JPS60115217A - 単結晶シリコンの製法 - Google Patents

単結晶シリコンの製法

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JPS60115217A
JPS60115217A JP59239254A JP23925484A JPS60115217A JP S60115217 A JPS60115217 A JP S60115217A JP 59239254 A JP59239254 A JP 59239254A JP 23925484 A JP23925484 A JP 23925484A JP S60115217 A JPS60115217 A JP S60115217A
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silicon
layer
reflection preventing
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、５０１’（シリコン・オン・インシュレータ
）膜に結晶粒界がなく規則圧しく単結晶シリコンの島を
成長させる製法に関する。
〔従来技術及びその問題点〕
単結晶シリコンの島を作るための標準方法において、あ
るパターンの反射防止塗装部は単結晶島部を限定するた
めに用いられていた。この反射防止塗装部のパターンは
、一連のストリップ上に作られ、該ストリップはポリシ
リコン層の上に被着される。次にレーザビームが反射防
止ストリップに対して並行に走査され、これにより前記
反射防止ストリップ間に単結晶シリコンの島が生成され
る。これについては、例えばアプライド・フィジックス
・レターズ１９８２年８月号Ｖｏｌ　４１　、　Ｎｏ。
４の第３４６〜３４７頁やＩ　ＥＥＥエレクトロン・デ
バイス・レターズ１９８３年４月号Ｖｏ　ｌ　ＥＤＬ−
４。
飄４の第７５〜７７頁に紹介されている。また、ＳＯＩ
膜に単結晶シリコンの島を生長させる他の方法は、アプ
ライド・フィジックス・レターズ１９８３年６月号Ｖｏ
１４０．ｋ１２の第１０４３〜１０４５頁に紹介されて
いる。しかしながら、土途方法の欠点の一つは、ビーム
の端縁近くで高品質の単結晶シリコンを得ることが困難
なことである。更には、重畳した連続走査カイ重ね合っ
た領域でランダムな核生成が起ることに起因して、初期
の走査により生成された単結晶が破壊されることである
。このランダムな核生成は、単結晶シリコン領域の幅を
３０ミクロン以上にすることで防止するこができる。
（発明の目的〕 本発明は、規則正しく配列されそして結晶粒界のないシ
リコンの島を生成する単結晶シリコンの製法を提供せん
とするものである。
〔発明の概要〕
前記シリコンの島はレーザ走査の手段と組合せてパター
ン化された反射防止塗装部によって５０１層に生長させ
ることができる。反射防止塗装部のパターンは、シリコ
ンの島の結晶性生長の種まきのためにシードウィンドで
終る一連の並行ストリップの上に作られる。断面形状が
楕円状のレーザビームはストリップに対して垂直に走査
され、それはビームの長軸が前記走査の方向に対して平
行である。前記のレーザビームは反射防止ストリップの
