JPH0510628B2 - - Google Patents
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- JPH0510628B2 JPH0510628B2 JP58097104A JP9710483A JPH0510628B2 JP H0510628 B2 JPH0510628 B2 JP H0510628B2 JP 58097104 A JP58097104 A JP 58097104A JP 9710483 A JP9710483 A JP 9710483A JP H0510628 B2 JPH0510628 B2 JP H0510628B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
- G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
- G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
- G01D5/3473—Circular or rotary encoders
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Brushless Motors (AREA)
- Linear Or Angular Velocity Measurement And Their Indicating Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子整流子モータ、特に直流ブラシレ
スモータに用いられる小型で高精度な光学式の回
転検出装置に関する。
スモータに用いられる小型で高精度な光学式の回
転検出装置に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、音響機器やビデオ機器に使用されるモー
タとして、高性能の信頼性の高い直流ブラシレス
モータが多く用いられるようになつた。これらの
直流ブラシレスモータでは、回転子として多極着
磁されたロータマグネツトを用い、固定子として
ステータコイルを用いている。
タとして、高性能の信頼性の高い直流ブラシレス
モータが多く用いられるようになつた。これらの
直流ブラシレスモータでは、回転子として多極着
磁されたロータマグネツトを用い、固定子として
ステータコイルを用いている。
そして、これらの直流ブラシレスモータのうち
例えば回転ヘツドにより映像信号の記録・再生を
行う斜め走査型の磁気録画再生装置(以下、
Video Tape Recorderを略してVTRと称す)に
おける回転ヘツド駆動モータの回転検出装置とし
て、回転速度及び回転位相等の回転情報を検出す
るための周波数発電機(以下、Frequency
Generatorを略してFGと称す)及び回転子の絶
対位相検出用の1回転当り1周期の信号(以下、
PG信号と称す)を発生する検出素子、そしてモ
ータが有効にトルクを発生するようロータマグネ
ツトの回転位置に対応してステータコイルへの通
電を制御する電子的整流作用を成すためのロータ
位置検出素子が設けられ、従来これらの検出手段
として磁気式のものが用いられていた。
例えば回転ヘツドにより映像信号の記録・再生を
行う斜め走査型の磁気録画再生装置(以下、
Video Tape Recorderを略してVTRと称す)に
おける回転ヘツド駆動モータの回転検出装置とし
て、回転速度及び回転位相等の回転情報を検出す
るための周波数発電機(以下、Frequency
Generatorを略してFGと称す)及び回転子の絶
対位相検出用の1回転当り1周期の信号(以下、
PG信号と称す)を発生する検出素子、そしてモ
ータが有効にトルクを発生するようロータマグネ
ツトの回転位置に対応してステータコイルへの通
電を制御する電子的整流作用を成すためのロータ
位置検出素子が設けられ、従来これらの検出手段
として磁気式のものが用いられていた。
従来の磁気式の回転検出素子を備えた直流ブラ
シレスモータを第1図〜第4図に基づき説明す
る。第1図は直流ブラシレスモータの縦断面を示
すもので、1は回転軸、2は回転軸1に取り付け
られたベアリング、3はベアリング2の支持部
材、4はロータマグネツト、5はロータヨークで
ロータマグネツト4は該ロータヨーク5に被着さ
れるとともに、ロータヨーク5は回転軸1と結合
してともに回転するよう構成されている。ロータ
マグネツト4は複数極に着磁された永久磁石が用
いられるもので、第2図に示すように例えば6極
に着磁されるとともに、これにより磁界が正弦波
状あるいは台形波状等となるよう着磁されてい
る。またステータコイルはステータコイル基板6
上に設けられるもので、第3図に示すようにロー
タマグネツト4による磁界に対して互いに電気角
で180゜の整数倍となる位置に配置されている導体
からなるコイルブロツクC1とC2が直列に接続さ
れて第1のステータコイルを形成し、同様にロー
タマグネツト4による磁界に対して電気角で180゜
の整数倍となる位置に配置されている導体からな
るコイルブロツクC3とC4が直列に接続されて第
2のステータコイルを形成している。そして、こ
れら第1および第2のステータコイルはロータマ
グネツト4に対向するよう配されるとともに互い
に電気角で90゜の奇数倍だけ異なる位置に配され
ている。又、コイルブロツクC1,C2,C3,C4は
それぞれ電気角で180゜の幅を有している。電気角
とは、第2図に示す様にロータマグネツト4のN
極とS極に着磁された1周期分の角度を360゜とし
たもので、第2図に示したような6極着磁したロ
ータマグネツト4の全周の角度(機械角で360゜)
は電気角で下記の値となる。
シレスモータを第1図〜第4図に基づき説明す
る。第1図は直流ブラシレスモータの縦断面を示
すもので、1は回転軸、2は回転軸1に取り付け
られたベアリング、3はベアリング2の支持部
材、4はロータマグネツト、5はロータヨークで
ロータマグネツト4は該ロータヨーク5に被着さ
れるとともに、ロータヨーク5は回転軸1と結合
してともに回転するよう構成されている。ロータ
マグネツト4は複数極に着磁された永久磁石が用
いられるもので、第2図に示すように例えば6極
に着磁されるとともに、これにより磁界が正弦波
状あるいは台形波状等となるよう着磁されてい
る。またステータコイルはステータコイル基板6
上に設けられるもので、第3図に示すようにロー
タマグネツト4による磁界に対して互いに電気角
で180゜の整数倍となる位置に配置されている導体
からなるコイルブロツクC1とC2が直列に接続さ
れて第1のステータコイルを形成し、同様にロー
タマグネツト4による磁界に対して電気角で180゜
の整数倍となる位置に配置されている導体からな
るコイルブロツクC3とC4が直列に接続されて第
2のステータコイルを形成している。そして、こ
れら第1および第2のステータコイルはロータマ
グネツト4に対向するよう配されるとともに互い
に電気角で90゜の奇数倍だけ異なる位置に配され
ている。又、コイルブロツクC1,C2,C3,C4は
それぞれ電気角で180゜の幅を有している。電気角
とは、第2図に示す様にロータマグネツト4のN
極とS極に着磁された1周期分の角度を360゜とし
たもので、第2図に示したような6極着磁したロ
ータマグネツト4の全周の角度(機械角で360゜)
は電気角で下記の値となる。
360゜×(6極/2)=1080゜
またステータコイル基板6には、第1及び第2
