JPS59226823A

JPS59226823A - 光学式回転検出装置

Info

Publication number: JPS59226823A
Application number: JP10206983A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Goto; 泰宏後藤; Kunikazu Ozawa; 小沢　邦一; Hiromi Nakase; 中瀬　弘巳
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1983-06-07
Filing date: 1983-06-07
Publication date: 1984-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は小型で高精度な複合機能を有する光学式回転検
出装置、特に１個の回転体に対し複数の回転情報を検出
する°ことができる光学式回転検出装置に関する。

従来例の構成とその問題点回転体の絶対的な回転位相を基準となる同期信号に同期
回転させる必要のある回転体、例えば、映像信号を高速
回転する回転ヘッドによりテープ状媒体に記録する回転
ヘッド型の磁気録画再生装置（以下、ＶＴＲと称す）に
用いられる直結駆動方式の回転ヘッド駆動モータ等にお
いては、回転速度の検出を行う周波数発電機（Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ　−Ｇａｎｅｒａｔｏｒの略で以下、ＦＧと
称す）と、回転体の絶対的な回転位相の検出を行う回転
検出装置（Ｐｈａｓｅ　Ｇｅｎｅｒａｔｏｒの略で以下
、ＰＧと称す）が必要であシ、従来、これらには磁気式
のものが用いられてきた。

従来のＦＧおよびＰＧを第１図〜第３図に基づき説明す
る。

第１図は従来の磁気式のＦＧおよびＰＧを含む回転検出
装置の縦断面図である。図において、１は回転軸、２は
軸方向に着磁された永久磁石、３は内周に歯型を切った
ステータヨーク、４は回転軸１に結合されるとともにそ
の外周部に歯型を切ったロータギヤ、５は永久磁石２の
外側に巻かれたＦＣコイルであり、第２図に示す様にこ
れら、永久磁石２．ステータヨーク３．ロータギヤ４゜
ＦＣコイル６により全周対向型磁気ＦＧが構成されてい
る。

ステータヨーク３とロータギヤ４はともに強磁性体で作
られその歯型の数Ｋ　（Ｋは正の整数）も等しく且つ歯
型が互いに向き合うよう構成され、永久磁石２とともに
磁気回路を構成し、ロータギヤ４が回転してこの歯型の
山とステータヨーク３の歯型の山が向き合ったとき磁気
抵抗が小さくなって永久磁石２から発生する磁束が通り
易くなり、逆に歯型の山と谷が向い合ったとき磁気抵抗
が大きくなって磁束が通如難くなり、ロータギヤ４の回
転によって前記磁気回路を通る磁束の量が交互に食わり
、ＦＧコイル６の両端にその磁束変化量の時間微分値に
比例しだ電圧を有する交流電圧が誘起される。このＦＧ
コイル５の両端に誘起される交流電圧の周波数ｆＦ、は
回転ｃＩＱＩ＋　１の回転周波数のに倍（Ｋは歯型の数
）となり、この周波数ｆＦＧにより回転速度の検出を行
っている。

一方、前記回転位相の検出を行うＰＧは第１図および第
３図に示す様に前記回転軸１に結合され、ともに回転す
るｐｃ用マグネット６と、支持部月７と、支持部材７上
に設けられ前記ＰＣ，用マノマグネット生する磁界を検
出するホール素子等で構成される磁気感応素子８から成
り、前記ＰＧ用マグネット６には第３図に示す様に略１
８０ｏづつの角度をもってＮ極とＳ極が着磁され、回転
軸１の回転にともなってＰＣ，用マグネットが回転する
と前記磁気感応素子８上にＳ極が位置する状態とＮ極が
位置する状態が１回転毎に発生し、磁気感応素子８には
ＰＧ用マグネットの回転に同期した位相を有し、ＰＧ用
マグネットの１回転に１周期の割合で発生するＰＣ信号
が発生する。

さて、前記した回転ヘッド駆動用モータ等に使用される
ＦＣおよびＰＣ，に必要な性能は、まずＦＣについては
、 ■　検出精度が加工や組み立ての影響を受は難い事。

■　高い出力電圧が得られるとともに外来雑音や誘導に
対して強い事。

■　ＦＧ自身が雑音を発生して他の回路に悪影響を与え
ない事。

■　ＦＧ自身が回転むらや振動を発生しない事。

■　簡単な構造で小型化が計れる事。

■　軽量であること。

等があげられる。

そして、第１図および第３図の様なＦＣの場合、全周対
向型であり検出電圧が全周で平均化されたものとなるた
め検出精度が部品の加工精度や組み立て精度の影響を受
は難く精度の良い検出が行える。しかしながら、この種
の磁気式ＦＧの場合、ＦＧコイルに誘起する電圧は、Ｆ
Ｇコイルと鎖交する磁束の変化を時間で微分したものに
比例するため、高速回転でないと検出電圧が低く、同時
にＦＧコイルにはモータの発生する磁気的あるいは電気
的な雑音等が重畳し易く検出信号のＳ／／Ｎ比が劣“−
して検出精度が悪化する。そして、この磁気ＦＣの場合
、発生する磁束の一部がモータの外部に漏洩し、この漏
洩磁束がＦＣのロータギヤの回転によって生ずる磁気抵
抗の変化の影響を受けて変動し、例えば前記の回転ヘッ
ド駆動モータ等においては映像信号の再生を行うヘッド
とこれらのＦＧとが同一モータ上にあり、漏洩磁束の変
動が再生ヘッドに影響して再生信号の”／Ｎ比の劣化を
生じ好ましからぬ結果を招く。更に第１図および第２図
に示した様な磁気ＦＣの場合、相対する歯型の磁気的な
吸引力によってモータ回転時に振動を生じ、回転が不安
定になり回転むらが生じる等の欠点があげられる。

次にＰＧに必要な性能は、 ■　位相の検出精度が良い事。

■　高い出力電圧が得られるとともに外来雑音や、誘導
に対して強いこと。

■　ＰＣ自身が雑音を発生して他の回路に悪影響を与え
ない事。

■　Ｐ（、自身が回転むらや振動を発生しない事。

■　簡単な構造で小型化が計れる事。

等があげられる。

さて、第３図に示す様なｐｃの場合、回転軸１に対する
ＰＧ用マグネット６の回転方向に対する取り付は精度、
ｐＣ−用マグネメト６のＮ極とＳ極の着磁精度、磁気感
応素子８の取り利は精度等を上げることが難しく回転位
相の検出精度が悪く電気的な位相調整回路が必要であり
、又、着磁されたＰＧ用マグネットが回転しているだめ
その漏洩磁束によシ前記ＦＣの場合と同様、回転ヘッド
駆動モーフ等に適用した場合、再生信号のＳ／Ｎ比の劣
化を招く、あるいは、ＰＧ信号の出力電圧を高めるため
高感度の磁気感応素子としてフェライト等強磁性体の上
にホール素子を取り付けたもの等を使用した場合、この
フェライトとＰＣ用マグネットの間に磁気的な吸引力が
生じ前記ＦＧの場合と同様モータ回転時に振動を生じ回
転が不安定になり回転むらを生じる等の欠点があげられ
る。

又、これらＦＧとＰＧ２つの回転検出装置が別々に必要
となるだめ、部品点数が増大し、構成も複雑となり小型
化が図れず、又、ＦＧ部において磁気回路に軟鉄あるい
はケイ素鋼板等の比重の重い強磁性体を用いるため重量
も重くなる等の欠点を有していた。

更に、従来例においては、ＦＧとＰＧが別々な信号とし
て取り出されるため、ＰＧ用の信号線とＰＧ用の信号線
が別々に必要となり、特にこれらの信号を集積回路（ｒ
ｅと称す）化した電気回路に加えて波形整形等の信号処
理をする時、信号線が多くなるとＩＣのピン数が増大し
てＩＣの価格上昇やＩＣのパッケージの大型化等が生じ
、又、これらの信号を電気回路に導くだめの配線も多く
必要になりＩＣパッケージの大型化とともに実装上不利
になる。

以上記した様に、従来の磁気式のＦＧやＰＧは多くの欠
点を有していた。

発明の目的本発明は斯る従来例の欠点に鑑み、小型で高出ツバ且つ
高精度で、信号のＳ／Ｎ比が良好で他の回路に誘導雑音
等を発生させず、振動等による回転むら発生の要因もな
く、さらに前記ＦＣ，とＰＧの様な２種類以上の信号を
同−信号線−」二に得ることの出来る複合機能を有する
光学式回転検出装置を提供するものである。

発明の構成上記目的を達成するだめ本発明の光学式回転検出装置は
、回転体の回転軸に第１および第２のスリットを有する
回転板を設け、この回転板の…ｉ上の対向する一端に全
スリットに光が照射する板平面状光源を配し、同一部材
−ヒに全周もしくは略全周に渡り第１の光電変換素子と
この第１の光電変換素子と異なる半径方向の位置に第２
の光電変換素子を形成しこの第１の光電変換素子と第２
の光電変換素子を電気的に結合した平面状光電変換素子
を前記回転板の対向する他の端に設けて構成したもので
ある。

実施例の説明本発明に基づいて構成された光学式回転検出装置の一実
施例を第４図〜第１０図に基き説明する。。

第４図は、本発明による光学式回転検出装置の一実施例
の縦断面を示すものである。本実施例の光学式回転検出
装置は、回転軸１に取り伺けられ共に回転する回転板９
．支持部材１０に取り付けられ前記回転板９の面上の一
端に向は光を照射する平面光源１１．支持部材１ｏに取
り付けられた平面状光電変換素子１２により構成される
。

尚、平面光源１１９平面状光電変換素子１２は支持部材
１０により固定されている。そして、回転板９は第５図
（第５図は回転板９の平面図を示す）に示す様に光学的
手段により全周対向型ＦＧを実現するため同図の外周部
に示したスリット１３ａを半径ｒ３〜ｒ４の同一円環上
に全周に渡って形成した第１のスリットとしてのＦＧ用
スリット群１３（第６図の１３に示す破線部にはスリッ
ト１３ａが等間隔で設けである）と、回転軸１の１回転
毎に特定の回転位置でパルスを発生する半径ｒ１〜ｒ２
　上の位置に形成した第２のスリットとしてのＰＧ用の
スリット１４が設けである。そして、スリン）１３ａは
同図に示す様にスリット間隔がΔθで、略Δθ／２の幅
にスリットが設けられている。又、同図においてＰＧ用
ススリット幅は前記スリット１３ａのスリット幅Δθ／
２より狭いものとする。尚、この様なスリットを有する
回転数は、ガラス円板に金属薄膜を蒸着しこれをフォト
エツチングによりスリットを設ける部分のみ除去して実
現できる。あるいはステンレス鋼の薄円板をフォトエツ
チングし、スリットを設ける部分のみ除去する等により
実現できる。

第６図（第６図は平面状光電変換素子１２の平面図を示
す）において平面状光電変換素子１２は、例えば、後述
するアモルファスシリコン光電変換素子等で構成され、
照射光量に比例しだ光起電流を発生する。光電変換素子
１２において全周対向型のＦＣを実現するだめ、外周部
に前記回転板９のスリン）１３ａと同じ半径ｒ３〜ｒ４
　の同一円環上に全周に渡ってスリット１３ａのスリッ
ト間隔Δθと等しい幅を以って光電変換素子小片１５ａ
が形成され、との光電変換素子小片１５ａをアルミニウ
ムあるいはニッケル等で構成される導電性部材１５ｂを
もって電気的に結合した第１の光電変換素子としてのＦ
Ｇ用先光電変換素子１６第６図の１５に示す破線部には
光電変換素子小片１６ａが等間隔に設けである）と、Ｐ
Ｇを形成するだめ第２の光電変換素子としてのＰＧ用先
光電変換素子１６設けである。そして、このｐＧ用先光
電変換素子１６アルミニウムあるいはニッケル等で構成
される導電性部材１６ｂをもって、前記Ｆ　Ｃ，Ｊ−［
ｊ光電変換素子１５の導電性部利１５ｂに接続され、第
７図の等何回路にも示すようにＦＧ用先光電変換素子１
５ＰＣ用光電変換素子が電気的に結合されている。

第４図において゛、平面光源１１は、同図下部に向って
光を照射するもので、例えば円板状基板の円環上に全周
に渡って発光ダイオード小片を均等な間隔を以って配置
し前記回転板９をとり除いた状態では前記光電変換素子
１２のＦＣ用光電変換素子１５を形成する光電変換素子
小片１５ａ全部に光が照射する様構成するとともに、光
電変換素子１２上のＰＣ用光電変換素子１６に前記光電
変換素子小片１５ａに照射されるよりも強い光が照射す
る様構成したものである。ＰＣ用光電変換素子１６に強
い光を照射するのは、受光面積がＦＣ用光電変換素子１
６よりも小さいため、後述するＦＧ用の検出信号とＦＧ
用の検出信号を電流−電圧変換した後の電圧値で分離す
る際に、ある程度の差電圧を得るためである。従って、
分離を周波数差によって行なうようにすればその必要は
ない。

ＦＣ部において、第８図に示す様に平面光源１１から出
た光１γは回転板９により遮光される一方、回転板９０
ＦＧ用スリツ）１３！Ｌを通じて平面状光電変換素子１
２のＦＧ用先光電変換素子１５照射される。そして、回
転板９が回転軸１とともに回転すると、第８図（ａ）、
　（ｂ）に示す様にＦＧ用先光電変換素子１５形成する
光電変換素子小片１５ａに光が照射されない同図（ａ）
の状態と、光電変換素子小片１５１Ｌに光が照射される
同図（ｂ）の状態が回転板９のＦＧ用スリッ）１３１Ｌ
のスリット幅Δθ回転する毎に交互に発生する。しだが
って、回転板９が回転すると光電変換素子小片１５１Ｌ
には照射光量に比例した光起電流が発生し、これらを電
気的に結合したＦＣ用光電変換素子１６には第１゜図（
第１０図は光学式回転検出装置各部の波形図を示す）の
ＩＦＧに示す様な回転板９が前記Δθ回転する角度を１
周期とする光起電流ＩＦＧが発生する。又、２０部にお
いては、回転板９に設けられたＰＧ用ススリット１４平
面状光電変換素子１２のＰＣｒ用光電変換素子１６とが
重なり、平面光源１１からの光が回転板９により遮光さ
れずＰＧ用先光電変換素子１６照射される状態が回転板
９０１回転において１回生ずるため、ＰＣ用光電変換素
子１６には第１０図のｒｐｃに示す様に、回転板９の１
回転中の特定の回転位置において発生する光起電流工Ｐ
Ｇが生じる。前記した様に第１の光電変換素子としての
ＦＧ用先光電変換素子１６第２の光電変換素子としての
ＰＧ用先光電変換素子１６導電性部材１５ｂおよび１６
ｂにより電気的に結合されており、これら２つの光電変
換素子を複合化しだ光電変換素子１２の出力電流工。と
じては第１０図ちに示す様な前記ＩＦＧとＩＰ、を加算
した電流となる。

この光電変換素子１２を第９図に示す様な演算増幅器Ａ
１と抵抗Ｒ１で構成される電流−電圧変換回路１８に接
続し前記工。に比例した第１０図のＶ。に示す様な出力
電圧Ｖ。−Ｒ１・Ｉｏを得る。この電圧Ｖ。

は、前記ＦＧ用の検出信号にＰＧ用の検出信号が重畳し
たもので、第１ｏ図に示す様にＰＧ用の検出信号が重畳
した１回転中の特定回転位置の区間だけその電圧が高く
なる。

よって、ＦＧ用の検出信号とＰＧ用の検出信号を分離し
、且つ各々を矩形波に整形するため、波形整形する電圧
レベル（以下、スレッシュホールド亀圧と称す）が異な
る第１の波形整形回路１９および第２の波形整形回路２
０に加える。この第１の波形整形回路１９は矩形波に整
形されたＦＣ。

用の検出信号ＶＦＧを取り出すものでそのスレッシュホ
ールド電圧ｖｓｈ＋が後述する矩形波に整形されたＰＧ
用の検出信号ＶＰＧを取り出す第２の波形整形回路２０
のスレッシュホールド電圧Ｖｓｈ２より低の最大値をＩ
Ｈ１＋最小値を工ＬＩとし、工ＰＧの最大値を”Ｈ２＋
最小値を−としたとき、第１の波形整形回路１９のスレ
ッシュホールド電圧Ｖｓｈ、を略下記の値とし、第２の波形整形回路２０のスレッシュホールド電
圧Ｖｓｈ２を略下記の値にすれば１同図ＶＦＧ、　ｖｐｃの様なＦＧ用の検出信
号ＶＦＧとｐｃ、用の検出信号ＶＰＧが得られる。

以上述べた様な構成にすると、光電変換素子と検出回路
を結ぶ配線が減少し、特に検出回路を他の信号処理回路
と共にＩＣ化する場合、ＩＣのピン数削減および配線削
減による実装面積の低減等に効果があるばかりか、前記
第９図の電流−電圧変換回路１８．１個でＦＧ用、ＦＧ
用の２つの光電変換素子の検出信号を得ることができる
ため回路の簡易化も計れる。

さて、平面状光電変換素子は薄平面状の半導体光電変換
素子を以って実現でき、これらの光電変換素子には光の
照射により抵抗値の変化する光導電効果を利用したもの
と、光の照射にょシ起電力を発生し光起電流を得ること
のできる光起電効果を利用したものに分けられる。

本発明の如き光学式回転検出装置においては、一般に消
費電力が小さく且つ小型のものが望ましく、このため光
源も発光ダイオードの如き微弱光の光源が用いられる。

よって、光導電効果によるものの様に微弱光照射時に得
られる電流に対する暗電流の割合の大きなものよシ、光
起電効果を利用した光電変換素子を用い発生する光起電
流を前記第９図に示した様な電流−電圧変換回路に加え
電圧出方とじて取り出す方が望ましい。

この電流−電圧変換回路を用いれば、光電変換素子両端
（アノードとカソード間の電圧）は略零ボルトとなるた
め、短絡に近い状態となり、暗電流の発生が抑制され微
弱光でも安定した検出信号が得られる。

さて、光起電効果を有する薄平面状の光電変換素子を実
現する手段として、シリコンフォトダイオードと呼ばれ
る単結晶シリコン光電変換素子、あるいはセレン光電変
換素子、アモルファスンリコン光電変換素子（以下、ａ
　−Ｓｉ光電変換素子と称す）等様々な光電変換素子が
考えられるが、本発明に用いる光電変換素子に要求され
る特性として、 ■　大面積の光電変換素子が安価に提供できること。

■　微細加工が可能で、同一基板上に多数の独立した素
子を形成でき、又、これらの素子の電気的結合および分
離が容易に行えること。

■　高感度であること。

■　応答性が速いこと。

■　使用温度範囲が広いこと。

■　素子の特性バラツキが小さいこと。

等が挙げられる。

まず、前記単結晶シリコン光電変換素子であるが、これ
は、上記■〜■の条件をほぼ満たし良好な特性を示すが
、大面積化した場合高価になる。

又、セレン光電変換素子やその低硫化カドミ（ＣａＳ）
光電変換素子等は、大面積のものを安価に実現し得るが
、反面フォトエツチング等による微細加工が難しく、第
９図に示しだ光電変換素子小片１５ａ等は幅が数１０μ
ｍ程度で素子間を電気的に分離する分離帯の幅は小さい
ものでは１０μｍ程度となり、これらの光電変換素子で
は実現が難しい。そして、セレン光電変換素子等は、後
述するａ　−Ｓｉ光電変換素子に比べ感度が低く、応答
性も悪く、素子間の特性のバラツキも大きいだめ本発明
に用いる光電変換素子としては特殊な場合を除き適切で
ない。

一方、ａ　−Ｓｉ光電変換素子は、大面積の博士面状の
光電変換素子を安価に提供でき、後述する透明電極のフ
ォトエツチング等による除去により、独立した光電変換
素子を同一基板上に多数形成する微細加工が可能なため
第９図の様な光電変換素子、感度も高く、光源が発光ダ
イオードで構成される様な微弱光であっても充分な出力
信号を得ることが出来、応答性も数１０ＫＨｚ程度まで
応答し得るだめ、本発明の要求する応答性を充分溝し得
るものである。

更に、使用温度範囲も広く、−６０°Ｃ以下〜８０°Ｃ
以上の広い範囲で上記した感度および応答性の変化が小
さく必要な性能を維持できる。

そして、同一基板上に形成されるものはいう壕でもなく
、異なる基板上に形成されたものについても素子間のバ
ラツキは小さくなり、量産性においても優れている。

以上の説明から明らかなように本発明による光学式回転
検出装置に適用する平面状光電変換素子としては、ａ−
３ｉ光電変換素子について一例を挙げて簡単な説明を行
う。

第１１図は、本発明に適用し得るａ　−Ｓｉ光電変換素
子１２の一例を示したもので、同図←）は例えば第６図
に示すＦＧ用先光電変換素子１６形成する部分の破断拡
大図である。

又、同図（ｂ）は、前記ＦＧ用先光電変換素子５の平面
図（第１１図（ａ）の矢印入方向より見た図）、同図（
Ｑ）は、同図（ｂ）に示した線分０−０７で破断した場
合の縦断面図を示す。

第１１図（ａ）においてステンレス鋼板で作られ基板を
兼ねる不透明な下側電極２１上にＰ層、ｉ層。

Ｎ層から成るＰｉＮ接合を有するアモルファスシリコン
薄膜２２（以下、ａ−＆薄膜と称す）が形成され、この
ａ　−Ｓｉ薄膜２２上に斜線で示したインジウン・ティ
ン・オキサイド２３（以下、工ＴＯと称す）と呼ばれる
透明電極を付着している。

このａ　−Ｓｉ薄膜２２は第１１図（ｂ）、　（０）に
示す様に、下側電極２１とＩＴＯ２３の間にＰｉＮ接合
を形成する。ＩＴＯ２３の有する抵抗率は低く導体とし
て作用し、光電変換特性を有し光電変換素子として働く
が、ＩＴＯ２３の付着していない部分においてはａ　−
Ｓｉ薄膜２２の有する抵抗率が大きく且つ膜厚が数ｉ　
ｏｏｏ八と薄く、この付着していない部分の幅が数μｍ
以上であると電気的な絶縁体として働き、とのＩＴＯ２
３の付着していなイ部分Ｋ　、１：　’）　第１１　図
（２Ｌ）−（ｂ）＋　’　（Ｃ）Ｋ示す様な工Ｔ。

２３を付着させて形成した光電変換素子小片１５ａを電
気的に分離させるだめの分離帯を形成できる。

このためＩＴＯ２３を分離した島状に付着させた場合、
下側電極２１を共通電極とした独立しだ光電変換素子小
片１６ａを形成できる。

ＩＴＯ２３を分離した島状に付着させる方法として例え
ばａ　−Ｓｉ薄膜２２の全面にＩＴＯ２３を塗布した後
、分離帯を形成したい部分のＩＴＯ２３をフォトエツチ
ングにより除去することにより実現可能であり、これら
分離して形成したＩＴＯ２３の付着部分が独立した光電
変換素子として働くばかりでなく、第１１図（ａ）、　
（ｂ）あるいは第６図に示す様に、これらをアルミニウ
ム等で作られる電極１５ｂ等により結合することも可能
であり、微細加工を必要とする光電変換素子も容易に実
現できる。

尚、第１１図（ａ）、　（ｂ）＃　（Ｃ）に示した様な
光電変換メ子では第１１図（ｄ）の等節回路に示す様に
下側電極２１が光電変換素子小片１５ａの共通アノード
となり、同図（？Ｌ）に示す様に導電性部材１５ｂによ
り光電変換素子小片１５ａを結合して共通カソードが形
成され、前記ＦＧ用先光電変換素子５が構成できる。

さて、以上、本発明による光学式回転検出装置の一実施
例として、第１の光電変換素子に全周もしくは略全周に
渡って形成したＦＣ用光電変換素子を適用し、第２の光
電変換素子にＰＯ用先光電変換素子適用し、この第１お
よび第２の光電変換素子を導電性部材により電気的に結
合してこれら２つの光電変換素子の複合化した検出信号
を得る例について述べたが、本発明における第１および
第２の光電変換素子としては、前記実施例の様なＰＧ用
やＰＧ用のみならず、例えば、第１の光電変換素子とし
て電子整流子モータの電子的整流を行うためのロータ回
転位置の検出を行う多相信号を出力するロータ位置検出
用光電変換素子の様なＦＣｒ用とは異なった機能を有す
るものを設けるとともに第２の光電変換素子として前記
従来例同様ＰＣ用光電変換素子を設け、これらを導電性
部制により電気的に結合しても良い。

発明の効果以上の様な本発明によれば、下記の様な効果が得られる
。

■　同一の平面状光電変換手段上に２種類以上の光電変
換手段が形成できるため構成が簡単となシ、小型な回転
検出装置が提供できる。

■　第１の光電変換素子が全周もしくは略全周に渡って
形成され、全周もしくは略全周において平均化された検
出が行え、機械的精度不良が全周で平均化されるだめ、
検出精度が加工や組み立ての影響を受は難い光学式回転
検出装置が提供できる。

■　光学的な回転検出を行っているため、電磁気的な外
来雑音の影響を受は難く検出信号の５１比が良好な検出
が行え、逆に外部に電磁気的な・雑音を発生しないため
外物回路に悪影響を与えることもなく、又、回転むらや
振動を発生しない。

■　２種類以上の機能の異なる光電変換素子を電気的に
結合し一本の線から複合化した２以上の回転検出信号を
得ることができるため配線の削減が可能となる。又、同
様に検出回路をｒｅ化した際ＩＣのピン数削減が図れる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の回転検出装置の縦断面図、第２図は同検
出装置のＰＧ部の要部断面図、第３図は同検出装置のＰ
Ｇ部の斜視図、第４図は本発明における一実施例の光学
式回転検出装置の縦断面図、第５図は同検出装置の回転
板の平面図、第６図は同検出装置の平面状光電変換素子
の平面図、第７図は同光電変換素子の等価回路の回路図
、第８図（ａ）ｔ　（ｂ）は第４図に示しだ光学式回転
検出装置の第１の光電変換素子の動作説明図、第９図は
同検出それ本発明の平面状光電変換素子の一実施例を示
す斜視図、平面図、側面図および等価回路図である。１・・・・・・回転軸、９・・・・・回転板、１１・・
・・・・光源、１２・・・・・・平面状光電変換素子、
１３・・・・・・第１のスリット、１４・・・・・・第
２のスリット、１５・・・・・第１の光電変換手段、５
１６・・・・・・第２の光電変換手段。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図第５図第７図第８図ＰＪ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）＠
９図第１０図四重を灰の＠串云−１

Claims

【特許請求の範囲】

回転体の回転軸に取り付けられ、＠１の円環上に第１の
スリットを有するとともに、前記第１の円環上と異なる
半径上に第２のスリットを有する回転板と、前記回転板
の面上の対向する一端に前記回転板の全スリットに光が
照射する様に配した光源と、前記回転板の対向する他の
端に配した平面状光電変換手段とを備え、前記平面状光
電変換手段が同一部材上に構成された全周もしくは略全
周に渡り設けられた第１の光電変換素子と、前記第１の
光電変換素子と異なる半径方向の位置に設けられた第２
の光電変換素子とから成り、前記第１の光電変換素子と
第２０光電変換素子を導電性部材により電気的に結合し
たことを特徴とする光学ぎ回転検出装置。