JPH02194673A - 超伝導薄膜のパターンニング方法 - Google Patents
超伝導薄膜のパターンニング方法Info
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- JPH02194673A JPH02194673A JP1014731A JP1473189A JPH02194673A JP H02194673 A JPH02194673 A JP H02194673A JP 1014731 A JP1014731 A JP 1014731A JP 1473189 A JP1473189 A JP 1473189A JP H02194673 A JPH02194673 A JP H02194673A
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- thin film
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- acid salt
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- superconducting
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
セラミックス系酸化物超伝導材料をパターンニングして
、集積回路の配線、電極などの回路素子として使用する
方法の改良に関し、 セラミックス系酸化物超伝導材料薄膜を＠細にかつ確実
にパターンニングする方法を提供することを目的とし、 基板上に超伝導ｒＩＩＪＩｉを堆積し、この超伝導薄膜
の選択された部分をパターンとして残す方法において、
超伝導ｆｆｆｉ上の選択部分にレジストのパターンを形
成し、超伝導体の構成元素（但し、酸素を除く）の少な
くとも１種を含む有機酸塩の溶液を超伝導１ｒｍ上に塗
布し、有機酸塩を熱分解するとともに有機酸塩に含まれ
る前記構成元素と、非選択部分の超伝導薄膜を反応させ
ることによって、非選択部分を絶縁体化するように構成
する。
、集積回路の配線、電極などの回路素子として使用する
方法の改良に関し、 セラミックス系酸化物超伝導材料薄膜を＠細にかつ確実
にパターンニングする方法を提供することを目的とし、 基板上に超伝導ｒＩＩＪＩｉを堆積し、この超伝導薄膜
の選択された部分をパターンとして残す方法において、
超伝導ｆｆｆｉ上の選択部分にレジストのパターンを形
成し、超伝導体の構成元素（但し、酸素を除く）の少な
くとも１種を含む有機酸塩の溶液を超伝導１ｒｍ上に塗
布し、有機酸塩を熱分解するとともに有機酸塩に含まれ
る前記構成元素と、非選択部分の超伝導薄膜を反応させ
ることによって、非選択部分を絶縁体化するように構成
する。
［産業上の利用分野］
本発明は、超伝導薄膜のパターンニング方法に関するも
のであり、さらに詳しく述べるならば、セラミックス系
酸化物超伝導材料をパターニングして、集積回路の配線
、電極などの回路素子として使用する方法の改良に関す
るものである。
のであり、さらに詳しく述べるならば、セラミックス系
酸化物超伝導材料をパターニングして、集積回路の配線
、電極などの回路素子として使用する方法の改良に関す
るものである。
［従来の技術］
超伝導材料はある臨界温度以下で電気抵抗がゼロになる
などの巨視的量子現象が現われる。
などの巨視的量子現象が現われる。
（Ｌａｓ−ｍＭｇ） ａｃｕｏａ（Ｍ＝Ｂａ、 Ｓ
ｒ−。
ｒ−。
Ｃａ）、Ｌｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０（Ｌｕ＝Ｙ及び希土類；
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂを除＜）、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０，Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０゜Ｂａ−Ｐｂ−Ｂ ｉ
−０，Ｂａ−に−Ｄ ｉ −０等の元素からなるセラ
ミックス系酸化物超伝導材料は４０〜３００にという高
い臨界温度をもつため、これらのｒＩＩｒｍを配線とし
て使用することにより、従来の配線材料における信号電
送時間短縮の限界を突破する期待がもたれ、これらの薄
膜はマイクロエレクトロニクスへの応用のうえできわめ
て重要である。
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂを除＜）、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０，Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０゜Ｂａ−Ｐｂ−Ｂ ｉ
−０，Ｂａ−に−Ｄ ｉ −０等の元素からなるセラ
ミックス系酸化物超伝導材料は４０〜３００にという高
い臨界温度をもつため、これらのｒＩＩｒｍを配線とし
て使用することにより、従来の配線材料における信号電
送時間短縮の限界を突破する期待がもたれ、これらの薄
膜はマイクロエレクトロニクスへの応用のうえできわめ
て重要である。
従来提案されているセラミックス系酸化物超伝導薄膜の
作成法としてはスパッター法および電子ビーム蒸着法が
ある。スパッター法および電子ビーム蒸着法では制御可
能な条件としては、基板温度、ガス圧、パワーなどがあ
り、またスパッター法では制御可能な条件としてはＡ
ｒ ／ ０２の比率などがある。これらの条件の中で配
向に最も有効なものは基板温度であるので、従来、膜垂
直方向に強く配向したセラミックス系酸化物超伝導薄膜
を形成する時には、成膜時に４００〜８００°Ｃの高温
に基板を加熱することが主として行なわれていた。
作成法としてはスパッター法および電子ビーム蒸着法が
ある。スパッター法および電子ビーム蒸着法では制御可
能な条件としては、基板温度、ガス圧、パワーなどがあ
り、またスパッター法では制御可能な条件としてはＡ
ｒ ／ ０２の比率などがある。これらの条件の中で配
向に最も有効なものは基板温度であるので、従来、膜垂
直方向に強く配向したセラミックス系酸化物超伝導薄膜
を形成する時には、成膜時に４００〜８００°Ｃの高温
に基板を加熱することが主として行なわれていた。
基板温度が高いほど薄膜の配向は良好になる。又、基板
の温度制御に加えて、補助的にガス圧またはガス比の制
御なども行なわれていた。
の温度制御に加えて、補助的にガス圧またはガス比の制
御なども行なわれていた。
［発明が解決しようとする課題］
セラミックス系酸化物超伝導材料を実際に集積回路素子
として応用するためにはこれをパターンニングする必要
がある。このパターンニングの方法としては従来酸等に
よるウェットエッチやプラズマなどによるドライエッチ
が具体的に検討されている。
として応用するためにはこれをパターンニングする必要
がある。このパターンニングの方法としては従来酸等に
よるウェットエッチやプラズマなどによるドライエッチ
が具体的に検討されている。
本発明者等はセラミックス系酸化物超伝導材料薄膜を塩
酸（ＨＣＱ）あるいはリン酸（８２ＰＯ４）でパターン
ニングしたところ、超伝導相が二以上の絶縁相に分解し
、超伝導特性が失われることを見出した。このような相
分解に関しては、理想的化学量論組成、例えばＬｕ ：
Ｂａ ：Ｃｕ原子比が１：２：３の超伝導相よりＬｕ
。
酸（ＨＣＱ）あるいはリン酸（８２ＰＯ４）でパターン
ニングしたところ、超伝導相が二以上の絶縁相に分解し
、超伝導特性が失われることを見出した。このような相
分解に関しては、理想的化学量論組成、例えばＬｕ ：
Ｂａ ：Ｃｕ原子比が１：２：３の超伝導相よりＬｕ
。
Ｂａ、Ｃｕの原子比がずれた絶縁性結晶相がかなり存在
し、上記パターンユング法では構成元素の溶出により膜
組成が化学量論組成からずれたものと考えられる。
し、上記パターンユング法では構成元素の溶出により膜