のステータコイルとロータマグネツト4との位置
関係を検出し、モータが有効なトルクを発生でき
る位置で電流を流すよう、ステータコイルへの通
電を制御する電子整流子作用を成すためのロータ
回転位置検出素子として2個のホール素子7,8
が設けられ、これらのホール素子7,8によりロ
ータマグネツト4の発生する磁界に感応した電圧
を得て、回転位置の検出を行なつている。
のステータコイルとロータマグネツト4との位置
関係を検出し、モータが有効なトルクを発生でき
る位置で電流を流すよう、ステータコイルへの通
電を制御する電子整流子作用を成すためのロータ
回転位置検出素子として2個のホール素子7,8
が設けられ、これらのホール素子7,8によりロ
ータマグネツト4の発生する磁界に感応した電圧
を得て、回転位置の検出を行なつている。
そして第1図及び第4図に示すように、ステー
タコイル基板6の下部には、軸方向にN極・S極
の着磁がされた永久磁石9、内周に歯型を切つた
ステータヨーク10、ステータヨーク10の内側
に設けられ回転軸1に結合されるとともにその外
周部に歯型を切つたロータギア11,永久磁石9
の外側に巻かれたFGコイル12により構成され
る全周対向型磁気FGが取り付けられている。
タコイル基板6の下部には、軸方向にN極・S極
の着磁がされた永久磁石9、内周に歯型を切つた
ステータヨーク10、ステータヨーク10の内側
に設けられ回転軸1に結合されるとともにその外
周部に歯型を切つたロータギア11,永久磁石9
の外側に巻かれたFGコイル12により構成され
る全周対向型磁気FGが取り付けられている。
ステータヨーク10及びロータギア11はとも
に磁性材料で作られ、それぞれの歯型の数はk
(kは正の整数)で歯型が互いに向き合うよう構
成され、永久磁石9とともに磁気回路を構成して
いる。ロータギア11が回転して、ロータギア1
1の歯型の山とステータヨーク10の歯型の山が
向き合つたとき磁気抵抗が小さくなつて永久磁石
9から発生する磁束が流れやすくなり、逆に歯型
の山と谷が向き合つたとき磁気抵抗が大きくなつ
て磁束が流れにくくなる。よつて流れる磁束の量
が交互に変わり、FG巻線12の両端にその磁束
変化量の微分値に比例した電圧を有する交流電圧
が誘起される。このFGコイル12の両端に誘起
される交流電圧の周波数FGは回転軸1の回転周
波数のk倍(kは歯型の数)となり、この周波数
FGにより回転速度の検出を行なつている。
に磁性材料で作られ、それぞれの歯型の数はk
(kは正の整数)で歯型が互いに向き合うよう構
成され、永久磁石9とともに磁気回路を構成して
いる。ロータギア11が回転して、ロータギア1
1の歯型の山とステータヨーク10の歯型の山が
向き合つたとき磁気抵抗が小さくなつて永久磁石
9から発生する磁束が流れやすくなり、逆に歯型
の山と谷が向き合つたとき磁気抵抗が大きくなつ
て磁束が流れにくくなる。よつて流れる磁束の量
が交互に変わり、FG巻線12の両端にその磁束
変化量の微分値に比例した電圧を有する交流電圧
が誘起される。このFGコイル12の両端に誘起
される交流電圧の周波数FGは回転軸1の回転周
波数のk倍(kは歯型の数)となり、この周波数
FGにより回転速度の検出を行なつている。
またロータヨーク5上には永久磁石13が取り
付けられており、例えばホール素子のような磁界
の変化を検知する検出素子14が永久磁石13に
対向するように固定されており、永久磁石13の
発生する磁界の変化を検知し、回転軸1の1回転
当り1周期となるPG信号を発生する。このPG信
号とFG信号から回転軸1の絶対的な回転位相を
検出する事が可能である。
付けられており、例えばホール素子のような磁界
の変化を検知する検出素子14が永久磁石13に
対向するように固定されており、永久磁石13の
発生する磁界の変化を検知し、回転軸1の1回転
当り1周期となるPG信号を発生する。このPG信
号とFG信号から回転軸1の絶対的な回転位相を
検出する事が可能である。
FGに求められる性能として
検出精度が加工や組み立ての影響を受け難い
事。
事。
低速回転時でも高い検出周波数が得られる
事。
事。
高い出力電圧が得られるとともに外来雑音や
誘導に対して強い事。
誘導に対して強い事。
FG自身が雑音を発生した他の回路に悪影響
を与えない事。
を与えない事。
FG自身が回転むらや振動を発生しない事。
構造が簡単で小型化が図れる事。
等が挙げられる。
さて前記第1図および第4図の様なFGの場合、
全周対向型であるため、検出精度が加工や組み立
ての影響を受け難く、精度の良い検出を行える反
面、機械加工の難しさおよび磁気抵抗の変化が小
さくなる事から歯型のピツチを小さくすることが
出来ず、小型で高い検出周波数のものが作れな
い。又、この種の磁気式FGの場合、FGコイルに
誘起する電圧はFGコイルと鎖交する磁束を変化
を時間で微分したものに比例するため、低速回転
時において高い出力電圧が得られず、同時にFG
コイルにはロータマグネツトの漏れ磁束やステー
タコイルへ流す電流から誘導雑音等の雑音が重畳
し易く、検出信号のS/N比が劣化して検出精度
が悪化する。更に、第1図および第4図に示した
ような全周対向型磁気式FGの場合、相対する歯
型の磁気的な吸引力によつてモータ回転時に振動
を生じ、回転が不安定になり回転むらが生じる等
の欠点があげられる。
全周対向型であるため、検出精度が加工や組み立
ての影響を受け難く、精度の良い検出を行える反
面、機械加工の難しさおよび磁気抵抗の変化が小
さくなる事から歯型のピツチを小さくすることが
出来ず、小型で高い検出周波数のものが作れな
い。又、この種の磁気式FGの場合、FGコイルに
誘起する電圧はFGコイルと鎖交する磁束を変化
を時間で微分したものに比例するため、低速回転
時において高い出力電圧が得られず、同時にFG
コイルにはロータマグネツトの漏れ磁束やステー
タコイルへ流す電流から誘導雑音等の雑音が重畳
し易く、検出信号のS/N比が劣化して検出精度
が悪化する。更に、第1図および第4図に示した
ような全周対向型磁気式FGの場合、相対する歯
型の磁気的な吸引力によつてモータ回転時に振動
を生じ、回転が不安定になり回転むらが生じる等
の欠点があげられる。
次にロータ位置検出素子であるが、前記第3図
に示した従来例のホール素子をステータコイル基
板上に配した磁気的なものでは、通常ホール素子
を基板上に目視によつてハンダ付けして取り付け
ており、又、ホール素子自身がプラスチツクモー
ルドされ、モールドしたパツケージに対して内部
のホール素子の位置精度が保障されておらず、そ
の取り付け精度を良くすることができなかつた。
このため位置検出精度も悪く、電子的整流を行な
う際ステータコイルに通電するタイミングがずれ
て、回転むらの原因となり好ましくない結果を招
いていた。
に示した従来例のホール素子をステータコイル基
板上に配した磁気的なものでは、通常ホール素子
を基板上に目視によつてハンダ付けして取り付け
ており、又、ホール素子自身がプラスチツクモー
ルドされ、モールドしたパツケージに対して内部
のホール素子の位置精度が保障されておらず、そ
の取り付け精度を良くすることができなかつた。
このため位置検出精度も悪く、電子的整流を行な
う際ステータコイルに通電するタイミングがずれ
て、回転むらの原因となり好ましくない結果を招
いていた。
更に、直流ブラシレスモータの場合、その駆動
方式によりステータコイルへの電流の流し方が異
なり、例えば正弦波状,矩形波状等、様々な波形
のものが提案されているが、通常ステータコイル
へ流す電流の波形はロータ位置検出素子の検出波
形によつて定まり、ロータ位置検出素子がこれら
の波形を任意に発生できるものであれば容易に実
現できる。しかし第3図に示したホール素子によ
るものでは、その発生電圧がロータマグネツトの
発生する磁界によつて定まり、任意の形状の波形
は得難く、ステータコイルに流す電流の波形を自
由に変えることができない等の欠点を有してい
た。
方式によりステータコイルへの電流の流し方が異
なり、例えば正弦波状,矩形波状等、様々な波形
のものが提案されているが、通常ステータコイル
へ流す電流の波形はロータ位置検出素子の検出波
形によつて定まり、ロータ位置検出素子がこれら
の波形を任意に発生できるものであれば容易に実
現できる。しかし第3図に示したホール素子によ
るものでは、その発生電圧がロータマグネツトの
発生する磁界によつて定まり、任意の形状の波形
は得難く、ステータコイルに流す電流の波形を自
由に変えることができない等の欠点を有してい
た。
そして、第3図に示した様な磁気式のもので
は、ステータコイルと同一基板上にホール素子を
配せねばならず、第3図の2相−4コイルの様な
ものではあまり問題とならないが、もつと相数と
コイル数が多く構造が複雑なもので、且つ小型化
の必要なものでは、ホール素子がステータコイル
の配置上邪魔になる等の欠点を有していた。
は、ステータコイルと同一基板上にホール素子を
配せねばならず、第3図の2相−4コイルの様な
ものではあまり問題とならないが、もつと相数と
コイル数が多く構造が複雑なもので、且つ小型化
の必要なものでは、ホール素子がステータコイル
の配置上邪魔になる等の欠点を有していた。
次にPG信号検出素子であるが、これもFGやロ
ータ位置検出素子と同様に磁気式であるため、ロ
ータマグネツトの漏れ磁束やステータコイルへ流
す電流からの誘導雑音等の雑音が重畳し易く、検
出信号のS/N比が劣化して検出精度が悪化す
る、また磁界の変化を検出する検出素子としてホ
ール素子を使つた場合、前述したように位置検出
精度が悪い等の欠点を有していた。
ータ位置検出素子と同様に磁気式であるため、ロ
ータマグネツトの漏れ磁束やステータコイルへ流
す電流からの誘導雑音等の雑音が重畳し易く、検
出信号のS/N比が劣化して検出精度が悪化す
る、また磁界の変化を検出する検出素子としてホ
ール素子を使つた場合、前述したように位置検出
精度が悪い等の欠点を有していた。
発明の目的
本発明は従来の磁気式のFG、ロータ位置検出
素子及びPG信号検出素子の問題点を解決し、小
型で高精度な光学式の回転検出装置の提供を目的
としている。
素子及びPG信号検出素子の問題点を解決し、小
型で高精度な光学式の回転検出装置の提供を目的
としている。
発明の構成
本発明は、ロータマグネツトの回転位置を検出
してステータコイルの通電を電子的に切り換える
電子整流子モータの回転軸に取り付けられる回転
板であつて、第1の円環部にピツチP1で全周に
渡り配された第1のスリツトと、前記第1の円環
と異なる半径上の第2の円環部に前記ロータマグ
ネツトの着磁ピツチと同ピツチP2で配された第
2のスリツトと、前記第1及び第2の円環と異な
る半径上の第3の円環部に配された1回転一つの
第3のスリツトを有するとともに、前記ロータマ
グネツトの着磁パターンと前記第2のスリツトパ
ターンが所定の位相関係になるように前記回転軸
に取り付けられた回転板と、前記回転板の面上に
対向する一端に前記回転板の第1のスリツト,第
2のスリツトおよび第3スリツトのすべてに光が
照射するように配した光源と、前記回転板の面上
に対向する他端に配した平面状光電変換手段とを
備え、前記平面状光電変換手段は同一基板上に、
前記回転板の第1の円環に対応する第4の円環部
に前記ピツチP1で全周あるいは略全周に渡つて
配された光電変換素子小片を導電性部材で結合し
て成る第1の光電変換素子と、前記第1の光電変
換素子とP1/2のピツチで分離されピツチP1で
全周あるいは略全周に渡つて配された光電変換素
子小片を導電性部材で結合して成る第2の光電変
換素子と、前記回転板の第2の円環に対応する第
5の円環部に、前記ステータコイルの取り付け位
置と所定の位相関係になる複数位置に配され、前
記電子整流子モータのコイル通電切り換え制御を
行うためのロータマグネツト回転位置検出信号を
出力する第3の光電変換素子群と、前記回転板の
第3の円環に対応する第6の円環部に、前記ロー
タマグネツトの1回転当り1パルスの回転情報信
号を出力する第4の光電変換素子群から成り、前
記第1の光電変換素子から出力される回転検出信
号と前記第2の光電変換素子から出力される回転
検出信号は差動増幅回路に入力され、該差動増幅
回路の出力信号は前記電子整流子モータの速度制
御に用いられるよう構成された光学式回転検出装
置である。
してステータコイルの通電を電子的に切り換える
電子整流子モータの回転軸に取り付けられる回転
板であつて、第1の円環部にピツチP1で全周に
渡り配された第1のスリツトと、前記第1の円環
と異なる半径上の第2の円環部に前記ロータマグ
ネツトの着磁ピツチと同ピツチP2で配された第
2のスリツトと、前記第1及び第2の円環と異な
る半径上の第3の円環部に配された1回転一つの
第3のスリツトを有するとともに、前記ロータマ
グネツトの着磁パターンと前記第2のスリツトパ
ターンが所定の位相関係になるように前記回転軸
に取り付けられた回転板と、前記回転板の面上に
対向する一端に前記回転板の第1のスリツト,第
2のスリツトおよび第3スリツトのすべてに光が
照射するように配した光源と、前記回転板の面上
に対向する他端に配した平面状光電変換手段とを
備え、前記平面状光電変換手段は同一基板上に、
前記回転板の第1の円環に対応する第4の円環部
に前記ピツチP1で全周あるいは略全周に渡つて
配された光電変換素子小片を導電性部材で結合し
て成る第1の光電変換素子と、前記第1の光電変
換素子とP1/2のピツチで分離されピツチP1で
全周あるいは略全周に渡つて配された光電変換素
子小片を導電性部材で結合して成る第2の光電変
換素子と、前記回転板の第2の円環に対応する第
5の円環部に、前記ステータコイルの取り付け位
置と所定の位相関係になる複数位置に配され、前
記電子整流子モータのコイル通電切り換え制御を
行うためのロータマグネツト回転位置検出信号を
出力する第3の光電変換素子群と、前記回転板の
第3の円環に対応する第6の円環部に、前記ロー
タマグネツトの1回転当り1パルスの回転情報信
号を出力する第4の光電変換素子群から成り、前
記第1の光電変換素子から出力される回転検出信
号と前記第2の光電変換素子から出力される回転
検出信号は差動増幅回路に入力され、該差動増幅
回路の出力信号は前記電子整流子モータの速度制
御に用いられるよう構成された光学式回転検出装
置である。
実施例の説明
本発明の光学式回転検出装置に基づいて構成さ
れる直流ブラシレスモータに適用した一実施例を
第5図〜第17図に基づいて説明する。
れる直流ブラシレスモータに適用した一実施例を
第5図〜第17図に基づいて説明する。
第5図は、本発明による光学式回転検出装置を
適用した直流ブラシレスモータの一実施例の縦断
面を示すもので、第1図同様、1は回転軸、2は
ベアリング、3はベアリング2の支持部材、4は
ロータマグネツト、5はロータヨーク、6はステ
ータコイル基板である。ロータマグネツト4は、
第2図と同様に永久磁石を6極着磁したものが用
いられている。又、ステータコイル基板6も第3
図同様にコイルブロツクC1,C2,C3,C4が取り
付けられ、コイルブロツクC1とC2を直列接続し
