JPH01171246A - 超伝導体配線の形成方法 - Google Patents
超伝導体配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH01171246A JPH01171246A JP62332980A JP33298087A JPH01171246A JP H01171246 A JPH01171246 A JP H01171246A JP 62332980 A JP62332980 A JP 62332980A JP 33298087 A JP33298087 A JP 33298087A JP H01171246 A JPH01171246 A JP H01171246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- superconductor
- substrate
- superconducting material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 29
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/82—Current path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
- H01L21/76891—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances by using superconducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49888—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing superconducting material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超伝導体配線の形成方法、例えば厚膜集積回路
用または薄膜集積回路用の超伝導体配線の形成方法に関
する。
用または薄膜集積回路用の超伝導体配線の形成方法に関
する。
（従来の技術）
従来、この種の集積回路用の超伝導体配線の構造として
は、例えば「アルミナ基板上の超伝導配線技術」 （工
業調査会発行、電子材料１９８７年８月号、第８９ペー
ジ〜第９２ページ）に開示されているものが知られてい
る。
は、例えば「アルミナ基板上の超伝導配線技術」 （工
業調査会発行、電子材料１９８７年８月号、第８９ペー
ジ〜第９２ページ）に開示されているものが知られてい
る。
この超伝導体配線は、厚膜印刷法によりセラミック基板
上に形成されるもので、バルク試料を粉砕して得られる
粉末をアルミナ基板（ＦＧＡ基板）上にスクリーン印刷
してパターン形成し、これを焼成することにより形成さ
れている。
上に形成されるもので、バルク試料を粉砕して得られる
粉末をアルミナ基板（ＦＧＡ基板）上にスクリーン印刷
してパターン形成し、これを焼成することにより形成さ
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の超伝導体配線の形成方
法にあっては、基板上に形成される配線パターンはスク
リーン印刷によって形成されていたため、微細な配線パ
ターンを形成することができなかったという問題点が生
じていた。例えばスクリーン印刷法による導体パターン
の設計は、その線幅、線間隔等は５０〜１００μｍであ
るのに対し、リソグラフィ法によれば、波長の短いエネ
ルギ源を使用することもてき、例えば０，５〜１μｍの
単位でその線幅等を形成することができるのである。
法にあっては、基板上に形成される配線パターンはスク
リーン印刷によって形成されていたため、微細な配線パ
ターンを形成することができなかったという問題点が生
じていた。例えばスクリーン印刷法による導体パターン
の設計は、その線幅、線間隔等は５０〜１００μｍであ
るのに対し、リソグラフィ法によれば、波長の短いエネ
ルギ源を使用することもてき、例えば０，５〜１μｍの
単位でその線幅等を形成することができるのである。
従って、本願の発明の目的は、微細な配線パターンの超
伝導体配線の形成方法を提供することである。
伝導体配線の形成方法を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明は、スカンジウム、イツトリウム、ラ
ンタノイドの各元素の内のいずれか１つまたは複数の元
素と、アルカリ土類金属の内のいずれか１つまたは複数
の元素と、銅と、を含む超伝導物質原料を準備する工程
と、リソグラフィ法により絶縁層上に配線形成用マスク
層を形成する工程と、このマスク層及び露出した絶縁層
上゛に上記超伝導物質原料を被着し超伝導物質原料層を
形成する工程と、上記マスク層を剥離することにより、
この超伝導物質原料層の一部を絶縁層上に残す工程と、
この残された超伝導物質原料層を酸化して超伝導物質の
配線層を形成する工程と、を備えた超伝導体配線の形成
方法である。
ンタノイドの各元素の内のいずれか１つまたは複数の元
素と、アルカリ土類金属の内のいずれか１つまたは複数
の元素と、銅と、を含む超伝導物質原料を準備する工程
と、リソグラフィ法により絶縁層上に配線形成用マスク
層を形成する工程と、このマスク層及び露出した絶縁層
上゛に上記超伝導物質原料を被着し超伝導物質原料層を
形成する工程と、上記マスク層を剥離することにより、
この超伝導物質原料層の一部を絶縁層上に残す工程と、