組成が化学量論組成からずれたものと考えられる。
又、セラミックス系酸化物超伝導材料は水、酸に対して
不安定であるために、エツチングにより残されたパター
ンの線幅や断面形状が一定せず、ウェットエッチによる
パターンニングは非常に困難である。
不安定であるために、エツチングにより残されたパター
ンの線幅や断面形状が一定せず、ウェットエッチによる
パターンニングは非常に困難である。
本発明は、セラミックス系酸化物超伝導材料薄膜をｗＬ
細にかつ確実にパターンニングする方法を提供すること
を目的とする。
細にかつ確実にパターンニングする方法を提供すること
を目的とする。
［ｙＡ題を解決するための手段］
本発明者は、上記問題を解決するために、まず超伝導特
性を示す組成で薄膜を形成後、その結晶性あるいは配向
性を改良する方法によれば二律背反的問題点を解決でき
るとの着想のもとに、研究を行なった。
性を示す組成で薄膜を形成後、その結晶性あるいは配向
性を改良する方法によれば二律背反的問題点を解決でき
るとの着想のもとに、研究を行なった。
本発明は、セラミックス系酸化物が超伝導特性を示すの
は構成元素がかぎられた組成比の時のみであることに注
目し、不要部分の組成を超伝導組成比からずらして不要
部分を絶縁体化させ、必要なパターンを形成する方法で
ある。すなわち、本発明法は、基板上に伝導薄膜を堆積
し、この超伝導ＦＩＪＩＩの選択された部分をパターン
として残す方法において、超伝導体薄膜上の前記選択部
分にレジストのパターンを形成し、超伝導体の構成元素
（但し、酸素を除く）の少なくとも１種を含む有機酸塩
の溶液を超伝導体薄膜上に塗布し、前記有機酸塩を熱分
解するとともに有機酸塩に含まれる前記構成元素と、非
選択部分の超伝導薄膜を反応させることによって、非選
択部分を絶縁体化することを特徴とする。
は構成元素がかぎられた組成比の時のみであることに注
目し、不要部分の組成を超伝導組成比からずらして不要
部分を絶縁体化させ、必要なパターンを形成する方法で
ある。すなわち、本発明法は、基板上に伝導薄膜を堆積
し、この超伝導ＦＩＪＩＩの選択された部分をパターン
として残す方法において、超伝導体薄膜上の前記選択部
分にレジストのパターンを形成し、超伝導体の構成元素
（但し、酸素を除く）の少なくとも１種を含む有機酸塩
の溶液を超伝導体薄膜上に塗布し、前記有機酸塩を熱分
解するとともに有機酸塩に含まれる前記構成元素と、非
選択部分の超伝導薄膜を反応させることによって、非選
択部分を絶縁体化することを特徴とする。
以下、本発明の構成を詳しく説明する。
セラミックス系酸化物超伝導材料の薄膜を堆積させる基
板としては、ＭｇＯ，ＹＳＺ、ＳｒＴｉＯ３、Ａｇ２Ｏ
３などの絶縁性物質からなる単結晶の基板を本発明にお
いて使用することがてきる。この基板上に堆積する超伝
導体の薄膜は、スパッター、電子ビーム蒸着、分子ビー
ム蒸着、化学気相成長法などの任意の方法によって、通
常１〜５μｍの膜厚に堆積される。この際、基板温度、
ガス圧、Ａｒ１０．ガス比（スパッターの場合）などの
成膜条件、特に基板温度を調節して、超伝導相単相の単
結晶もしくは多結晶が基板上に成するようにする必要が
ある。セラミックス系酸化物超伝導材料はの一例として
Ｙ系では：Ｌ ｕ ｒ Ｂ ａ ２Ｃｕ ｖＯ７−ｘ
（但しＬｕはＹ及び希土類；Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂを除＜）
、Ｘ＝Ｏ〜０．５の組成を有するものである。
板としては、ＭｇＯ，ＹＳＺ、ＳｒＴｉＯ３、Ａｇ２Ｏ
３などの絶縁性物質からなる単結晶の基板を本発明にお
いて使用することがてきる。この基板上に堆積する超伝
導体の薄膜は、スパッター、電子ビーム蒸着、分子ビー
ム蒸着、化学気相成長法などの任意の方法によって、通
常１〜５μｍの膜厚に堆積される。この際、基板温度、
ガス圧、Ａｒ１０．ガス比（スパッターの場合）などの
成膜条件、特に基板温度を調節して、超伝導相単相の単
結晶もしくは多結晶が基板上に成するようにする必要が
