JPS61262366A - 光ビ−ム照射装置 - Google Patents

光ビ−ム照射装置

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JPS61262366A
JPS61262366A JP60104206A JP10420685A JPS61262366A JP S61262366 A JPS61262366 A JP S61262366A JP 60104206 A JP60104206 A JP 60104206A JP 10420685 A JP10420685 A JP 10420685A JP S61262366 A JPS61262366 A JP S61262366A
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Yukio Sakai
坂井 幸雄
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はディジタル画像信号によシ変調された光ビーム
を感光体上に走査して画像を記録する光ビーム照射装置
に関するものである。
従来の技術 近年、イメージセンサを用いた読取装置等からのディジ
タル画像信号により光ビームを変調し、 −感光体上に
走査して画像を記憶する光ビーム照射装置がレーザ、プ
リンタ等に広く利用されている。
以下図面を参照しながら、上述した従来の光ビーム照射
装置の一例について説明する。
第10図は従来の光ビーム照射装置の概略構成図を示す
ものである。第10図において、61はは半導体レーザ
、62はポリゴン偏向器、63は結像レンズ、64は感
光体、6oは半導体レーザ61の駆動回路でありレーザ
による光ビーム照射装置を構成している。また66は画
像原稿、66は原稿66の照明光源、67は集束性ファ
イバープレイ、58はイメージセンサ、69はイメージ
センサ68の読取回路、60は読取回路69の画像信号
の白黒を判定する比較回路であり画像読取装置を構成し
ている。
以上の様に構成された従来の光ビーム照射装置について
以下にその動作を説明する。イメージセフサ68等から
構成される装置 られた画像信号は、白部又は黒部を判定する比較回路6
0により白又は黒のディジタル画像信号に変換される。
この画像信号により半導体レーザ61は駆動回路6oに
より光強度変調される。変調された半導体レーザ61の
レーザビームはポリゴン偏向器62で感光体64上に走
査される。結像レンズ63はレーザビームを感光体64
上で規定のビーム径に集束するレンズである。以上の様
な動作によりイメージセンサ68から読取られた信号は
白黒のディジタル画素信号に変換され、半導体レーザ6
1により感光体64に画像として記録される。  ・ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記の様な構成では記録する画像が白黒
のディジタル画素信号に変換されるため。
写真等の中間調をもった画像は再現する事ができない欠
点があった。さらに従来の方法では記録する画像の解像
度は、イメージセンサ68の画素密度により決まり、イ
メージセンサ68の一画像が変化する場合、白又は黒に
まるめられるので記録画像の解像度が悪くなってしまう
第11図及び第12図で解像度劣化について説明する。
第11図において、原稿Aの黒部(像部)と白部の境界
領域をイメージセンサの1画素aで読取ったとき、読取
回路69の読取出力Bは判定レベル以下の出力bとなる
。そして比較回路60で白黒判定されたときにレーザ駆
動信号Cでは白と判定されて信号出力せず、記録画像D
d1画素画素全C全体となる。従って元の黒部は1画素
分の約1/3(図示の画素)が白となるため、白の凹部
が形成されてしまう。
逆に第12図に示すような状態で原稿Aの白黒の境界領
域を1画素a,が読取ったときは、読取回路69の読取
出力Bは判定レベル以上の出力b。
となり比較回路で黒と判定されてレーザ駆動信号Cが出
力される。従って記録画像Dは1画素分C。
全体が黒となって元の黒部に凸部が形成された状態に記
録されてしまう。
このような状態で繰返しディジタル化されて行くと記録
文字や線等が凹凸のあるギザギザとした画像となってし
まうと云った問題点があった。
一方、ディジタル画像の中間調再現方法としてディザ法
が良く知られているが、ディザ法では中間調の再現はよ
いが、文字等の線画の解像度は悪くなってしまう。
中間調を再現する一方法として,光ビームを濃度に比例
したパルス幅で変調して記録する方法がある。すなわち
、第13図Aに示す中間調の原稿を読み取り、この中間
調に比例した第13図Bに示す駆動パルスで記録を行な
うと、その画像は第13図Cに示すように、中間調画像
が同じ周期的なパルス幅で変調されるため、モアレが発
生しゃすい欠点があった。
本発明は上記問題点に鑑み、文字画像の解像度を向上さ
せると共に、中間調をもった画像を再現できる光ビーム
照射装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題を解決するために本発明の光ビーム照射装置は
、現在光ビーム照射中の画素領域に隣接する画素の濃度
レベルを記憶するメモリと、隣接する濃度レベルが異な
る場合は濃度の大きい方の隣接画素に接する様に、濃度
レベルに比例したパルス幅で光ビームを照射する手段と
、隣接する画素濃度レベルが等しい場合は,濃度パター
ン表と比較対応して,少なくとも光ビーム照射パルス幅
又は光ビームスポット径を変える手段とを備えたもので
ある。
作  用 本発明は上記の構成によって、隣接する画素濃度の大き
