JPH0656903B2 - 酸化物超伝導体回路形成法 - Google Patents

酸化物超伝導体回路形成法

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JPH0656903B2
JPH0656903B2 JP57109898A JP10989882A JPH0656903B2 JP H0656903 B2 JPH0656903 B2 JP H0656903B2 JP 57109898 A JP57109898 A JP 57109898A JP 10989882 A JP10989882 A JP 10989882A JP H0656903 B2 JPH0656903 B2 JP H0656903B2
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JP
Japan
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oxide superconductor
organic photoresist
substrate
thin film
temperature
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JP57109898A
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陽一 榎本
義和 日高
敏明 村上
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、酸化物超伝導体回路作製過程の配線パターン
又は絶縁層形成におけるレジスト材料の使用方法に関連
した、酸化物超伝導体回路形成法に関する。
〔従来の技術〕
従来、酸化物超伝導体の回路形成用レジストとして、有
機ホトレジストが使用されているが、該レジストでは、
基板温度が高くなると固化し、一般のリムーバー液では
除却することが困難となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
超伝導体の回路を作製するには、上部電極、取出し電極
あるいは絶縁層等の薄膜を順次形成する必要があるが、
この工程で上述の基板温度が上げられない制約は、膜の
形成時間の増大あるいは膜間の接着強度低下等の欠点を
回路系に残し、極低温と室温との間の熱サイクルにより
素子劣化を生じることになっていた。
本発明は、酸化物薄膜がもつ化学的安定性に注目したレ
ジストの使用方法を特徴とし、その目的は、高基板温度
でのリフトオフ工程を行う酸化物超伝導体回路形成法を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
すなわち、本発明を概説すれば、本発明は、酸化物超伝
導体回路の形成法において、基板上に有機ホトレジスト
のパターンを形成し、次いで該有機ホトレジストの分解
温度未満の高温の該パターン化した基板上に酸化物超伝
導体薄膜を真空中で蒸着し、その後、高温酸素雰囲気中
で該有機ホトレジストを、燃焼蒸発させることにより除
却して、酸化物超伝導体薄膜のパターンを形成すること
を特徴とする酸化物超伝導体回路形成法に関する。
〔作用〕
酸化物薄膜の高温酸化雰囲気に対し安定である特性をも
つ。この特徴を生かしたレジストの使用法を研究して本
発明に到達した。
本発明における酸化物超伝導体の例には ＢａＰｂ(1-x)Ｂｉ(x)Ｏ3(ただし0.05≦Ｘ≦0.30)であ
る。また、酸化物薄膜を形成する酸化物の例にはＡｌ2
Ｏ3、ＢａＰｂ(1-y)Ｂｉ(y)Ｏ3(ただし０≦ｙ、以下、
ＢＰＢと略記する）がある。
本発明によれば、高基板温度でもレジストを使用するこ
とが可能であるから、酸化物超伝導体回路形成にリフト
オフ法が適用できる。
このため酸化物超伝導体を用いた多層回路を製作する場
合における酸化物超伝導体層間を分離する絶縁層の形
成、あるいは同種材料からなりエッチング法が適用でき
ないときの多層化に有効である。
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお添付図面の第１図は本発明方法の一実施の態様を示
す工程図である。
〔実施例〕
第１図に示した工程に従って回路を形成した。第１図に
おいて１は基板（これにはパターン化した基板を含
む）、２は有機ホトレジスト、３は酸化物薄膜を意味す
る。
まず通常のフェノール系有機ホトレジスト（例えばＡＺ
１３５０）を用いてパターンを形成し（工程ａ）、その
後有機ホトレジストの真空中の分解温度である３００℃
程度未満の基板温度でＢＰＢ膜あるいは絶縁膜（例えば
Ａｌ2Ｏ3）を真空蒸着法によりレジストパターン２の付
いた基板１上に堆積する（工程ｂ）。しかる後に、これ
を酸素中４５０℃の雰囲気炉中に１時間以上保持し２の
レジストを燃焼、蒸発するこにより除却してパターンを
形成する（工程ｃ）。ｂの工程中におけるレジストは、
固化し通常の剥離液では除去できないが、パターン形
状、組成はあまり変化せず、ｃ工程の高温酸素雰囲気に
より気化し、その段階で有機ホトレジスト２上に付着し
ている堆積膜３も同時に除却される。一方、基板上の堆
積膜は、高温酸素雰囲気中に対し安定な酸化物であるた
め、ｃの工程で特性は変化せず、目的とする数μｍ精度
のパターン形成を可能とする。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、酸化物超
伝導体回路形成にリフトオフ法が適用でき、酸化物超伝
導体層間を分離する絶縁層の形成、あるいは同種材料か
らなりエッチング法が適用できないときの多層化に有効
である利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は有機レジストを用いる場合の工程図である。 １ 基板 ２ 有機ホトレジスト膜 ３ 絶縁膜又はＢＰＢ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０５Ｋ 3/02 Ａ 6921−4Ｅ (72)発明者 村上 敏明 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話公社茨城電気通信研究所 内 (56)参考文献 特開 昭50−154792（ＪＰ，Ａ) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 51［８］ （Ａｕｇｕ ｓｔ 1980）ＰＰ．4310〜4316 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏ ｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ＭＡＧ−17［１ ］ （Ｊａｎｕａｒｙ 1981）Ｐ．Ｐ. 314〜317 昭和57年度通信学会総合全国大会予稿集 「Ｂａ Ｐｂ ０．７ Ｂｉ ０．３ Ｏ ▲下３▼ 薄膜における新現象」Ｐ．２− 78

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に有機ホトレジストパターンを形成
    し、次いで有機ホトレジストパターンが形成された基板
    上に酸化物超伝導体薄膜を真空蒸着により形成し、次い
    で有機ホトレジストを除却して該酸化物超伝導体薄膜の
    回路パターンを形成する方法において、該酸化物超伝導
    体薄膜を真空蒸着で形成するときの基板温度を、該酸化
    物超伝導体薄膜と該基板との十分な接着強度が得られる
    高温で、かつ３００℃未満の温度とし、また、有機ホト
    レジストの除却は、高温酸素雰囲気中での有機ホトレジ
    ストの燃焼蒸発によって行われることを特徴とする酸化
    物超伝導体回路形成法。
JP57109898A 1982-06-28 1982-06-28 酸化物超伝導体回路形成法 Expired - Lifetime JPH0656903B2 (ja)

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JPS592349A JPS592349A (ja) 1984-01-07
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昭和５７年度通信学会総合全国大会予稿集「ＢａＰｂ０．７Ｂｉ０．３Ｏ▲下３▼薄膜における新現象」Ｐ．２−７８

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