この残された超伝導物質原料層を酸化して超伝導物質の
配線層を形成する工程と、を備えた超伝導体配線の形成
方法である。
（作用）
本発明に係る超伝導体配線の形成方法にあっては、まず
、準備工程として、スカンジウム、イツトリウム、ラン
タノイドの各元素の内のいずれか１つまたは複数の元素
と、アルカリ土類金属の内のいずれか１つまたは複数の
元素と、銅とを含む超伝導物質原料を作成、準備する。
、準備工程として、スカンジウム、イツトリウム、ラン
タノイドの各元素の内のいずれか１つまたは複数の元素
と、アルカリ土類金属の内のいずれか１つまたは複数の
元素と、銅とを含む超伝導物質原料を作成、準備する。
次に、リソグラフィ法により絶縁層上に配線形成用マス
ク層を形成する。例えば絶縁層上にホトレジストを塗布
し、ホトマスク画像による露光、現像後、エツチングを
して所望の配線形成用マスク層を形成するものである。
ク層を形成する。例えば絶縁層上にホトレジストを塗布
し、ホトマスク画像による露光、現像後、エツチングを
して所望の配線形成用マスク層を形成するものである。
その結果、絶縁層上面の一部は該マスク層に覆われるが
、残りの部分は露出している。また、このとき、このマ
スク層の′ｇ！ｌ細加工を精度良く行うには、可視光の
短波長領域から近紫外線領域のみならず、遠紫外線、電
子ビーム、Ｘ線、イオンビーム等を利用することもてき
る。
、残りの部分は露出している。また、このとき、このマ
スク層の′ｇ！ｌ細加工を精度良く行うには、可視光の
短波長領域から近紫外線領域のみならず、遠紫外線、電
子ビーム、Ｘ線、イオンビーム等を利用することもてき
る。
そして、このマスク層及び絶縁層上に上記超伝導物質原
料を被着し超伝導物質原料層を形成する。
料を被着し超伝導物質原料層を形成する。
その結果、超伝導物質原料層は、その一部は絶縁層上に
直接形成され、残りはマスク層上に形成されることにな
る。この場合、超伝導物質原料は真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーテ、イング法等が用いられ、所
望の厚さに被着される。
直接形成され、残りはマスク層上に形成されることにな
る。この場合、超伝導物質原料は真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーテ、イング法等が用いられ、所
望の厚さに被着される。
次いて、上記マスク層を剥離することにより、この超伝
導物質原料層の一部を絶縁層上に残す。
導物質原料層の一部を絶縁層上に残す。
すなわち、所望のパターンの超伝導物質原料層が絶縁層
上に形成されることとなるのである。
上に形成されることとなるのである。
さらに、この残された超伝導物質原料層を酸化して超伝
導物質の配線層を形成する。すなわち、超伝導体配線が
絶縁層上に所望のパターンで形成されるのである。
導物質の配線層を形成する。すなわち、超伝導体配線が
絶縁層上に所望のパターンで形成されるのである。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明にあっては、リソグラ
フィ法によるため、微細な配線を容易に形成することが
できる。例えば０．５〜１７．ｚｍの単位でその線幅等
を形成することができるのである。そして、この超伝導
体配線はＹ−Ｂａ−ＣＬＩ−６系の超伝導体配線を使用
した場合には、その電流密度が大きくなっている。
フィ法によるため、微細な配線を容易に形成することが
できる。例えば０．５〜１７．ｚｍの単位でその線幅等
を形成することができるのである。そして、この超伝導
体配線はＹ−Ｂａ−ＣＬＩ−６系の超伝導体配線を使用
した場合には、その電流密度が大きくなっている。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図〜第６図は、本発明の第１実施例に係る超伝導体
配線の形成方法における各工程を示すその断面図である
。
配線の形成方法における各工程を示すその断面図である
。
この第１実施例は本発明を高純度アルミナ基板上に厚膜
配線を形成する工程に適用した場合を示している。
配線を形成する工程に適用した場合を示している。
まず、スカンジウム、イツトリウム、ランタノイドの各
元素の内のいずれか１つまたは複数の元素と、アルカリ
土類金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バリウ
ム、ラジウムの内のいずれか１つまたは複数の金属と、
銅と、で構成される超伝導物質原料を準備する。
元素の内のいずれか１つまたは複数の元素と、アルカリ
土類金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バリウ
ム、ラジウムの内のいずれか１つまたは複数の金属と、
銅と、で構成される超伝導物質原料を準備する。
次に、リソグラフィ法を用いて上記基板（絶縁層）１上
に配線形成用マスク層を形成する。
に配線形成用マスク層を形成する。
まず、第１図に示すように、絶縁体層としての高純度ア
ルミナ基板（ＦＧＡ基板）１上に、周知のホトレジスト
を被着して、例えば厚さ約１０μｎ１のホトレジスト層
３を形成する。すなわち、このホトレジストを基板１上
にホトレジストを溶かした溶媒を注いだ後、スピンコー
ティングして（例えば５０００ｒｐｍの速度で回転させ
て）薄い均一な膜を作る。この後、ベーキング等して乾
燥させ、基板１上に該ホトレジスト層３を形成するので
ある。
ルミナ基板（ＦＧＡ基板）１上に、周知のホトレジスト
を被着して、例えば厚さ約１０μｎ１のホトレジスト層
３を形成する。すなわち、このホトレジストを基板１上
にホトレジストを溶かした溶媒を注いだ後、スピンコー
ティングして（例えば５０００ｒｐｍの速度で回転させ
て）薄い均一な膜を作る。この後、ベーキング等して乾
燥させ、基板１上に該ホトレジスト層３を形成するので
ある。
次に、第２図に示すように、所定のパターンに形成した
ホトマスク５をこのホトレジスト層３の上方に配設して
、矢印で示すように例えば紫外線をこれらの上方から照
射する。こめ結果、ホトレジ・スト層３にあって、ホト
マスク５の直下の部分３Ａ以外の部分は露光されること
となる。
ホトマスク５をこのホトレジスト層３の上方に配設して
、矢印で示すように例えば紫外線をこれらの上方から照
射する。こめ結果、ホトレジ・スト層３にあって、ホト
マスク５の直下の部分３Ａ以外の部分は露光されること
となる。
そして、第３図に示すように、現像液により現像すると
、この光に当たらなかった部分３Ａが現像液により溶出
されることとなる。すなわち、ホトレジスト層３の一部
分が消失して開口部が形成され、基板１の上面がその開
口部だけ露出することとなる。
、この光に当たらなかった部分３Ａが現像液により溶出
されることとなる。すなわち、ホトレジスト層３の一部
分が消失して開口部が形成され、基板１の上面がその開
口部だけ露出することとなる。
このようにして基板１上に配線形成用マスク層（ホトレ
ジスト層）３が形成されるのである。
ジスト層）３が形成されるのである。
次に、第４図に示すように、上記準備工程で準備した超
伝導物質原料を、この配線形成用マスクＮ３及び露出し
た基板１上に被着する。この結果、厚さ約１０μｍの超
伝導物質原料層７が形成される。この超伝導物質原料層
７は、真空蒸着法、スパッタリング法、抵抗加熱法、イ
オンブレーティング法等によって形成することができる
。例えば、ＲＦスパッタリング（全圧：１０−４〜１Ｏ
−ＩＴ。
伝導物質原料を、この配線形成用マスクＮ３及び露出し
た基板１上に被着する。この結果、厚さ約１０μｍの超
伝導物質原料層７が形成される。この超伝導物質原料層
７は、真空蒸着法、スパッタリング法、抵抗加熱法、イ
オンブレーティング法等によって形成することができる
。例えば、ＲＦスパッタリング（全圧：１０−４〜１Ｏ
−ＩＴ。
ｒｒ、雰囲気：Ａｒのみ、基板ターゲット間距離ニア０
ｍｍ、パワー ２００Ｗ）により形成する。
ｍｍ、パワー ２００Ｗ）により形成する。
次に、第５図に示すように、上記マスク層３を基板１上
から剥離する。その結果、マスクＮ３とともに、このマ
スク層３上に被着された超伝導物質原料層７の部分が、
基板１から剥離されることとなる。従って、直接基板１
上に被着された超伝導物質原料層７の一部はそのまま基
板１上に残ることとなる。
から剥離する。その結果、マスクＮ３とともに、このマ
スク層３上に被着された超伝導物質原料層７の部分が、
基板１から剥離されることとなる。従って、直接基板１
上に被着された超伝導物質原料層７の一部はそのまま基
板１上に残ることとなる。
次に、この残された超伝導物質原料層７を所定の雰囲気
下に酸化して超伝導物質の配線Ｎ９を形成する。例えば
、０２のみの雰囲気において７５０〜８５０°Ｃて１〜
５時間アニールする。この結果、第６図に示すように、
基板１上には所定組成の（Ｙ−Ｂ’ａ−Ｃｕ−０系）超
伝導体配線９が形成される。
下に酸化して超伝導物質の配線Ｎ９を形成する。例えば
、０２のみの雰囲気において７５０〜８５０°Ｃて１〜
５時間アニールする。この結果、第６図に示すように、
基板１上には所定組成の（Ｙ−Ｂ’ａ−Ｃｕ−０系）超
伝導体配線９が形成される。
第７図〜第１１図は、本発明の第２実施例における各工
程を示している。この第２実施例は本発明を集積回路の
内部配線の形成に適用したもので有る。
程を示している。この第２実施例は本発明を集積回路の
内部配線の形成に適用したもので有る。
第７図に示すように、１１はシリコン基板であり、この
基板１１を覆う絶縁膜（酸化シリコン：Ｓ＋０２）１３
はその一部が選択的に除去されている。従って、基板１
１の一部表面は露出している。
基板１１を覆う絶縁膜（酸化シリコン：Ｓ＋０２）１３
はその一部が選択的に除去されている。従って、基板１
１の一部表面は露出している。
このように絶縁膜１３から露出した基板１１の表面には
、超伝導体で形成されたソース電極１５と、トレイン電
極１７とが約０．５μｎ１の間隔だけ離れて互いに対向
して配設されている。これらの画電極１５．１７、及び
、両電極間の基板１１の表面は、絶縁層く酸化シリコン
：Ｓ：Ｃｈ）１９によって被覆されている。
、超伝導体で形成されたソース電極１５と、トレイン電
極１７とが約０．５μｎ１の間隔だけ離れて互いに対向
して配設されている。これらの画電極１５．１７、及び
、両電極間の基板１１の表面は、絶縁層く酸化シリコン
：Ｓ：Ｃｈ）１９によって被覆されている。
この実施例では、この絶縁層１９上に超伝導体のゲート
電極（配線）を形成するものである。
電極（配線）を形成するものである。
まず、超伝導物質原料を準備する。この工程は上記実施
例のそれと同じで良い。
例のそれと同じで良い。
次に、上記酸化シリコンの絶縁層１９上には、スピンコ
ーティングによって周知のホトレジストが所定厚さに塗
布されてホトレジスト層２１が形成されている（第８図
参照）。そして、所定の配線パターンのマスク２３を用
いて露光、現像することにより（第８図参照）、絶ＢＮ
１９上に配線形成用のマスクＮ２５を形成する（第９図
参照）。
ーティングによって周知のホトレジストが所定厚さに塗
布されてホトレジスト層２１が形成されている（第８図
参照）。そして、所定の配線パターンのマスク２３を用
いて露光、現像することにより（第８図参照）、絶ＢＮ
１９上に配線形成用のマスクＮ２５を形成する（第９図
参照）。
すなわち、このホトレジスト層２１は一連のりソゲラフ
イエ程を経て、所定のパターンに形成され、配線形成用
のマスク層２５となるのである。
イエ程を経て、所定のパターンに形成され、配線形成用
のマスク層２５となるのである。
なお、ホトレジスト２１を溶出する現像液としてはキシ
レン等の有機溶剤を使用するものとする。
レン等の有機溶剤を使用するものとする。
次いて、このマスク層２５及びマスク層２５から一部が
露出した絶縁層１９の上面に例えば蒸着法等により、上
記超伝導物質原料を所定の厚さに被着し、超伝導物質原
料Ｎ２７を形成する（第１０図参照）。
露出した絶縁層１９の上面に例えば蒸着法等により、上
記超伝導物質原料を所定の厚さに被着し、超伝導物質原
料Ｎ２７を形成する（第１０図参照）。
次いて、このマスクＮ２５を剥離することにより、この
超伝導物質原料ｒＩｊｉ２７の一部２９を絶縁ｆｆ１ｌ
ｅ上に残す（第１１図参照）。
超伝導物質原料ｒＩｊｉ２７の一部２９を絶縁ｆｆ１ｌ
ｅ上に残す（第１１図参照）。
最後に、この残された超伝導物質原料層２９を酸化して
所望の配線層を形成する。この結果、ゲート電極として
超伝導物質からなる配線層２９が形成されるのである。
所望の配線層を形成する。この結果、ゲート電極として
超伝導物質からなる配線層２９が形成されるのである。
第１図〜第６図は本発明に係る超伝導体配線の形成方法
の第１実施例の各工程を示すものであり、第１図は第１
実施例におけるホトレジスト被着工程を示すための断面
図、第２図は同じくその露光工程を説明するための断面
図、第３図はそのマスク層形成工程を説明するための断
面図、第４図はその超伝導物質原料層形成工程を示すそ
の断面図、第５図はそのマスク層剥離工程を示すその断
面図、第６図はその超伝導体物質の配線層形成工程を示
すその断面図である。 また、第７図〜第１１図は本発明に係る超伝導体配線の
形成方法の第２実施例の各工程を示すものであり、第７
図はその前工程を示す断面図、第８図はマスクによる露
光工程を示す断面図、第９図は現像工程を示す断面図、
第１０図は超伝導物質原料の被着工程を示す断面図、第
１１図はマスク層の剥離後の酸化工程を示す断面図であ
る。 １・・・・・・・・絶縁Ｎ（基板）、 ３・・・・・・・・配線形成用マスク層（ホトレジスト
層）、 ７・・・・・・・・超伝導物質原料層、９・・・・・・
・・配線層。 特許出願人 三菱金属株式会社代理人
弁理士（８９１７） 桑井 清−ｎｉｌ！ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ２へ 第９図 第１０図 第１１図
の第１実施例の各工程を示すものであり、第１図は第１
実施例におけるホトレジスト被着工程を示すための断面
図、第２図は同じくその露光工程を説明するための断面
図、第３図はそのマスク層形成工程を説明するための断
面図、第４図はその超伝導物質原料層形成工程を示すそ
の断面図、第５図はそのマスク層剥離工程を示すその断
面図、第６図はその超伝導体物質の配線層形成工程を示
すその断面図である。 また、第７図〜第１１図は本発明に係る超伝導体配線の
形成方法の第２実施例の各工程を示すものであり、第７
図はその前工程を示す断面図、第８図はマスクによる露
光工程を示す断面図、第９図は現像工程を示す断面図、
第１０図は超伝導物質原料の被着工程を示す断面図、第
１１図はマスク層の剥離後の酸化工程を示す断面図であ
る。 １・・・・・・・・絶縁Ｎ（基板）、 ３・・・・・・・・配線形成用マスク層（ホトレジスト
層）、 ７・・・・・・・・超伝導物質原料層、９・・・・・・
・・配線層。 特許出願人 三菱金属株式会社代理人
弁理士（８９１７） 桑井 清−ｎｉｌ！ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ２へ 第９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 スカンジウム、イットリウム、ランタノイドの各元素
の内のいずれか１つまたは複数の元素と、アルカリ土類
金属の内のいずれか１つまたは複数の元素と、銅と、を
含む超伝導物質原料を準備する工程と、 リソグラフィ法により絶縁層上に配線形成用マスク層を
形成する工程と、 このマスク層及び露出した絶縁層上に上記超伝導物質原
料を被着し超伝導物質原料層を形成する工程と、 上記マスク層を剥離することにより、この超伝導物質原
料層の一部を絶縁層上に残す工程と、この残された超伝
導物質原料層を酸化して超伝導物質の配線層を形成する
工程と、を備えたことを特徴とする超伝導体配線の形成
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332980A JPH01171246A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超伝導体配線の形成方法 |
| PCT/JP1988/001310 WO1989006441A1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Method of forming superconducting wires |
| EP19890900893 EP0347470A4 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Method of forming superconducting wires |
