JPS60117784A - 光センサ−アレ−の製造方法 - Google Patents
光センサ−アレ−の製造方法Info
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- JPS60117784A JPS60117784A JP58225836A JP22583683A JPS60117784A JP S60117784 A JPS60117784 A JP S60117784A JP 58225836 A JP58225836 A JP 58225836A JP 22583683 A JP22583683 A JP 22583683A JP S60117784 A JPS60117784 A JP S60117784A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
不発明にＮえはファクシミリの小形化、経済イヒを目的
とし、送信原稿と寸法的Ｖこ１ ： １ ｖｃ対応嘔せ
て復数個の元センサーを配列１〜、送１阿原稿上の画像
欠読取るための光センサ−アレーσ）製造方法に関する
。
とし、送信原稿と寸法的Ｖこ１ ： １ ｖｃ対応嘔せ
て復数個の元センサーを配列１〜、送１阿原稿上の画像
欠読取るための光センサ−アレーσ）製造方法に関する
。
従来、この種の用途にはＭＵ８フオトタ゛イオードアレ
ー、ＣＣＤあるいｔｒｉＢ １３１Ｊ等がある。これら
の元センサーはＩＣ技術により作ら、／Ｌるたの、セン
サー素子自体の大きさが小さいため原稿等を読取る場合
、レンズ等葡用いて保全縮小する必要”が生じる。その
結果、センザーアレーと光学系の位置合せに高精度が要
求される上に装置はの小形化も困難である。
ー、ＣＣＤあるいｔｒｉＢ １３１Ｊ等がある。これら
の元センサーはＩＣ技術により作ら、／Ｌるたの、セン
サー素子自体の大きさが小さいため原稿等を読取る場合
、レンズ等葡用いて保全縮小する必要”が生じる。その
結果、センザーアレーと光学系の位置合せに高精度が要
求される上に装置はの小形化も困難である。
一方、これに対して光学系としてオグチカルファイバー
アレー又はレンズアレー音用いて送１１原稿と寸法的Ｖ
Ｃ１： １ｖｃ対応させて読取る方式が現在一般的に使
用されている。
アレー又はレンズアレー音用いて送１１原稿と寸法的Ｖ
Ｃ１： １ｖｃ対応させて読取る方式が現在一般的に使
用されている。
これに使用する光センサ−アレーは絶縁基板上ＶＣＣｄ
Ｓ ＋Ｃｄ８ｅ からなる光センザー素子を横一列に多
数並べ、それに電気供給用の導電配線群（以下配線群と
いう）が形成された構造になっている。
Ｓ ＋Ｃｄ８ｅ からなる光センザー素子を横一列に多
数並べ、それに電気供給用の導電配線群（以下配線群と
いう）が形成された構造になっている。
従来方法の一般的な製造工程の一例は１ずセラミックス
或いはガラス板等の絶縁基板上［Ｃｄ塩のアルカリ性水
溶液からＣｄ８被膜を被着させ、その上にＣｄ８ｅ膜を
スパッター或いは蒸着法で被着し、それをＣｌ又はＣ！
化合物雰囲気中で活性化しＣｄＳとＣｄＳｅの同容体層
をつくり、エツチング等全行なってノツ［梁形状の）ｔ
センサ・アレーとする。
或いはガラス板等の絶縁基板上［Ｃｄ塩のアルカリ性水
溶液からＣｄ８被膜を被着させ、その上にＣｄ８ｅ膜を
スパッター或いは蒸着法で被着し、それをＣｌ又はＣ！
化合物雰囲気中で活性化しＣｄＳとＣｄＳｅの同容体層
をつくり、エツチング等全行なってノツ［梁形状の）ｔ
センサ・アレーとする。
次にこの光センサーアレーＶＣ電気を供給１−る為の配
線群全形成する。
線群全形成する。
配線群の形成方法はまず絶縁基板と密着力が強いＮｉ−
Ｃｒ合金層を蒸着し、更にその上に導電性が良く外部配
斉螢と半Ｉｎ付等で接続しゃ丁いＡｕ、Ａｇ又１ｄ ｅ
ｕ層を蒸着し、フォトエツチング等で配線群を形成１−
る− しかしながら、このような光センサ−アレーの製造方法
にも次のような大きな欠点を有している。
Ｃｒ合金層を蒸着し、更にその上に導電性が良く外部配
斉螢と半Ｉｎ付等で接続しゃ丁いＡｕ、Ａｇ又１ｄ ｅ
ｕ層を蒸着し、フォトエツチング等で配線群を形成１−
る− しかしながら、このような光センサ−アレーの製造方法
にも次のような大きな欠点を有している。
絶縁基板上にＣｄＳ及びＣｄＳｅ膜を被着後Ｃ／または
ＣＡ化合物の雰囲気中で活性化を目的とした焼１１ｙ葡
行なりｆｃ後フォトエツチングにより光センザー素子葡