方向に沿って単結晶の生長を促進するために連続走査の
間で歩進する。結晶粒界は、反射防止ストリップの下の
領域に制限される。
（発明の実施例〕 以下図面を用いて本発明を詳述する。第１Ａ図は本発明
の一実施例による素子の断面構造図、第１Ｂ図はその平
面図である。第１Ａ図において、二階化シリコン層１１
０は従来の酸化法によりシリコン基板１００の表面に形
成される。ポリシリコン層１２０は低圧ＣＶＤ技術によ
り前記二…化シリコン層１１０上に被着される。シード
ウィンド１１１は与えられた周期でシリコン基板にポリ
シリコン層が結合されている。前記シードウィンドの端
の結晶方位は（１１０）方向が最良である。
反射防止塗装部１３０の頂層部は、次にポリシリコン層
１２０およびシードウィンド１１１上に低圧ＣＶＤ決に
より被着される。前記反射防止塗装ｆｌｆｆ１３０は、
例えば二酸化シリコンと窒化シリコンとの組合せより成
り、その全体の厚さは７５０〜８５０Ａの範囲である。
しかしながら、他の反射防止塗装部としては例えば窒化
シリコンまたは二酸化シリコンの単一層を用いてもよい
。
前述の反射防止塗装部のパターンは第１Ｂ図に示す如く
、描写ストリップ１１２にマスク工程を用いる。このス
トリップ１１２は、中心から中心までの間隔が１０ミク
ロンで且つその幅は１０ミクロンで作ることがよい。な
お、この反射防止ストリップ１１２は５〜２５ミクロン
の幅で且つ１０〜５０ミクロンの間隔をもつようにして
もよい。
このマスク工程により、反射防止塗装ストリップ間のポ
リシリコンの島が定義される。次に前記基板は連続発振
（ＣＷ）アルゴン・レーザで処理され、代表的には１秒
間に１０〜５０ｃｆｆｉの走査速度で、ビームの寸法（
直径）は５０〜２５０ミクロン、その重ね合せは９０〜
９８％、パワーは５〜１５Ｗが適当である。また、基板
のレーザ処理の間、温度は３５０〜５００℃に保たれる
。レーザビームは、少なくとも２つの反射防止ストリッ
プを同時にカバーするビームスポットで、この反射防止
ストリップの長軸に実質的に垂直に走査する。
ビームの走査が隣接する反射防止ストリップ間の島を横
切る毎に、シリコン層は前回の走査で再溶融し固化の際
に再結晶化されて単結晶が得られる。
島の中心部は端縁部よりも低温であるから、新しい再結
晶化は中心部から始まる。溶融前縁１１３は、ストリッ
プ間の隙間で凹面状に、そしてストリップの下では凸面
状に生成するために、反射防止塗装部の近くに形成され
る。前述の走査で生じた残留欠陥は、重ね走査により再
溶融のシリコン中にて除去される。
レーザ処理後、シリコンの長い単結晶は、隣接せる反射
防止塗装ストリップ間の領域に形成される。また、次に
反射防止塗装部は除去され、そしてポリシリコンの表面
は、結晶粒界を示すためにエツチングされる。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図は本発明の一実施例による素子の断面構造図、
第１Ｂ図はその平面図である。　゛１００：シリコン基
板、１１０：二醸化シリコン層、１１１ニジ−ドウイン
ド、１１２：反射防止ストリップ、１２０：ポリシリコ
ン層、１３０：反射防止塗装部。 出願人 槙河・ヒユーレット・パッカード株式会社代理人　弁理
士　長　谷　川　次　男