| KR1019890701380A KR930004728B1 (ko) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | 초전도체 배선의 형성방법 |
| US07/415,215 US5075200A (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Process of forming superconductive wiring strip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332980A JPH01171246A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超伝導体配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171246A true JPH01171246A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18260966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332980A Pending JPH01171246A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超伝導体配線の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075200A (ja) |
| EP (1) | EP0347470A4 (ja) |
| JP (1) | JPH01171246A (ja) |
| KR (1) | KR930004728B1 (ja) |
| WO (1) | WO1989006441A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156936A (en) * | 1989-09-19 | 1992-10-20 | U.S. Philips Corporation | Contact device for the photocathode of photoelectric tubes and manufacturing method |
| CA2054597C (en) * | 1990-10-31 | 1997-08-19 | Hiroshi Inada | Superconducting circuit and a process for fabricating the same |
| WO1993000708A1 (de) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Strukturierte leiterbahnen und verfahren zur herstellung derselben |
| US5274249A (en) * | 1991-12-20 | 1993-12-28 | University Of Maryland | Superconducting field effect devices with thin channel layer |
| DE19715501C1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-06-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten |
| DE102006030787B4 (de) * | 2006-06-30 | 2008-11-27 | Zenergy Power Gmbh | Negativstrukturierung von Dünnschicht Hochtemperatur-Supraleitern |
| KR101051167B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고온 초전도체를 이용한 상 변화 메모리 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656903B2 (ja) * | 1982-06-28 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 酸化物超伝導体回路形成法 |
| JPS59138390A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Hitachi Ltd | 超電導スイツチング装置 |
| NL8703039A (nl) * | 1987-12-16 | 1989-07-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het patroonmatig vervaardigen van een dunne laag uit een oxidisch supergeleidend materiaal. |