い方に接する様に,濃度レベルに比例したパルス幅で光
ビームを照射する事により、文字画像の白黒の境界の解
像度を向上させると共に、隣接画素濃度レベルが等しい
場合は,濃度パターン表によって光ビーム照射幅をラン
ダムに変える事により中間調濃度の画像をモアレの少な
い良好な画像で記録できることになる。
実施例 以下本発明の一実施例の光ビーム照射装置について、図
面を参照しながら説明する。第1図は本発明の一実施例
における光ビーム照射装置の概略構成図を示すものであ
る。第1図において、1は半導体レーザ、2はポリゴン
偏向器、3は結像レンズ、4は感光体、6は画素濃度レ
ベルを記憶するシフトメモリ、7は濃度レベルの比較回
路、11は濃度パターン表、8は濃度パターン表11に
より変換された濃度レベルに比例したパルス幅でレーザ
駆動パルスを発生する変調回路、9は前記パルスの開始
時間を制御する回路、1oは半導体レーザの駆動回路で
ある。
以上の様に構成された光ビーム照射装置について、以下
第1図を用いてその動作を説明する。イ入る。シフトメ
モリ6の現在照射中の画素に隣接する画素の濃度レベル
を比較する比較回路7により、照射中の濃度レベルは濃
度パターン表11と比較変換される。半導体レーザ1は
変調回路8により、前記変換された濃度レベルに比例し
たノ々ルス幅で駆動される。比較回路7で隣接する画素
濃度レベルが異なる時は、濃度レベルの大きい画素に接
する様に、駆動パルスの開始時間を制御回路9により決
めている0 パルス幅変調された半導体レーザ1のレーザ光は、ポリ
ゴン偏向器2により感光体4上を走査される。3はレー
ザビームを感光体4上に規定のスポット径に集束する結
像レンズである0感光体4で結像されたレーザビームス
ポットの形状は走査方向の幅は短かく、走査方向に直交
する方向が長い形状6としパルス幅変調が記録画像に有
効となる様にしている。
第2図には本発明の光ビーム照射装置の具体的な回路構
成の一実施例を示す。第2図において。
16はディジタル化された画像濃度レベルを記憶するシ
フトレジスタ、17は濃度レベル比較回路、1aは濃度
レベルカウンタ、19はパルススタートカウンタ、20
は半導体レーザ駆動回路、21は濃度パターン表、14
は加算回路、15は一画素内を濃度レベルで細分割する
のに必要な周波数をもったクロック発振器である。
以上の様に構成された光ビーム照射装置について、以下
その動作を説明する。第2図において各画素の濃度レベ
ルがディジタル化された画像信号はシフトレジスタ16
に入る。シフトレジスタ16は各画素の濃度レベルを記
憶するのに必要なビット数をもったシフトメモリである
。比較回路17は現在照射中の画素に隣接する画素の温
度レベル!11d−1+及びnd+、を比較し、ノ(ル
ススタートカウンタ19へ次の条件でカウンタ値を設定
する0nd−1≧”do、Oとき0 ”d−1< ”do1のとき”m −”dただし輻は最
大濃度レベルである。
一方濃度レベルカウンタ18には、隣接画素濃度レベル
が等しい場合、ゲート回路12全通して現在照射しよう
とする画素の濃度レベルnd と、これに対応する濃度
パターン表21の濃度値を加算回路14に通した結束が
設定される0隣接画素濃度レベルが異なる場合はndが
設定される。クロック発振器16にエリパルススタート
カウンタ19が動作した後、駆動)くルス開始信号によ
りゲート回路13が開いて、濃度レベルカウンタ18が
動作し駆動回路20にパルス信号が送られる。
第3図及び第4図はレーザ駆動パルスの状態を説明する
図である。両図Aに示す原稿を読み取る場合(pは読取
り画素)両図において、シフトレジスタ16の濃度レベ
ルをBとすると、レーザ駆動信号はCとなり、隣接する
画素濃度レベルの大きい方の画素に接する様に、かつ濃
度レベルに比例したパルス幅で駆動される。この結果記
録画像はDとなり、原稿Aに近い画像となって解像度が
向上している。
第6図は隣接する画素濃度レベルが同じ場合”d−1=
 ”do、の動作を説明する図である。この場合画素濃
度レベルAと濃度パターン表Bの中の値が加算された結
果Cに比例する駆動パルスDが半導体レーザに加えられ
る結果、記録画像はEの様になる。濃度パターン表Bは
記録画像に周期性がなくなる様にランダムに配置された
濃度レベルの表であり、かつ全濃度レベルの和が0とな
る様に設定する事により、同一濃度レベルに対応する記
録画像の黒の面積の平均値は、はぼ読取画像の濃度レベ
ルと一致する様になっている。
第6図は本発明の光ビーム照射装置の他の一実施例の概
略構成図を示すものである。第6図において、26は3
ラインの画像に対応する濃度レベルを記憶するシフトレ
ジスタ、27は濃度比較回路、28は濃度レベルカウン
タ、29はパルススタートカウンタ、3oは半導体レー
ザの駆動回路、31は濃度パターン表、32は第2の濃
度7217表、33は光ビームスポット径の変換回路で
ある。
以上の様に構成された光ビーム照射装置について、その
動作を説明する。第6図において画像濃度信号は3ライ
ンのシフトレジスタ26に記憶され、現在照射中の画素
濃度レベルndに隣接する画素濃度レベルが比較回路2
7で比較される。隣接する画素と濃度レベルの値の関係
を第7図に示す。走査方向及びこれに直角な方向で隣接
する画素濃度レベルが等しい時((”’)d=”d−1
=”d+4=(n+1)a)濃度パターン表31により
、現在照射中の濃度レベルが変換されパルス幅が設定さ
れるのは第2図の回路と同様である。ここでさらに第2
の濃度パターン表と比較され、変換回路33により現在
照射する光ビームスポット径の大きさが変わる。22.
