JPS5994871A - 電荷転送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電荷転送装置（以下、ＣＣＤ）に関するもの
である。

近年、半導体装置は、急速な集積度の上昇に伴なって、
パターンの微細化が進み、配線とトランジスタ部との接
続器の構成がむずかしくなってきている。とくにＣＯＤ
では電荷転送部とクロ、り電圧印加用配線との接続は、
電荷転送部構造によって、はとんど決定され、電荷転送
部の集積度の向上が上記接続器の集積度に比例してしま
う。

このこと全現在一般ｖｃｄ造されている２層ポリシリ構
造２相１駆動ＣＯＤデバイスを用いて説明する。第１図
に電荷転送部の断面の模式図を示す。

基板上に酸化膜を介してポリシリコン電極を２層、ポリ
シリコン間全絶縁酸化して形成し、１層ポリシリコンと
２層ポリシリコンを対で電極φ、　［。

隣の対をφ、　ＶＣ交互に接：’）ｆｒ　して、電荷転
送部を作る。図で１が１層ポリシリコン、３が２層ポリ
シリコンで、基板４との間に、酸化膜２が形成されてい
る。この図で転送部１ビツトが長さＬで示される部分で
ある。よってこの図よりわかるように、転送部１ビット
長さＬに、配線φ１と１層ポリシリコン、２層ポリシリ
コンとの接続部が１つずつ、配線φ２と１層ポリシリコ
ン、２層ポリシリコンとの接続部が１つずつ必要である
ことがわかる。

よってＬが小さくなればそれに応じて配線と電荷転送用
電極との接続部の集積度が必然的にあがってくる。

本発明は、この接続部を、新しい方式にすることによっ
て、集積度を上げた電荷転送装置の製造を容易にする、
そのような接続部構造を提供するものである。

本発明の特徴は、互いに絶縁膜で離間された少なくとも
２層以上のゲート構造を有する電荷転送装置のゲートと
クロック母線との接続Ａｊ造において、同一クロックを
供給される隣り合うゲートの一方に他方のゲートが重力
りあって互いに接続され、更に前記他方のゲートと前記
クロック母線とが接続されている電荷転送装置にある。

そして、同一クロックを供給される＠りあうゲートの一
方に他方のゲートが重なり接続される部分が、転送方向
に二列に配置されることが好ましい。

以下、実施例を説明する。

まず従来一般の２層ポリシリコン２相、駆動ＣＣＤデバ
イスの配線と電荷転送用電極との接続部構造を第２図（
ａ）、　（ｂ）のとおり断面図と平面図で示す。

この接続部は、一般には厚い酸化膜（約１μｍ）の上に
形成され、２層ポリシリコン形成後、層間絶縁１膜を上
につけ、選択エツチングにより、この絶縁膜にコンタク
トラあける。そしてその上に配線全形成して作られる。

よって、第２図（ａ）よりわかるように、コンタクト形
成箇所のずれの余裕寸法は図のａ笥９であり、これ以上
ずれると、図のφｌ配線とφ２配線がショートして不良
になってしまう。

この余裕寸法を大きくすることのできる本発明の第１の
実施例を第３図に、第２図（ａ）の断面図と対比して示
す。本発明実施例の特徴は、ポリシリコン間の１氾縁膜
にコンタクトラあけて、１層ポリシリコンと２層ポリシ
リコンとラミ気的に結合させ、その２層ポリシリコンと
配線とヲ凄続するものである。この図よりわかるように
コンタクト形成箇所のずれの余裕寸法は図のｂ部で、第
２図（ａ）との比較よりわかるように余裕寸法は従来例
より大きく、電荷転送部の集積度があがった場合、本発
明が有効である。

さらに電荷転送部の集積度があがると、次のようなこと
が起ってくる。１層ポリシリコン巾および１層ポリシリ
コン間の間隔が小さくなＨｒ＝。

２層ポリシリコン間の紹縁膜に形成するコンタクトのず
れの余裕がなくなフ、製造分歩りが悪くなる。よって、
この余裕度を持たせる第２の実施例を以下に提供する。

本発明実施例は、第１の発明と同様なプロセス副成で接
続部形状をかえたものである。第４図（ａ）が集積度が
上った時の第１の実施例の平面図であり、第４図（ｂ）
が本発明の実施例である、説明に必要な、１層ポリシリ
コンのみを記しであるが、この上には、コンタクトを介
して２層ポ１ノシ１ノコン、配線がつながっている。図
で１層ポリシリコンカ玉太っている部分は、ポリシリコ
ン上の絶縁膜にコンタクトをあけ２層ポリシリコンと接
続する所であり、コンタクトのずれを考え、必要と盆る
幅である。本発明実施例の特徴は１層ポリシリコンと２
層ポリシリコンとのコンタクトを介しての結合部が、同
一配線と接続するにもかかわらず、直線上にならんでい
ないということである。

本発明の利点を第４図（ａ）、　（ｂ）ｔ−用いて説明
する。

コンタクト形成部の１層ポリシリコン幅ｋ　ａｌ　ｍポ
リシリコン最小間隔ｋ　ａｚ　ｅポリシリコン最小幅ｋ
　ａ　３　とすると、第４図（ａ）では、最もパターン
形状が厳しい破線■に沿った接続部で、ＣＣＤＣＤ転送
ピットＬａすると、 Ｌ　：＝：　ａ　１　　＋　２　ａ　２　＋　ａ　３が
成立しなければならない。一方、本発明の一実施例第４
図（ｂ）では、最も形状が厳しい破線■に沿って、 ２１ノー　ａ　ｌ　　＋　４ａ２　　＋　　３ａ３が成
立する。よって、上記２式より、ＣＣＤ転送ビット２つ
でａｌ　−ａ３　　だけ本発明は同一プロセス条件でＣ
ＣＤ転送部の集積度を上げることができる。また不発明
は、同一配線に接続されるべき上記１層ポリシリコンと
２；響ポリシリコンとのコンタクト部を２列にするばか
りでなく、もっと多い列にして、さらに配線、電荷転送
電極接続部形状を容易に製作できることも表わしている
。

第１．第２の本発明実施例は、２層ポリシリコン構造２
相５駆動ＣＯＤデバイスで説明したが、３層ポリシリコ
ン構造や、あるいは、他電極材料でも実現できることは
、あきらかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、２相１駆動ＣＯＤの電荷転送部の断面図、第
２図［ａ）、　（ｂ）は各々従来の電極配線構造を示す
断面図、平面図、第３図は本発明の一実施例の断面図、
第４図（ａ）、　（ｂ）は各々本発明の一実施例および
他の実施例の第一層ポリシリコンパターンの平面図、で
ある。 なお図において、 １・・・・・・配線、２・・・・・・絶縁膜、３・・・
・・・電極、φｌ。 φ２・・・・・・各ポリシリコンが結ばれる配線、であ
る。 第１圀 第３ｍ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）互いに絶縁膜で離間された少なくとも２層以上の
   ゲート構造を有する電荷転送装置の、ゲートとクロック
   母線との接続構造において、同一クロックを供給される
   隣ル合うゲートの一方に他方のゲートが重なりあって互
   いに通読され、更に前記他方のゲートと前記クロック母
   線とが接続されていることを特徴とする電荷転送装置。
2. （２）前記同一クロックを供冷される隣りあうゲートの
   一方に他方のゲートが重な力接続される部分が、転送方
   向に二列以上に配置されること全特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項記載の電荷転送装置。