ある。セラミックス系酸化物超伝導材料はの一例として
Ｙ系では：Ｌ ｕ ｒ Ｂ ａ ２Ｃｕ ｖＯ７−ｘ
（但しＬｕはＹ及び希土類；Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂを除＜）
、Ｘ＝Ｏ〜０．５の組成を有するものである。
次に通常のフォトリングラフィによってレジストをパタ
ーン形成部して超伝導ｒｉｔＭｆｉのパターン形成部に
残す。
ーン形成部して超伝導ｒｉｔＭｆｉのパターン形成部に
残す。
続いて、レジストのパターンを残した基板に有機酸塩を
塗布する。この有ｔｌｌｉｌｉ！塩は上記−最大のＬｕ
、Ｂａ、Ｃｕの一種以上を含有しなければならない。例
えばステアリン酸、ナフテン酸、ラウリル酸などのＹ、
Ｃｕ塩などはそれぞれ、Ｙ。
塗布する。この有ｔｌｌｉｌｉ！塩は上記−最大のＬｕ
、Ｂａ、Ｃｕの一種以上を含有しなければならない。例
えばステアリン酸、ナフテン酸、ラウリル酸などのＹ、
Ｃｕ塩などはそれぞれ、Ｙ。
Ｃｕ、Ｂａなどのセラミックス系酸化物超導材料の構成
原子を含むために、これらを適当な溶媒とともにスピン
コードなどにより塗布することができる。又、二種以上
の有機酸の混合液を使用することもできる。塗布により
、有機酸塩はレジストパターンの間に表出された薄膜と
接触し１次の工程でこのＦＷ膜と反応する。有機酸塩は
通常２００℃以上の温度で分解され、その中に含まれる
Ｙ、Ｃｕなとは遊離され、また、Ｃ，Ｈ，Ｎ、０なとの
原子は蒸発する。遊離されたＹ、Ｃｕなとの金属原子は
セラミックス系酸化物超伝導材料と化学的に反応するか
、あるいは薄膜中に拡散する。なお、これらの金属が酸
化され、生成したＹ２Ｏ，、ＣｕＯなどの酸化物がセラ
ミックス系酸化物超伝導材料と反応することも考えられ
る。この結果、有機酸塩の下地薄膜ではセラミックス系
酸化物超伝導材料のＹ、Ｃｕなどの原子が過剰になり、
超伝導化学量論組成からのずれによる絶縁体が起こる。
原子を含むために、これらを適当な溶媒とともにスピン
コードなどにより塗布することができる。又、二種以上
の有機酸の混合液を使用することもできる。塗布により
、有機酸塩はレジストパターンの間に表出された薄膜と
接触し１次の工程でこのＦＷ膜と反応する。有機酸塩は
通常２００℃以上の温度で分解され、その中に含まれる
Ｙ、Ｃｕなとは遊離され、また、Ｃ，Ｈ，Ｎ、０なとの
原子は蒸発する。遊離されたＹ、Ｃｕなとの金属原子は
セラミックス系酸化物超伝導材料と化学的に反応するか
、あるいは薄膜中に拡散する。なお、これらの金属が酸
化され、生成したＹ２Ｏ，、ＣｕＯなどの酸化物がセラ
ミックス系酸化物超伝導材料と反応することも考えられ
る。この結果、有機酸塩の下地薄膜ではセラミックス系
酸化物超伝導材料のＹ、Ｃｕなどの原子が過剰になり、
超伝導化学量論組成からのずれによる絶縁体が起こる。
Ｙ、Ｃｕ等が薄膜表面から基板まで達するに充分な時間
高温に保持することによって、レジストパターン外に表
出されたセラミックス系酸化物超伝導材料を絶縁体のパ
ターンに変え、所望パターンの超伝導体薄膜を形成する
ことができる。
高温に保持することによって、レジストパターン外に表
出されたセラミックス系酸化物超伝導材料を絶縁体のパ
ターンに変え、所望パターンの超伝導体薄膜を形成する
ことができる。
上記熱分解はレジストのアッシングと同時に行なうこと
ができる。すなわち、アッシングのｉ晶度である１００
〜５００℃において上記した絶縁体化が起こるから、こ
れらを同時に行なうことができる。薄膜が薄い場合はア
ッシングで十分であるが、通常は薄膜の全厚みを絶縁体
化するにはレジストのアッシング後に′、より高温でア
ニールを行なうことにより絶縁体化をさらに進行させる
ことが必要である。この場合のアニールは５００〜９５
０℃で行なうどが好ましい。
ができる。すなわち、アッシングのｉ晶度である１００
〜５００℃において上記した絶縁体化が起こるから、こ
れらを同時に行なうことができる。薄膜が薄い場合はア