た第1のステータコイルおよびコイルブロツク
C3とC4を直列接続した第2のステータコイルが
形成されるが、第3図に示したものと異なる点は
ホール素子が取り付けられていないことである。
適用した直流ブラシレスモータの一実施例の縦断
面を示すもので、第1図同様、1は回転軸、2は
ベアリング、3はベアリング2の支持部材、4は
ロータマグネツト、5はロータヨーク、6はステ
ータコイル基板である。ロータマグネツト4は、
第2図と同様に永久磁石を6極着磁したものが用
いられている。又、ステータコイル基板6も第3
図同様にコイルブロツクC1,C2,C3,C4が取り
付けられ、コイルブロツクC1とC2を直列接続し
た第1のステータコイルおよびコイルブロツク
C3とC4を直列接続した第2のステータコイルが
形成されるが、第3図に示したものと異なる点は
ホール素子が取り付けられていないことである。
第5図において、ここまでの構成は、ホール素
子がステータコイル基板に取り付けられていない
点を除けば第1図と同じである。
子がステータコイル基板に取り付けられていない
点を除けば第1図と同じである。
さて、第5図においてステータコイル基板6の
下部には、本発明の一実施例による光学式回転検
出装置が取り付けられている。
下部には、本発明の一実施例による光学式回転検
出装置が取り付けられている。
この光学式回転検出装置は、平面光源15・回
転板16・平面状光電変換手段17により構成さ
れる。平面光源15はステータコイル基板6に固
定され、平面状光電変換手段17は支持部材18
により固定されており、回転板16は回転軸1に
結合され共に回転する。
転板16・平面状光電変換手段17により構成さ
れる。平面光源15はステータコイル基板6に固
定され、平面状光電変換手段17は支持部材18
により固定されており、回転板16は回転軸1に
結合され共に回転する。
回転板16には光学的手段により全周対向型
FGを実現するため第6図及び第8図(第8図は
第6図の一部拡大図)に示したように、半径r1の
円と半径r2の円で囲まれた第1の円環部にスリツ
トピツチP1で設けられたn個の小さなスリツト
19aによつて構成される第1のスリツト19が
設けられ、光学的手段によりロータ回転位置検出
を行なうため、半径r3と円と半径r4の円で囲まれ
た第2の円環部に第2のスリツト20a,20
b,20cが設けられ、光学的手段によりPG信
号を検出するため、半径r5と円と半径r6の円で囲
まれた第3の円環部に第3のスリツト21が設け
られている。第2のスリツト20a,20b,2
0cはロータマグネツト4がS極に着磁されてい
る電気角180゜の部分に設けられ、その数は着磁さ
れたS極の数、つまり着磁極数の1/2、第6図の
場合は6極電極であるから3個の第2のスリツト
20a,20b,20cが設けられている。また
第3のスリツト21は機械角で180゜、つまり回転
板16の1/2周に渡るスリツトである。尚、第6
図および第8図においては光はスリツト19a,
20a,20b,20c,21の部分を通過する
ものとする。回転板16は例えばガラス円板に金
属の薄膜を蒸着しこれをフオトエツチングする。
あるいはステンレスの薄い円板にフオトエツチン
グによりスリツトを設けて実現できる。平面状光
電変換手段17は、第7図および第9図に示すよ
うに、半径r1の円と半径r2の円で囲まれた第4の
円環部にFG用光電変換素子22を有し、半径r3
の円と半径r4の円で囲まれた第5の円環部にロー
タ位置検出用の第3の光電変換素子23および第
4の光電変換素子24を有し、半径r5の円と半径
r6の円で囲まれた第6の円環部にPG信号検出用
の第5の光電変換素子25と第6の光電変換素子
26を有している。
FGを実現するため第6図及び第8図(第8図は
第6図の一部拡大図)に示したように、半径r1の
円と半径r2の円で囲まれた第1の円環部にスリツ
トピツチP1で設けられたn個の小さなスリツト
19aによつて構成される第1のスリツト19が
設けられ、光学的手段によりロータ回転位置検出
を行なうため、半径r3と円と半径r4の円で囲まれ
た第2の円環部に第2のスリツト20a,20
b,20cが設けられ、光学的手段によりPG信
号を検出するため、半径r5と円と半径r6の円で囲
まれた第3の円環部に第3のスリツト21が設け
られている。第2のスリツト20a,20b,2
0cはロータマグネツト4がS極に着磁されてい
る電気角180゜の部分に設けられ、その数は着磁さ
れたS極の数、つまり着磁極数の1/2、第6図の
場合は6極電極であるから3個の第2のスリツト
20a,20b,20cが設けられている。また
第3のスリツト21は機械角で180゜、つまり回転
板16の1/2周に渡るスリツトである。尚、第6
図および第8図においては光はスリツト19a,
20a,20b,20c,21の部分を通過する
ものとする。回転板16は例えばガラス円板に金
属の薄膜を蒸着しこれをフオトエツチングする。
あるいはステンレスの薄い円板にフオトエツチン
グによりスリツトを設けて実現できる。平面状光
電変換手段17は、第7図および第9図に示すよ
うに、半径r1の円と半径r2の円で囲まれた第4の
円環部にFG用光電変換素子22を有し、半径r3
の円と半径r4の円で囲まれた第5の円環部にロー
タ位置検出用の第3の光電変換素子23および第
4の光電変換素子24を有し、半径r5の円と半径
r6の円で囲まれた第6の円環部にPG信号検出用
の第5の光電変換素子25と第6の光電変換素子
26を有している。
FG用光電変換素子22は、第1の円環部の全
周に渡りP1のピツチで配された第1の光電変換
素子小片22aを電極A22a′で結合して成る第
1の光電変換素子群と、第1の光電変換素子小片
22aとP1/2のピツチで分離され第1の円環
部の全周に渡りP1のピツチで配された第2の光
電変換素子小片22bを電極B22b′で結合して
成る第2の光電変換素子群から構成される。
周に渡りP1のピツチで配された第1の光電変換
素子小片22aを電極A22a′で結合して成る第
1の光電変換素子群と、第1の光電変換素子小片
22aとP1/2のピツチで分離され第1の円環
部の全周に渡りP1のピツチで配された第2の光
電変換素子小片22bを電極B22b′で結合して
成る第2の光電変換素子群から構成される。
FG用光電変換素子22は光学的手段により全
周対向型FGを実現するためのものであり、第1
の光電変換素子群と第2の光電変換素子群は電気
的に独立しており、照射光量に比例した光起電流
を電極A22a′と電極B22b′から取り出すこと
ができる。
周対向型FGを実現するためのものであり、第1
の光電変換素子群と第2の光電変換素子群は電気
的に独立しており、照射光量に比例した光起電流
を電極A22a′と電極B22b′から取り出すこと
ができる。
第5図において、平面光源15は同図下部に向
かいスリツトの形成されている回転板16の半径
r1からr6の範囲の全周に光を照射している。
かいスリツトの形成されている回転板16の半径
r1からr6の範囲の全周に光を照射している。
このため、平面光源15から出た光15aは回
転板16にて遮蔽される一方、回転板16の第1
のスリツト19aを通じてFG用光電変換素子2
2に投射され、そして回転板16が回転軸1とと
もに回転する為、第10図a,bに示す様に、
FG用光電変換素子22の一方を形成する第2の
光電変換素子小片22bに照射され、他方を形成
する第1の光電変換素子小片22aに照射されな
い第10図aの状態と、第1の光電変換素子小片