形成するが、エツチングによりＣｄ８とＣｄ Ｓ ｅの
ｌ１ｒｌ容体層が除去された絶縁基板表面は凹凸が激し
い面となる。この理由は明らかでないがＣｄＳとＣｄＳ
ｅが固容体ＶＣなる際に絶縁基板全形成する成分の一部
を溶は込ませたためと考えちれる。
ＣＡ化合物の雰囲気中で活性化を目的とした焼１１ｙ葡
行なりｆｃ後フォトエツチングにより光センザー素子葡
形成するが、エツチングによりＣｄ８とＣｄ Ｓ ｅの
ｌ１ｒｌ容体層が除去された絶縁基板表面は凹凸が激し
い面となる。この理由は明らかでないがＣｄＳとＣｄＳ
ｅが固容体ＶＣなる際に絶縁基板全形成する成分の一部
を溶は込ませたためと考えちれる。
表面が凹凸になった絶縁基板上に金属を蒸着しフォトエ
ツチングを行なっても蒸Ｍｍにピンホールが多くレジス
トの塗布むらや鰭元むらが発生しショートや断線等が多
数含む配線群となってしまう。又、エツチングしたセン
サーの特性は著しく劣化していることが明らかとなった
。
ツチングを行なっても蒸Ｍｍにピンホールが多くレジス
トの塗布むらや鰭元むらが発生しショートや断線等が多
数含む配線群となってしまう。又、エツチングしたセン
サーの特性は著しく劣化していることが明らかとなった
。
不発明の目的は上記欠点を除き硬造工程の歩１）ｉシを
大巾に同上させる衷造方法を提供することである。
大巾に同上させる衷造方法を提供することである。
不発明の構成は絶縁基板上にＣ： ｄ ：３藤を被着し
。
。
そのＵ ｄ ＋−１膜をフォトエツチング弄の方法で元
センサー素子形状し、更に光センザー素子を含む絶縁基
板上にＣｄ Ｓ ｅをスパッターや蒸着法で被着し、そ
のままＣｊ又はＣＪ化合物雰囲気中に入れ焼成する。
センサー素子形状し、更に光センザー素子を含む絶縁基
板上にＣｄ Ｓ ｅをスパッターや蒸着法で被着し、そ
のままＣｊ又はＣＪ化合物雰囲気中に入れ焼成する。
焼成後金属蒸着及びフォトエツチングによシ配線ＩＦ＋
を形成し、配線端子と外部配Ｈ群と忙半田付等の方法で
接続し光センザーアレーができる。
を形成し、配線端子と外部配Ｈ群と忙半田付等の方法で
接続し光センザーアレーができる。
以下、図＋ ＋ｆｉｉ ＊参照して不’ｉｂ明の実施例
につき詳細に説明する。
につき詳細に説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の製造工程図である。
第１図（Ａ）、 （ＩＪ）、 （Ｃｌ、 ｆＤ）を参照
すると絶縁基板１の上にＣｄ堪のアルカリ溶液からＣｄ
Ｓ膜２を析出し、ＣｄＳ 膜の所望パターンと同じ形状
にフォトレジスト３を形成し、ＨＣＩ 等のエツチング
液でＣｄ８１１Ｍ２の不要部を溶解し、−更にフォトレ
ジスト３をアセトン等で溶力了除去し表向に所望のＣｄ
Ｓ膜が形成された絶縁基板が得られる。
すると絶縁基板１の上にＣｄ堪のアルカリ溶液からＣｄ
Ｓ膜２を析出し、ＣｄＳ 膜の所望パターンと同じ形状
にフォトレジスト３を形成し、ＨＣＩ 等のエツチング
液でＣｄ８１１Ｍ２の不要部を溶解し、−更にフォトレ
ジスト３をアセトン等で溶力了除去し表向に所望のＣｄ
Ｓ膜が形成された絶縁基板が得られる。
次に、第１図（Ｅｌ、 （Ｆ）を参照するり、所望形状
にｃｄ８１１Ｇ＜２を形成した絶縁基板１表面にスノク
ツター又は蒸着法でｅｄ８ｅｌｌｉ４を被着する。ｅｄ
８ｅ膜４はｅａｓ＋＋俸２の上たりてなく不要部分迄岐
着する。
にｃｄ８１１Ｇ＜２を形成した絶縁基板１表面にスノク
ツター又は蒸着法でｅｄ８ｅｌｌｉ４を被着する。ｅｄ
８ｅ膜４はｅａｓ＋＋俸２の上たりてなく不要部分迄岐
着する。
にｄｓ膜及びＣｄＳｅ膜葡被着した絶縁基板をＣ６又は
Ｃ１化合物雰囲気、例えばＣｄＣ＃ｚを含んだＮ２雰囲
気中で４５０〜５５０℃、３０〜６０分焼成するとＣｄ
８膜２上のＣｃｌＳｅ膜４は相互拡散によシ固容体膜す
なわち光センサー素子５となシ絶縁基板１上のＣｄ５ｅ
ｌＩＫ４は蒸発し消失することを発見した。尚、ＣｄＳ
ｅ膜が消失したｉ（６はＣｄ８ 被着前と同じフラット
な面が得られる。
Ｃ１化合物雰囲気、例えばＣｄＣ＃ｚを含んだＮ２雰囲
気中で４５０〜５５０℃、３０〜６０分焼成するとＣｄ
８膜２上のＣｃｌＳｅ膜４は相互拡散によシ固容体膜す
なわち光センサー素子５となシ絶縁基板１上のＣｄ５ｅ
ｌＩＫ４は蒸発し消失することを発見した。尚、ＣｄＳ
ｅ膜が消失したｉ（６はＣｄ８ 被着前と同じフラット
な面が得られる。
最後に第１１凶（（Ｊ）を参照すると、光センサー素子
５を形成した絶縁基板１にＮ １−Ｃｒ合金及びＡｕ等
