JPS582046A - 配線方法 - Google Patents
配線方法Info
- Publication number
- JPS582046A JPS582046A JP10081281A JP10081281A JPS582046A JP S582046 A JPS582046 A JP S582046A JP 10081281 A JP10081281 A JP 10081281A JP 10081281 A JP10081281 A JP 10081281A JP S582046 A JPS582046 A JP S582046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- melting point
- metal
- opening
- wiring method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は車積回路の’Ｊｌ−１−配縁の方法に関′し、
特にＡＩ との’ｍｘ的接触を得る方法に関する。
特にＡＩ との’ｍｘ的接触を得る方法に関する。
ＡＩは、ムＵに次ぐ良電導体であり、値幽加工住もよ（
、安価であるために、半導体や車積回路などの配線金属
として用いらｊＬる。ＡＩ は空気中の水分や水を用い
た３１＆壇などにより表面に数十ｎｍＮ／）フルξす層
が生じ、フルξすは不導体の＆め、金属をただ接触させ
ただけでは接触抵抗か大きく、金属を擦り付けるなり突
き刺すなりし−Ｃアルミーｒ層を破るようにしないと、
接触抵抗を小さくすることはできない。層積回路におい
では、ＡＩ配線上、に層関結縁臘８１０宜’を気相成長
し、８ ｉ ０．−にパ、７７ド弗酸またはＣＦ４ドラ
イエ、チングＶＣエリスルーホールｔ−開けＣ，Ｃｒ、
’Ｉ”ｉ、Ｍｏ、’Ｉ’ａ７１どの高融点金属を蒸着し
た恢、ＡＩ、Ｐｔなどの低凪抗金属を４統して蒸着すれ
ば、スルーホールの開口が１００μｍ角以上と大きいと
きは、接触抵抗は小さくて聞ａｔよなかつた。しかし、
接触品分が叙μｍ角と小さくなると、接触抵抗が大きく
なり、まったく導通しないことも生じた。
、安価であるために、半導体や車積回路などの配線金属
として用いらｊＬる。ＡＩ は空気中の水分や水を用い
た３１＆壇などにより表面に数十ｎｍＮ／）フルξす層
が生じ、フルξすは不導体の＆め、金属をただ接触させ
ただけでは接触抵抗か大きく、金属を擦り付けるなり突
き刺すなりし−Ｃアルミーｒ層を破るようにしないと、
接触抵抗を小さくすることはできない。層積回路におい
では、ＡＩ配線上、に層関結縁臘８１０宜’を気相成長
し、８ ｉ ０．−にパ、７７ド弗酸またはＣＦ４ドラ
イエ、チングＶＣエリスルーホールｔ−開けＣ，Ｃｒ、
’Ｉ”ｉ、Ｍｏ、’Ｉ’ａ７１どの高融点金属を蒸着し
た恢、ＡＩ、Ｐｔなどの低凪抗金属を４統して蒸着すれ
ば、スルーホールの開口が１００μｍ角以上と大きいと
きは、接触抵抗は小さくて聞ａｔよなかつた。しかし、
接触品分が叙μｍ角と小さくなると、接触抵抗が大きく
なり、まったく導通しないことも生じた。
本発明の目的は、接触面積が小さくＣもＡＩ との良
好な電気的接触ｔ−優ることができる配線方法を提供す
ることにある。
好な電気的接触ｔ−優ることができる配線方法を提供す
ることにある。
本発明によれば、基板上に入ｌ配線を形成し、全面に層
間１１！Ｉ縁展を形成し、該ＡＩ襄上の所定の部分に開
口を設けた後、該開口下のＡＩ 配線の表面を線表し、
該開目上を゛こ高融点金属を下地とした金Ｍ配線を形成
し、加熱することを特徴とする配線力士が得られる。
間１１！Ｉ縁展を形成し、該ＡＩ襄上の所定の部分に開
口を設けた後、該開口下のＡＩ 配線の表面を線表し、
該開目上を゛こ高融点金属を下地とした金Ｍ配線を形成
し、加熱することを特徴とする配線力士が得られる。
以下、本発明についての実施例を図面を用いて説明Ｔる
。
。
第１図ｔａ）〜ｔｃ）は、本発明の詳細な説明するため
の図である。第１図（、ｉ）のようにｉ’ｉｓＮ４ｍ１
