JP5692876B2 - カーボンナノチューブを基板上に合成する方法 - Google Patents

カーボンナノチューブを基板上に合成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5692876B2
JP5692876B2 JP2012538318A JP2012538318A JP5692876B2 JP 5692876 B2 JP5692876 B2 JP 5692876B2 JP 2012538318 A JP2012538318 A JP 2012538318A JP 2012538318 A JP2012538318 A JP 2012538318A JP 5692876 B2 JP5692876 B2 JP 5692876B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
carbon
source
oxide
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012538318A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013510789A (ja
Inventor
ブラヒム,シリーン
マスクロット,ヒッチャム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Publication of JP2013510789A publication Critical patent/JP2013510789A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5692876B2 publication Critical patent/JP5692876B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158Carbon nanotubes
    • C01B32/16Preparation
    • C01B32/162Preparation characterised by catalysts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009Forming specific nanostructures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

本発明は、基板上に、特に、絡み合った炭素繊維または炭化物繊維からなる繊維基板上にカーボンナノチューブを合成する方法であって、基板の予備処理をまったく必要とせずにカーボンナノチューブの成長を達成する方法に関する。
本発明による合成方法は、機械的強度、電気伝導性および熱安定性の面でのカーボンナノチューブの優れた特性のため、カーボンナノチューブを合成する基板にしっかりと付着されたカーボンナノチューブを得ることにより、機械的および電気的特性が改善した修飾された基板を得る可能性を与える。したがって、カーボンナノチューブは、繊維基板などの基板にとって優れた補強剤と見なすことができる。
カーボンナノチューブを基板上に合成する(synthesizing)方法は、化学蒸着技術(「化学蒸着:Chemical Vapor Deposition」の略語CVDで知られる)を用いた従来技術の多くの適用の主題となっている。化学蒸着技術は、金属触媒の存在下で炭素源(または炭素前駆体)、たとえばガス源(エチレン、アセチレンなど)または液体源(トルエン、エタノールなど)を分解し、基板とカーボンナノチューブとの間の界面接着を改善するような基板の予備処理を必要とする基板上にカーボンナノチューブを成長させることに基づく。
基板の予備処理は、好適な条件下での加熱処理であってもよい。
このため、文献[1](トステンソン(Thostenson)ら、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(Journal of Applied Physics)、第91巻、ナンバー(Number)9、2002年、p.6034−6037)は、炭素繊維基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、真空中で基板を700℃まで加熱することにより基板を予備処理する工程、この基板上にマグネトロン溶射法により触媒層を蒸着させる工程、および最後にアセチレンC22流を生じさせることによりカーボンナノチューブを成長させる工程をそれぞれ含む方法について記載している。
他の著者らは、カーボンナノチューブを成長させる前に化学的方法で基板を処理している。
たとえば、文献[2](サガー(Sager)ら、コンポジッツ・サイエンス・アンド・テクノロジー(Composites Science and Technology)第69巻(2009年)、p.898−904)では特に、炭素繊維基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、基板を、硫酸マグネシウムMgSO4を含むアルコール溶液で処理してから、炭素源(キシレン)および触媒源(フェロセン)を含む流れを800℃で30分間生じさせる方法が記載されている。
これについて、文献[3](キアン(Qian)ら、ケミストリー・オブ・マテリアルズ(Chemistry of Materials)、2008年、第20巻、p.1862−1869)では、5時間酸酸化に付し(65%硝酸HNO3溶液による)、続いて24時間塩基で洗浄して(0.05MのソーダNaOHによる)、前もって処理してある炭素繊維基板上にカーボンナノチューブを成長させることを提案している。