の金属層を蒸着等の方法で被着し、フォトエツチング法
等で配＊ｊ！８６を形成して元センサーアレーとなる。
５を形成した絶縁基板１にＮ １−Ｃｒ合金及びＡｕ等
の金属層を蒸着等の方法で被着し、フォトエツチング法
等で配＊ｊ！８６を形成して元センサーアレーとなる。
こうして得られた元センサーアレーの配線群６の歩留シ
も従来２０〜３０チであったものが５０〜７０チに向上
した。
も従来２０〜３０チであったものが５０〜７０チに向上
した。
できあがった光センサ−アレーは配線群６の一部を半田
付等の方法で外部配線群とｒｔｉ、気的に接続される。
付等の方法で外部配線群とｒｔｉ、気的に接続される。
不発明の製造方法の特徴は配線群６のショートやｌｉ：
ｌ’ｉ線による不良を防止するだけでなく他にもう一つ
の大きな利点を持っている。
ｌ’ｉ線による不良を防止するだけでなく他にもう一つ
の大きな利点を持っている。
Ｃｄ Ｓ ｅ膜は水分やエツチング薬品に合うと光感度
特性が著しく劣化し、又ＣｄＳ との固容体になると水
分の影響はなくなるがエツチング薬品による特注劣化が
残ることが良く知られている。
特性が著しく劣化し、又ＣｄＳ との固容体になると水
分の影響はなくなるがエツチング薬品による特注劣化が
残ることが良く知られている。
従って、木兄明方法によればエツチング薬品の影響は全
く受けず、 ＣｄＳ との同容体になる迄水分の影響を
全く受けないので特性面でも従来の２〜３倍の光感度が
得られた。
く受けず、 ＣｄＳ との同容体になる迄水分の影響を
全く受けないので特性面でも従来の２〜３倍の光感度が
得られた。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の一実施例を示す模倣的
断面図である。 １・・・・・絶縁；１４；板、２・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・Ｃｄ８
ｅ膜、５・・・・光センザー素子％ ６・・・・・配線
群。 ％を図
断面図である。 １・・・・・絶縁；１４；板、２・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・Ｃｄ８
ｅ膜、５・・・・光センザー素子％ ６・・・・・配線
群。 ％を図
Claims (1)
- 絶縁基板上にＣｄＳ膜を被着する工程と、ｉ亥ＣｄＳ膜
を所望の形状ＶＣ形成する工程と、形成しｆｃＣｄ８膜
を含む絶縁基板上１ｃＣｄＳｅｆ被着する工程と、Ｃ１
又はＣ１化合物雰囲虱中で焼成する工程と、その上ＶＣ
導電配線群を形成する工程金倉む光センザーアレーの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225836A JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225836A JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117784A true JPS60117784A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0123948B2 JPH0123948B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=16835575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225836A Granted JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117784A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6591097B1 (ja) * | 2019-01-09 | 2019-10-16 | 株式会社レーベン | 粘着シート |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58225836A patent/JPS60117784A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0123948B2 (ja) | 1989-05-09 |
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