JPS60100664A - 水素貯蔵用材料 - Google Patents

水素貯蔵用材料

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JPS60100664A
JPS60100664A JP58208507A JP20850783A JPS60100664A JP S60100664 A JPS60100664 A JP S60100664A JP 58208507 A JP58208507 A JP 58208507A JP 20850783 A JP20850783 A JP 20850783A JP S60100664 A JPS60100664 A JP S60100664A
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hydrogen
alloy
thin film
occlusion
hydrogen storage
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JP58208507A
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Koji Gamo
孝治 蒲生
Yoshio Moriwaki
良夫 森脇
Nobuyuki Yanagihara
伸行 柳原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、クリーンで無尽蔵なエネルギーである水素を
安全に、効率的に貯蔵あるいは輸送しうる水素貯蔵用材
料に関し、とくに多数回繰り返しても、はとんど水素貯
蔵特性が劣化することがなく、そのため長寿命で、経済
的な水素貯蔵用材料を提供するものである。
従来例の構成とその問題点 金属単体もしくは合金には、水素圧力の増減あるいは熱
の授受によって可逆的に水素を吸蔵・放出するものがあ
る。これらの物質は一般に結晶質からなるため、水素の
吸蔵・放出を繰り返すと、ついには殆んど数μm以下の
粉末となる。第1図aに示したように、数μm以下に微
粉化した結晶質水素貯蔵用材料粉末1を水素3の貯蔵用
圧力容器2に収納した場合は、水素吸蔵・放出に関係す
る各粒子間の空隙が減少し、微粉化した物質が次第に固
結化して水素の吸蔵や取り出しが困難になる。
そこで、この問題点を解決するため、従来は第1図すに
示したように、粉粒状水素貯蔵材中に多孔性隔壁や多孔
性管からなる部材4を介在させていた。しかし、この場
合でも、局部的に充填状態に粗密ができ、特に、水素吸
蔵・放出サイクルを多く繰9返し使用した場合には水素
貯蔵能の劣化を、あ−fシ改善できなかった。
これらの結果を鑑み、本発明者らは先に、特公昭68−
14361号公報に記した提案を行なりた。即ち、水素
化前の水素貯蔵用材料の表面を、水素を吸蔵・放出しな
い物質で被覆するものである。事実、この提案は材料の
固結化を防止する効果は大きいものの、水素吸蔵・放出
の反応速度および吸蔵時に導入する水素ガス中の不純物
ガスによる悪影響という問題点は未解決であった。
発明の目的 本発明は微粉化による水素貯蔵用材料の粗密化や固結化
を極力防止し、かつ導入水素ガス中の不純物ガスによる
上記粉末の汚染を防止することによって、長寿命化を達
成するとともに、水素吸蔵・放出の反応速度を改善し、
容器中への合金の充填密度の向上、粉末の流出防止用の
フィルタの不要化および材料が空気に触れた場合でも発
火の危険性を軽減することなどを目的とする。
発明の構成 本発明は、水素を多量に吸蔵・放出する結晶質金属材料
の表面に、水素を容易に吸蔵または透過しうる非晶質金
属材料の薄膜を被覆するものである。
実施例の説明 非晶質薄膜材として、Pd−Aq合金を、水素吸蔵・放
出用金属材料としては、常温で何ら活性化処理なしに、
急速に、大量の水素ガスを吸蔵し、放出する特性を有す
るTiMn1−6合金を選んだ。本合金は、非常に微粉
化しやすく、また空気中では発火性を有するほど活性で
あシ、水素ガス中の不純物の影響も受けやすく、そのた
め、従来の水素貯蔵方式では水素貯蔵材としての寿命が
、必ずしも長くはなかった。
まず最初にT I M n 1.s合金をアルゴンアー
ク溶解で形成し、出来た合金塊を約20mm角に粉砕し
た。この粒塊を、スパッター蒸着装置の基板位置に設置
し、ターゲツト材としてのPd−Aq合金を、2 X 
10−2torrのアルゴン雰囲気中で、約1時間スパ
ッターダウン方式でスパツタリングしだ。その後、数回
基板上のT I M n 1.s合金粒塊を回転させ、
第2図体) 、 (b)に示したように、粒子5,5′
の表面f Pd−Ag 6.6’で被覆した。なお、第
2図において、(a)は結晶質材が板状、(1))は不
定形のものである。また同時に膜厚、および非晶質性を
調べるため、ガラス基板上にもスパッタ蒸着しておいた
。測定結果によると、膜厚は約5000八で、完全な非
晶質性を有していた。薄膜形成法に蒸着法を用いた理由
は、最も効率よく、良質の非晶質膜を形成しうるからで
ある。
このようにして形成した非晶質金属材料薄膜で被覆され
た結晶質合金塊を水素貯蔵用材料として、第3図に示し
たような圧力容器に充填した。図において容器12中に
は、非晶質金属材料薄膜8で被覆された水素貯蔵用材料
粒子9が収納されている。なお1oは粒子9間の空隙で
あシ、11は水素ガスを示す。この薄膜8は水素を容易
に吸蔵または透過しうる性質を有する。
結晶質水素貯蔵合金塊としてT I M n 1.5を
用い常温で、水素圧30気圧で吸蔵し、大気圧に開放し
て放出するという同一の操作を前記第1図(a)。
(b)および第3図に示した3種類の方式で繰り返し行
ない、水素貯蔵量の劣化過程を測定した。その結果を第
4図に示す。図中、A、B、Cは各々、第1図の(a)
、多孔性の隔壁を設けない従来の方式。
同Φ)多孔性の隔壁を設けた従来の方式、第3図に示す
本発明の水素貯蔵用材料を用いた方式である。
第4図に示したように、本発明の表面に非晶質薄膜を形
成したものは50oOサイクル後でも、はとんど劣化が
なかった。一方、従来のものBは約60%に、また従来
のものAは約20%に劣化した。
このように本発明が長寿命化を達成出来た主な理由は、
■ 各粒塊内部の結晶合金は、水素化の繰り返しによっ
て微粉化するものの、表面に形成された非晶質膜は水素
を吸蔵(または透過)しても粉末化しないため、圧力容
器内で、水素貯蔵用材料が固結化することがない、■ 
水素ガス中の不純物はすべて、非晶質薄膜のフィルター
作用によって除かれるため、内部の活性な水素吸蔵材に
悪影響を及ぼさない、■ 非晶質薄膜の間をすり抜けて
微粉化合金が水素ガスと共に流出することはない、こと
などである。さらに本発明はたとえ水素貯蔵粒塊が空気
に触れることがあっても、活性な内部の合金粒末には、
直接空気が触れないから、発火することもなく、非常に
安全である。丑だ、従来例のような多孔性隔壁を必要と
しないため、圧力容器内に占める水素貯蔵材の密度が高
く、容積的にも高効率である。
発明の効果 以上のように本発明の水素貯蔵用材料においては、長寿
命化をはかれ、かつ、発火するような危険もなく、さら
に水素貯蔵容器の容積を有効利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(−) 、 (1))は従来の水素貯蔵容器の異
なる実施例の略断面構成図、第2図(a)、中)は本発
明の水素貯蔵用材料の2種類の実施例の形状を示した縦
断面概略図、第3図は本発明の一実施例の水素貯蔵材料
を用いた水素貯蔵容器の構成図、第4図は水素貯蔵量の
劣化特性図である。 1!5.5’、9・・・・・・結晶質水素貯蔵用材料、
6.6’。 8・・・・・・非晶質薄膜、11・・・・・・水素ガス
、12・・・・・・圧力容器。 第1図 第 (b)65’ 3 図 ρL− θ 7k 素乾砥攻・較出サイクル絞

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)水素を吸蔵・放出する結晶質金属材料の表面を、
    水素を容易に吸蔵または透過しうる非晶質金属材料薄膜
    で被覆したことを特徴とする水素貯蔵用材料。
  2. (2)結晶質金属材料がT i−Mn系合金であること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の水素貯蔵用材
    料。
JP58208507A 1983-11-07 1983-11-07 水素貯蔵用材料 Granted JPS60100664A (ja)

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JPS60100664A true JPS60100664A (ja) 1985-06-04
JPH0346543B2 JPH0346543B2 (ja) 1991-07-16

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