最後に、文献[4](仏国特許出願公開第2927619号)の著者らは、カーボンナノチューブを繊維基板上に成長させる前に、前記基板上にセラミック下層を蒸着させると、基板とカーボンナノチューブとの間の界面接着、およびカーボンナノチューブの成長を常に改善させると考えた。
以上のように、従来技術の大部分の適用方法では、化学蒸着によりカーボンナノチューブを基板上に成長させることに取りかかる前に基板の表面処理を進める必要があり、とりわけ、前記基板が炭素繊維である場合にはその必要がある。
このため、本発明者らは、カーボンナノチューブを基板上に合成する方法であって、従来技術の適用の場合のように前記カーボンナノチューブを成長させる前に前記基板の表面処理工程を行う必要のない方法を提案することを目標とした。
本発明者らは驚くべきことに、前述の目的を達成するため、化学蒸着によりカーボンナノチューブを成長させる工程において炭素源に加えて特定の添加剤を加えることにより、前もって基板を処理する必要なしに、多様な性質および形状の基板上に成長した、基板との界面接着に優れたカーボンナノチューブを得ることができることを発見した。
そこで、第1の目的による本発明は、カーボンナノチューブを基板上に合成する方法であって、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む流れを前記基板に生じさせることによ化学蒸着によって前記カーボンナノチューブを前記基板上成長させる工程を含み、前記カーボンナノチューブは、前記酸化物化合物としてのSiO 、Al 、ZrO およびTiO から選択される酸化物粒子を含んでいる方法に関する。
本発明者らのこの斬新なアイデアは本質的に、化学蒸着による成長工程において、下記の二重の利点を持つ酸化物化合物の前駆体源を付加することに基づく。
−基板に特定の予備処理を施す必要なく、多様な基板上にカーボンナノチューブの優れた接着を可能にする、
−同時に、酸化物化合物の前駆体源から生じる酸化物粒子、たとえば酸化物ナノ粒子をカーボンナノチューブに含ませることによりカーボンナノチューブの補強を可能にする。
さらに、基板の前処理を行うことなく、単一工程で酸化物粒子にて補強されたカーボンナノチューブの三次元成長を得ることも可能である。
本発明は、多様な幾何学的形状を持ち得る多くの基板に適用され、とりわけ平面基板、泡のように見える基板、表面にリソグラフィーパターンを有する基板、またはさらに繊維基板に適用される。
化学的見地から見ると、基板は、たとえば石英基板、シリコン基板、Al23、Y23、MgOおよびZrO2などの金属酸化物基板、および炭素繊維または炭化物繊維を含む繊維基板から選択してもよい。
具体的には、本方法はとりわけ、炭素繊維または炭化物繊維を含む繊維基板に適用される。
基板には、成長工程の前に触媒層(すなわち、カーボンナノチューブの成長反応を触媒する触媒)を設けてもよく、その場合、前述の流れは、上記で定義した触媒源をまったく含まなくてもよい。
成長工程は、化学蒸着により上記のように行われる。
化学蒸着とは通常、炭素源と、酸化物粒子をさらに含むカーボンナノチューブを形成するための酸化物化合物の前駆体源と、任意に、カーボンナノチューブの成長反応を触媒する触媒の粒子を形成するための触媒源との熱分解による分解に基づく成長技術を意味するものと規定される。
本発明において、前記および下記の酸化物化合物の前駆体源とは通常、熱分解により分解されると、SiO2、Al23、ZrO2およびTiO2から選択され得る酸化物化合物を形成する化合物を意味し、前記源は、有機金属化合物および金属塩から選択してもよい。
酸化物化合物の前駆体源の例として、有機金属化合物、テトラエチルオルトシリケートSi(OC254などのシリコンアルコキシドまたはチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324などのチタンアルコキシドのような金属アルコキシドを挙げることができる。
本発明において、前記および下記の炭素源とは通常、熱分解により分解されると、カーボンナノチューブを形成する、カーボンナノチューブを形成する炭素の1種または複数種の炭素有機化合物前駆体を意味し、この化合物は、脂肪族炭化水素または芳香族炭化水素から選択される炭素有機化合物であってもよい。
脂肪族炭化水素の例として、アルカン、アルケンおよびアルキン、たとえば、プロパン、エチレン、アセチレン、およびこれらの混合物を挙げることができる。
芳香族炭化水素の例として、ベンゼン、トルエン、キシレンを挙げることができる。
本発明によれば、炭素の供給源としてトルエンなどの芳香族炭化水素を優先的に使用する。
本発明において、前記および下記の触媒源とは通常、炭素、水素、任意に窒素および酸素と、熱分解による分解により触媒粒子を形成する少なくとも1種の金属元素とを含む1種または複数種の化合物を意味し、金属元素は、カーボンナノチューブの成長反応の触媒作用を可能にする遷移金属(Fe、Co、TiまたはNiなど)、または貴金属(Pd、Ru、Ptなど)から選択され得る。
触媒源の例として、有機金属化合物、たとえば、フェロセン、ニッケロセン、コバルトセン、ルテノセンなどのメタロセン、またはさらに鉄フタロシアニンもしくはニッケルフタロシアニンなどのフタロシアニンを挙げることができる。さらに、金属硝酸塩、金属酢酸塩または金属ハロゲン化物などの金属塩を挙げることもできる。
前記酸化物化合物の前駆体源(単数または複数)の濃度は一般に、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源からなる総質量に対して5〜15質量%の範囲であってもよい。
成長工程は通常、化学蒸着反応器により達成される。
炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む流れは、有利には、エアロゾル、すなわち炭素源、前駆体化合物、および任意に触媒源からなる液体粒子がガス媒体に分散したものとして現れ、前記ガス媒体は、前記粒子を運ぶことができるキャリアガスによって形成されていてもよい。
キャリアガスは、アルゴン、ヘリウム、窒素N2、およびこれらの混合物など中性ガスであってもよい。
成長工程は通常、700〜1,100℃、たとえば800〜900℃の範囲の温度で5〜60分の範囲であり得る持続時間行われる。
有利には、成長工程は、上述のガスなどの中性ガス雰囲気下で達成される。
本発明の方法の特定の例示的な実施形態は、
*基板が炭素繊維基板であり、炭素源がトルエンであり、酸化物化合物の前駆体源がテトラエチルオルトシリケートSi(OC254であり、触媒源がフェロセンである、あるいは
*基板がシリコン基板であり、炭素源がトルエンであり、酸化物化合物の前駆体源がチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324であり、触媒源がフェロセンである。
エアロゾルは、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む液体溶液から、以下の作業、
−振動させることでエアロゾルを発生することができる圧電セラミックセルを含むエアロゾル発生装置に前述の液体溶液を導入することにより、あるいは
−前記液体溶液を微滴化された液体粒子にする霧化ノズルに前記液体溶液を通すことにより、あるいは
−前記液体溶液の直接液体注入(この導入技術はDLI(direct liquid injection)という略語で知られ、前記液体溶液を、その液滴をキャリアガスで送り定期的に注入することにより物理蒸着反応器に導入することからなる技術)により、あるいは
−前記液体溶液のフラッシュ蒸発により
得てもよい。
本発明の方法は、以下の要素、
−前記基板を収納することを意図した筐体、および前記筐体を囲む管状炉を含む化学蒸着反応器、
−前記炭素源、前記酸化物化合物の前駆体源、および任意に前記触媒源を含むタンク、ならびに
−前記タンクに収納された圧電セラミックセルを含む、エアロゾルを発生する要素、
を含み、
前記タンクは前述の反応器に連結されている
装置に適用してもよい。
前記装置は、反応器の下流に、前記反応器内で形成されたガスを捕集する筐体を含んでいてもよい。
装置は、開口部からキャリアガスを導入できる1つまたは複数の弁をさらに含んでいてもよい。
上記で定義した装置を用いて本発明の方法を適用する作業手順は、
−圧電セラミックセルを含むタンクに、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む液体溶液を満たし、
−次いで管状炉を、所望の温度を達成するため温度上昇プログラムに付し、
−炉が所望の温度に達し次第、液体溶液からエアロゾルを発生するように圧電セラミックセルを振動させ始め、
−形成されたエアロゾルを好適な弁の開口時にキャリアガスにより、基板を含む化学蒸着反応器の筐体の方に送る、
といった要領で行うことができる。
したがって、要約すると、本発明の斬新な方法は、多様な形状および性質の基板上に、酸化物粒子で補強されたカーボンナノチューブの均一かつ多次元的成長を直接速やかに得られる可能性を与えるものであり、基板とカーボンナノチューブとの界面接着に優れ、基板上に前記カーボンナノチューブを成長させる前に前記基板の表面を処理する必要がない。
本発明の方法は、多様な分野に適用することができる。
本発明の方法は、機械的および電気的特性の面で基板を補強するため、特に繊維基板に適用することができる。
他の特徴と利点は、本発明の方法の例示的な実施形態に関する以下の追加の説明を読めば、より明らかになるであろう。
言うまでもなく、以下の例は、本発明の説明としてのみ提供するものであり、決してその目的を限定するものではない。
図1は、下記で検討する実施例1および2の実施形態により本発明の方法を適用するのに使用した装置の側断面図を示す。 図2は、実施例1で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。 図3は、実施例1で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。 図4は、実施例1で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。 図5は、実施例2で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。 図6は、実施例2で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。 図7は、実施例2で得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により取得した顕微鏡写真を示す。
最初に、下記に示す例を適用するために使用した装置の側面図を図示する図1を参照されたい。
まず、この装置は、
−炭素源、
−酸化物化合物の前駆体源、および
−触媒源
を含む液体混合物5を含む、たとえばステンレス鋼のタンクにあるエアロゾル発生装置3を含む。
圧電セラミック部であり、それを覆う液体からエアロゾルの発生を可能にする直径40mmの環状の圧電セラミック部7が、発生装置の下方部分に配置されている。発生装置の上方部分に配置された弁9からは、形成されたエアロゾルの運搬が可能なアルゴンなどのキャリアガスを発生装置に供給することができる。
この装置は、カーボンナノチューブを成長させる予定の基板13を収容することを意図した石英反応器11をさらに含む。
さらに詳しくは、反応器は、基板13を収容し、かつ直径50mm、長さ550mmの管状炉17で囲まれた中央部15と、発生装置のエアロゾルを反応器の中央部の方に運ぶことを意図した発生装置3に突っ込まれた第1の延長管19と、中央部を、反応ガスを捕集するための系23に連結する第2の延長管21とを含む。弁25は、第1の延長管に連結されており、必要な場合にキャリアガスを供給することを意図している。
この例は、炭素繊維の繊維基板である基板を用いた本発明の方法の適用について説明する。
エアロゾル発生装置のタンクに入れる溶液は、400mlのトルエン、溶液の総質量に対して5質量%のフェロセン、および5質量%のテトラエチルオルトシリケートSi(OC254を含む。
予備処理が施されていない寸法10*10mm2の前述の基板を反応器11の中央部15に導入する。次いで装置3、15および23の3つの部分を連結し、系全体を0.5L/minのアルゴン流下で30分間脱気に供する(弁9および25の開口による)。次いで0.5L/minのアルゴン流下で(弁9および25の開口)合成(synthesis)温度(850℃)に達するまで、温度が14℃/min上昇するように炉を始動させる。その温度に到達したら(基板に設置した熱電対でモニタリングすることによる)、前述の溶液からエアロゾルを発生させるため、エアロゾル発生装置3の環状の圧電セラミック部7を駆動する。セラミックの振動数は800MHzであり、発生された液滴の大きさの値は、6〜8μmである。
0.8L/minのアルゴン流により(弁9の開口による)、石英反応器11の中央部15にある基板13の方にエアロゾルを送る。合成(synthesis)時間は、15分である。この時間の終了時に、炉を停止させて装置を冷却し、続いて3L/minの速度でアルゴン流を導入する(弁25の開口による)。
図2、図3および図4は、5%のテトラエチルオルトシリケートを含む溶液から得られたサンプルの走査型電子顕微鏡により様々に引き伸ばして得られた顕微鏡写真を示す(図2、図3および図4に示した白線は、それぞれ10μm、2μmおよび200nmの大きさを示している)。各写真は、繊維表面のカーボンナノチューブを示し、特に図4ではカーボンナノチューブが、図4中の3つの矢印で示すシリカナノ粒子SiO2を含むことを示す。
本例は、シリコン基板である基板を用いた本発明の方法の適用について説明する。
エアロゾル発生装置のタンクに入れた溶液は、400mlのトルエン、溶液の総質量に対して5質量%のフェロセンと、5質量%のチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324(第1の試験の場合)、10質量%のチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324(第2の試験の場合)、または15質量%のチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324(第3の試験の場合)とを含む。
予備処理が施されていない寸法10*10mm2の前述の基板を反応器11の中央部15に導入する。次いで装置3、15および23の3つの部分を連結し、系全体を0.5L/minのアルゴン流下で30分間脱気に供する(弁9および25を開口することによる)。次いで0.5L/minのアルゴン流下で(弁9および25の開口による)炉が合成(synthesis)温度(850℃)に達するまで、温度が14℃/min上昇するように炉を始動させる。その温度に到達したら(基板に設置した熱電対でそれをモニタリングすることによる)、前述の溶液からエアロゾルを発生させるため、エアロゾル発生装置3の環状の圧電セラミック部7を駆動する。セラミックの振動数は800MHzであり、発生された液滴の大きさの値は、6〜8μmである。
0.8L/minのアルゴン流により(弁9の開口による)、石英反応器11の中央部15にある基板13の方にエアロゾルを送る。合成(synthesis)時間は、15分である。この時間の終了時に、炉を停止させて装置を冷却し、続いて3L/minの速度でアルゴン流を導入する(弁25の開口による)。
図5、図6および図7は、それぞれ第1の試験、第2の試験および第3の試験中に得られたサンプルの走査型電子顕微鏡によって得られた顕微鏡写真である。とりわけ第3の試験では、酸化チタンTiO2ナノ粒子で補強されたカーボンナノチューブが複数層の形態で配置されていることを示す。
参照文献
[1]トステンソンら、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、第91巻、ナンバー9、2002年、p.6034−6037、
[2]サガーら、コンポジッツ・サイエンス・アンド・テクノロジー第69巻(2009年)、p.898−904、
[3]キアンら、ケミストリー・オブ・マテリアルズ、2008年、第20巻、p.1862−1869
[4]仏国特許出願公開第2927619号

Claims (16)

  1. カーボンナノチューブを基板上に合成する方法であって、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む流れを前記基板上に生じさせることにより化学蒸着によって前記カーボンナノチューブを前記基板上に成長させる工程を含み、
    前記カーボンナノチューブは、前記酸化物化合物としてのSiO 、Al 、ZrO およびTiO から選択される酸化物粒子を含んでいる方法。
  2. 前記酸化物化合物の前駆体源は、前記酸化物粒子を前記カーボンナノチューブに含ませるためのものであり、
    当該方法は、前記成長工程時に、前記酸化物粒子を前記カーボンナノチューブに含ませる請求項1に記載の方法。