22aに照射され第2の光電変換素子小片22b
に照射されない第10図bの状態が回転板16の
第1のスリツト19aの1ピツチP1回転する毎
に交互に発生する。
転板16にて遮蔽される一方、回転板16の第1
のスリツト19aを通じてFG用光電変換素子2
2に投射され、そして回転板16が回転軸1とと
もに回転する為、第10図a,bに示す様に、
FG用光電変換素子22の一方を形成する第2の
光電変換素子小片22bに照射され、他方を形成
する第1の光電変換素子小片22aに照射されな
い第10図aの状態と、第1の光電変換素子小片
22aに照射され第2の光電変換素子小片22b
に照射されない第10図bの状態が回転板16の
第1のスリツト19aの1ピツチP1回転する毎
に交互に発生する。
したがつて回転板16が回転すると、第1の光
電変換素子小片22aと第2の光電変換素子小片
22bからは逆相の光起電流が得られ、これを第
12図の27,28の様な演算増幅器A1,A2お
よび抵抗R1,R2で構成される光起電流−電圧変
換回路に通し、第11図に示す様な第1の光電変
換素子小片22aを照射光量に比例した電圧Va
と第2の光電変換素子小片22bの照射光量に比
例した電圧Vbを得る。なお第12図に示す光起
電流−電圧変換回路では、光電変換素子に光が照
射され光起電流が発生すると、これに比例した負
電圧を発生する。電圧VaとVbは互いに逆相の電
圧で直流値がVa0およびVb0、信号成分の電圧が
Vap-pおよびVbp-pとなる。
電変換素子小片22aと第2の光電変換素子小片
22bからは逆相の光起電流が得られ、これを第
12図の27,28の様な演算増幅器A1,A2お
よび抵抗R1,R2で構成される光起電流−電圧変
換回路に通し、第11図に示す様な第1の光電変
換素子小片22aを照射光量に比例した電圧Va
と第2の光電変換素子小片22bの照射光量に比
例した電圧Vbを得る。なお第12図に示す光起
電流−電圧変換回路では、光電変換素子に光が照
射され光起電流が発生すると、これに比例した負
電圧を発生する。電圧VaとVbは互いに逆相の電
圧で直流値がVa0およびVb0、信号成分の電圧が
Vap-pおよびVbp-pとなる。
この電圧VaとVbを、演算増幅器A3、抵抗R3,
R4,R3′,R4′(R3:R4=R3′:R4′)で構成される
利得K0(K0=R4/R3)の差動増幅回路29に加
え両者の差を取ることにより、第11図に示す様
な直流値V00が相殺され V00=K0(Va0−Vb0) となり減少し、一方、信号成分の電圧V0p-pは V0p-p=K0(Vap-p+Vbp-p) となり増大する出力信号V0を得る。
R4,R3′,R4′(R3:R4=R3′:R4′)で構成される
利得K0(K0=R4/R3)の差動増幅回路29に加
え両者の差を取ることにより、第11図に示す様
な直流値V00が相殺され V00=K0(Va0−Vb0) となり減少し、一方、信号成分の電圧V0p-pは V0p-p=K0(Vap-p+Vbp-p) となり増大する出力信号V0を得る。
この出力信号V0は速度検出信号、あるいは位
相検出信号等の回転情報検出信号として使用さ
れ、前記電圧Va,Vbに重畳した同相雑音が両者
の差をとることにより相殺されて減少し且つ信号
は増大するため、S/N比の高い信号を得ること
ができる。
相検出信号等の回転情報検出信号として使用さ
れ、前記電圧Va,Vbに重畳した同相雑音が両者
の差をとることにより相殺されて減少し且つ信号
は増大するため、S/N比の高い信号を得ること
ができる。
ここで、第7図において、コイルブロツクC1
〜C4が破線で示してあるが、これらのコイルブ
ロツクC1,C2,C3,C4は平面状光電変換手段1
7上に設けられるものではなく、ステータコイル
基板6上に設けられるもので、同図に破線で描き
示したのは、第3の光電変換素子23および第4
の光電変換素子24との位置関係を示すためであ
る。
〜C4が破線で示してあるが、これらのコイルブ
ロツクC1,C2,C3,C4は平面状光電変換手段1
7上に設けられるものではなく、ステータコイル
基板6上に設けられるもので、同図に破線で描き
示したのは、第3の光電変換素子23および第4
の光電変換素子24との位置関係を示すためであ
る。
そして、第3の光電変換素子23は第9図に示
す様に、電極23c′に接続された光電変換素子小
片23cから成り、照射光量に比例した光起電流
を電極23c′から取り出すことができる。
す様に、電極23c′に接続された光電変換素子小
片23cから成り、照射光量に比例した光起電流
を電極23c′から取り出すことができる。
このため、平面光源15から照射される光は、
回転板16の第2のスリツト20a,20bもし
くは20cが第3の光電変換素子23の上に位置
した時、第2のスリツト20a,20b,20c
を通じて第3の光電変換素子23に投射され、前
記第2のスリツト20a,20bもしくは20c
が第3の光電変換素子23の上に位置しない時、
光は第3の光電変換素子23に照射されず、前記
回転板16の1回転中において、これら第3の光
電変換素子23へ光が照射される状態と照射され
ない状態が3回くり返される。
回転板16の第2のスリツト20a,20bもし
くは20cが第3の光電変換素子23の上に位置
した時、第2のスリツト20a,20b,20c
を通じて第3の光電変換素子23に投射され、前
記第2のスリツト20a,20bもしくは20c
が第3の光電変換素子23の上に位置しない時、
光は第3の光電変換素子23に照射されず、前記
回転板16の1回転中において、これら第3の光
電変換素子23へ光が照射される状態と照射され
ない状態が3回くり返される。
又、もう一方の第4の光電変換素子24は第3
の光電変換素子23に対して電気角で90゜の奇数
倍(第7図では270゜)離れた位置に有り、回転板
16の回転時、第4の光電変換素子24に照射さ
れる光は、第3の光電変換素子23に照射される
光に対し、電気角で90゜ずれたものとなる。この
ため、第13図に示す様に第3の光電変換素子2
3及び第4の光電変換換素子24から得られる光
起電流を演算増幅器A4,A5および抵抗R5,R6で
構成される前記第12図同様の光起電流−電圧変
換回路に通し、第14図のVp1(第3の光電変換
素子23の光起電流を変換したもの)およびVp2
(第4の光電変換素子24の光起電流を電圧に変
換したもの)に示す様な電気角で90゜の位相差を
有するロータ位置検出信号を得ている。
の光電変換素子23に対して電気角で90゜の奇数
倍(第7図では270゜)離れた位置に有り、回転板
16の回転時、第4の光電変換素子24に照射さ
れる光は、第3の光電変換素子23に照射される
光に対し、電気角で90゜ずれたものとなる。この
ため、第13図に示す様に第3の光電変換素子2
3及び第4の光電変換換素子24から得られる光
起電流を演算増幅器A4,A5および抵抗R5,R6で
構成される前記第12図同様の光起電流−電圧変
換回路に通し、第14図のVp1(第3の光電変換
素子23の光起電流を変換したもの)およびVp2
(第4の光電変換素子24の光起電流を電圧に変
換したもの)に示す様な電気角で90゜の位相差を
有するロータ位置検出信号を得ている。
さて、第7図においてC1a,C1b,C2a,C2b,
C3a,C3b,C4a,C4bはそれぞれ導体からなるコイ
ルブロツクC1,C2,C3,C4中の半径方向に位置
する導体を示すものでありモータのトルク発生に
寄与するのはこの半径方向に位置する導体C1a,