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 次の各工程より成る単結晶シリコンの製法、〔イ〕基板
    の上面に第１絶縁層を形成する工程、（ロ）前記基板及
    び第１絶縁層の上にポリシリコン層を形成する工程、 （ハ）前記ポリシリコン層上に長軸をもつ複数の反射防
    止ストリップの配列を形成する工程、（ニ）前記反射防
    止ストリップ間の領域に第２絶縁層を形成する工程、 （ホ）前記第２絶縁層の上に無機物の層を形成する工程
    、 （へ）少なくとも２つの反射防止ストリップの−゛に前
    記長軸に対してレーザビームを垂直に走査し、同時に前
    記反射防止ストリップ間に単結晶シリコンを形成する工
    程。
JP59239254A 1983-11-14 1984-11-13 単結晶シリコンの製法 Pending JPS60115217A (ja)

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US06/551,439 US4545823A (en) 1983-11-14 1983-11-14 Grain boundary confinement in silicon-on-insulator films
US551439 1983-11-14

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JPS60115217A true JPS60115217A (ja) 1985-06-21

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203629A (ja) * 1985-03-07 1986-09-09 Toshiba Corp 半導体層の単結晶化方法
JPH03250620A (ja) * 1990-02-27 1991-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6115319A (ja) * 1984-07-02 1986-01-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US4719183A (en) * 1984-10-03 1988-01-12 Sharp Kabushiki Kaisha Forming single crystal silicon on insulator by irradiating a laser beam having dual peak energy distribution onto polysilicon on a dielectric substrate having steps
FR2571544B1 (fr) * 1984-10-05 1987-07-31 Haond Michel Procede de fabrication d'ilots de silicium monocristallin isoles electriquement les uns des autres
US5264072A (en) * 1985-12-04 1993-11-23 Fujitsu Limited Method for recrystallizing conductive films by an indirect-heating with a thermal-conduction-controlling layer
JPS62160712A (ja) * 1986-01-09 1987-07-16 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置の製造方法
JPH0732124B2 (ja) * 1986-01-24 1995-04-10 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
EP0235819B1 (en) * 1986-03-07 1992-06-10 Iizuka, Kozo Process for producing single crystal semiconductor layer
JPS62206816A (ja) * 1986-03-07 1987-09-11 Agency Of Ind Science & Technol 半導体結晶層の製造方法
US4752590A (en) * 1986-08-20 1988-06-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of producing SOI devices
KR900007686B1 (ko) * 1986-10-08 1990-10-18 후지쓰 가부시끼가이샤 선택적으로 산화된 실리콘 기판상에 에피택셜 실리콘층과 다결정 실리콘층을 동시에 성장시키는 기상 증착방법
US4931424A (en) * 1987-09-04 1990-06-05 Henty David L Method for formation of high temperature superconductor films with reduced substrate heating
US4885052A (en) * 1987-11-13 1989-12-05 Kopin Corporation Zone-melting recrystallization process
US5021119A (en) * 1987-11-13 1991-06-04 Kopin Corporation Zone-melting recrystallization process
US5173446A (en) * 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US5459346A (en) * 1988-06-28 1995-10-17 Ricoh Co., Ltd. Semiconductor substrate with electrical contact in groove
DE3921038C2 (de) * 1988-06-28 1998-12-10 Ricoh Kk Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats bzw. Festkörperaufbaus
US5310446A (en) * 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
US5322988A (en) * 1990-03-29 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser texturing
US5385633A (en) * 1990-03-29 1995-01-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for laser-assisted silicon etching using halocarbon ambients
US5354420A (en) * 1990-03-29 1994-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for laser-assisted etching of III-V and II-VI semiconductor compounds using chlorofluorocarbon ambients
US5164324A (en) * 1990-03-29 1992-11-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser texturing
US5493445A (en) * 1990-03-29 1996-02-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser textured surface absorber and emitter
EP0456199B1 (en) * 1990-05-11 1997-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Process for preparing a polycrystalline semiconductor thin film transistor
JP2791525B2 (ja) * 1992-04-16 1998-08-27 三菱電機株式会社 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜
US5643801A (en) * 1992-11-06 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method and alignment
US6410374B1 (en) 1992-12-26 2002-06-25 Semiconductor Energy Laborartory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer in a MIS transistor
US6544825B1 (en) 1992-12-26 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a MIS transistor
US5840592A (en) * 1993-12-21 1998-11-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of improving the spectral response and dark current characteristics of an image gathering detector
JPH07249591A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜のレーザーアニール方法及び薄膜半導体素子
JP3469337B2 (ja) 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
JPH09162420A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Mitsubishi Electric Corp Ｓｏｉ構造及びその製造方法並びに半導体圧力検出装置
KR100269312B1 (ko) * 1997-10-14 2000-10-16 윤종용 실리콘막의결정화방법및이를이용한박막트랜지스터-액정표시장치(tft-lcd)의제조방법
JP4326477B2 (ja) * 2003-05-14 2009-09-09 シャープ株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US8668961B2 (en) * 2008-07-31 2014-03-11 Guardian Industries Corp. Titania coating and method of making same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5893218A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Toshiba Corp 半導体薄膜構造の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548926A (en) * 1978-10-02 1980-04-08 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
US4406709A (en) * 1981-06-24 1983-09-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of increasing the grain size of polycrystalline materials by directed energy-beams
US4431459A (en) * 1981-07-17 1984-02-14 National Semiconductor Corporation Fabrication of MOSFETs by laser annealing through anti-reflective coating
JPS5823479A (ja) * 1981-08-05 1983-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5893218A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Toshiba Corp 半導体薄膜構造の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203629A (ja) * 1985-03-07 1986-09-09 Toshiba Corp 半導体層の単結晶化方法
JPH03250620A (ja) * 1990-02-27 1991-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
US4545823A (en) 1985-10-08

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