含む物質と、これを還元するための炭素、ＳｉＯ又は金
属（主として金属珪素）もしくはこれらの混合物とを混
合したものである。
含む物質と、これを還元するための炭素、ＳｉＯ又は金
属（主として金属珪素）もしくはこれらの混合物とを混
合したものである。
このＳｉＯガス発生原料を加熱してＳｉＯガスを発生さ
せる反応を鉄分の存在下に行うと、従来と同じ加熱温度
でもＳｉＯガスの発生速度が大幅に大きくなる。
せる反応を鉄分の存在下に行うと、従来と同じ加熱温度
でもＳｉＯガスの発生速度が大幅に大きくなる。
鉄分としてはＳｉＯガス発生原料をＳｉＯガス発生反応
温度に加熱しても揮散することなく原料中に鉄分が存在
しうるもの、例えば、鉄粉、酸化鉄、水酸化鉄、硫酸鉄
、硫化鉄、リン化鉄等を使用しなければならない。
温度に加熱しても揮散することなく原料中に鉄分が存在
しうるもの、例えば、鉄粉、酸化鉄、水酸化鉄、硫酸鉄
、硫化鉄、リン化鉄等を使用しなければならない。
これらを鉄換算で３〜１０％（重量比以下同じ）好まし
くは４〜５％加える。
くは４〜５％加える。
なお原料中に不純物として存在する鉄分の量が多い場合
は、添加量を考慮する必要がある。
は、添加量を考慮する必要がある。
実施例 ｌ
５ｔ０２／ ｃ＝ ２８ （重量比）となるように混合
した反応原料中に鉄粉を所定量加えたもの５ｋｇをとり
、黒鉛ケースの下部に入れ、上部には外径６０Ｗｔｍ、
内径４０ｒｒａｎ、高さ１０ｍ１ｆｔの黒鉛材（かさ比
重１．６０）５０個を入れ、高周波加熱により黒鉛ケー
スの外壁が２０００℃になるようにして６０分間反応さ
せた。
した反応原料中に鉄粉を所定量加えたもの５ｋｇをとり
、黒鉛ケースの下部に入れ、上部には外径６０Ｗｔｍ、
内径４０ｒｒａｎ、高さ１０ｍ１ｆｔの黒鉛材（かさ比
重１．６０）５０個を入れ、高周波加熱により黒鉛ケー
スの外壁が２０００℃になるようにして６０分間反応さ
せた。
Ｓｉ０層の厚さは鉄粉を３％加えたとき、０．９±０．
１ｍｍ、５％のとき１．０±０．１ ｍｍ 。
１ｍｍ、５％のとき１．０±０．１ ｍｍ 。
１０％のとき０．９±０．１ ｍｍ、鉄粉を加えない場
合、１％加えた場合及び２％加えた場合いずれも０．６
±０．１ ｍｍであった。
合、１％加えた場合及び２％加えた場合いずれも０．６
±０．１ ｍｍであった。
鉄粉を加えないで黒鉛ケースの外壁温度を２２００℃と
したとき、ＳｉＣ層の厚さは０．９±０．１朋であった
が、ＳｉＣの結晶成長が認められ、ＳＩＣ層に一部消耗
箇所があった。
したとき、ＳｉＣ層の厚さは０．９±０．１朋であった
が、ＳｉＣの結晶成長が認められ、ＳＩＣ層に一部消耗
箇所があった。
実施例 ２
反応原料としては実施例１における鉄粉の代りにＦｅ２
（８０４）３１８％、ＦｅＳ２１０％、 Ｆｅ３０４７
％をそれぞれ加えたものを用い、１０ｒｎｒＩＬ角長さ
５０朋の黒鉛棒を各１００本ず＼について、実施例１と
同様に反応させた。
（８０４）３１８％、ＦｅＳ２１０％、 Ｆｅ３０４７
％をそれぞれ加えたものを用い、１０ｒｎｒＩＬ角長さ
５０朋の黒鉛棒を各１００本ず＼について、実施例１と
同様に反応させた。
この結果得られた８１０層の厚さはＦｅ２（８０４）３
の場合０．７±０．１ ｍ１ｎ、 ＦｅＳ２の場合０．
８±０．１ ｍｍ、 Ｆｅ３Ｏ４の場合０．９±０．１
１１Ｌｍであり、ＳｉＣ層の消耗はいずれも認められな
かった。
の場合０．７±０．１ ｍ１ｎ、 ＦｅＳ２の場合０．
８±０．１ ｍｍ、 Ｆｅ３Ｏ４の場合０．９±０．１
１１Ｌｍであり、ＳｉＣ層の消耗はいずれも認められな
かった。
以上実施例の結果から明らかなように、本発明によれば
、ＳｉＯガス発生原料に鉄を加えたことにより、反応温
度を上げることなくＳｉＯガスを短時間に発生させるこ
とができ、８１０層の消耗を生じさせないで８１０層を
厚くすることができる。
、ＳｉＯガス発生原料に鉄を加えたことにより、反応温
度を上げることなくＳｉＯガスを短時間に発生させるこ
とができ、８１０層の消耗を生じさせないで８１０層を
厚くすることができる。
Claims (1)
- １ 鉄換算で３〜１０％の鉄分の存在下に反応原料を加
熱して発生した一酸化珪素ガスと炭素材とを反応させて
炭素材の表面を炭化珪素化させることを特徴とする炭化
珪素被覆素材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55077966A JPS5920634B2 (ja) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | 炭化珪素被覆炭素材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55077966A JPS5920634B2 (ja) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | 炭化珪素被覆炭素材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS573780A JPS573780A (en) | 1982-01-09 |
| JPS5920634B2 true JPS5920634B2 (ja) | 1984-05-14 |
Family
ID=13648678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55077966A Expired JPS5920634B2 (ja) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | 炭化珪素被覆炭素材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920634B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04100255A (ja) * | 1990-08-18 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014783A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-25 | 三菱鉛筆株式会社 | 耐酸化性炭素系コイル状抵抗発熱体 |
| WO1987005855A1 (en) * | 1986-03-26 | 1987-10-08 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Die for molding honeycomb structures |
| JPH0559350A (ja) * | 1987-11-06 | 1993-03-09 | Ibiden Co Ltd | 摩擦デイスクの製造方法 |
| US5116679A (en) * | 1988-07-29 | 1992-05-26 | Alcan International Limited | Process for producing fibres composed of or coated with carbides or nitrides |
| JPH0539478A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-02-19 | Ibiden Co Ltd | 摩擦デイスク |
-
1980
- 1980-06-09 JP JP55077966A patent/JPS5920634B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04100255A (ja) * | 1990-08-18 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS573780A (en) | 1982-01-09 |
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