ッシングで十分であるが、通常は薄膜の全厚みを絶縁体
化するにはレジストのアッシング後に′、より高温でア
ニールを行なうことにより絶縁体化をさらに進行させる
ことが必要である。この場合のアニールは５００〜９５
０℃で行なうどが好ましい。
上記のように選択的にセラミックス系酸化物超伝導材料
のｆｆＷＡの全厚みを絶縁体化するために有機酸塩中の
Ｙ、Ｃｕ等は十分な量存在せしめる必要がある。この量
はスピンコード後の有機酸塩の膜厚が０．２μｍ以上あ
ると、経験的に、薄膜の全厚みが絶縁体化されることが
分かった。
のｆｆＷＡの全厚みを絶縁体化するために有機酸塩中の
Ｙ、Ｃｕ等は十分な量存在せしめる必要がある。この量
はスピンコード後の有機酸塩の膜厚が０．２μｍ以上あ
ると、経験的に、薄膜の全厚みが絶縁体化されることが
分かった。
［作用コ
本発明は上述のように一旦成腹されたセラミックス酸化
物超伝導材料の薄膜を除去せずに、残したまま選択的に
絶縁体化する方法である。この選択的絶縁体化に使用す
る有機酸塩や、これに含有されるＹ、Ｃｕなどはレジス
トによりマスクされている所望の超伝導体パターンの精
度、寸法に悪影響を及ぼさない、すなわち、通常のウェ
ットエッチやドライエッチの場合はレジストを使用して
もセラミックス系酸化物超伝導材料がエツチング媒体（
水、無機酸など）に対して不安定であるため、レジスト
の下地のｆｆＪＩ！がエツチング媒体により侵され、パ
ターンが崩れてしまう、これに対して、セラミックス系
酸化物超伝導材料は有機酸に対して安定であるからレジ
ストのマスク効果が十分発揮され、精度の高いパターン
が得られ易い、又、有機酸塩から道理されるＹ、Ｃｕ等
はセラミックス系酸化物超伝導材料中に富化して、超伝
導相を絶縁相に変化させ、Ｙ、Ｃｕ等の拡散が停止して
形成される両相の界面が超伝導体パターンの境界面にな
るので、超伝導体パターンが劣化しない、同方法が他の
セラミックス超伝導材にも使えることは自明である。
物超伝導材料の薄膜を除去せずに、残したまま選択的に
絶縁体化する方法である。この選択的絶縁体化に使用す
る有機酸塩や、これに含有されるＹ、Ｃｕなどはレジス
トによりマスクされている所望の超伝導体パターンの精
度、寸法に悪影響を及ぼさない、すなわち、通常のウェ
ットエッチやドライエッチの場合はレジストを使用して
もセラミックス系酸化物超伝導材料がエツチング媒体（
水、無機酸など）に対して不安定であるため、レジスト
の下地のｆｆＪＩ！がエツチング媒体により侵され、パ
ターンが崩れてしまう、これに対して、セラミックス系
酸化物超伝導材料は有機酸に対して安定であるからレジ
ストのマスク効果が十分発揮され、精度の高いパターン
が得られ易い、又、有機酸塩から道理されるＹ、Ｃｕ等
はセラミックス系酸化物超伝導材料中に富化して、超伝
導相を絶縁相に変化させ、Ｙ、Ｃｕ等の拡散が停止して
形成される両相の界面が超伝導体パターンの境界面にな
るので、超伝導体パターンが劣化しない、同方法が他の
セラミックス超伝導材にも使えることは自明である。
［実施例コ
以下、図面を参照として実施例により本発明を説明する
。
。
ＹＳＺ基板（１，第２図） （温度７５０℃）上にＹ、
Ｂａ２Ｃｕ、０ｔ−ｓのら超伝導薄Ｍ２を電子ビーム蒸
着により膜厚２ｏｏＯ人に堆積した。
Ｂａ２Ｃｕ、０ｔ−ｓのら超伝導薄Ｍ２を電子ビーム蒸
着により膜厚２ｏｏＯ人に堆積した。
その上に、幅５０μｍのネガレジスト３（第３図）を１
００μｍ間隔で多数形成し、ステアリン酸イツトリウム
と溶媒エタノールの重量比３対１混合液をスピンコード
し、塗膜ｔｌ （第４図）をレジスト３が隠れるように
塗布した。４５０℃で約３０分、レジスト３のアッシン
グと同時にステアリン酸イツトリウムの塗ＷＡ４を熱分
解し、その後、９３０℃、２時間、酸素雰囲気中でアニ
ールすることによって第１図に示すようにレジスト３外
に表出された部分は、 Ｙ １＋＋（Ｂ ａ ２Ｃｕ
３０７−Ｆ （５）となり絶縁体化する。
