JPS5990058A - 光学式回転検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はモーフ等の回転体の回転数の変化に応じた周波
数の回転検出信号を得る光学式回転検出装置鹸に関する
。

従来例の構成とその問題点 従来モーフ等の回転体の回転速度検出機構として、第１
図に示した全周積分型磁気式の周波数発電機（以下ＦＧ
と称す）か用い゛られてきた。第１図のＦＣの構成全簡
単に説明すると、内周部に等間隔な歯型１２Ｌｉ切った
固定子１と、その固定子１の内側に外周に歯型２ａを切
った回転子２を設け、固定子１の歯１ａと回転子２の歯
２？Ｌは同数で互いに向きあうよう構成され、更に固定
子１から回転子２に至るヨーク（第１図では固定子１と
一体化されている）の途中に磁石の断片３が置かれ、更
にこのヨークの一部に巻線４が巻かれている。これらの
固定子１と回転子２は鉄などの軟磁性体材料で構成され
ており、回転子２が回転する場合を考えると、固定子１
の歯１ａと回転子２の歯２ａが向き合った時はこの磁気
回路の磁気抵抗が小さくなり、磁石３から出る磁束が流
れやすくなる。逆に一方の歯と他方の谷が向き合った時
は磁気抵抗が大きくなり、磁束が流れにくくなる。

その結果、流れる磁束の量が交互に変わり、巻線４の両
端には回転子の回転速度に応じた周波数をする交流信号
が得られる。

しかし全周積分型磁気式ＦＣの欠点としては、高周波を
得ようとする場合、形状が大きくなる事である。すなわ
ち歯型全製造する場合、モジュール関係から歯数Ｚが決
まると必然的に Ｄ：　　（Ｚ＋２）　　・Ｍ 但し、Ｄ＝両歯車直径、Ｚ：歯数５Ｍ：モジュールであ
り、歯車の直径りが決定されそれ以上小さくすることが
困難である。またモジュールを小さくすると歯型が小さ
くなシ、磁気抵抗の変化が小さくなって高出力が得られ
ない。従ってこれらの関係から歯車の形状を小さくする
には限界がある。

捷だ、この全周積分型磁気式ＦＣを最近の高密度記１Ｖ
ＴＲの直接１駆動型のキャプスタンモータの回転速度検
出として使用する場合、モーフの回転速度が低速であり
、巻線４と鎖交する磁束の微分値が小さくなり、高出方
を得られず、Ｓ／Ｎ比が劣化し検出誤差の原因となる。

また磁気式の場合、モーフ自身の発生する磁束全誘導し
ノイズの原因となり、これも検出誤差となり回転むらを
誘発する原因となる。更に磁気式の欠点として第１図に
示したような全周積分型ＦＣの場合、相対する歯車の磁
気吸引力によってモーフに微少な振動を与える事である
。

発明の目的 本発明は前述のような問題点を軽減除去し、小型で高出
力、高Ｓ／Ｎが得られる安価で高精度な全周積分型の光
学式回転検出装置の提供を目的としている。

発明の構成 上記目的を達成するため本発明でに、環状にｎ個（ｎＵ
正の整数）のスリットに有し、そのスリットピッチがＰ
Ｏであるロータリーエンコーダを回転軸に取り利け、そ
のロータリーエンコーダの一方の面に対向して全スリッ
トに光が照射するよう光源全配すると共に、前記ロータ
リーエンコーダの他方の面に対向して平面光電変換素子
を配―その平面光電変換素子は同一基板上に前記スリッ
トピッチＰＯのｍ倍（ｍは２以上の整数）のピッチで形
成された第１の光電変換素子小片を電気的に結合して成
る第１０光覗変換素子群及び前記第１の光電変換素子小
片と電気的に分離され、前記スリットピッチＰＯのｍ倍
のピンチで形成された第２の光電変換素子小片を電気的
に結合しで成る第２の光電変換素子群を有し、前記ロー
タリーエンコーダが回転する事により、前記光源から発
せられた光が前記ｎ個のスリット全通じて前記第１の光
電変換素子群及び第２の光電変換素子群に照射され、第
１及び第２の光電変換素子群からそれぞれ位相が異なり
、かつロータリーエンコーダの１回転当りｎ周期の繰り
返しである回転演出信号を得るよう構成されている。

実施例の説明 第２図に、本発明の一実施例である光学式回転検出装置
の概略図を示す。第２図において、５は平面光源、６は
回転軸、７Ｑｎ個のス’）　７　ドア　ａを環状に有し
、そのスリットピッチがＰＯのロータリーエンコーダで
回転軸６に取り付けられている。８は後述の構成よりな
る第１の光電変換素子群８ａと第２の光電変換素子群ｓ
ｂ’２同一基板上に構成した平面光電変換素子である。

第３図は、第２図中のロータリーエンコーダ７及び平面
光電変換素子８の一部拡大図である。ロータリーエンコ
ーダ７において隣り合うスリット７ａの中心間のピッチ
をスリットピッチＰＯと称する。また各スリン）７ａの
円周方向の幅ばＰＯ／／である。第１の光電変換素子群
８　ａｉ−ｊ：３　Ｆｂのピッチで配された幅Ｐ。Ａ２
の第１の光電変換素子小片を電気的に結合して成る。同
様に第２の光電変換子小片と分離され、３〜のピッチで
配された幅がＰＯ／２の第２の光電変換素子小片を眠気
的に結合して成る。

第１０光電変換素子群８ａと第２０光電変換素子群８ｂ
は互いに電気的に独立しており、等価回路は第４図に示
したようになり、第６図に示した回路によって回転速度
信号Ｖｏ　ｋ得る事ができる。

第５図において、９，１０はそれぞれ演算増幅器１１．
１２および抵抗Ｒ＋　、　Ｒ１’で構成される光起電流
−電圧変換回路である。第１の光電変換素子群８ａに光
が照射され発生した光起電流は、光起電流−電圧変換回
路９によって電圧Ｖａに変換される。同様に第２の光電
変換素子群８ｂに光が照射され発生した光起電流ｔま、
光射゛覗流−電圧変換回路１０によって電圧ｖｂに変換
される。１４は演算増幅器１３および抵抗Ｒａ　、　Ｒ
ｂ　、　Ｒａ’、　Ｒｂ’（ただしＲａ　：　Ｒｂ　＝
Ｒａ’：　Ｒｂ’＝１：Ｋｏ　）　Ｔ構成される差動増
幅回路である。

第６図にロータリーエンコーダ７が回転していを際、平
面光源５から発せられる光５ａが第１の光電変換素子群
８ａ及び第２の光電変換素子群８ｂに照射される様子を
示す。第６図ａは第１の光電変換素子群８ａに照射され
る光計が最大となり、第２０光電変換素子群８ｂに照射
される光量が最小となる場合で、第６図すは逆に第１の
光電変換素子群８ａに照射される光量が最小となり、第
２の光電変換素子群８ｂに照射される光量が最大トなる
。ロータリーエンコーダ７が回転すると第６図ａ、　　
ｂの状態が交互に繰り返されるため、第６図中の光起電
流−電圧変換回路９及び１０の出力′電圧ｖ？Ｌ及びｖ
ｂの電圧波形は第７図ａ及びｂに示したようになり、ｖ
ａとｖｂは互いに逆位相で直流値がＶａＯ及びＶｂｏ・
信号成分の電圧がｖａｐ−１及び■ｂｐ−１となる。こ
のＷ力電圧ｖ２Ｌ、ｖｂ　を第６図中の差動増幅回路１
４に入力し、回転速度信号Ｖ。全得ると、第７図Ｃに示
す電圧波形となる。回転速度信号ｖ０は直流値Ｖ。ｏ−
Ｋｏ（ｖｂｏ−ｖａｏ）となり直流成分が減少し、−力
信号成分の電圧Ｖ。げＫ。αａｐ−ｐ＋ｖｂｐ−ｐ　）
となり増太し、高精度な回転速度検出信号が得られる。

また第３図におけるロータリーエンコーダ７はｎ個のス
リット７ａｉ有しており、回転速度検出信号ｖｏはロー
タリーエンコーダ７が１回転する間にｎ周期の繰り返し
信号となる。

本発明の他の実施例として、電子整流子モータ、特に直
流ブラシレスモータの回転検出装置に用いる事ができる
。直流ブラシレスモータは回転子として多極着磁された
ロータマグネットを用い、固定子としてステークコイル
を用いている。

直流ブラシレスモータの回転検出信号として必要なもの
は、回転速度や回転位相等の回転情報を検出するための
回転速度検出信号、及びモータが有効にトルクを発生す
るようロータマグネットの回転位置に対応してステーク
コイルへの通電を制御する電子的整流作用を成すための
ロータ位置検高信号等である。

本発明の他の実施例では、前記回転速度検出に加え、ロ
ータマグネットの回転位置を光学的に検出する機能を合
わせ有する光学式回転検出装置を提供する。第８図に該
光学式回転検出装置の概略図を示す。第８図において１
５は平面光源、１６ホロータマグネノト（図示せず）が
取り付けられている回転軸、１アはロータリーエンコー
ダで回転軸１６に取り伺けられている。１８は平面光電
変換素子である。

第９図にロータリーエンコーダ１７の平面図を示す。第
９図において１７ａは回転速度検出用のスリットで前記
第２図〜第３図に示（−だ実施例と同様、ｎ個の幅ｐｏ
／２のスリット１γａがロータリーエンコーダ１７の半
径ｒ３から半径ｒ４の円環内にスリットピッチＰｏで配
されている。−１ｆｃ第９図中［ＳとＮで示した部分が
それぞれロータマグネットに着磁されたＳｌｉ、Ｎ極に
対応している。捷た１組のＳ極、Ｎ極に対応する区間を
以後電気角３６０°と称する。１７ｂｉｄロ一タマグネ
ツト回転位置検出用のスリン］・で、ロータリーエンコ
ーダ１７の半径ｒ１から半径ｒ２の円環内でロータマグ
ネットがＳ＞に着磁された範囲に対応する位置に配され
る。

第１０図ａに平面光電変換素子１８の平面図、第１Ｑ図
すにその一部拡大図を示す。１８ａ［平面光電変換素子
１８上の半径ｒ５から半径ｒ４の円環内で３ＰＯのピッ
チで配された第１の光電変換素子小片ラミ気的に結合し
て成る第１の光電変換素子群で、１８Ｊｊ平面光電変換
素子１８上の半径ｒ３から半径ｒ４の円環内で、第１の
光電変摸索子小片と−Ｐ０のピッチで分離され、３Ｐ０
のピッチで配された第２の光電変換素子小片を電気的に
結合して成る第２の光電変換素子群である。

また１９２Ｌは平面光電変換素子１８上の半径ｒ１から
半径ｒ２の円環内で′屯気角３６００のピッチで配され
た第３の光電変換素子小片全′眠気的に結合］−て成る
第３の光電変換素子群で、１９ｂは平面光電変換素子１
８上の半径ｒ１から半径ｒ２の円環内で第３の光電変換
素子小片と電気角９００のピッチで分離され、電気角で
３６００のピッチで配された第４の光電変換素子小片を
′電気的に結合して成る第４０光電変換素子群である。

第９図及び第１０図において、平面光源１５から発せら
れ、スリンｌ−１フａｉ通過した光は第１の光電変換素
子群１８ａ及び第２の光電変換素子群１８ｂに照射され
、第１の光電変換素子群１８２Ｌ及び第２の光電変換素
子群１８ｂからはロータリーエンコーダ１７の回転数に
応じた回転速度検出信号が得られる。この回転速度検出
信号についての説明は第２図に示した光学式回転検出装
置の説明で述べた通りであるので省略する。