  3. 前記炭素源は脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素から選択される炭素有機化合物である、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記芳香族炭化水素はベンゼン、キシレン、及びトルエンのうちいずれかが選択される、請求項3に記載の方法。
  5. 前記芳香族炭化水素はトルエンである、請求項3または4に記載の方法。
  6. 前記酸化物化合物の前駆体源は有機金属化合物および金属塩から選択される、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
  7. 前記有機金属化合物は金属アルコキシドである、請求項6に記載の方法。
  8. 前記金属アルコキシドはシリコンアルコキシドまたはチタンアルコキシドである、請求項7に記載の方法。
  9. 前記触媒源は炭素、水素、任意に窒素および酸素、ならびに少なくとも1種の金属元素を含む化合物である、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
  10. 前記触媒源はメタロセン型有機金属化合物である、請求項9に記載の方法。
  11. 前記流れは前記炭素源、前記酸化物化合物の前駆体源、および任意に前記触媒源からなる液体粒子がガス媒体に分散したものからなるエアロゾルとして現れる、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
  12. 前記成長工程は700〜1,100℃の範囲の温度で5〜60分の範囲であり得る持続時間行われる、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
  13. 前記基板は石英基板、シリコン基板、金属酸化物基板、および炭素繊維または炭化物繊維を含む繊維基板から選択される、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
  14. 前記基板は炭素または炭化物繊維を含む繊維基板である、請求項1〜13のいずれかに記載の方法。
  15. 前記基板は炭素繊維の基板であり、前記炭素源はトルエンであり、前記酸化物化合物の前駆体源はテトラエチルオルトシリケートSi(OC254であり、前記触媒源はフェロセンである、請求項1〜14のいずれかに記載の方法。
  16. 前記基板はシリコン基板であり、前記炭素源はトルエンであり、前記酸化物化合物の前駆体源はチタンテトライソプロポキシドTi[OCH(CH324であり、前記触媒源はフェロセンである、請求項1〜13のいずれかに記載の方法。
JP2012538318A 2009-11-13 2010-11-10 カーボンナノチューブを基板上に合成する方法 Expired - Fee Related JP5692876B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0958012A FR2952631B1 (fr) 2009-11-13 2009-11-13 Procede d'elaboration de nanotubes de carbone sur un substrat
FR0958012 2009-11-13
PCT/EP2010/067178 WO2011058038A1 (fr) 2009-11-13 2010-11-10 Procede d'elaboration de nanotubes de carbone sur un substrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013510789A JP2013510789A (ja) 2013-03-28
JP5692876B2 true JP5692876B2 (ja) 2015-04-01

Family

ID=42635077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012538318A Expired - Fee Related JP5692876B2 (ja) 2009-11-13 2010-11-10 カーボンナノチューブを基板上に合成する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8821976B2 (ja)
EP (1) EP2499094A1 (ja)
JP (1) JP5692876B2 (ja)
KR (1) KR20120106949A (ja)
CN (1) CN102686512A (ja)
FR (1) FR2952631B1 (ja)
WO (1) WO2011058038A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014039509A2 (en) 2012-09-04 2014-03-13 Ocv Intellectual Capital, Llc Dispersion of carbon enhanced reinforcement fibers in aqueous or non-aqueous media
CN103253647B (zh) * 2012-11-12 2015-04-22 山东省科学院新材料研究所 一种在碳纤维纸基底上直接生长碳纳米管阵列的方法
JP6008724B2 (ja) * 2012-12-07 2016-10-19 日立造船株式会社 カーボンナノ接合導電材料基板の製造方法
CN103088648B (zh) * 2013-01-25 2015-01-07 中国科学院新疆生态与地理研究所 一种复合纳米结构碳纤维材料的制备方法
US10031097B1 (en) * 2013-03-05 2018-07-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Electrical response using nanotubes on a fibrous substrate