| US4879270A (en) * | 1988-04-29 | 1989-11-07 | Allied-Signal Inc. | Method of forming superconducting ceramics by electrodeposition |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62332980A patent/JPH01171246A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-23 WO PCT/JP1988/001310 patent/WO1989006441A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1988-12-23 EP EP19890900893 patent/EP0347470A4/en not_active Withdrawn
- 1988-12-23 KR KR1019890701380A patent/KR930004728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-23 US US07/415,215 patent/US5075200A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5075200A (en) | 1991-12-24 |
| EP0347470A4 (en) | 1990-10-10 |
| KR930004728B1 (ko) | 1993-06-03 |
| WO1989006441A1 (en) | 1989-07-13 |
| KR900701051A (ko) | 1990-08-17 |
| EP0347470A1 (en) | 1989-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4533624A (en) | Method of forming a low temperature multilayer photoresist lift-off pattern | |
| EP0082515B1 (en) | Method for forming coplanar conductor/insulator films | |
| US4115120A (en) | Method of forming thin film patterns by differential pre-baking of resist | |
| EP1090401B1 (en) | Photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes and method therefor | |
| US4921777A (en) | Method for manufacture of multilayer printed circuit boards | |
| EP0060682A2 (en) | Process for making dielectric stencilled microcircuits | |
| TW200541432A (en) | Multilayer ceramic electronic part, circuit board and method for producing ceramic green sheet used for manufacturing those part and circuit board | |
| EP0083397A2 (en) | Methods of forming electronic microcircuits | |
| JPH01171246A (ja) | 超伝導体配線の形成方法 | |
| JPS6077440A (ja) | 細線パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01171247A (ja) | 超伝導体配線の構造 | |
| US3808041A (en) | Process for the production of a multilayer metallization on electrical components | |
| EP0350876A2 (en) | Process for the production of dielectric layers in planar circuits on ceramic substrates | |
| US3811973A (en) | Technique for the fabrication of a bilevel thin film integrated circuit | |
| JPH0139236B2 (ja) | ||
| JPS59500436A (ja) | 電子ビ−ム／光学的ハイブリドリソグラフイツクレジスト法 | |
| JPH08116150A (ja) | 電極配線および抵抗素子の形成方法 | |
| EP0289595A1 (en) | Multilayer resist structure | |
| JPS60120526A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPH0240992A (ja) | 超伝導体配線の構造 | |
| JPH08204313A (ja) | ファインパターン印刷回路 | |
| JPS6364920B2 (ja) | ||
| JPS62106626A (ja) | 露光マスクの製造方法 | |
| JPS5934632A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH05174708A (ja) | 蛍光表示管の製造方法 |