JPS60120720A - 芳香族ポリチオエ−テルケトンおよびその製造法 - Google Patents
芳香族ポリチオエ−テルケトンおよびその製造法Info
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- JPS60120720A JPS60120720A JP22967483A JP22967483A JPS60120720A JP S60120720 A JPS60120720 A JP S60120720A JP 22967483 A JP22967483 A JP 22967483A JP 22967483 A JP22967483 A JP 22967483A JP S60120720 A JPS60120720 A JP S60120720A
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- ketone
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- dicarboxylic acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は芳香族ポリチオエーテルケトンおよ族ポリチオ
エーテルクトンを芳香族チオエーテル化合物とホスゲン
との反応にょシ新規ポリマ−を製造する方法を見出した
が、さらに本発明者等は芳香族チオエーテル化分物と芳
香族ジカルボン酸シバライドとの反応を鋭意検討を行な
った結果、新規化合物である芳香族ポリチオエーテルケ
トンを著しく安価でしかも温和な条件下で製造する方法
を見出した。
エーテルクトンを芳香族チオエーテル化合物とホスゲン
との反応にょシ新規ポリマ−を製造する方法を見出した
が、さらに本発明者等は芳香族チオエーテル化分物と芳
香族ジカルボン酸シバライドとの反応を鋭意検討を行な
った結果、新規化合物である芳香族ポリチオエーテルケ
トンを著しく安価でしかも温和な条件下で製造する方法
を見出した。
また1本発明によシ製造された芳香族ポリチオエーテル
ケトンは耐熱性1機械的性質、電気的性質1寸法安定性
に優れ、!&水車が低く、物性的に非常に良好なポリマ
ーである。
ケトンは耐熱性1機械的性質、電気的性質1寸法安定性
に優れ、!&水車が低く、物性的に非常に良好なポリマ
ーである。
すなわち本発明の要旨は下記の一般式〔1〕(ロ)式中
R′〜nItは水素原子、ハロゲン原子。
R′〜nItは水素原子、ハロゲン原子。
炭化水素基またはアルコキシ基を示し、Ar状芳香族基
を示し% nはθ〜!の整数である)で表わされる構造
単位を有し、かつ?!%硫酸中。
を示し% nはθ〜!の整数である)で表わされる構造
単位を有し、かつ?!%硫酸中。
i、og7a、tで30’Oで測定した’Q inhが
Q、θjd 179以上である芳香族ポリチオエーテル
ケトンおよびその製造法に存する。
Q、θjd 179以上である芳香族ポリチオエーテル
ケトンおよびその製造法に存する。
本発明をさらに詳細に説明するに、このような芳香族ポ
リチオエーテルケトンは一般式〔n)(〔■〕式中 t
% 、、、 RIt は水床原子、ノ飄ログン原子、炭
化水素基またはアルコキシ基を示し、nはI−jの整数
である)で光わされる芳香族チオエーテル類と芳香族ジ
カルボン酸ジノ・ライドとをルイス酸の存在下で、溶媒
として非プロトン性有機溶剤を用いて反応させることに
より製造される。
リチオエーテルケトンは一般式〔n)(〔■〕式中 t
% 、、、 RIt は水床原子、ノ飄ログン原子、炭
化水素基またはアルコキシ基を示し、nはI−jの整数
である)で光わされる芳香族チオエーテル類と芳香族ジ
カルボン酸ジノ・ライドとをルイス酸の存在下で、溶媒
として非プロトン性有機溶剤を用いて反応させることに
より製造される。
本発明をさらに詳細に説明するに1本発明に用いられる
前記一般式C1l、]で宍わされる芳香族チオエーテル
類トしてはジフェニルサルファイド、ビス(3−クロロ
フェニル)サルファイド。
前記一般式C1l、]で宍わされる芳香族チオエーテル
類トしてはジフェニルサルファイド、ビス(3−クロロ
フェニル)サルファイド。
ビス(3−メチルフェニル)サルファイド、ビx(3,
r−ジメチルフェニル)サルファイド。
r−ジメチルフェニル)サルファイド。
(3−メトキシフェニル)サルファイド、ビス(3,、
f−ジクロロンエニル)サルファイド、ビス(3−プロ
モノエニル)ザルファイト、ビス(3−フルオロフェニ
ル)サルファイド、ヒス(3,j−ジフルオロフェニル
)サルファイド。
f−ジクロロンエニル)サルファイド、ビス(3−プロ
モノエニル)ザルファイト、ビス(3−フルオロフェニ
ル)サルファイド、ヒス(3,j−ジフルオロフェニル
)サルファイド。
ビス(3−エチルフェニル)サルファイド。
/、グービス(フェニルメルカプト)ベンゼン。
ビス(&−フェニルメルカプトフェニル)サルファイド
、/、3−ビス(フェニルメルカプト)ベンゼン・ り
、クービス(クーフェニルメルカプトフェニル)ジフェ
ニルサルファイド、(p−フェニルメル力ノトフェニル
)−y−フェニルメルカブトジンエニルサルファイ)”
、/、(/−ビスC3−)f−ルフェニルメルカブト)
ベンゼン。
、/、3−ビス(フェニルメルカプト)ベンゼン・ り
、クービス(クーフェニルメルカプトフェニル)ジフェ
ニルサルファイド、(p−フェニルメル力ノトフェニル
)−y−フェニルメルカブトジンエニルサルファイ)”
、/、(/−ビスC3−)f−ルフェニルメルカブト)
ベンゼン。
/、Z−ビス(3−クロoフェニルメルヵ7ト)へyセ
ン、i、y−ヒス(3−メトキシフェニルメルカプト)
ベンゼン、/、3−ビス(j、j−ジメチルフェニルメ
ルカプト)ベンゼン、i、3−ビス(3−ブロモフェニ
ルメルカプト)ベンゼン、/、41−ビス(3,j−シ
ンルオロフェニルメルカブト)ベンゼンなどが挙げられ
るが一般式1[、・コで示されるものはいずれも使用可
能であシ。
ン、i、y−ヒス(3−メトキシフェニルメルカプト)
ベンゼン、/、3−ビス(j、j−ジメチルフェニルメ
ルカプト)ベンゼン、i、3−ビス(3−ブロモフェニ
ルメルカプト)ベンゼン、/、41−ビス(3,j−シ
ンルオロフェニルメルカブト)ベンゼンなどが挙げられ
るが一般式1[、・コで示されるものはいずれも使用可
能であシ。
これらに限定されるものではない。これらは単独もしく
は混合して使用してもよ<、/、g又は/、3構造のも
のが好ましい。またこれらの中でコストの点からジフェ
ニルサルファイ)”、/、g−ジフェニルメルカブトベ
ンゼンを用いることが最も好ましい。
は混合して使用してもよ<、/、g又は/、3構造のも
のが好ましい。またこれらの中でコストの点からジフェ
ニルサルファイ)”、/、g−ジフェニルメルカブトベ
ンゼンを用いることが最も好ましい。
また1本発明に用いられる芳香族ジカルボン酸シバライ
ドとしてはテレンタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジク
pリド、ジフェニルメタン−タウグージカルボン敏ジク
ロリド、ジフェニルメタン−3,3′−ジカルボン酸ジ
クロリド、ジフェニルエーテルーク、り′−ジカルボン
酸ジクロリド。
ドとしてはテレンタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジク
pリド、ジフェニルメタン−タウグージカルボン敏ジク
ロリド、ジフェニルメタン−3,3′−ジカルボン酸ジ
クロリド、ジフェニルエーテルーク、り′−ジカルボン
酸ジクロリド。
ジフェニル−g、4t’−ジカルボン酸ジクロリド。
インフタル酸ジブロマイド、テレフタル酸ジンルオダイ
ド、テレフタル酸ジイオダイド、ナノタリンーー、に一
ジカルボン酸ジクロリド、ナフタリン−/、3−ジカル
ボン酸ジクロリド、メトギシテレンタル112ジクロリ
ド、エトキシテレフタル酸ジクロリド、フルオロテレフ
タル酸ジクロリド、クロロテレフタル酸ジクロリド、メ
チルテレフタル酸ジクロリ、ド等が挙げられるが。
ド、テレフタル酸ジイオダイド、ナノタリンーー、に一
ジカルボン酸ジクロリド、ナフタリン−/、3−ジカル
ボン酸ジクロリド、メトギシテレンタル112ジクロリ
ド、エトキシテレフタル酸ジクロリド、フルオロテレフ
タル酸ジクロリド、クロロテレフタル酸ジクロリド、メ
チルテレフタル酸ジクロリ、ド等が挙げられるが。
必ずしも゛これらに駆足されるものではない。これらの
酸ハンイドの中でコストの点からプレフタル酸ジクロリ
ド、イソフタル酸ジクロリドが好iしい。
酸ハンイドの中でコストの点からプレフタル酸ジクロリ
ド、イソフタル酸ジクロリドが好iしい。
一般式(If)で表わされる芳vj族チオエーテル類と
” 芳香族ジカルボン 酸シバライドとの使用割合は通常該チオエーテル類1モ
ルに対し、核酸シバライドを0.jモル以上使用される
。
” 芳香族ジカルボン 酸シバライドとの使用割合は通常該チオエーテル類1モ
ルに対し、核酸シバライドを0.jモル以上使用される
。
本発明で用いられる非プロトン性有機溶媒とし
しては、塩化メチレン、塩化エチlン、/、/、J・コ
ーチトラクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ニ
トロベンゼン、ニトロメタン、二硫化炭素、トルエン、
キシレン、ベンゼン、テトラリン、デ゛カリン、ヘキサ
ン、エチルエーテル。
ーチトラクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ニ
トロベンゼン、ニトロメタン、二硫化炭素、トルエン、
キシレン、ベンゼン、テトラリン、デ゛カリン、ヘキサ
ン、エチルエーテル。
ジブチルエーテル、ヘゲタン、ペンタン、オルトジクロ
ルベンゼンなどが用いられるが必ずしもこれ等に限定さ
れるものではない。
ルベンゼンなどが用いられるが必ずしもこれ等に限定さ
れるものではない。
溶媒の使用量は一般式〔1〕で表わされる芳香族エーテ
ルの7〜100倍量(重量比)好ましくは!〜/θθ倍
量(重量比)である。
ルの7〜100倍量(重量比)好ましくは!〜/θθ倍
量(重量比)である。
本発明に用いられるルイス酸としては三塩化アルミニウ
ム、三臭化アルミニウム、三弗化硼素、塩化第二鉄、塩
化第二錫、塩化第一錫、四塩化チタン、三塩化硼素、五
塩化アンチモン。
ム、三臭化アルミニウム、三弗化硼素、塩化第二鉄、塩
化第二錫、塩化第一錫、四塩化チタン、三塩化硼素、五
塩化アンチモン。
塩化亜鉛、三塩化ガリウム、六塩化アンチモン、三塩化
リン、五塩化リン、五塩化テルル、三弗化硼素エチルエ
ーテル錯化物、五塩化ニオブ。
リン、五塩化リン、五塩化テルル、三弗化硼素エチルエ
ーテル錯化物、五塩化ニオブ。
六塩化タングステンなどが挙げられるが必ずしもこれら
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
これらの中で塩化アルミニクム、Fi化スズがコストの
点で最も好ましい。これらのルイス酸の使用量は酸シバ
ライドに対して重量比でθ、j −!、0好ましくは0
.2〜ユ、0である。
点で最も好ましい。これらのルイス酸の使用量は酸シバ
ライドに対して重量比でθ、j −!、0好ましくは0
.2〜ユ、0である。
また1本発明は一般式(n)で表わされるチオエーテル
類と芳香族ジカルボン酸シバライドとを含む溶液にルイ
ス酸を添加してもよいし、溶媒とルイス酸の存在下で芳
香族ジカルボン酸シバライドと一般式(It)で表わさ
れるチオエーテル類を添加してもよい。本発明方法にお
いては反応温度は特に制限はないが一/θ℃以上(通常
700°C以下)という温度でも高重合物が得られる。
類と芳香族ジカルボン酸シバライドとを含む溶液にルイ
ス酸を添加してもよいし、溶媒とルイス酸の存在下で芳
香族ジカルボン酸シバライドと一般式(It)で表わさ
れるチオエーテル類を添加してもよい。本発明方法にお
いては反応温度は特に制限はないが一/θ℃以上(通常
700°C以下)という温度でも高重合物が得られる。
を有している。すなわち引張シ強度1曲げ強度。
引張シ弾性率1曲げ弾性率などの機械的性質。
l1111j@性、熱分解開始温度、電気的性質1寸法
安定性に優れ、吸湿、吸水率が低い。
安定性に優れ、吸湿、吸水率が低い。
以下1本発明を実施例によがさらに詳細に説明する。
ザルファイド?、、23gのジクロルエタン溶液/!θ
−に塩化アルミニウムis、szgを加える。
−に塩化アルミニウムis、szgを加える。
この際水冷によシ反応混合物の温度を!℃以下にに保つ
。塩化アルミニウム添加終了後、水冷攪拌下り時間、さ
らに室温で72時間反応させる。
。塩化アルミニウム添加終了後、水冷攪拌下り時間、さ
らに室温で72時間反応させる。
反応終了後1反応混合物をメタノール!00dに注ぐと
白色粉末状重合物が得られる。重合物゛は戸取後メタノ
ール!00tnt、2%塩酸水溶液j0θ−でコ回、さ
らに脱塩水100.n/!でコ回洗浄し、/J′θ℃で
一昼夜真空乾燥する。収率は?4t%であった。得られ
たポリマーの赤外線吸収スペクトル(KBrディスク)
はIttO(71−’に芳香族ケトンの吸収がみられた
。またポリマーの粘度(濃硫酸中3Q°0、濃度= /
、 Og/eLt)はηinhがθ、/りdL7’J/
であシ1元素分析の結果は実測値で0.7.2゜!9%
; H,3,7/%、計算値(C1o H120tS)
で0.73−.93%; H,3,J”2 %であった
。
白色粉末状重合物が得られる。重合物゛は戸取後メタノ
ール!00tnt、2%塩酸水溶液j0θ−でコ回、さ
らに脱塩水100.n/!でコ回洗浄し、/J′θ℃で
一昼夜真空乾燥する。収率は?4t%であった。得られ
たポリマーの赤外線吸収スペクトル(KBrディスク)
はIttO(71−’に芳香族ケトンの吸収がみられた
。またポリマーの粘度(濃硫酸中3Q°0、濃度= /
、 Og/eLt)はηinhがθ、/りdL7’J/
であシ1元素分析の結果は実測値で0.7.2゜!9%
; H,3,7/%、計算値(C1o H120tS)
で0.73−.93%; H,3,J”2 %であった
。
実施例−2
実施例−/で溶媒として用いたジクロルtタンに替えて
二硫酸化炭素を用いた以外は、実施例−/と同様の方法
で行なう。収率ンQ%で白色粉末状重合物が得られた。
二硫酸化炭素を用いた以外は、実施例−/と同様の方法
で行なう。収率ンQ%で白色粉末状重合物が得られた。
得られたポリマーの赤外吸収スペクトル(KErディス
ク)ハ’ g −’ −t t’or−1に力香族ケト
ンの吸収がみられた。
ク)ハ’ g −’ −t t’or−1に力香族ケト
ンの吸収がみられた。
またポリマーの粘度(濃硫酸中30 ℃、濃度=/。θ
y、’az)はシミnhがo、o−tdt7gであシ。
y、’az)はシミnhがo、o−tdt7gであシ。
元素分析のh4果は実測値:C17乙、にり係;11.
3.90%、計算値(o2゜H,、O,B) ; 0.
7!、93%;H2S。23%でおった。
3.90%、計算値(o2゜H,、O,B) ; 0.
7!、93%;H2S。23%でおった。
出願人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 長谷用 −
ほか/名
Claims (2)
- (1)一般式(1) (〔1〕式中RI−R′′ は水素原子、・・四ゲン原
子、炭化水素基、またはアルコキシ基を示し。 Arは芳香族基を示し、nは0.−1の整数である)で
表わされる構造単位を有し、かつ9r%硫酸中/、θy
/dtで3θ°Oで測定し九ηinh がθ、θj 6
179以上である芳香族ポリチオエーテルケト/。 - (2)一般式〔…〕 (〔n〕式中R1〜胛は水素原子、ハロゲン原子、炭化
水素基またはアルコキシ基を示し。 nは0−1の整数である)で表わされる芳香族チオエー
テル類と芳香族ジカルボン酸シバライドとをルイス酸の
存在下で、浴媒として非プロトン性有機溶媒を用いて反
応させることを特徴とする芳香族ポリチオエーテルクト
ンの製造法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22967483A JPS60120720A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 芳香族ポリチオエ−テルケトンおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22967483A JPS60120720A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 芳香族ポリチオエ−テルケトンおよびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60120720A true JPS60120720A (ja) | 1985-06-28 |
Family
ID=16895903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22967483A Pending JPS60120720A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 芳香族ポリチオエ−テルケトンおよびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60120720A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4772679A (en) * | 1984-12-14 | 1988-09-20 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Crystalline aromatic polyketone and process for producing the same |
EP0435674A2 (en) | 1989-12-29 | 1991-07-03 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | High-heat-resistant, crystalline block copolymers and production process thereof |
US5250636A (en) * | 1990-04-25 | 1993-10-05 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone-ketone) copolymer and production process thereof |
US5258440A (en) * | 1991-05-10 | 1993-11-02 | Kureha Kagaku Kogyo K. K. | Resin compositions of high heat resistance |
US5288815A (en) * | 1990-04-25 | 1994-02-22 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone) copolymer and production process thereof |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP22967483A patent/JPS60120720A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4772679A (en) * | 1984-12-14 | 1988-09-20 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Crystalline aromatic polyketone and process for producing the same |
EP0435674A2 (en) | 1989-12-29 | 1991-07-03 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | High-heat-resistant, crystalline block copolymers and production process thereof |
US5378771A (en) * | 1989-12-29 | 1995-01-03 | Kureha Kagaku Kogyo K.K.K. | High-heat-resistant, crystalline block copolymers and production process thereof |
US5250636A (en) * | 1990-04-25 | 1993-10-05 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone-ketone) copolymer and production process thereof |
US5288815A (en) * | 1990-04-25 | 1994-02-22 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone) copolymer and production process thereof |
US5374692A (en) * | 1990-04-25 | 1994-12-20 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly (arylene thioether-ketone-ketone) copolymer and production process thereof |
US5378770A (en) * | 1990-04-25 | 1995-01-03 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone-ketone) copolymer and production process thereof |
US5391646A (en) * | 1990-04-25 | 1995-02-21 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone) copolymer and production process thereof |
US5391645A (en) * | 1990-04-25 | 1995-02-21 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Poly(arylene thioether-ketone) copolymer and production process thereof |
US5258440A (en) * | 1991-05-10 | 1993-11-02 | Kureha Kagaku Kogyo K. K. | Resin compositions of high heat resistance |
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