で全面を［ａｌＬ絶縁したｄｉ基板上に、ホトレジスト
を用いたリフトオフ法ｌＣより厚さ１．Ｏｐｍｆ）ＡＩ
パターンｌを形成し一全面に層間、、＠縁臘として８１
０゜を０．４μｍ気相成純成長第１図（ｂｏｏようにＡ
１パターｙｌの上に４μｍ角のスルーホールのパターン
２があるホトレジスト襄を形成してバッファド弗酸に孟
り８ｉ０．躾に開口２を設けてホトレジスト躾を除去し
た後、−口ＦＯＡ１表面を約６０℃の貞リン酸で数十秒
エツチングし、第１図（ｃ）のようにホトにシストを用
いたす７トオ７法により、Ｔ ｉ ０．１μｍ 、 Ａ
Ｉ ０．８μｍ 、 Ｐ ｔ Ｏ，１μｍを連続して電
子銃蒸着機により蒸着して＆Ｎパター７３を形成し、ん
、雰囲気中で２５０〜４５０℃に数分間以上保持するこ
とによりムｌ との電気約接触を得ることができる。金
属パターンにおいて、ＴｊＦｉｍ融点金属、ＡＩは低抵
抗金属、ＰｔはＡ１表面の酸化を防ぐだめのものである
。そしＣ％ＡＩ パターンｌと金属パターン２の接触ｔ
μ分は４μｍ角である。
の図である。第１図（、ｉ）のようにｉ’ｉｓＮ４ｍ１
で全面を［ａｌＬ絶縁したｄｉ基板上に、ホトレジスト
を用いたリフトオフ法ｌＣより厚さ１．Ｏｐｍｆ）ＡＩ
パターンｌを形成し一全面に層間、、＠縁臘として８１
０゜を０．４μｍ気相成純成長第１図（ｂｏｏようにＡ
１パターｙｌの上に４μｍ角のスルーホールのパターン
２があるホトレジスト襄を形成してバッファド弗酸に孟
り８ｉ０．躾に開口２を設けてホトレジスト躾を除去し
た後、−口ＦＯＡ１表面を約６０℃の貞リン酸で数十秒
エツチングし、第１図（ｃ）のようにホトにシストを用
いたす７トオ７法により、Ｔ ｉ ０．１μｍ 、 Ａ
Ｉ ０．８μｍ 、 Ｐ ｔ Ｏ，１μｍを連続して電
子銃蒸着機により蒸着して＆Ｎパター７３を形成し、ん
、雰囲気中で２５０〜４５０℃に数分間以上保持するこ
とによりムｌ との電気約接触を得ることができる。金
属パターンにおいて、ＴｊＦｉｍ融点金属、ＡＩは低抵
抗金属、ＰｔはＡ１表面の酸化を防ぐだめのものである
。そしＣ％ＡＩ パターンｌと金属パターン２の接触ｔ
μ分は４μｍ角である。
本発明は、実験検討により判明した次のことに基づくも
のである。Ａｌ配線上に８ｉ０．を気相成長させるとき
、成長雰囲気が０８ を含み水分はさまずＫＦＪ４００
℃に加熱されるため、Ａ１表面が熱酸化され、無水結晶
の完全なアルミナ層になることが分った。そして、完全
なアルミナは弗酸にｔユはとんど溶けることはない。し
かし、空気中の水分や水を用いた処理によりＡ１表面に
生じたアルミナ層は結晶水を持ち結晶性が完全で、ない
ために、弗＃などの酸やアルカリには溶ける。また、Ａ
１表面に高融点蜜漬のＴ１やＣｒなどを接触させると、
含水アルミナ層では結晶性が完全でないため、高融点金
１Ｉ４（儂加熱されればアルミナ層を通ってＡ１中へ拡
散することができる。しかし、熱酸化され罠無水アルミ
ナｌ−のＭＪ＆性が完全なために、高融点金属（ｉ、ア
ルミナ層に拡散することができず、結いことになる。そ
こで、ＳｔＯ。
のである。Ａｌ配線上に８ｉ０．を気相成長させるとき
、成長雰囲気が０８ を含み水分はさまずＫＦＪ４００
℃に加熱されるため、Ａ１表面が熱酸化され、無水結晶
の完全なアルミナ層になることが分った。そして、完全
なアルミナは弗酸にｔユはとんど溶けることはない。し
かし、空気中の水分や水を用いた処理によりＡ１表面に
生じたアルミナ層は結晶水を持ち結晶性が完全で、ない
ために、弗＃などの酸やアルカリには溶ける。また、Ａ
１表面に高融点蜜漬のＴ１やＣｒなどを接触させると、
含水アルミナ層では結晶性が完全でないため、高融点金
１Ｉ４（儂加熱されればアルミナ層を通ってＡ１中へ拡
散することができる。しかし、熱酸化され罠無水アルミ
ナｌ−のＭＪ＆性が完全なために、高融点金属（ｉ、ア
ルミナ層に拡散することができず、結いことになる。そ
こで、ＳｔＯ。
鏝をｒｅ成しスルーホールを開けた後、この無水アルミ
ナ層ヲ除去して含水アルミナ層にすれば導通は得らｊＬ
ることｖｃする。無水アルミナｔ−溶かすものは、加熱
した濃リン酸とｅｃ１４のドライエツチングがある。±
〕こ、濃リン＊に４ｉ１！酸、硝酸、醋峨、シーウ蹟、
フェノ峨、氷醋酸！オルトトルイジンＩｆとを加えても
よい。ドライエツチングにＪ３ｉｚては、ＣＣ１，に仙
の塩素系ガスやＣＦ２などを加えてもよい。
ナ層ヲ除去して含水アルミナ層にすれば導通は得らｊＬ
ることｖｃする。無水アルミナｔ−溶かすものは、加熱
した濃リン酸とｅｃ１４のドライエツチングがある。±
〕こ、濃リン＊に４ｉ１！酸、硝酸、醋峨、シーウ蹟、
フェノ峨、氷醋酸！オルトトルイジンＩｆとを加えても
よい。ドライエツチングにＪ３ｉｚては、ＣＣ１，に仙
の塩素系ガスやＣＦ２などを加えてもよい。
形成したパターンの両端のｐｔバッドにＰｔ線を当てて
測定したパッド間抵抗から、測定系と配線の抵抗分を除
いて求められた接触抵抗と保持温ｔｏ関係を第２図に示
す。また、３５０℃で１０分間保持したものの接触抵抗
は１．３ｉ±０．５７ｇ（９５％分布限界）である。Ａ
１表面ｆリン酸でエツチングしないものの接触抵抗は、
はとんｋがＩ Ｏ’ＭΩ以主で所々に数Ｉｎのものがあ
るだけであり、熱ｇ＆電をしてもあまり接触抵抗は下が
らない。
測定したパッド間抵抗から、測定系と配線の抵抗分を除
いて求められた接触抵抗と保持温ｔｏ関係を第２図に示
す。また、３５０℃で１０分間保持したものの接触抵抗
は１．３ｉ±０．５７ｇ（９５％分布限界）である。Ａ
１表面ｆリン酸でエツチングしないものの接触抵抗は、
はとんｋがＩ Ｏ’ＭΩ以主で所々に数Ｉｎのものがあ
るだけであり、熱ｇ＆電をしてもあまり接触抵抗は下が
らない。
このような本発明により、Ａｌとの接触部分力（畝μＩ
ｎ内と小さくても′接触抵抗σ数ｇと小さく、本発明を
用いなければ接触抵抗がＩＯＭΩ以上であうたことから
も１本発明の効果電工明らかである。
ｎ内と小さくても′接触抵抗σ数ｇと小さく、本発明を
用いなければ接触抵抗がＩＯＭΩ以上であうたことから
も１本発明の効果電工明らかである。
実施例でり、高融点金属としてＴｉ 全期いたが、ほか
にＯｒ、Ｍｏ、Ｔａなどを用いてもよ％％０
にＯｒ、Ｍｏ、Ｔａなどを用いてもよ％％０
第１図はＡＩ との電気約接触を慢るための本％明の
実施例を説明するための図である。ｌは粘縁基板上のＡ
１パターン、２１よｔ−間結ｄｆｉ８ｉ０□のスルーホ
ール、３はＴｉ／Ａｔ／Ｐｔ の積層金属からなる童画
パターン。第２図は熱処理の保持は嵐と接触抵抗の関係
を示す図である。 オ １ 国 （α） （ｂ） （Ｃ）
実施例を説明するための図である。ｌは粘縁基板上のＡ
１パターン、２１よｔ−間結ｄｆｉ８ｉ０□のスルーホ
ール、３はＴｉ／Ａｔ／Ｐｔ の積層金属からなる童画
パターン。第２図は熱処理の保持は嵐と接触抵抗の関係
を示す図である。 オ １ 国 （α） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、、 ．４−板上に、ＡＩ 配線金形成し１、全面に
層関絶縁捩を形成し、該ＡＩ配線上の所定の４分に開口
を設けた後、該開口下の人ｌ配線の表面ｆ：除去し、該
開口上に尚融点金属をＦ地とした！属配機ｆ形成し、
７Ｊｉｌ熱す心ことを特徴とする配線方２、リンｒＲ′
に含む工、チング敵でＡＩ 表面を・除去する特許請求
の範囲第１項に記載の配線方法。 ３、 ＣＣ１４ｋＫむガスによるドライエツチング法
によりＡＩ 表面を除去する特許請求の範８第１順にｉ
ｄ祇の配線方法。 ４、 高融点金属としてＴｉ を用い、２５０〜４５０
℃で加熱する特許請求の範囲第１項に記載の配線方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081281A JPS582046A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081281A JPS582046A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582046A true JPS582046A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14283763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081281A Pending JPS582046A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582046A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133939A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10081281A patent/JPS582046A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133939A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3567508A (en) | Low temperature-high vacuum contact formation process | |
| US4455568A (en) | Insulation process for integrated circuits | |
| JPS59217328A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| US3429029A (en) | Semiconductor device | |
| US3939047A (en) | Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction | |
| US3341753A (en) | Metallic contacts for semiconductor devices | |
| JPS582046A (ja) | 配線方法 | |
| JPH0531304B2 (ja) | ||
| US3847690A (en) | Method of protecting against electrochemical effects during metal etching | |
| US4426249A (en) | Composition and thickness variation in dielectric layers | |
| JPS6317348B2 (ja) | ||
| JPS58204558A (ja) | 配線方法 | |
| JPS6339105B2 (ja) | ||
| JPH0114701B2 (ja) | ||
| JPS58197826A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS583252A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02177346A (ja) | アルミナ絶縁膜 | |
| JPS5925245A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03165515A (ja) | コンタクトの形成方法 | |
| JPS62244150A (ja) | 低い割合のバナジウムを含むアルミニウムの相互接続層を有した半導体装置及び方法 | |
| JPS6151941A (ja) | 電極・配線膜の製造方法 | |
| JPS61113259A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0377661B2 (ja) | ||
| JPS58216442A (ja) | アルミニウム配線の形成方法 | |
| JPS5841775B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |