JPH0123948B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0123948B2 JPH0123948B2 JP58225836A JP22583683A JPH0123948B2 JP H0123948 B2 JPH0123948 B2 JP H0123948B2 JP 58225836 A JP58225836 A JP 58225836A JP 22583683 A JP22583683 A JP 22583683A JP H0123948 B2 JPH0123948 B2 JP H0123948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating substrate
- cdse
- cds
- cds film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えばフアクシミリの小形化、経済化
を目的とし、送信原稿と寸法的に１：１に対応さ
せて複数個の光センサーを配列し、送信原稿上の
画像を読取るための光センサーアレーの製造方法
に関する。
を目的とし、送信原稿と寸法的に１：１に対応さ
せて複数個の光センサーを配列し、送信原稿上の
画像を読取るための光センサーアレーの製造方法
に関する。
従来、この種の用途にはMOSフオトダイオー
ドアレー、CCDあるいはBBD等がある。これら
の光センサーはIC技術により作られるため、セ
ンサー素子自体の大きさが小さいため原稿等を読
取る場合、レンズ等を用いて像を縮小する必要が
生じる。その結果、センサーアレーと光学系の位
置合せに高精度が要求される上に装置の小形化も
困難である。
ドアレー、CCDあるいはBBD等がある。これら
の光センサーはIC技術により作られるため、セ
ンサー素子自体の大きさが小さいため原稿等を読
取る場合、レンズ等を用いて像を縮小する必要が
生じる。その結果、センサーアレーと光学系の位
置合せに高精度が要求される上に装置の小形化も
困難である。
一方、これに対して光学系としてオプチカルフ
アイバーアレー又はレンズアレーを用いて送信原
稿と寸法的に１：１に対応させて読取る方式が現
在一般的に使用されている。
アイバーアレー又はレンズアレーを用いて送信原
稿と寸法的に１：１に対応させて読取る方式が現
在一般的に使用されている。
これに使用する光センサーアレーは絶縁基板上
にCdSやCdSeからなる光センサー素子を横一列
に多数並べ、それに電気供給用の導電配線群（以
下配線群という）が形成された構造になつてい
る。
にCdSやCdSeからなる光センサー素子を横一列
に多数並べ、それに電気供給用の導電配線群（以
下配線群という）が形成された構造になつてい
る。
従来方法の一般的な製造工程の一例はまずセラ
ミツクス或いはガラス板等の絶縁基板上にCd塩
のアルカリ性水溶液からCdS被膜を被着させ、そ
の上にCdSe膜をスパツター或いは蒸着法で被着
し、それをCl又はCl化合物雰囲気中で活性化し
CdSとCdSeの固容体層をつくり、エツチング等
を行なつて所望形状の光センサ・アレーとする。
ミツクス或いはガラス板等の絶縁基板上にCd塩
のアルカリ性水溶液からCdS被膜を被着させ、そ
の上にCdSe膜をスパツター或いは蒸着法で被着
し、それをCl又はCl化合物雰囲気中で活性化し
CdSとCdSeの固容体層をつくり、エツチング等
を行なつて所望形状の光センサ・アレーとする。
次にこの光センサーアレーに電気を供給する為
の配線群を形成する。
の配線群を形成する。
配線群の形成方法はまず絶縁基板と密着力が強
いNi―Cr合金層を蒸着し、更にその上に導電性
が良く外部配線と半田付等で接続しやすいAu、
Ag又はCu層を蒸着し、フオトエツチング等で配
線群を形成する。
いNi―Cr合金層を蒸着し、更にその上に導電性
が良く外部配線と半田付等で接続しやすいAu、
Ag又はCu層を蒸着し、フオトエツチング等で配
線群を形成する。
しかしながら、このような光センサーアレーの
製造方法にも次のような大きな欠点を有してい
る。
製造方法にも次のような大きな欠点を有してい
る。
絶縁基板上にCdS及びCdSe膜を被着後Clまた
はCl化合物の雰囲気中で活性化を目的として焼成
を行なつた後フオトエツチングにより光センサー
素子を形成するが、エツチングによりCdSと
CdSeの固容体層が除去された絶縁基板表面は凹
凸が激しい面となる。この理由は明らかでないが
CdSとCdSeが固容体になる際に絶縁基板を形成
する成分の一部を溶け込ませたためと考えられ
る。
はCl化合物の雰囲気中で活性化を目的として焼成
を行なつた後フオトエツチングにより光センサー
素子を形成するが、エツチングによりCdSと
CdSeの固容体層が除去された絶縁基板表面は凹
凸が激しい面となる。この理由は明らかでないが
CdSとCdSeが固容体になる際に絶縁基板を形成
する成分の一部を溶け込ませたためと考えられ
る。
表面が凹凸になつた絶縁基板上に金属の蒸着し
フオトエツチングを行なつても蒸着膜にピンホー
ルが多くレジストの塗布むらや露光むらが発生し
シヨートや断線等が多数含む配線群となつてしま
う。又、エツチングしたセンサーの特性は著しく
劣化していることが明らかとなつた。
フオトエツチングを行なつても蒸着膜にピンホー
ルが多くレジストの塗布むらや露光むらが発生し
シヨートや断線等が多数含む配線群となつてしま
う。又、エツチングしたセンサーの特性は著しく
劣化していることが明らかとなつた。
本発明の目的は上記欠点を除き製造工程の歩留
りを大巾に向上させる製造方法を提供することで
ある。
りを大巾に向上させる製造方法を提供することで
ある。
本発明の構成は絶縁基板上にCdS膜を被着し、
そのCdS膜をフオトエツチング等の方法で光セン
サー素子形状し、更に光センサー素子を含む絶縁
基板上にCdSeをスパツターや蒸着法で被着し、
そのままCl又はCl化合物雰囲気中に入れ焼成す
る。
そのCdS膜をフオトエツチング等の方法で光セン
サー素子形状し、更に光センサー素子を含む絶縁
基板上にCdSeをスパツターや蒸着法で被着し、
そのままCl又はCl化合物雰囲気中に入れ焼成す
る。
焼成後金属蒸着及びフオトエツチングにより配
線群を形成し、配線端子と外部配線群とを半田付
等の方法で接続し光センサーアレーができる。
線群を形成し、配線端子と外部配線群とを半田付
等の方法で接続し光センサーアレーができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図Ａ〜Ｇは本発明の製造工程図である。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを参照すると絶縁基板１
の上にCd塩のアルカリ溶液からCdS膜２を析出
し、CdS膜の所望パターンと同じ形状にフオトレ
ジスト３を形成し、HCl等のエツチング液でCdS
膜２の不要部を溶解し、更にフオトレジスト３を
アセトン等で溶解除去し表面に所望のCdS膜が形
成された絶縁基板が得られる。
の上にCd塩のアルカリ溶液からCdS膜２を析出
し、CdS膜の所望パターンと同じ形状にフオトレ
ジスト３を形成し、HCl等のエツチング液でCdS
膜２の不要部を溶解し、更にフオトレジスト３を
アセトン等で溶解除去し表面に所望のCdS膜が形
成された絶縁基板が得られる。
次に、第１図Ｅ，Ｆを参照すると、所望形状に
CdS膜２を形成した絶縁基板１表面にスパツタ―
又は蒸着法でCdSe膜４を被着する。CdSe膜４は
CdS膜２の上だけでなく不要部分迄被着する。
CdS膜２を形成した絶縁基板１表面にスパツタ―
又は蒸着法でCdSe膜４を被着する。CdSe膜４は
CdS膜２の上だけでなく不要部分迄被着する。
CdS膜及びCdSe膜を被着した絶縁基板をCl又
はCl化合物雰囲気、例えばCdCl2を含んだN2雰囲
気中で450〜550℃、30〜60分焼成するとCdS膜２
上のCdSe膜４は相互拡散により固容体膜すなわ
ち光センサー素子５となり絶縁基板１上のCdSe
膜４は蒸発し消失することを発見した。尚、
CdSe膜が消失した面はCdS被着前と同じフラツ
トな面が得られる。
はCl化合物雰囲気、例えばCdCl2を含んだN2雰囲
気中で450〜550℃、30〜60分焼成するとCdS膜２
上のCdSe膜４は相互拡散により固容体膜すなわ
ち光センサー素子５となり絶縁基板１上のCdSe
膜４は蒸発し消失することを発見した。尚、
CdSe膜が消失した面はCdS被着前と同じフラツ
トな面が得られる。
最後に第１図Ｇを参照すると、光センサー素子
５を形成した絶縁基板１にNi―Cr合金及びAu等
の金属層を蒸着等の方法で被着し、フオトエツチ
ング法等で配線群６を形成して光センサーアレー
となる。こうして得られた光センサーアレーの配
線群６の歩留りも従来20〜30％であつたものが50
〜70％に向上した。
５を形成した絶縁基板１にNi―Cr合金及びAu等
の金属層を蒸着等の方法で被着し、フオトエツチ
ング法等で配線群６を形成して光センサーアレー
となる。こうして得られた光センサーアレーの配
線群６の歩留りも従来20〜30％であつたものが50
〜70％に向上した。
できあがつた光センサーアレーは配線群６の一
部を半田付等の方法で外部配線群と電気的に接続
される。
部を半田付等の方法で外部配線群と電気的に接続
される。
本発明の製造方法の特徴は配線群６のシヨート
や断線による不良を防止するだけでなく他にもう
一つの大きな利点を持つている。
や断線による不良を防止するだけでなく他にもう
一つの大きな利点を持つている。
CdSe膜は水分やエツチング薬品に合うと光感
度特性が著しく劣化し、又CdSとの固容体になる
と水分の影響はなくなるがエツチング薬品による
特性劣化が残ることが良く知られている。
度特性が著しく劣化し、又CdSとの固容体になる
と水分の影響はなくなるがエツチング薬品による
特性劣化が残ることが良く知られている。
従つて、本発明方法によればエツチング薬品の
影響は全く受けず、CdSとの固容体になる迄水分
の影響を全く受けないので特性面でも従来の２〜
３倍の光感度が得られた。
影響は全く受けず、CdSとの固容体になる迄水分
の影響を全く受けないので特性面でも従来の２〜
３倍の光感度が得られた。
第１図Ａ〜Ｇは本発明の一実施例を示す模倣的
断面図である。 １……絶縁基板、２……CdS膜、３……フオト
レジスト、４……CdSe膜、５……光センサー素
子、６……配線群。
断面図である。 １……絶縁基板、２……CdS膜、３……フオト
レジスト、４……CdSe膜、５……光センサー素
子、６……配線群。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上にCdS膜を被着する工程と、該
CdS膜を所望の形状に形成する工程と、形成した
CdS膜を含む絶縁基板上にCdSeを被着する工程
と、Cl又はCl化合物雰囲気中で焼成することによ
り、前記CdS膜と前記CdSeとの固容体膜を形成
すると同時に前記絶縁基板上の前記CdSeを蒸発
させる工程と、その上に導電配線群を形成する工
程とを含むことを特徴とする光センサーアレーの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225836A JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225836A JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117784A JPS60117784A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0123948B2 true JPH0123948B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=16835575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225836A Granted JPS60117784A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 光センサ−アレ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020145185A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-16 | 株式会社レーベン | 粘着シート |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58225836A patent/JPS60117784A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020145185A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-16 | 株式会社レーベン | 粘着シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117784A (ja) | 1985-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1982002284A1 (en) | Method of fabricating a solid state electrooptical device having a transparent metal oxide electrode | |
| US4206470A (en) | Thin film interconnect for multicolor IR/CCD | |
| FR2572849A1 (fr) | Module monolithique haute densite comportant des composants electroniques interconnectes et son procede de fabrication | |
| US4036645A (en) | Photodetectors and thin film photovoltaic arrays | |
| JPH0123948B2 (ja) | ||
| US4570329A (en) | Apparatus and method for fabricating backside mosaic of photoconductive infrared detectors | |
| US4137625A (en) | Thin film interconnect for multicolor IR/CCD | |
| JPS5846195B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPH0158711B2 (ja) | ||
| US3787720A (en) | Semiconductor vidicon and process for fabricating same | |
| JPH0656903B2 (ja) | 酸化物超伝導体回路形成法 | |
| JPS5990955A (ja) | 光センサ−アレ−の製造方法 | |
| US2190020A (en) | Mosaic screen | |
| JPS5927105B2 (ja) | 赤外線撮像用半導体装置の製造法 | |
| JP2672557B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2640162B2 (ja) | カラーセンサ | |
| JPS6298799A (ja) | 多層配線形成方法 | |
| JPS62176159A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS6041874B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS61128561A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS61127166A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS6113663A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS60100866A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| SU841071A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ | |
| JPS59110162A (ja) | 光センサ−アレ−の製造方法 |