００μｍ間隔で多数形成し、ステアリン酸イツトリウム
と溶媒エタノールの重量比３対１混合液をスピンコード
し、塗膜ｔｌ （第４図）をレジスト３が隠れるように
塗布した。４５０℃で約３０分、レジスト３のアッシン
グと同時にステアリン酸イツトリウムの塗ＷＡ４を熱分
解し、その後、９３０℃、２時間、酸素雰囲気中でアニ
ールすることによって第１図に示すようにレジスト３外
に表出された部分は、 Ｙ １＋＋（Ｂ ａ ２Ｃｕ
３０７−Ｆ （５）となり絶縁体化する。
［発明の効果］
本発明によれば超伝導薄膜を微細加工、パターンニング
する場合に膜に与えるダメージが無く、特性の良い超伝
導薄膜のパターンが作れる。
する場合に膜に与えるダメージが無く、特性の良い超伝
導薄膜のパターンが作れる。
第１図はパターンニングされた超伝導体薄膜を示ず断面
図。 第２図は超伝導体薄膜を被着した基板の断面図、 第３図はレジストパターンニング工程の説明図、 第４図は有機酸塩塗布工程の説明図である。 １一基板、２−超伝導体薄膜、３−レジスト、４−有機
酸塩、５−絶縁体 ７に’フーワニンク°之れた」ワイ云１−不渾膜第１図 レソスヒノｖ７−ンニン７゛ニオ！ 第３図 疋？４云本本簿朕を嗜（漬１刀ミ基板 第２図 有機酸塩２作１才！ 第４図
図。 第２図は超伝導体薄膜を被着した基板の断面図、 第３図はレジストパターンニング工程の説明図、 第４図は有機酸塩塗布工程の説明図である。 １一基板、２−超伝導体薄膜、３−レジスト、４−有機
酸塩、５−絶縁体 ７に’フーワニンク°之れた」ワイ云１−不渾膜第１図 レソスヒノｖ７−ンニン７゛ニオ！ 第３図 疋？４云本本簿朕を嗜（漬１刀ミ基板 第２図 有機酸塩２作１才！ 第４図
Claims (1)
- １、基板上に超伝導薄膜を堆積し、この超伝導薄膜の選
択された部分をパターンとして残す方法において、前記
超伝導薄膜上の前記選択部分にレジストのパターンを形
成し、超伝導体の構成元素（但し、酸素を除く）の少な
くとも１種を含む有機酸塩の溶液を超伝導薄膜上に塗布
し、前記有機酸塩を熱分解するとともに有機酸塩に含ま
れる前記構成元素と、非選択部分の超伝導薄膜を反応さ
せることによって、非選択部分を絶縁体化することを特
徴とする超伝導薄膜のパターンニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014731A JPH02194673A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 超伝導薄膜のパターンニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014731A JPH02194673A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 超伝導薄膜のパターンニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194673A true JPH02194673A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11869275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014731A Pending JPH02194673A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 超伝導薄膜のパターンニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194673A (ja) |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1014731A patent/JPH02194673A/ja active Pending
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