平面光源１６から発せられ、スリット１７ｂ（、−通過
した光は、第３の光電変換素子群１９ａ及び第４の光電
変換素子群１９ｂに照射されるが、第９図中の矢印で示
した方向にロータリーエンコーダ１７が回転している時
、第４０光電変換素子群１９ｂに照射される光は第３０
光電変換素子群１９ａＶＣ照射される光に対し、電気角
で９００遅れたものとなる。このため、第１１図に示す
ように第３の光電変換素子群１９ａ、第４の光電変換素
子群１９ｂにおける光射電流全演算増幅器２０゜２１及
び抵抗Ｒ２、Ｒ２’で構成される光起電流−電圧変換回
路によってローフ位置検出信号ｖｐ１゜■　に変換する
と、ローフ位置検出１言号ｖ、１゜２ ｖｐ２は第１２図に示したようｉｃ　Ｖｐ　１　、　Ｖ
ｐ２の一周期全３６０°とすると９Ｑ０の位相差を有す
る信号となる。このようにして得られたローフ位置検出
信号を用いて、ステークコイルに流す電流をトルク発生
に有効に寄与するように通電制御することが可能である
。通電制御の説明は本発明とは直接関係がないので省略
する。

才た本発明の他の実施例として、第１３図に９００位相
の異なる２有号全出力する光学式回転検出装置を示す。

第１３図において、２２はロータリーエンコーダで、ス
リットピッチＰｏで幅曳４のｎ個のスリット２２　＆　
”５有する。２３ａｌｌ−１：ピッチ２ｐ０で配された
幅が　怖の第１０光電変換素子小片を電気的に結合して
成る第１の光゛電変換素子群で、２３ｂｉｄ前記第１の
光電変換素子小片ト％ＰＯのピッチで分離され、ピッチ
２Ｐ０で配された幅馬４の第２の光電変換素子小片全這
気的に結合して成る第２の光電変換素子群である。

第１３図の矢印で示す方向にロータリーエンコ□　−ダ
２２が回転している時、第１４図、ａ、→ｂ−＋ｃ。

→（１−＋Ｂ、の順でスリンｌ−２２ａ　ｉ通過する光
は第１０光電変換素子群２３２Ｌ及び第２の光電変換素
子群２３ｂに照射される。

第１の光電変換素子群２３＆及び第２の光電変換素子群
２３ｂの光起電流を第１６図に示すような抵抗Ｒ３、Ｒ
ｓ′及び演算増幅器２４．２５で構成される光起電流−
電圧変換回路によって回転検出信号ｖａ４．ｖａ２に変
換すると第１６図に示したような波形の回転検出信号ｖ
ａｌｌｖｌＬ２が得られる。

Ｖａｌｌ　Ｖａ２の１周期ｉ　３６００　とするとｖａ
ｌばＶ？Ｌ２よりも９００位相の進んだ信号となる。ま
たロータリーエンコーダ２２０回転方向が逆になると鬼
。

はｖａ２よりも９００位相の遅れた信号となる。すなわ
ち、本実施例によって得られる回転検出１言号ｖｌＬ１
．ｖａ２の位相関係全検知する事によってロータリーエ
ンコーダ２２の回転方向を検出する事ができる。

またロータリーエンコーダ２２のスリット２２ａの数が
ｎ個であるので、回転検出信号ｖ８Ｌ１．ｖａ２はロー
タリーエンコーダ２２が１回転する間にｎ周期の繰り返
し信号となる。

本発明において光起電効果を有する薄形平面光電変換素
子を実現する手段として、フォトダイオードと呼ばれる
単結晶シリコン光電変換素子、あるいはセレン光電変換
素子、アモルファスシリコノ光電変換素子（以下ａ−３
ｉ光電変換素子と略す）等様々な光電変換素子が考えら
れるが、本発明に用いる光電変換素子に要求される性質
として、■大面積の光電変換素子が安価に提供できる事
。

■微細加工が可能で、同一基板上に複数の独立し、た素
子を形成でき、又、これらの素子の結合および分離が容
易に行える事。

■高感度である事。

■応答性が速い事。

■素子のバラツキが小さイ事。

等が挙げられる。

寸ず、前記単結晶シリコン光電変換素子であるが、これ
は上記■〜◎の条件はほぼ満たし得るが、大面積化した
場合高価になる。

又、前記セレン光電変換素子やその他ｃｄｓ光電変換素
子等は、大面積でも低価格を実現し得るが、反面フォト
エツチング等による微細加工を行い難く、第３図に示し
た第１の光電変換素子群８ａ及び第２の光電変換素子群
８ｂは例えば幅１００μｍ稈度で分離帯の幅の狭い部分
で１０〜数１０／ｉｍ程度とすると、これらの光電変換
素子では実現が惟しい。又、セレン光電変換素子等は、
後述するａ−３ｉ光電変換素子に比べ、感度も低く応答
性もＫｏＨ度悪く、かつ素子間のバラツキも非常に大き
いので、本発明の光電変換素子としては特殊な場＠を除
き適切でない。

一方、ａ　−Ｓｉ光電変換素子は、大面積の博士面光電
変換素子を安価に提供でき、後述する透明導電膜をフォ
トエツチング等によって除去することにより、独立した
光電変換素子を同一基板上に多数形成する微細加工が可
能なため、本発明における平面光電変換素子を提供し得
る。又、感度も高く、光源が発光ダイオードで構成され
るような微弱光であっても充分な出力信号を得る事が可
能であり、応答性も数１０　ＫＨｚ程度まで応答し得る
ため、本発明の要求する応答性全充分溝たし得るもので
ある。そして同一基板上に形成されるものはいう寸でも
なく、異なる基板」二に形成されたものについても素子
間のバラツキは小さくなり、量産性においても優れてい
る。

以上の説明から明らかなように、本発明の光学式回転検
出装置に適用する平面光電変換素子としてはａ−３ｉ光
電変換素子が最適である。

ここでａ−８ｉ光電変換素子の構造及び動作全第３図の
平面光電変換素子８及び第１７図を用いて説明する。第
１７図は、第３図中に２点鎖線で示した線分Ｑ−Ｑ′で
破断した平面光電変換素子８の断面図を示す。２６はス
テンレス基板等で作られ、基板を兼ねた電極で該基板上
にＰｉＮ接合を有するアモルファスシリコン薄膜２γ（
以下ａ　−５ｉ膜と略す）か形成され、このａ−８ｉ膜
２７」−にインジウム・チン・オギサイド（以下ＩＴＯ
と略す）と呼ばれる透明型％２３　ａ、　２８　ｂを形
成している。

前記ａ−８ｉ膜２７は第１７図に示す様にステンレス基
板２６とＩＴＯ２８ａ、２８ｂの間に２層２７ＣＴ　　
Ｉ層２７ｂ、Ｎ層２７　ａ　ｆ：形成するが、ＩＴＯ２
８ａ、２８ｂの付着した部分のみが光電変換特性を有し
光電変換素子として働く。付着していない部分は光電変
換素子としての作用を成さないばかりか、＆−８ｌ薄２
７の有する抵抗率が犬でありかつ膜の厚さが数１０００
八と薄く、ＩＴＯのイ」着していない部分の幅を数μｍ
〜数１０μｍ以上とした」場合、膜の厚さよりも充分長
いため横方向は大きな抵抗値を有することになり、電気
的な絶縁体として働く。よって第１７図に示すように工
Ｔ０２８ａと２８ｂ’ｉ分離して刺着することにより、
ステンレス基板２６を共通電極とする独立した光電変換
素子群８ａ及び８ｂを形成する事ができる。

ＩＴＯｉ分離してａ−３ｉ膜２７に付着する方法として
、例えばａ−８ｉ膜２７の略全面にＩ　Ｔ　Ｏｆ。

塗布した後、分離帯を形成したい部分の不必要なＩＴＯ
ｉフォトエツチングにより除去することによって実現可
能である。

才た一定のピッチで配された光電変換素子小片を電気的
に結合する方法として第３図中の光電変換素子群８ａ、
８ｂのように、光電変換素子小片を結合するようにＩＴ
Ｏ’ｉフォトエノチノグせずに残すことによって、３Ｐ
０のピッチで配された光電変換素子小片を電気的に結合
することが可能である。また他の方法として第１８図に
示すように光電変換素子小片２９ａの片端をアルミニウ
ムあるいはニッケル等の電極３０ａで結合し、同様に光
電変換素子小片２９ｂの片端をアルミニウムあるいはニ
ッケル等の電極３０ｂで結合する事によっても実現でき
る。第３図に示したようにＩＴＯによって光電変換素子
小片全結合した場合、第１８図における＠極３０ａ、’
３０ｂに対応する本来回転検出信号発生に関係しないＩ
ＴＯ一部分に光が洩れ込むと、本来の回転検出信号に不
要な信号が伺加され、コントラストが悪くなるが、第１
８図に示すようｒこアルミニウムあるいはニッケル等の
電ｆＹＮ３０ａ、３０ｂを用いることによって、不要な
信号が付加されずコントラストの良い回転検出１言号全
得ることができる。

以上説明したａ−８ｉ光電変換素子は通常５７００人近
傍にピーク感度波長を有するため、平面光源も５７００
人近傍の発光波長を有する光源を用いるのが好ましい。

５７００八近傍の発光波長を有する光源としては、例え
ばオレンジ色の発光ダイオード（発光波長：略６３０Ｃ
１人）又は緑色の発光ダイオード（発光波長：略６６６
Ｑ人）等の可視光の発光ダイオードにより実現できる。

発明の効果 本発明では光学的に回転検出を行なっているため、従来
の磁気式ＦＧと比較した場合、形状が小さくできる上、
高出力が得られる。またモータの回転検出装置として使
用する場合においても、モータ自身の発生する磁束を誘
導する等の欠点も解消されＳ／Ｈの良い回転検出信号が
得られる。寸た全周積分型の検出であるために、ロータ
リーエンコーダを回転軸に取り付ける際の偏心・傾きの
精度が直接回転検出精度に関係せず、高精度な回転速度
検出を行う事が可能である。

捷た本発明の他の効果を説明するために、第１９図に示
したようなロータリーエンコーダ３１及び平面光電変換
素子３２を有する光学式回転検出装置と比較する。ロー
タリーエンコーダ３１はスＩリットピッチＰＯで、第１
の光電変換素子群３２ａはピッチＰ。で配された光電変
換素子小片を電気的に結合して成り、第２の光電変換素
子群３２ｂは艶／のピッチで第１０光電変換累子小片と
分離されピッチＰｏで配された光電変換素子小片を電気
的に結合して成る。この光学式回転検出装置においても
、第３図に示した光学式回転検出装置と同様、ロータリ
ーエンコーダの１回転中にｎ周期の繰り返し信号となる
お互いに逆相の２つの回転検出信号を得る事ができる。

しかし第３図中の平面光電変換素子−８の力が第１９図
中の平面光電変摸索子３２【くらへて製造」二の法留才
りが良いという効果がある。その理由ばａ　−８ｉ光屯
変換素子をスデンレス等の基板上に構成する際に、基板
衣１イ１１にキズ等があった場合、ａ　−３ｉ膜が数１
０００八と薄いため、キズの部分でａ−３ｉ膜が形成さ
れない可能性があり、もしＩＴＯがそのキズの部分に塗
布されていたら、ＩＴＯと基板はキズのｇ＋＋分てショ
ートし、光電変換素子としての機能を果たさないが、Ｉ
ＴＯがそのキズの部分に塗布されていなければ、光電変
換素子の機能には何の関係もない。すなわちＩＴＯの面
積が小さいほど部分ソヨートの確率が小さくなり、平面
光電変換素子製造過程での歩留甘りがよくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の全周積分型磁気周波数発電機の切欠斜視
図、第２図は本発明の一実施例の光学式回転検出装置の
概略を示す斜視図、第３図は第２図の光学式回転検出装
置の一部拡大斜視図、第４図は同実施例における平面光
電変換素子の等価回路、第６図は同実施例における回転
検出信号発生回路を示す電気回路図、第６図は同実施例
における動作状態説明図、第７図は同実施例における動
作波形図、第８図はロータ位置検出を含む本発明の他の
実施例の概略を示す斜視図、第９図および第１０図は同
要部平面図、第１１図は同実施例における検出信号発生
回路の電気回路図、第１２図は同動作説明波形図、第１
３図は本発明のさらに他の実施例の要部斜視図、第１４
図は同動作状態を説明するだめの図、第１６図は同実施
例における検出信号発生回路の電気回路図、第１６図は
同動作波形図、第１γ図はアモルファスＳ１光電変換素
子の側断面図、第１８図は同アモルファスＳｉ光電変換
素子の斜視図、第１９図は、本発明によらない光学式回
転検出装置の要部を示す斜視図である。 １−・・・・固定子、２・・・・・・回斬子、３・・・
・・・磁石、４・・・・・・巻線、５．１６・・・・・
・平面光源、６，１６・・・・・・回転軸、７，１７，
２２．３１・・・・・・ロータリーエンコータ、７Ｎ、
１７ａ、１７ｂ　、２２ａ・−・−・−スリット、８，
１８．３２・・・・・・平面光電変換素子、８ａ、８１
）、１８ａ、１８ｂ　　、１９＆、１９ｂ　　。 ２３ａ、２３ｂ、２９ａ、２９ｂ、３２ａ、３２ｂ・・
・・・・光電変換素子群、９，１０・・・・・・光起電
流−電圧変換回路、１１．１２．１３．２０．２１．２
４゜２６・・・・・・演算増幅器、１４・・・・・・差
動増幅回路、２６・・・・ステンレス基板、２γ・山・
・アモルファスＳｉ膜、２８ａ　、２８ｂ−−−・−・
Ｉ　Ｔｏ、３０ａ　、３０ｂ−山−電極。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名＠１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ／ｌ？ ＠９図 第１０図 ｒｂ］ 第１２図 第１３図 １４図 １６図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）ｎ個（ｎは正の整数）のスリットを環状に有し、
   そのスリットピッチがＰｏであるロータリーエンコーダ
   を回転軸に取り付け、そのロータリーエンコーダの一方
   の面に対向して前記全スリットに光が照射するよう光源
   全配するとともに、前記ロータリーエンコーダの他方の
   面に対向して平面ｆ、電変換素子を配し、その平面光電
   変換素子は同一基板上に前記スリットピッチＰ。 のｍ倍（ｍは２以上の整数）のピッチで形成された第１
   の光電変換素子小片を電気的に結合して成る第１の光電
   変換素子群及び前記第１の光電変換素子小片と電気的に
   分離され、前記スリットピッチＰｏのｍ倍のピッチで形
   成された第２の光電変換素子小片を電気的に結合して成
   る第２の光電変換素子群を有し、前記ロータリーエンコ
   ーダが回転することにより前記光源から発せられた光が
   前記ｎ個のスリットを通じて前記第１の光電変換素子群
   及び第２０光電変換素子群に照射され、第１及び第２の
   光電変換素子群からはそれぞれ位相が異なり、かつロー
   タリーエンコーダの１回転当９ｎ周期の繰り返し信号と
   なる検出信号を得ること全特徴とした光学式回転検出装
   置。
2. （２）第１の光電変換素子小片と第２０光電変換素子小
   片の中心間のピンチを（ｍ−ｎ＋＋１／、）　ｐ。 （ｎ＋ばｍンｎ１である正の整数）とすることにより、
   前記第１の光電変換素子群と第２の光電変換素子群から
   はそれぞれ逆相の検出１言号を得ることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の光学式回転検出装置。
3. （３）第１の光電変換素子小片と第２の光電変換素子小
   片の中心間のピッチｋｃｍ−旧＋Ｖ４）Ｐ。 あるいは（ｍ−ｎ２＋％）Ｐｏ　（旧はｍ≧ｎ２である
   正の整数）とすることにより、前記第１の光電変換素子
   群と第２０光電変換素子群からはそれぞれ９０’位相の
   異なる検出信号を得ることを特徴とした特許請求の範囲
   第１項Ｍｅ載の光学式回転検出装置。
4. （４）平面光電変換素子小片としてＰＩＮ接合を形成ス
   るアモルファスシリコン光電変換素子を使用する小金特
   徴とした特許請求の範囲第１項記載の光学式回転検出装
   置。
5. （５）光源に６７００人近傍の発光ｕ長金有する光源全
   使用すること全特徴とした特許請求の範囲第４項記載の
   光学式回転検出装置。