JPS60113431A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPS60113431A JPS60113431A JP22098583A JP22098583A JPS60113431A JP S60113431 A JPS60113431 A JP S60113431A JP 22098583 A JP22098583 A JP 22098583A JP 22098583 A JP22098583 A JP 22098583A JP S60113431 A JPS60113431 A JP S60113431A
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- semiconductor
- wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007601 warm air drying Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程に係り、特にその半導
体ウェハーの洗浄を行なう半導体処理装置の改良に関す
る。
体ウェハーの洗浄を行なう半導体処理装置の改良に関す
る。
周知のように、半導体装置は半導体ウェハーに対して各
種処理工程で、各種処理を施こすことによってその製造
が行なわれる。そして、これら半導体ウェハーの処理工
程の中で特に重要な工程として、その表裏面に付着した
ごみ等の不要物を除去するいわゆるスクラブ工程がある
。
種処理工程で、各種処理を施こすことによってその製造
が行なわれる。そして、これら半導体ウェハーの処理工
程の中で特に重要な工程として、その表裏面に付着した
ごみ等の不要物を除去するいわゆるスクラブ工程がある
。
このスクラブ工程はまず半導体ウェハーに付着した不要
物を例えば回転ブラシで擦シ取った後、純水で洗い流す
。次に、上記半導体ウェハーは洗浄による水滴を第1図
に示すように構成される処理装置を用いて除去する。
物を例えば回転ブラシで擦シ取った後、純水で洗い流す
。次に、上記半導体ウェハーは洗浄による水滴を第1図
に示すように構成される処理装置を用いて除去する。
すなわち、洗浄された半導体ウェハー10は、まず図示
しない移送機構によって乾燥処理容器11に案内されて
、この乾燥処理容器1ノ内に回転自在に設置されたスピ
ンチャック部12に対し保持用爪部13に周縁部を保持
させて着装する。そこで、このスピンチャック部12に
連結された駆動用モータ14が回転駆動されて、上記半
導体ウェハー10を回転駆動させる。この際、この半導
体ウェハー10はその回転にともなう遠心力によって、
水滴を遠心分離式に除去する。
しない移送機構によって乾燥処理容器11に案内されて
、この乾燥処理容器1ノ内に回転自在に設置されたスピ
ンチャック部12に対し保持用爪部13に周縁部を保持
させて着装する。そこで、このスピンチャック部12に
連結された駆動用モータ14が回転駆動されて、上記半
導体ウェハー10を回転駆動させる。この際、この半導
体ウェハー10はその回転にともなう遠心力によって、
水滴を遠心分離式に除去する。
ところで、上記処理装置ではスピンチャック部12の周
縁部に爪部13を設けて、この爪部13で半導体ウェハ
ー10の周縁部を保持し、遠心分離式に水滴を除去する
ように構成している。そのため、上記スピンチャック部
12が半導体ウェハー10の形状に対応して大形化され
ると共に、その製作上において、重量的バランスを均一
となるように形成するのが非常に困難であった。これは
大口径の半導体ウェハー10に適用し得るようにスピン
チャック部12を大形化した場合、さらにその製作が困
難となると共に、半導体ウェハーlOが爪部13に着脱
する際に破損したシ、回転中に離脱される虞れを有して
いる。
縁部に爪部13を設けて、この爪部13で半導体ウェハ
ー10の周縁部を保持し、遠心分離式に水滴を除去する
ように構成している。そのため、上記スピンチャック部
12が半導体ウェハー10の形状に対応して大形化され
ると共に、その製作上において、重量的バランスを均一
となるように形成するのが非常に困難であった。これは
大口径の半導体ウェハー10に適用し得るようにスピン
チャック部12を大形化した場合、さらにその製作が困
難となると共に、半導体ウェハーlOが爪部13に着脱
する際に破損したシ、回転中に離脱される虞れを有して
いる。
また、上記処理装置は半導体ウェハー10の一方の面を
スピンチャック部12に対向させた状態で、遠心分離式
に水滴を除去していることで、一方の面の水滴が確実に
除去されないままで、次の工程に移送される虞れを有し
ている。
スピンチャック部12に対向させた状態で、遠心分離式
に水滴を除去していることで、一方の面の水滴が確実に
除去されないままで、次の工程に移送される虞れを有し
ている。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、簡易な
構成で、しかも半導体ウェハーを容易にして確実に着脱
し得るように小形化を促進させ、かつ確実な水滴除去を
行ない得るようにした極めて良好な半導体処理装置を提
供することを目的とする。
構成で、しかも半導体ウェハーを容易にして確実に着脱
し得るように小形化を促進させ、かつ確実な水滴除去を
行ない得るようにした極めて良好な半導体処理装置を提
供することを目的とする。
すなわち、この発明は洗浄された半導体ウェハーの一方
の面を吸着保持してなるスピンチャック部を回転駆動さ
せて該半導体ウェハーの水滴を除去する水滴除去機構と
、この水滴除去機構の前及び後段の少なくもいずれか一
方に設けられるもので前記半導体ウェハーの一方の面に
対して温風を吹き付けて水滴全除去する温風乾燥機構と
を備えたことを特徴とする。
の面を吸着保持してなるスピンチャック部を回転駆動さ
せて該半導体ウェハーの水滴を除去する水滴除去機構と
、この水滴除去機構の前及び後段の少なくもいずれか一
方に設けられるもので前記半導体ウェハーの一方の面に
対して温風を吹き付けて水滴全除去する温風乾燥機構と
を備えたことを特徴とする。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第2図はこの発明に係る半導体処理装置を示すもので、
この半導体処理装置は例えばスクラブ工程で洗浄された
半導体ウェハー20がまず、収容されて水滴除去が行な
われる乾燥処理容器21と、この乾燥処理容器21で水
滴除去された上記半導体ウェハー20の一方の面に対し
温風を吹き付けて、さらに乾燥させる温風乾燥機構部υ
より構成される。
この半導体処理装置は例えばスクラブ工程で洗浄された
半導体ウェハー20がまず、収容されて水滴除去が行な
われる乾燥処理容器21と、この乾燥処理容器21で水
滴除去された上記半導体ウェハー20の一方の面に対し
温風を吹き付けて、さらに乾燥させる温風乾燥機構部υ
より構成される。
すなわち、上記乾燥処理容器2ノはその略中央部に半導
体ウェハー20を装着してなるスピンチャック部23が
回転自在に設置され、このスピンチャック部23の装着
面にはその略中央部に吸着保持用の吸着口24が設けら
れる。そして、この吸着口24はバキューム機構25に
連結され、このバキューム機構25はチーーブ26を介
して図示しないエアー源に接続される。
体ウェハー20を装着してなるスピンチャック部23が
回転自在に設置され、このスピンチャック部23の装着
面にはその略中央部に吸着保持用の吸着口24が設けら
れる。そして、この吸着口24はバキューム機構25に
連結され、このバキューム機構25はチーーブ26を介
して図示しないエアー源に接続される。
また、上記スピンチャック部23はその基端部が回転駆
動用モータ27の回転軸28に連結される。
動用モータ27の回転軸28に連結される。
ここで、図中29は上記半導体ウェハー20から除去さ
れた水滴を容器内よシ排出させる排5− 出用ダクトである。
れた水滴を容器内よシ排出させる排5− 出用ダクトである。
一方、上記温風乾燥機構部22は上記乾燥処理容器2ノ
に対応して加熱ケース30が設けられ、この加熱ケース
30の内部にはヒータ3ノが組み込まれる。そして、上
記加熱ケース30の一端は接続用チューブ32を介して
図示しないエアー源に接続され、このエアー源からのエ
アーを上記ヒータ31で加熱して、上記乾燥処理容器2
1から取9出された半導体ウェハー20の一方の面(ス
ピンチャック部23に載置された面)に対し温風を吹き
つける。
に対応して加熱ケース30が設けられ、この加熱ケース
30の内部にはヒータ3ノが組み込まれる。そして、上
記加熱ケース30の一端は接続用チューブ32を介して
図示しないエアー源に接続され、このエアー源からのエ
アーを上記ヒータ31で加熱して、上記乾燥処理容器2
1から取9出された半導体ウェハー20の一方の面(ス
ピンチャック部23に載置された面)に対し温風を吹き
つける。
すなわち、上記半導体処理装置は上述したように、まず
スクラブ工程で洗浄された半導体ウェハー20が図示し
ない移送機構に案内されて、乾燥処理容器2ノのスピン
チャック部23に対しその一方の面が載置される。この
際このスピンチャック部23はその吸着口24に対して
、上記エアー源からの負圧のエアーがバキューム機構2
5を介して供給され、上記半導体ウェハー20の載置面
を吸着するように装着する。こ6− コテ、モータ27が駆動されて、上記スピンチャック部
23を回転駆動させる。この結果、このスピンチャック
部23はその回転にともなって、上記半導体ウェハー2
0の水滴を遠心分離式に除去する。この際、上記半導体
ウェハー20はその載置面の水滴が、上記吸着口24か
らの負圧のエアーの吸引力によって若干除去される。
スクラブ工程で洗浄された半導体ウェハー20が図示し
ない移送機構に案内されて、乾燥処理容器2ノのスピン
チャック部23に対しその一方の面が載置される。この
際このスピンチャック部23はその吸着口24に対して
、上記エアー源からの負圧のエアーがバキューム機構2
5を介して供給され、上記半導体ウェハー20の載置面
を吸着するように装着する。こ6− コテ、モータ27が駆動されて、上記スピンチャック部
23を回転駆動させる。この結果、このスピンチャック
部23はその回転にともなって、上記半導体ウェハー2
0の水滴を遠心分離式に除去する。この際、上記半導体
ウェハー20はその載置面の水滴が、上記吸着口24か
らの負圧のエアーの吸引力によって若干除去される。
そして、次に、上記半導体ウェハー20は上記乾燥処理
容器21より取り出されて、温風乾燥機構部22に案内
される。ここで、上記半導体ウェハー20はその載置面
に対して温風が吹き付けられて、さらに、水滴が除去さ
れ、次の工程へと移送される。
容器21より取り出されて、温風乾燥機構部22に案内
される。ここで、上記半導体ウェハー20はその載置面
に対して温風が吹き付けられて、さらに、水滴が除去さ
れ、次の工程へと移送される。
このように、上記半導体処理装置においては、まず半導
体ウェハー20f乾燥処理容器21のスピンチャック部
23に対して吸着するように装着し、遠心分離式に水滴
を除去した後、その載置面に対し温風を吹き付けてさら
に水滴を除去するように構成した。これは、スピンチャ
ック部23を半導体ウェハー20の形状とは無関係に小
形化し得、かつ小形化が促進されることによって慣性重
量が従来のものよ、り小さくなるため製作性が向上化さ
れ、かつ半導体ウェハー20の水滴を確実に除去できる
。
体ウェハー20f乾燥処理容器21のスピンチャック部
23に対して吸着するように装着し、遠心分離式に水滴
を除去した後、その載置面に対し温風を吹き付けてさら
に水滴を除去するように構成した。これは、スピンチャ
ック部23を半導体ウェハー20の形状とは無関係に小
形化し得、かつ小形化が促進されることによって慣性重
量が従来のものよ、り小さくなるため製作性が向上化さ
れ、かつ半導体ウェハー20の水滴を確実に除去できる
。
また、上記のように半導体ウェハー20はスピンチャッ
ク部23に対して吸着される如く装着されるため着脱の
際の破損及び回転中の離脱が確実に防止される。
ク部23に対して吸着される如く装着されるため着脱の
際の破損及び回転中の離脱が確実に防止される。
また、この発明は上記実施例に限ることなく上記半導体
ウェハー20の一方の面の水滴を温風乾燥機構部22に
よる温風で除去した後、乾燥処理容器21で遠心分離式
に除去するように構成しても同様に有効である。
ウェハー20の一方の面の水滴を温風乾燥機構部22に
よる温風で除去した後、乾燥処理容器21で遠心分離式
に除去するように構成しても同様に有効である。
なお、上記各実施において、上記温風乾燥機構部22に
よって吹き出される温風はエアー(N20)に換えて不
活性ガス(例えばN2等)を使用しても同様に有効であ
る。よって、この発明は上記各実施例に限ることなく、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を笑施し
得ることは云う迄もない。
よって吹き出される温風はエアー(N20)に換えて不
活性ガス(例えばN2等)を使用しても同様に有効であ
る。よって、この発明は上記各実施例に限ることなく、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を笑施し
得ることは云う迄もない。
以上詳述したように、この発明によれば簡易な構成で、
しかも半導体ウェハーを容易にして確実に着脱し得るよ
うに小形化を促進させ、かつ確実な水滴除去を行ない得
るようにした極めて良好な半導体処理装置を提供するこ
とができる。
しかも半導体ウェハーを容易にして確実に着脱し得るよ
うに小形化を促進させ、かつ確実な水滴除去を行ない得
るようにした極めて良好な半導体処理装置を提供するこ
とができる。
第1図は従来の半導体処理装置を示す断面図、第2図は
この発明の一実施例に係る半導体処理装置の構成を示す
断面図である。 20・・・半導体ウェハー、21・・・乾燥処理容器、
Ll・・・温風乾燥機構部、23・・・スピンチャック
部、24・・・吸着口、25・・・パキーーム機構、2
6・・・チューブ、27・・・モータ、28・・・回転
軸、29・・・ダクト、30・・・加熱ケース、3ノ・
・・ヒータ、32・・・チューブ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦9− 第1図
この発明の一実施例に係る半導体処理装置の構成を示す
断面図である。 20・・・半導体ウェハー、21・・・乾燥処理容器、
Ll・・・温風乾燥機構部、23・・・スピンチャック
部、24・・・吸着口、25・・・パキーーム機構、2
6・・・チューブ、27・・・モータ、28・・・回転
軸、29・・・ダクト、30・・・加熱ケース、3ノ・
・・ヒータ、32・・・チューブ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦9− 第1図
Claims (1)
- 洗浄された半導体ウェハーの一方の面を吸着保持してな
るスピンチャック部を回転駆動させて該半導体ウェハー
の水滴を除去する水滴除去機構と、この水滴除去機構の
前及び後段の少なくもいずれか一方に設けられるもので
前記半導体ウェハーの一方の面に対して温風を吹き付け
て水滴を除去する温風乾燥機構とを具備することを特徴
とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22098583A JPS60113431A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22098583A JPS60113431A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60113431A true JPS60113431A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16759658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22098583A Pending JPS60113431A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60113431A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303047A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Shioya Seisakusho:Kk | ウエハチヤツク方法及び装置 |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP22098583A patent/JPS60113431A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303047A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Shioya Seisakusho:Kk | ウエハチヤツク方法及び装置 |
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