23は隣接する画素濃度レベルが等しい時に動作するゲ
ート回路である。
第8図に光ビームスポット径の大きさを変換する回路の
一実施例を示す。光ビームスポット径変換信号が与えら
れると、スポット径変換回路44が動作して、T r 
、+ T r 2がONとなり、抵抗R1,R2に電流
が流れる。この結果、半導体レーザ41に流れる電流が
増加し、記録されたスポット径は増大する。(例えば米
国特許第4,361.394号明細書を参照) 第9図は第7図の回路の動作を説明する図である。第9
図において、各画素の画素濃度レベルAは濃度パターン
表Bと加算されC,パルス幅が設定される80次に第2
濃度パターン表によシ光ビームスポット径の大きさを変
える信号により、半導体レイは!の様に駆動される。こ
の結束、記録画像はGとなる。濃度パターンB及び第2
濃度パターン表りは記録画像Gの黒部の面積の平均値は
、読取画像の濃度レベルの値にほぼ等しくなる様に設定
されている。
なお1以上の実施例では光ビームの照射された部分を顕
像化する場合を説明したが、光ビームの照射されない部
分を顕像化するポジ現像の場合も同様の方法を用いる事
ができる。
発明の効果 以上の様に本発明は、現在照射中の画素に隣接する画素
の濃度レベルを記憶するメモリと、隣接画素濃度レベル
を比較判定する手段と、隣接画素濃度レベルが等しい場
合は濃度パターン表により、照射中の光ビームのパルス
幅又はスポット径を変換して記録する事により、中間調
の濃度をもった画像を良好に記録できる。また隣接画素
濃度レベルが異なる場合は、現在照射中の光ビームが濃
度レベルの大きい方の画素に接する様に、かつ濃度字画
像の解像度を向上させた記ぼ像を得る事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光ビーム照射装置の
概略構成図、第2図はその具体的な回路の概略構成図、
第3図、第4図及び第6図は本発明の光ビーム照射装置
における画像記録の状態を説明する説明図、第6図及び
第8図は本発明の他の実施例における光ビーム照射装置
の具体的な回  −路の概略構成図、第7図及び第9図
はその動作を説明する説明図、第10図は従来の光ビー
ム照射装置の概略構成図、第11図及び第12図はその
画像記録の状態を説明する図、第13図は中間調を記録
する従来の一方法を示す図である。 1.61・・・・・・半導体レーザ、2,52・・・・
・・ポリゴン偏向器、3,53・・・・・・結像レンズ
、4,64・・・・・・感光体、6,16.26・・・
・・・シフトレジスタ、7.17.27・・・・・・濃
度比較回路、18.28・・・・・・濃度レベルカウン
タ、19.29・・・・・・パルススタートカウンタ、
1o、20.30・・・・・・半導体レーザ駆動回路、
11.21.31・・・・・・濃度パターン表、32・
・・・・・第2濃度パターン表、33・・・・・・ビー
ムスポット径変換回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名11
.・ 羊キオ本し−i− 5・・・レーす″ビームカド・外 6・・・シフトメモリ ベ 第 2rll ?2...:  量大う1長レジ゛ル 第3図 第5図 く( ↑ ↑ 17  図 第 9 図 661.東1日月ヅ乙魂 第11図 X    自 第13区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも現在光ビーム照射する画素に隣接する画素の
    濃度情報を記憶するメモリと、現在光ビーム照射中の画
    素濃度レベルに応じて光ビーム照射パルス幅を変える手
    段と、前記隣接する画素の濃度情報レベルを比較判定す
    る手段と、前記判定手段の内容により前記照射中の光ビ
    ームの照射パルスの開始時間を変える手段と、ランダム
    濃度パターンを記憶する手段と、前記ランダム濃度パタ
    ーンを記憶する手段を参照して少なくとも光ビーム照射
    パルス幅又はビームスポット径を変える手段とを備えた
    事を特徴とする光ビーム照射装置。
JP60104206A 1985-05-16 1985-05-16 光ビ−ム照射装置 Expired - Fee Related JPH06105947B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0630248A (ja) * 1992-07-13 1994-02-04 Mita Ind Co Ltd 画像信号補正回路
WO2002019694A1 (fr) * 2000-08-31 2002-03-07 Ricoh Company, Limited Dispositif imageur

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53138630A (en) * 1977-05-10 1978-12-04 Ricoh Co Ltd Picture processing method

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