C1b,C2a,C2b,C3a,C3b,C4a,C4bに流れる電
流であり、上記第3の光電変換素子23及び第4
の光電変換素子24は電気角でそれぞれ90゜の奇
数倍ずれた位置にあり、又それぞれ導体C3a,C2a
から電気角で45゜遅れた位置に有る。
C3a,C3b,C4a,C4bはそれぞれ導体からなるコイ
ルブロツクC1,C2,C3,C4中の半径方向に位置
する導体を示すものでありモータのトルク発生に
寄与するのはこの半径方向に位置する導体C1a,
C1b,C2a,C2b,C3a,C3b,C4a,C4bに流れる電
流であり、上記第3の光電変換素子23及び第4
の光電変換素子24は電気角でそれぞれ90゜の奇
数倍ずれた位置にあり、又それぞれ導体C3a,C2a
から電気角で45゜遅れた位置に有る。
この第3の光電変換素子23及び第4の光電変
換素子24は前記従来例のホール素子同様、モー
タが有効にトルクを発生するようステータコイル
とロータマグネツト4の位置関係を検出してコイ
ルブロツクC1,C2,C3,C4の半径方向に位置す
る導体C1a,C1b,C2a,C2b,C3a,C3b,C4a,C4b
と交わるロータマグネツト4の磁束が最大の点で
コイルブロツクC1,C2,C3,C4への通電を行う
電子整流子作用を行うために設けられるもので、
前記第1のステータコイルを形成するコイルブロ
ツクC1,C2の半径方向に位置する導体C1a,C1b,
C2a,C2bと鎖交する磁束をφ1、前記第2のステー
タコイルを形成するコイルブロツクC3,C4の半
径方向に位置する導体C3a,C3b,C4a,C4bと鎖交
する磁束をφ2とし、第6図および第7図に示す
ロータマグネツト4のステータコイルに対する位
置関係をO゜とし、ロータマグネツト4の回転角θR
(θRは電気角で時計方向の角度)に対する前記鎖
交磁束φ1,φ2を示すと、第14図のφ1,φ2の様
な回転角度θRに対応した交流磁界になる。
換素子24は前記従来例のホール素子同様、モー
タが有効にトルクを発生するようステータコイル
とロータマグネツト4の位置関係を検出してコイ
ルブロツクC1,C2,C3,C4の半径方向に位置す
る導体C1a,C1b,C2a,C2b,C3a,C3b,C4a,C4b
と交わるロータマグネツト4の磁束が最大の点で
コイルブロツクC1,C2,C3,C4への通電を行う
電子整流子作用を行うために設けられるもので、
前記第1のステータコイルを形成するコイルブロ
ツクC1,C2の半径方向に位置する導体C1a,C1b,
C2a,C2bと鎖交する磁束をφ1、前記第2のステー
タコイルを形成するコイルブロツクC3,C4の半
径方向に位置する導体C3a,C3b,C4a,C4bと鎖交
する磁束をφ2とし、第6図および第7図に示す
ロータマグネツト4のステータコイルに対する位
置関係をO゜とし、ロータマグネツト4の回転角θR
(θRは電気角で時計方向の角度)に対する前記鎖
交磁束φ1,φ2を示すと、第14図のφ1,φ2の様
な回転角度θRに対応した交流磁界になる。
つまり、第1のステータコイルにおいては、θR
=O゜で導体C1a,C1b,C2a,C2bがロータマグネツ
ト4のS極とN極の境界付近にありφ1は零とな
り、θRの増加とともにφも増加しθR=90゜で導体
C1a,C1b,C2a,C2bがロータマグネツト4のS極
およびN極の磁極の中心付近に位置しφは最大と
なり、θR=180゜では再び上記導体C1a,C1b,C2a,
C2bがロータマグネツト4のS極とN極の境界付
近に位置し再び零となり、θR>180゜では導体C1a,
C1b,C2a,C2bと交わる磁束がO゜<θR<180゜とは
逆向きになり、これを負の方向とすれば、θR=
270゜でθR=90゜とは逆極性ながら導体C1a,C1b,
C2a,C2bがロータマグネツト4のS極とN極の磁
極の中心付近に位置してφ1は負の最大値となり、
例えばロータマグネツト4が正弦波状に着磁され
たものでは第14図のφ1に示す様にθR=O゜〜360゜
を1周期とする正弦波状の変化を示す。
=O゜で導体C1a,C1b,C2a,C2bがロータマグネツ
ト4のS極とN極の境界付近にありφ1は零とな
り、θRの増加とともにφも増加しθR=90゜で導体
C1a,C1b,C2a,C2bがロータマグネツト4のS極
およびN極の磁極の中心付近に位置しφは最大と
なり、θR=180゜では再び上記導体C1a,C1b,C2a,
C2bがロータマグネツト4のS極とN極の境界付
近に位置し再び零となり、θR>180゜では導体C1a,
C1b,C2a,C2bと交わる磁束がO゜<θR<180゜とは
逆向きになり、これを負の方向とすれば、θR=
270゜でθR=90゜とは逆極性ながら導体C1a,C1b,
C2a,C2bがロータマグネツト4のS極とN極の磁
極の中心付近に位置してφ1は負の最大値となり、
例えばロータマグネツト4が正弦波状に着磁され
たものでは第14図のφ1に示す様にθR=O゜〜360゜
を1周期とする正弦波状の変化を示す。
同様に、第2のステータコイルにおいても、こ
れらを構成するコイルブロツクC3,C4が第1の
ステータコイルに対し電気角で90゜ずれた位置に
配置されているため、φ2もφ1に対し90゜ずれた第
14図φ2に示す様な波形となる。
れらを構成するコイルブロツクC3,C4が第1の
ステータコイルに対し電気角で90゜ずれた位置に
配置されているため、φ2もφ1に対し90゜ずれた第
14図φ2に示す様な波形となる。
さて第3の光電変換素子23及び第4の光電変
換素子24はステータコイルに対し電気角で45゜
ずれた位置に設けてあり、第13図に示す様な、
演算増幅器A4,A5および抵抗R5,R6で構成され
る第12図同様の光起電流−電圧変換回路により
電圧に変換すれば、その出力電圧Vp1およびVp2
は第14図のVp1,Vp2に示す様にφ1,φ2に対し
それぞれ45゜ずれた波形となる。
換素子24はステータコイルに対し電気角で45゜
ずれた位置に設けてあり、第13図に示す様な、
演算増幅器A4,A5および抵抗R5,R6で構成され
る第12図同様の光起電流−電圧変換回路により
電圧に変換すれば、その出力電圧Vp1およびVp2
は第14図のVp1,Vp2に示す様にφ1,φ2に対し
それぞれ45゜ずれた波形となる。
この電圧Vp1およびVp2を波形整形回路に通し
Vp1を整形した信号V1およびVp2を整形した信号
V2を得、このV1,V2を論理回路に通し、この論
理回路の出力信号により第1のステータコイルへ
通電する電流I1および第2のステータコイルへ通
電する電流I2を制御し、第14図に示すようにφ1
が正の最大値となるθR=45゜〜135゜の90゜区間(V1
が“1”でV2が“O”の区間)においてI1を正方
向に流し、φ2が正の最大値となるθR=135゜〜225゜
の90゜区間(V1が“1”がV2が“1”の区間)に
おいてI2を正方向に流し、φ1が負の最大値となる
θR=225゜〜315゜区間(V1が“O”でV2が“1”の
区間)においてI1を逆方向に流し、φ2が負の最大
値となるθR=315゜(又は−45゜)〜45゜の90゜区間
(V1が“O”がV2が“O”の区間)においてI2を
逆方向に流し、通電による電流がトルク発生に有
効に寄与するための通電制御つまり電子整流子作
用を行なつている。
Vp1を整形した信号V1およびVp2を整形した信号
V2を得、このV1,V2を論理回路に通し、この論
理回路の出力信号により第1のステータコイルへ
通電する電流I1および第2のステータコイルへ通
電する電流I2を制御し、第14図に示すようにφ1
が正の最大値となるθR=45゜〜135゜の90゜区間(V1
が“1”でV2が“O”の区間)においてI1を正方
向に流し、φ2が正の最大値となるθR=135゜〜225゜
の90゜区間(V1が“1”がV2が“1”の区間)に
おいてI2を正方向に流し、φ1が負の最大値となる
θR=225゜〜315゜区間(V1が“O”でV2が“1”の
区間)においてI1を逆方向に流し、φ2が負の最大
値となるθR=315゜(又は−45゜)〜45゜の90゜区間
(V1が“O”がV2が“O”の区間)においてI2を
逆方向に流し、通電による電流がトルク発生に有
効に寄与するための通電制御つまり電子整流子作
用を行なつている。
最後に光学的手段によりPG信号を検出するた
めの第5の光電変換素子25及び第6の光電変換
素子26は、第7図および第9図に示すように、
平面状光電変換手段17の半径r5の円と半径r6の
円に囲まれた第6の円環部に機械角で180゜の間隔
で配置されている。
めの第5の光電変換素子25及び第6の光電変換
素子26は、第7図および第9図に示すように、
平面状光電変換手段17の半径r5の円と半径r6の
円に囲まれた第6の円環部に機械角で180゜の間隔
で配置されている。
平面光源15から照射される光は、回転板16
の第3のスリツト21が第5の光電変換素子25
の上に位置した時、第3のスリツト21を通じて
第5の光電変換素子25に投射され、前記第3の
スリツト21が第5の光電変換素子25の上に位
置しない時、光は第5の光電変換素子25に照射
されず、前記回転板16の1回転中において、第
5の光電変換素子25に光が照射される状態と照
射されない状態がそれぞれ1回ずつある。
の第3のスリツト21が第5の光電変換素子25
の上に位置した時、第3のスリツト21を通じて
第5の光電変換素子25に投射され、前記第3の
スリツト21が第5の光電変換素子25の上に位
置しない時、光は第5の光電変換素子25に照射
されず、前記回転板16の1回転中において、第
5の光電変換素子25に光が照射される状態と照
射されない状態がそれぞれ1回ずつある。
又、もう一方の第6の光電変換素子26は第5
の光電変換素子25に対して機械角で180゜離れた
位置に有り、回転板16の回転時、第6の光電変
換素子26に照射される光は、第5の光電変換素
子25に照射される光に対し、機械角で180゜ずれ
たものとなる。したがつて回転板16が回転する
と、第5の光電変換素子25と第6の光電変換素
子26からは逆相の光起電流が得られ、これを第
15図の30,31の様な演算増幅器A6,A7お
よび抵抗R7,R8で構成される光起電流−電圧変
換回路に通し、第16図に示す様な第5の光電変
換素子25の照射光量に比例した電圧Vcと第6
の光電変換素子26の照射光量に比例した電圧
Vdを得る。なお第15図に示す光起電流−電圧
変換回路では、光電変換素子小片に光が照射され
光起電流が発生すると、これに比例した負電圧を
発生する。第16図におけるθPGは回転板16の
時計方向を正とした場合の回転角(機械角)を示
し、第6図および第7図における回転板16と平
面状光電変換素子17の位置関係をθPG=O゜とし
ている。
の光電変換素子25に対して機械角で180゜離れた
位置に有り、回転板16の回転時、第6の光電変
換素子26に照射される光は、第5の光電変換素
子25に照射される光に対し、機械角で180゜ずれ
たものとなる。したがつて回転板16が回転する
と、第5の光電変換素子25と第6の光電変換素
子26からは逆相の光起電流が得られ、これを第
15図の30,31の様な演算増幅器A6,A7お
よび抵抗R7,R8で構成される光起電流−電圧変
換回路に通し、第16図に示す様な第5の光電変
換素子25の照射光量に比例した電圧Vcと第6
の光電変換素子26の照射光量に比例した電圧
Vdを得る。なお第15図に示す光起電流−電圧
変換回路では、光電変換素子小片に光が照射され
光起電流が発生すると、これに比例した負電圧を
発生する。第16図におけるθPGは回転板16の
時計方向を正とした場合の回転角(機械角)を示
し、第6図および第7図における回転板16と平
面状光電変換素子17の位置関係をθPG=O゜とし
ている。
電圧VcとVdは互いに逆相の電圧で直流値がVc0
およびVd0、信号成分の電圧がVcp-pおよびVdp-p
となる。この電圧VcとVdを、演算増幅器A8,抵
抗R9,R10,R9′,R10′(R9:R10=R9′:R10′)で
構成される利得k1(k1=R10/R9)の差動脱幅回
路32に加え両者の差を取ることにより、第16
図に示す様な直流値が相殺され減少し、一方信号
成分の電圧VpGp-pは VpGp-p=k1(Vcp-p+Vdp-p) となり増大する出力信号VPGを得る。
およびVd0、信号成分の電圧がVcp-pおよびVdp-p
となる。この電圧VcとVdを、演算増幅器A8,抵
抗R9,R10,R9′,R10′(R9:R10=R9′:R10′)で
構成される利得k1(k1=R10/R9)の差動脱幅回
路32に加え両者の差を取ることにより、第16
図に示す様な直流値が相殺され減少し、一方信号
成分の電圧VpGp-pは VpGp-p=k1(Vcp-p+Vdp-p) となり増大する出力信号VPGを得る。
この出力信号VpGは位相検出信号として使用さ
れ、前記電圧Vc,Vdに重畳した同相雑音が両者
の差をとることにより相殺され減少し且つ信号は
増大するため、S/N比の高い高精度なPG信号
を得ることができる。
れ、前記電圧Vc,Vdに重畳した同相雑音が両者
の差をとることにより相殺され減少し且つ信号は
増大するため、S/N比の高い高精度なPG信号
を得ることができる。
さて、薄形平面状の光電変換素子は半導体光電
変換素子により実現でき、これらの光電変換素子
には光の照射により抵抗値の変化する光導電効果
を利用したものと、光の照射により起電力を発生
し光起電流を得ることのできる光起電効果を利用
したものに分けられる。
変換素子により実現でき、これらの光電変換素子
には光の照射により抵抗値の変化する光導電効果
を利用したものと、光の照射により起電力を発生
し光起電流を得ることのできる光起電効果を利用
したものに分けられる。
本発明の如き光学式回転検出装置においては、
一般に消費電力の小さく且つ小型のものが望まし
く、このため光源も発光ダイオードの如き微弱光
の光源が用いられる。
一般に消費電力の小さく且つ小型のものが望まし
く、このため光源も発光ダイオードの如き微弱光
の光源が用いられる。
そのため、光導電効果によるものの様に微弱光
照射時に得られる電流に対する暗電流の割合の大
きなものより、光起電効果により光電変換素子を
前記第12図に示した様な光起電流−電圧変換回
路によつて取り出す方が望ましい。
照射時に得られる電流に対する暗電流の割合の大
きなものより、光起電効果により光電変換素子を
前記第12図に示した様な光起電流−電圧変換回
路によつて取り出す方が望ましい。
この光起電流−電圧変換回路を用いれば、光電
変換素子の両端の電圧は略零ボルトとなるため短
絡状態に近くなるため、暗電流の発生が抑えられ
微弱光でも安定した検出信号が得られる。
変換素子の両端の電圧は略零ボルトとなるため短
絡状態に近くなるため、暗電流の発生が抑えられ
微弱光でも安定した検出信号が得られる。
さて、光起電効果を有する薄形平面状の光電変
換素子を実現する手段として、フオトダイオード
と呼ばれる単結晶シリコン光電変換素子、あるい
はセレン光電変換素子、アモルフアスシリコン光
電変換素子(以下、a−Si光電変換素子と称す)