JP2014234339A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 日立造船株式会社 カーボンナノチューブシートおよびカーボンナノチューブシートの製造方法
CN105552208B (zh) * 2016-03-16 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 一种压电发电装置及其制备方法和显示装置
EP3498056B1 (en) 2016-08-09 2020-06-03 John Bean Technologies Corporation Radio frequency processing apparatus and method
FR3068028B1 (fr) * 2017-06-26 2021-06-11 Nawatechnologies Procede de fabrication de nanotubes de carbone fixes sur un substrat
FR3085161B1 (fr) * 2018-08-21 2023-05-12 Nawatechnologies Procede de croissance de nanotubes de carbone en surface et dans le volume d'un substrat carbone poreux et utilisation pour preparer une electrode

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3985444B2 (ja) * 2000-10-17 2007-10-03 日新電機株式会社 軟質基材表面への炭素膜の形成方法
US6713519B2 (en) * 2001-12-21 2004-03-30 Battelle Memorial Institute Carbon nanotube-containing catalysts, methods of making, and reactions catalyzed over nanotube catalysts
FR2841233B1 (fr) * 2002-06-24 2004-07-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de depot par pyrolyse de nanotubes de carbone
US7560136B2 (en) * 2003-01-13 2009-07-14 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US8541054B2 (en) * 2003-09-08 2013-09-24 Honda Motor Co., Ltd Methods for preparation of one-dimensional carbon nanostructures
JP2006062953A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Daihatsu Motor Co Ltd カーボンナノチューブの製造方法および製造用触媒
TWI465391B (zh) * 2004-11-10 2014-12-21 尼康股份有限公司 Carbon nanotube aggregate and manufacturing method thereof
CA2604886A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-26 Drexel University Functional nanoparticle filled carbon nanotubes and methods of their production
CN100436311C (zh) * 2005-07-22 2008-11-26 清华大学 碳纳米管阵列制作方法
JP2007169838A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Showa Denko Kk 気相法炭素繊維およびその製造方法
JP4730707B2 (ja) * 2006-03-08 2011-07-20 株式会社豊田中央研究所 カーボンナノチューブ合成用触媒及びその製造方法、触媒分散液、並びに、カーボンナノチューブの製造方法
US7794797B2 (en) * 2007-01-30 2010-09-14 Cfd Research Corporation Synthesis of carbon nanotubes by selectively heating catalyst
US7563425B2 (en) * 2007-06-28 2009-07-21 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Carbonnitride nanotubes with nano-sized pores on their stems, their preparation method and control method of size and quantity of pore thereof
FR2927619B1 (fr) * 2008-02-20 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Croissance de nanotubes de carbone sur substrats de carbone ou metalliques.
