JPS63296069A - 光ビ−ム記録装置 - Google Patents

光ビ−ム記録装置

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JPS63296069A
JPS63296069A JP62132407A JP13240787A JPS63296069A JP S63296069 A JPS63296069 A JP S63296069A JP 62132407 A JP62132407 A JP 62132407A JP 13240787 A JP13240787 A JP 13240787A JP S63296069 A JPS63296069 A JP S63296069A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light beam
information
beam spot
irradiation
adjacent
Prior art date
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Pending
Application number
JP62132407A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Sakai
坂井 幸雄
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62132407A priority Critical patent/JPS63296069A/ja
Publication of JPS63296069A publication Critical patent/JPS63296069A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はコンピュータ、ワードプロセッサ等のディジタ
ル画像情報によ逆変調された光ビームを記録媒体上に走
査して画像の記録を行なう光ビーム記録装置に関するも
のである。
従来の技術 近年、コンピュータやファクシミリ等゛からの文字2図
形等の画像信号全レーザ・ビーム等の光ビ−ムを用すて
画像を記録する装置がレーザ、プリンタ等に広く用いら
れている。
以下図面を参照しながら従来の光ビーム記録装置の一例
について説明する。
第8図は半導体レーザ全周いた従来の光ビーム記録装置
の概略構成図を示すものである。第8図において1は半
導体レーザ、2はコリメータレンズ、3はポリゴン偏向
器、4は結像レンズ、5は感光体である。以上の様に構
成された従来の光ビーム記録装置について、その動作を
以下に説明する。半導体レーザ1は駆動回路7により画
像に応じて光強度変調される。変調されたレーザ光はコ
リメータレンズ2で平行光となり、ポリゴン偏向器3に
より感光体5上全偏光走査される。感光体δ上ではレー
ザビーム6は結像レンズ4によシ適当なビームスポット
径に集束されている。
第9図に感光体6上を走査するレーザビームの走査状態
を示す。第9図において感光体6の回転移動に伴なって
走査される方向を副走査方向、これと直交するレーザ偏
向方向を主走査方向と呼ぶ。
SlJを現在照射中の光ビームスポットとすれば”、d
’  □。、tj  は主走査方向に隣接するビームS
・ スポット、Si、j−1j Si、j+1は副走査方向
に隣接するビームスポットである。感光体6上にディジ
タル画素情報に応じて照射又は非照射の変調をした光ビ
ームを走査する事によシ画像を記録する事ができる。こ
のとき感光体5に光ビームで照射された部分を顕像化す
る方式を反転現像と呼ぶ。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の様な構成では、記録装置の記録密度
を上げていくと、1ドツトラインの幅が狭くなυ、一本
線を現像した時に線が切れてしまうという問題点を有し
ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、1ドツトラインを現像した
時の線の細シや切れを無くした高解像度の光ビーム記録
装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の光ビーム記録装置
は、現在照射中の光ビームスポットの隣接する画素情報
全記憶する少なくとも3ラインのメモリと、該メモリの
隣接する画素情報全判別する回路と、該回路の出力によ
り光ビームスポット径を拡大する手段を備えたものであ
る。
作  用 本発明は上記した構成によって、少なくとも一方の走査
方向で現在照射中の光ビームスポットに隣接する2点の
画素情報が共に非照射情報の場合、光ビームスポット径
を拡大する事により、1ドツトラインの線幅を大きく記
録する事によシ線の切れを防ぐものである。
実施例 以下本発明の一実施例の光ビーム記録装置について、図
面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における光ビーム記録装置の
概略構成図を示すものである。第1図に於て、10〜1
2は画素情報を記憶する3ライン分のシフトメモリであ
り、13は照射中の光ビームスポットに隣接する画素情
報を判別する回路、16は半導体レーザ全駆動する回路
である。
以上の様に構成された本実施例の光ビーム記録装置につ
いて以下その動作を説明する。第1図において、ディジ
タル画像信号は、3ライン分のシフトメモリ10〜12
に遂次入力される。3ラインのシフトメモリ10〜12
にて、シフトメモリ11には照射中の光ビーム情報金倉
んだ主走査ラインの画素情報を記憶し、シフトメモリ1
0及び12は副走査方向に隣接する主走査ラインの画素
情報が記憶されている。これらのシフトメモリ10〜1
2より照射中の光ビームスポットに隣接する少なくとも
4点の画素情報を得る事ができ、これらの情報を判別回
路13に入力する。判別回路13はこれらの情報が光照
射情報か、又は非照射情報かを判別して、半導体レーザ
の光ビームスポット径の大きさを変える制御信号14t
−出力する。半導体レーザ駆動回路15は画像照射情報
Sttと前記制御信号14とにより半導体レーザの光ビ
ームスポット径の大きさを変えて、感光体を照射するも
のである。
第2図(a)は照射中の光ビームスポットに@接する画
素情報s、、、−1,Sl、1+1及ヒ81−1.i、
 8i+1.J 75’共に未照射情報の場合、光ビー
ムスポット径を大きくする回路の一例を示したものであ
る。第2図(ロ)のように、タテの1ドツト線が走査ム
ラ等により細ったり切れたりするのを、第2図(0)の
ように、本回路によシスポット径を大きくする事で1ド
ツト線の切れを無くしている。
第3図は半導体レーザの光ビームスポット径を大きくす
る一具体例を示す図である。第3図において、半導体レ
ーザの駆動電流dからeに大きくすると、レーザの光強
度出力はd′からe′に増加する。感光体上の光ビーム
スポットの光強度分布はガウス分布になっているので、
感光体の顕像化される光量のしきい値をEtとすると、
それぞれの光強度に対してビームスポット径がd′′か
らe″に拡大される。従って半導体レーザの駆動電流を
増加する事によシ光ビームスポット径を大きくする事が
できる。
第4図に本発明における半導体レーザの枢動回路の一実
施例を示す。判別回路1aの制御信号14によシトラン
ジスタTR2に電流が流れ、レーザ原動用トランジスタ
TR4の電流に加算されて半導体レーザ16を駆動する
ので、結果として感光体上の光ビームスポット径を大き
くする事ができる。
R4,R2は電流を制限する抵抗である。
第6図は主走査方向の一本線と、副走査方向の一本線を
スポット径を大きくして記録する場合、現像特性がそれ
ぞれの走査方向で異なるため、それぞれの走査方向で独
立してビームスポット径の大きさを変えられる様にして
線の幅を同じ大きさにする様にした実施例である。
第6図(a)は現在照射中の光ビームスポットに隣接す
るスボッ) Si、、jと、隣々接するスポットSi、
2.jか共に非照射の場合、第6図の(ロ)から(C+
)のようにビームスポット径を大きくする実施例である
。この場合は2ドツト線の幅のうち、1ドツトのみを大
きなスポット径に制御するものである。
これは1ドツト線と2ドツト線の線幅が1ドツト巌のみ
スポット径を大きくすると、互に同じ線幅となってくる
ため、2ドツト線を強調して、線幅の差を自然に見せる
ために有効な方法である。
第7図は、ディジタル画素で構成されたカラー画像情報
により、光ビームを変調して照射記録する装置で、3色
のカラーに対応する光ビームスポット径を、カラー画素
情報によシ変化させる様にした実施例である。
第7図において、3色カラー画像情報に対応する3ライ
ンのメモリを備え、現在照射中のカラー画像に対応する
光ビームスポットと、同じ位置にある他のカラー情報全
判別回路23によフ判定し光ビームスポット径を拡大す
る様に半導体レーザ駆動回路26を動作させるものであ
る。これにより、カラー現像か前に現像した色によって
影響されるiを、ビームスポット径を拡大して補正する
ことができる。
以北の様に本実施例によれば、3ライン分のメモリをも
ち、隣接する画像情報によって、照射する光ビームスポ
ットの径を拡大する事によシ、−ドツト線の切れや、測
りを無くす事ができる。
発明の効果 以上のように本発明は、現在照射中の光ビームスポット
のl1II接する画素情報を記憶する少なくとも3ライ
ンのメモリを有し、隣接する画素情報が照射又は非照射
情報かによって光ビームスポット径を拡大する事によシ
、高密度記録時の1ドツト線の切れや、細りを無くす事
ができる高解像度の光ビーム記録装置を得る事ができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光ビーム記録装置の
概略構成図、tJE2図は本発明の光ビーム記録装置の
判別回路の一実施例を説明する図、第3図は半導体レー
ザのビームスポット径を拡大する方法を示す図、第4図
は本発明の半導体レーザの駆動回路の一例を示す回路図
、第6図は主走査方向と副走査方向でビームスポット径
の拡大率を変える一実施例を示す回路図、第6図は本発
明の判定回路の他の実施例を示す図、第7図はカラー画
像記録に本発明を応用した実施例の回路図、第8図は従
来の光ビーム記録装置の概略構成図、第9図は走査方向
とビームスポットの関係を説明する図である。 10.11.12・・・・・・ラインメモリ、13・・
・・・・判別回路、14・・・・・・半導体レーザ駆動
回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名+1
)〜12−ラインメモリ 第1図 第2図 (O)                  (b) 
                 (C)第 3 図 16〜・半纏体レーデ 第6図 (a) 第 7 図 1− 手J体レーデ 5−傅光体 第9図   エjt幻。 En、j+t

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)現在照射中の光ビームスポットが隣接する画素情
    報を記憶する少なくとも3ラインのメモリと、前記隣接
    する画素情報が照射又は非照射情報かを判別する判別手
    段と、この判別手段の出力により前記光ビームスポット
    径を拡大する手段を有する事を特徴とする光ビーム記録
    装置。
  2. (2)判別手段が、少なくとも一方の走査方向で現在照
    射中の光ビームスポットに隣接する少なくとも2点の画
    素情報が共に非照射情報か否かを判別し、前記少なくと
    も2点の画素情報が共に非照射情報の場合、拡大する手
    段が、前記光ビームスポット径を拡大する事を特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の光ビーム記録装置。
  3. (3)拡大する手段が、主走査方向と副走査方向でそれ
    ぞれの光ビームスポット径の拡大量を変える事を特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載の光ビーム記録装置。
  4. (4)判別手段が、一方の走査方向で隣接する一点と、
    逆方向に隣接する1点が共に非照射情報か否かを判別し
    、前記判別手段の出力が非照射情報の場合は拡大する手
    段が、光ビームスポット径を拡大することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光ビーム記録装置。
  5. (5)3ラインメモリのそれぞれが、3色カラー画像に
    対応し、判別手段が現在照射中のカラー画素に対応する
    光ビームスポットと、少なくとも同じ位置又は隣接する
    他のカラー画素の照射情報を判別することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光ビーム記録装置。
JP62132407A 1987-05-28 1987-05-28 光ビ−ム記録装置 Pending JPS63296069A (ja)

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