JPS60101976A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPS60101976A JPS60101976A JP21022783A JP21022783A JPS60101976A JP S60101976 A JPS60101976 A JP S60101976A JP 21022783 A JP21022783 A JP 21022783A JP 21022783 A JP21022783 A JP 21022783A JP S60101976 A JPS60101976 A JP S60101976A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- oxygen
- gaas
- effect transistor
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
- H01L29/1075—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電界効果トランジスタに関ずろものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＧａＡｓ ｉ用いた電界効果１−ランジスク（Ｇ
ａＡｓＦＥＴ）は、クロームをトーン°し／こ丁−絶縁
性Ｇ４Ａｓ爪板の」二に、ノンドープＧ八人Ｓからなる
バッファ層が形成され、その上に、エビクキシアル法で
活性層が形成されて構成されている、１こノハノファ層
は、半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板のクロームのおよぼす悪影
響を防ぐ目的で設けられているが、バッファ層のギヤリ
ア濃度が１０１５〜１０” ＣＴｎ ’であるので、Ｐ
、’４’、 ／すると抵抗が低くなり、寸だ薄いと半絶
縁（４１Ｇａ Ａｓ基板の影響を防ぐ効果が十分でない
というり（点があったっ 発明の目的 本発明は、上記欠点に鑑み活性層に対する基板の影響全
完全に防いだ構造の電界効果トランジスタを提供するも
のである。
ａＡｓＦＥＴ）は、クロームをトーン°し／こ丁−絶縁
性Ｇ４Ａｓ爪板の」二に、ノンドープＧ八人Ｓからなる
バッファ層が形成され、その上に、エビクキシアル法で
活性層が形成されて構成されている、１こノハノファ層
は、半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板のクロームのおよぼす悪影
響を防ぐ目的で設けられているが、バッファ層のギヤリ
ア濃度が１０１５〜１０” ＣＴｎ ’であるので、Ｐ
、’４’、 ／すると抵抗が低くなり、寸だ薄いと半絶
縁（４１Ｇａ Ａｓ基板の影響を防ぐ効果が十分でない
というり（点があったっ 発明の目的 本発明は、上記欠点に鑑み活性層に対する基板の影響全
完全に防いだ構造の電界効果トランジスタを提供するも
のである。
発明の構成
この目的全達成するために、本発明の電界効果トランジ
スタシ１１、酸素ドープのＡＩＸ Ｇ？Ｌ１Ｘ Ａｓに
よってバッフ、一層が形成されている。この〕ｚノフ。
スタシ１１、酸素ドープのＡＩＸ Ｇ？Ｌ１Ｘ Ａｓに
よってバッフ、一層が形成されている。この〕ｚノフ。
層は、比ｊｊＶ 、ｔＡ：が１０１４Ωαの絶縁体であ
るので、１１１’ ｌ＜１層に対”、Ｉ゛ろ１，１板の
影響を完全に防ぐことができるっ 実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面全参照しながら
説明コーるっ 図は、本発明の一実施例における電界効果トランジスタ
の断面図である。ＧａＡｓ法板１は、クロームがドープ
されていない。Ｇａ Ａｓ基板１の上に、酸素ドープの
ＡＩｏ、５ Ｇａｏ５Ａｓからなるバッフ１層２が形成
され、その上にｎ型ＧａＡｓからなる活性層３が形成さ
れている。そして活性層３の上に、ソースおよびドレイ
ン電極４とグー１゛電極６が設けられている。
るので、１１１’ ｌ＜１層に対”、Ｉ゛ろ１，１板の
影響を完全に防ぐことができるっ 実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面全参照しながら
説明コーるっ 図は、本発明の一実施例における電界効果トランジスタ
の断面図である。ＧａＡｓ法板１は、クロームがドープ
されていない。Ｇａ Ａｓ基板１の上に、酸素ドープの
ＡＩｏ、５ Ｇａｏ５Ａｓからなるバッフ１層２が形成
され、その上にｎ型ＧａＡｓからなる活性層３が形成さ
れている。そして活性層３の上に、ソースおよびドレイ
ン電極４とグー１゛電極６が設けられている。
この７７７７層２全形成している酸素ドープのＡｌ ｏ
、５ Ｇａ Ｏ，５Ａｓは、酸素によって伝導帯端から
ｏ、６４ｅＶの位置に準位が形成されているために、１
ｏ１４Ωぼ という高い比抵抗を有している。そのため
、たとえば１μ７７２の膜厚でも１ｏ１０Ωとなる。し
たがって、基板１として低比抵抗の基板を用いることが
可能であり、従来のＦＥＴにおける半絶縁性Ｇａ Ａｓ
基板中のクロームによって生じる素子の劣化という問題
から解放される。このことはまた、廉価のＧａ Ａｓ基
板全使用することができることにもなり、素子の製造コ
スＩ−の低減をもたらすことになる、 次に、本発明の電界効果トランジスタの製造方法につい
て説明するっこの電界効果１−シンジスタは、分子線エ
ピタキシアル法で製造できる、Ｇａ Ａｓ Ｊ、ｌ；板
６脱脂洗浄後、表面歪層全エフチンｙｔｃ、ｔ：り除去
してラフ子線エピタキシアル（’ＭＢＥ）装置に導入す
るっぞして、超高真空中で６２０°Ｃの）Ｊ１１熱によ
って表向の酸化層を除去する。次に前記Ｇａ Ａｓノ１
（板の温度を７００’Ｃに上ガ・してＡｌｘＧａ１ＸＡ
Ｓ層を成長するっこの時、可変リークバルジによって酸
素ガスを分圧でＩ Ｘ １ｏ ’Ｔｏｒｒ心入すると１
１□“、Ｂ（抗Ａｌｏ、、 Ｇａｏ、５ Ａｓ層が形成
される。
、５ Ｇａ Ｏ，５Ａｓは、酸素によって伝導帯端から
ｏ、６４ｅＶの位置に準位が形成されているために、１
ｏ１４Ωぼ という高い比抵抗を有している。そのため
、たとえば１μ７７２の膜厚でも１ｏ１０Ωとなる。し
たがって、基板１として低比抵抗の基板を用いることが
可能であり、従来のＦＥＴにおける半絶縁性Ｇａ Ａｓ
基板中のクロームによって生じる素子の劣化という問題
から解放される。このことはまた、廉価のＧａ Ａｓ基
板全使用することができることにもなり、素子の製造コ
スＩ−の低減をもたらすことになる、 次に、本発明の電界効果トランジスタの製造方法につい
て説明するっこの電界効果１−シンジスタは、分子線エ
ピタキシアル法で製造できる、Ｇａ Ａｓ Ｊ、ｌ；板
６脱脂洗浄後、表面歪層全エフチンｙｔｃ、ｔ：り除去
してラフ子線エピタキシアル（’ＭＢＥ）装置に導入す
るっぞして、超高真空中で６２０°Ｃの）Ｊ１１熱によ
って表向の酸化層を除去する。次に前記Ｇａ Ａｓノ１
（板の温度を７００’Ｃに上ガ・してＡｌｘＧａ１ＸＡ
Ｓ層を成長するっこの時、可変リークバルジによって酸
素ガスを分圧でＩ Ｘ １ｏ ’Ｔｏｒｒ心入すると１
１□“、Ｂ（抗Ａｌｏ、、 Ｇａｏ、５ Ａｓ層が形成
される。
厚さ１μ〃７成艮後Ｇａ Ａｓ 、Ｊ、Ｌ：板の温度（
ｉ７６５０’Ｃに下げ、ｎ型Ｇａ Ａｓ 晶１シ１４層
３を成長する。ｃの後Ｍ Ｂ Ｅ装置からとりだし、電
極形成を行なってＦＥＴとするっ 発明の効果 以上のように、本発明は、バッファ層が酸素ドープのＡ
ｌｘＧａ１ＸＡＳにより形成されているので、活性層に
対す２μ（Ａ）ｙ、の影響を完全に防ぐことができる。
ｉ７６５０’Ｃに下げ、ｎ型Ｇａ Ａｓ 晶１シ１４層
３を成長する。ｃの後Ｍ Ｂ Ｅ装置からとりだし、電
極形成を行なってＦＥＴとするっ 発明の効果 以上のように、本発明は、バッファ層が酸素ドープのＡ
ｌｘＧａ１ＸＡＳにより形成されているので、活性層に
対す２μ（Ａ）ｙ、の影響を完全に防ぐことができる。
図は本発明の一実施例におけるＦＥＴの断面図金示す。
１・・・・・Ｇ２Ｌ ＡＳ基板、２・・・・・・バッフ
ァ層、３・・・・・・ｎ型Ｇａ Ａｓ活性層、４・・・
・・・ソース及びドレイン電極、６・・・・・・ゲート
電極。
ァ層、３・・・・・・ｎ型Ｇａ Ａｓ活性層、４・・・
・・・ソース及びドレイン電極、６・・・・・・ゲート
電極。
Claims (1)
- Ｇａ Ａｓ結晶基板の上に酸素ドープＡｌｘＧａ１．Ａ
ｓ層を介して活性層が形成されていること全特徴トする
電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21022783A JPS60101976A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21022783A JPS60101976A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101976A true JPS60101976A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16585888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21022783A Pending JPS60101976A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0511864A2 (en) * | 1991-04-30 | 1992-11-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epitaxially grown compound semiconductor crystals with buffer layers |
| EP1309010A2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3-5 group compound semiconductor and semiconductor device |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP21022783A patent/JPS60101976A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0511864A2 (en) * | 1991-04-30 | 1992-11-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epitaxially grown compound semiconductor crystals with buffer layers |
| JPH04328822A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | エピタキシャル成長化合物半導体結晶 |
| US5332451A (en) * | 1991-04-30 | 1994-07-26 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epitaxially grown compound-semiconductor crystal |
| EP1309010A2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3-5 group compound semiconductor and semiconductor device |
| EP1309010A3 (en) * | 2001-10-30 | 2005-02-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3-5 group compound semiconductor and semiconductor device |
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