EP2269950A4 (en) * 2008-03-07 2015-04-22 Hitachi Chemical Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING CARBON NANOTUBES AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CARBON NANOTUBES
US9214256B2 (en) * 2008-03-14 2015-12-15 Nano-C, Inc. Carbon nanotube-transparent conductive inorganic nanoparticles hybrid thin films for transparent conductive applications
JP5347139B2 (ja) * 2008-03-17 2013-11-20 大塚化学株式会社 カーボンナノチューブの製造方法
SG177396A1 (en) * 2009-07-03 2012-02-28 Univ Nanyang Tech Method of forming single-walled carbon nanotubes
CA2773996C (en) * 2009-09-10 2017-12-05 The University Of Tokyo Method for simultaneously producing carbon nanotubes and hydrogen, and device for simultaneously producing carbon nanotubes and hydrogen

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013510789A (ja) 2013-03-28
EP2499094A1 (fr) 2012-09-19
FR2952631B1 (fr) 2012-01-13
US20120237680A1 (en) 2012-09-20
KR20120106949A (ko) 2012-09-27
CN102686512A (zh) 2012-09-19
WO2011058038A1 (fr) 2011-05-19
US8821976B2 (en) 2014-09-02
FR2952631A1 (fr) 2011-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5692876B2 (ja) カーボンナノチューブを基板上に合成する方法
JP5649225B2 (ja) カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置
KR101073768B1 (ko) 카본 나노튜브 배향 집합체의 제조 장치 및 제조 방법
US8551618B2 (en) Growth of carbon nanotubes on carbon or metal substrates
EP1413550B1 (en) Method and device for synthesizing high orientationally arranged carbon nanotubes by using organic liquid
EP2397441B1 (en) Apparatus for producing oriented carbon nanotube aggregate
JP2007268319A (ja) カーボンナノチューブ合成用触媒及びその製造方法、触媒分散液、並びに、カーボンナノチューブの製造方法
US9643847B2 (en) Method for growth of vertically aligned carbon nanotubes on diamond substrates
JPWO2014208097A1 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JPH08225395A (ja) ホウ素ドープされたダイヤモンドの製造方法
Rohmund et al. Carbon nanotube films grown by laser-assisted chemical vapor deposition
JP5364904B2 (ja) カーボンナノファイバー集合体の製造方法
Hirsch Growth of Single‐Walled Carbon Nanotubes Without a Metal Catalyst—A Surprising Discovery
JP6106192B2 (ja) 材料表面へのカーボンナノチューブの炭素層を介する接着または付着の向上
Yardimci et al. Synthesis methods of carbon nanotubes
KR102177472B1 (ko) 그래핀 옥사이드 증착용 소스 및 이를 이용한 그래핀 옥사이드 박막 형성 방법
JP4545530B2 (ja) 微細炭素繊維の製造方法
JP2002180252A (ja) カーボンナノチューブの製造方法
Cheraghali et al. Etching of 316L Stainless Steel by Different Chemical Etchant Solutions for the Growth of Carbon Nanotubes by Thermal Chemical Vapour Deposition
JP2021070597A (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JP2016088787A (ja) カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法
Yap et al. Effect of carrier gas on the growth rate, growth density, and structure of carbon nanotubes
JP6171805B2 (ja) 炭素ナノ構造体の製造方法
McLean Growth Mechanisms of Boron Nitride Nanotubes during Chemical Vapour Deposition
JP2010163334A (ja) カーボンナノチューブの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140513

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5692876

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees