JPS60120661A - 光ビ−ム照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザビームをポリゴンスキ＋７す等により
感光体−Ｌを偏向走査して文字や図形の記録を行なうシ
ー１１プリンタ等の光プリンタに使用される光ビーム照
射装置に関するものである。

従来例の構成とイの問題点 近年、レーザプリンタは高速、高印字品質のプリンタど
して、ワードブロレツリー等のプリンタに利用されてき
ている。

以下、従来のレーザプリンタについて第１図〜第４図を
用いて説明する。第１図は従来の光ビーム点用装置を備
えたレーザプリンタの概略構成図で、１は半導体レーザ
であり、この半導体レーリー１より出射され１ｃ光ビー
ムはコリメータレンズ（図示せず）で平行化され、ポリ
ゴン偏向器２で偏向され、結像レンズ３を介して感光体
４上を走査される。モして感光体４の周辺には、帯電器
５、現像器６、転写帯電器７、およびクリーニング手［
９８が配設されて４３す、半導体レーリ゛１による記録
潜像は現像器６でトナー顕像化され、転写帯電器７によ
って普通紙９に転写され、図外の定着手段を経て記録が
完成する。１０は半導体レーザ１の駆動回路、１１は画
像に対応したレーザ光の光強度変調信号ａの入力端子で
ある。

上記のレーザプリンタによる照射状態及び現像状態を第
２図に示す。ここでは光ビームの照射部を黒く現像りる
反転現像について示し、照射領域に対応した大きざの部
分が黒く現像される。イは照射部、口は非照射部、ハは
顕像部である。なお、光ビームの走査においで、光ビー
ムがポリゴン偏向器２により走査される方向を主走査方
向、感光体４０回転方向を副走査方向と称づ゛。

しかしながら、上記従来装置では照射領域が小ざくなり
、１００ミクロン以下の細線になってくるど、現ｆＩＣ
！３６の特性により、第３図に承りごとく１ヘナー像が
細ってしまい、最悪時には細線が現像されないで飛／ｖ
でしまうという問題＋ｉｉを右していた。また第４図に
示すごとく、光ビームの非照射部を黒く顕像化りる正転
現像においてｂ、カブリを無くするため光ビームスポッ
ト径を少し大きくして露光り−るために、細線の細りが
顕浩にみられｌこ　。

発明の目的 本発明ＩＪ上記従来の欠点を解消づるｂので、細線の相
り“１５飛びを１ｊ（（＜ずことの（゛きる光ビーム照
射装置をｊＳ供Ｊることを目的どり−る。。

発明の構成 上記目的を達成するため、第１の発明にががる光ビーム
照射装置は、画像信８により光強度変調された光ビーム
を出射づる光源と、この光源からの光ビームを感光体上
に走査させる走査手段と、少なくとｂ］ｌｌ！在照用中
の光ビームスボッ１−の光強度の照！１寸・非照射に対
応する極性情報ど一ト走査ブラ向おにび副走査方向のそ
れぞれの相隣る２点の極性情報とを記憶するメモリ手段
と、このメモリ手段のそれぞれのメモリの極性を判定す
る極性判定手段と、この極性判定手段の判定結果に基づ
いて光ビームスポット径を６Ｊ変させる制御手段とを備
え、現在照射中の光ビームスポットの極１１１が照射に
対応しておりかつ主走査方向の相隣る２点または１ｎｊ
走査方向の相隣る２点の極性と相異なる場合に前記照射
中の光ビームスポット径を変化させる］１４１戊としｌ
こ−しのである。

また第２の発明にかかる光ビーム型側装置は、画像ｌＣ
号により光強度変調され／ｊ光ビームを出射りる光源と
、この光源からの光ビームを感光体上に走査りる走査手
段と、主走査方向で照射部および非点口・１部に対応す
る光強度変調の互のパルス時間幅の比を可変させる可変
手段とを備えた４７４成である。

実施例の説明 以下、本発明の実施例について、図面にＵづいて説明覆
る。

第５図は第１の発明の一実施例にお【プる光ビーム照９
Ａ装置の要部の回路ブロック図−（・、１１は画像に対
応した光強度変調信号ａが入ツノされる入ツノ端ｊ”１
１２，１３．Ｌ４は１：走査方向の１ライン分のジノ１
−レジスタメ七り、１５は現在照射中の光じ−ムの極性
及びこれに隣接りる主走査り向の２点イ「らびに副走査
方向の２点の極性を判定づる極性判定回路、１６は駆動
回路Ｃ゛ある。

第６図には、隣接する２点が非照射部「１の場合、照射
ビームスポット径を人さく　Ｌ’　−１、現ＩＩ　Ｉｌ
、’ｌの細線の細りを補正した一例を示す。この操作（
ま主走査方向及び副走査方向に対して同１１０に行な４
っれる。

前記駆動回路１６は、極性判定糸イ１により光ビームの
スポラ１〜径を変える。光ビームの出１１４’ｌ光源に
半導体レーザ１を用いた場合の駆動例を一第７図Ｊ３Ｊ
、び第ε３図に承り。即ら半導体レーク゛１の駆動電流
を１１から１２に変化させると、光ビーム出力強度はＲ
１力目うＲ２どなる。このどさレーリ゛スポットの強度
分布はＳｌ、Ｓ２のように万つス状分イｂとなるので、
感光体４のしぎい値レベルＦｔどの交点から、光ビーム
スポット径はＤｌから１）２の様になり、スポラ１〜径
を変える事ができる。

第９図は正転現像時に隣接する照射ビームスボッ［・系
を小さくして露光補正を行４Ｔつだ例である。

次に第２の発明について説明覆る。第１の発明では、光
ビームスポット径を変える事で線幅を補正したが、主走
査方向については、光強度変調の照射部イ、非照射部［
］に対応する変調パルス時間幅を変える方法でも同様の
効果が期待できる。第１０図には白、黒のパルス幅の同
じ線を正転現像で現像した場合の例を示す。照射部（白
）が少し大きくなる結果、現像時の黒部は細ってしまう
。第１１図には照射部く白）のパルス幅を小さくし、現
像時に細線の細りが無い様に補正した例を示す。

このように白部のパルス幅を小さくする手段の一例とし
−Ｕ、１ｌｆｉ延回路を用いたものを第１２図に示し、
その各部信号波形図を第１３図に示す。信号Ａは遅延回
路１７により遅延されて信号Ｂとなる。この信号Ｂとも
との信号Ａとをアンド回路１８に入力すると、白部のパ
ルス幅が小さくなった信号Ｃが冑られる。

このように、主走査方向の変調パルス幅を変える事によ
っ−Ｃも、線の大さ−さを補止Ｊる事がｕＴ　ｍである
。この場合、レーザスボッ１−の形状ｌ；１走査方向に
対して縦長の楕円形の方が良いが、半導体レーク゛１の
放射ビームは楕円状４Ｉ−ので、この形状をそのまま利
用づることが′Ｃきる。

なお、第１の発明のようにビームスボッ１〜径を変化さ
ける場合に、これど同時に第２の発明の如く主走査方面
の変調パルス幅を変化さ１！（しよい。

また上記各実施例では、主どしてレーザプリンタについ
て説明したが、本発明はこれに限定されるしのではな（
、その他の光プリンタに６同様に適用づる事がでさる。

。 発明の詳細 な説明したＪ、うに第１の発明によれば、■Ｉ線部ある
いはこれに隣接づ”る箇所に対応づる光ビームのスポラ
１〜径を変える小に、１、す、細線の細りＡゝ）飛びを
無（すことかできる。また第２の発明にＪ、れば、主走
査プ）向の変調パルス幅を変える事により、主走査方向
に垂直な細線を同様に補正りる事がでさる。さらにこの
パルス幅を最適に選ぶ事にＪ：す、現像器によって縦線
、横線の現像幅の差を補正して、縦横同じ太さの細線と
なる様に調整できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のレーザプリンタの概略構成図、第２図お
よび第３図は同レーザプリンタの反転現像時の画像状態
の説明図、第４図は同レーザプリンタの正転現像時の画
像状態の説明図、第５図は第１の発明に係る光ビーム照
射装置の要部の回路／１］ツタ図、第６図は同光ビーム
照射装置の反転現像時に−）りる画像補正の説明図、第
７図は同光ビーム照射装置ｍにお（）る半導体レ−１Ｆ
の駆動電流ど光ビームの出ノｊ強度との関係の説明図、
第８図は同光ビーム照射装置にお（プる光ビームスポッ
トの光強度分布の説明図、第９図は同光ビーム照射装置
の正転現像時にお【）る画像補正の説明図、第１０図及
び第１１図は第２の発明にかかる光ビーム照射装置の光
強度変調パルス幅を変えることによる画像補正の説明図
、第１２図は同光ビーム照射装置の要部の回路図、第１
３図は第１２図に示り′回路の各部（ｆｉ号波形図であ
る。 １・・・半尋体し−リ“、２・・・ポリゴン偏向器、１
・・・感光体、６・・・現像器、１２．１３．１４・・
・シフ１−レジスタメモリ、１５・・・極性判定回路、
１６・・・駆動回路、１７・・・遅延回路 代理人　森　木　義　弘 第１図 第２図 照射時　−視橡峙 第３図 庶酊蒔−環像椅 第４図 ａ＝ｒ４　−　現像峙

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、画像信号により光強度変調されｌＪ光ヒームを出射
   する光源と、この光源からの光ヒームを感光体上に走査
   さける走査手段と、少’Ｊ　くとも現在照射中の光ビー
   ムスボッ１〜の光強度の照射・非照射に対応する極性情
   報と１−走査方向および副走査方向のそれぞれの相隣る
   ２点の極性情報どを記憶りるメ−しり手段と、このメモ
   リ手段のそれぞれのメモリの極性を判定Ｊる極性判定手
   段と、この極性判定手段の判定結果に基づいて光ビーム
   スボッ１へ径を可変さμる制御手段とを備え、現有照射
   中の光ビームスボッ１〜の極性が照射に対応しでおりか
   つ主走査り向の相隣る２点または副走査ツノ向の相隣る
   ２点の極性と相異なる場合に前記照射中の光ビームスポ
   ット径を変化さける構成とした光ビーム照射装置。 ２、光ビームで露光した領域を顕像化づる場合は、現在
   照射中の光ビーームスポットの極性が照射に対応してお
   りかつ主走査方向の相隣る２点または副走査方向の相隣
   る２点の極性と相異なる場合に前記照射中の光ビームス
   ボッｈ径を大きくする構成とした特許請求の範囲第１項
   記載の光ビーム照射装置。 ３、光ビームで露光されなかった領域を顕像化づる場合
   は、現在照射中の光ビームスポットの極性が照射に対応
   しておりかつ主走査方向の相隣る２点まｌ〔は副走査方
   向の相隣る２点の極性と相異なる場合に前記照射中の光
   ビームスボッ１〜径を小さくする構成とした特許請求の
   範囲第１項記載の光ビーム照射装置。 ４、制御手段は、主走査方向で照射および非照射部に対
   応する光強度変調の互のパルス時間幅の比を可変する機
   能をも有づる構成とした特許請求の範囲第１項記載の光
   ビーム照射装置。 ５、画像信号により光強度変調された光ビームを出射り
   る光源と、この光源からの光ビームを感光体上に走査さ
   せる走査手段と、主走査方向で照射部ａ３よび非照射部
   に対応づる光強度変調の互のパルス時間幅の比をｉｉＪ
   変させる可変手段とを備えた光ビーム照射装胃。