等様々な光電変換素子が考えられるが、本発明に
用いる光電変換素子に要求される性質として、 大面積の光電変換素子が安価に提供できる
事。
換素子を実現する手段として、フオトダイオード
と呼ばれる単結晶シリコン光電変換素子、あるい
はセレン光電変換素子、アモルフアスシリコン光
電変換素子(以下、a−Si光電変換素子と称す)
等様々な光電変換素子が考えられるが、本発明に
用いる光電変換素子に要求される性質として、 大面積の光電変換素子が安価に提供できる
事。
微細加工が可能で、同一基板上に多数の独立
した素子を形成でき、又、これらの素子の結合
および分離が容易に行える事。
した素子を形成でき、又、これらの素子の結合
および分離が容易に行える事。
高感度である事。
応答性が速い事。
使用温度範囲が広い事。
素子のバラツキが小さい事。
等が上られる。
まず、前記単結晶シリコン光電変換素子である
が、これは上記〜条件はほぼ満たし得るが、
大面積化した場合高価になる。
が、これは上記〜条件はほぼ満たし得るが、
大面積化した場合高価になる。
又、セレン光電変換素子やその他CdS光電変換
素子等は、大面積でも低価格を実現し得るが、反
面フオトエツチング等による微細加工が行い難
く、第9図に示した光電変換素子小片22aおよ
び22bは例えば幅100μm程度で分離帯の幅は
10〜数10μm程度とすると、これらの光電変換素
子では実現が難しい。又、セレン光電変換素子等
は、後述するa−Si光電変換素子に比べ感度も低
く、応答性も1桁近く遅く、素子間のバルツキも
非常に大きく本発明の光電変換素子としては特殊
な場合を除き適切でない。
素子等は、大面積でも低価格を実現し得るが、反
面フオトエツチング等による微細加工が行い難
く、第9図に示した光電変換素子小片22aおよ
び22bは例えば幅100μm程度で分離帯の幅は
10〜数10μm程度とすると、これらの光電変換素
子では実現が難しい。又、セレン光電変換素子等
は、後述するa−Si光電変換素子に比べ感度も低
く、応答性も1桁近く遅く、素子間のバルツキも
非常に大きく本発明の光電変換素子としては特殊
な場合を除き適切でない。
一方、a−Si光電変換素子は、大面積の薄形平
面の光電変換素子を安価に提供でき、後述する透
明電極のフオトエツチング等による除去により、
独立した光電変換素子を同一基板上に多数形成す
る微細加工が可能なため第9図の様な光電変換素
子を提供し得る。
面の光電変換素子を安価に提供でき、後述する透
明電極のフオトエツチング等による除去により、
独立した光電変換素子を同一基板上に多数形成す
る微細加工が可能なため第9図の様な光電変換素
子を提供し得る。
又、感度も高く、光源が発光ダイオードで構成
される様な微弱光であつても充分な出力信号を得
ることが可能であり、応答性も数10KHz程度まで
応答し得るため、本発明の要求する応答性を充分
満し得るものである。
される様な微弱光であつても充分な出力信号を得
ることが可能であり、応答性も数10KHz程度まで
応答し得るため、本発明の要求する応答性を充分
満し得るものである。
更に、使用温度範囲も広く、80℃以上〜−60℃
以下の広い範囲で上記した感度および応答性の変
化が小さく必要な性能を維持できる。
以下の広い範囲で上記した感度および応答性の変
化が小さく必要な性能を維持できる。
そして、同一基板上に形成されるものはいうま
でもなく、異なる基板上に形成されたものについ
ても素子間のバラツキは小さくなり、量産性にお
いて優れている。
でもなく、異なる基板上に形成されたものについ
ても素子間のバラツキは小さくなり、量産性にお
いて優れている。
以上の説明から明らかなように本発明の光学的
回転検出装置に適用する平面状光電変換素子とし
ては、a−Si光電変換素子が最適である。
回転検出装置に適用する平面状光電変換素子とし
ては、a−Si光電変換素子が最適である。
さて、a−Si光電変換素子について一例をあげ
て簡単な説明を行う。
て簡単な説明を行う。
第17図は、本発明に適用し得るa−Si光電変
換素子の一例を示したもので、同図aは例えば第
9図に示すFG用光電変換素子22を形成する部
分の破断拡大図である。
換素子の一例を示したもので、同図aは例えば第
9図に示すFG用光電変換素子22を形成する部
分の破断拡大図である。
又、同図bは上記FG用光電変換素子22の平
面図(第17図aの矢印A方向から見た図)、同
図cは、同図b中に一点鎖線で示した線分O−
O′で破断した場合の縦断面図を示す。
面図(第17図aの矢印A方向から見た図)、同
図cは、同図b中に一点鎖線で示した線分O−
O′で破断した場合の縦断面図を示す。
第17図aにおいてステンレス基板等で作られ
基台を兼ねる下側電極33上にPiN接合を有する
アモルフアスシリコン薄膜34(以下、a−Si膜
と称す)が形成され、このa−Si膜34上に斜線
で示したインジウム・チン・オキサイド35(以
下、ITOと称す)と呼ばれる透明電極を付着して
いる。
基台を兼ねる下側電極33上にPiN接合を有する
アモルフアスシリコン薄膜34(以下、a−Si膜
と称す)が形成され、このa−Si膜34上に斜線
で示したインジウム・チン・オキサイド35(以
下、ITOと称す)と呼ばれる透明電極を付着して
いる。
このa−Si膜34は第17図b,cに示す様
に、下側電極33とITO35の間にPiN接合を形
成するが、ITO35の付着した部分のみが光電変
換特性を有し光電変換素子として働く。付着して
いない部分は光電変換素子としての作用を成さな
いばかりか、a−Si膜34の有する抵抗率が大で
あり且つ膜の厚さが数1000Åと薄く、且つITOの
付着していない部分の幅を数μm〜数十μm程度
とした場合、膜の厚さより充分長いため電気的な
絶縁体として働き、第17図a,b,cの如く
ITO35を分離した島状に付着させた場合、下側
電極33を共通電極として独立した光電変換素子
小片22aおよび光電変換素子小片22bを形成
できる。
に、下側電極33とITO35の間にPiN接合を形
成するが、ITO35の付着した部分のみが光電変
換特性を有し光電変換素子として働く。付着して
いない部分は光電変換素子としての作用を成さな
いばかりか、a−Si膜34の有する抵抗率が大で
あり且つ膜の厚さが数1000Åと薄く、且つITOの
付着していない部分の幅を数μm〜数十μm程度
とした場合、膜の厚さより充分長いため電気的な
絶縁体として働き、第17図a,b,cの如く
ITO35を分離した島状に付着させた場合、下側
電極33を共通電極として独立した光電変換素子
小片22aおよび光電変換素子小片22bを形成
できる。
ITO35を分離した島状に付着させる方法とし
て例えばa−Si膜34の全面にITO35を塗布し
た後、分離帯を形成したい部分の不必要なITO3
5をフオトエツチングにより除去することにより
実現可能であり、これら分離して形成したITO3
5の不着部分が独立した光電変換素子として働く
ばかりでなく、第17図a,bあるいは第9図に
示す様に、これらをアルミニウム等により作られ
る電極A22a′および電極B22b′に結合するこ
とも可能であり、第9図に示したように微細加工
を必要とする光電変換素子も容易に実現できる。
て例えばa−Si膜34の全面にITO35を塗布し
た後、分離帯を形成したい部分の不必要なITO3
5をフオトエツチングにより除去することにより
実現可能であり、これら分離して形成したITO3
5の不着部分が独立した光電変換素子として働く
ばかりでなく、第17図a,bあるいは第9図に
示す様に、これらをアルミニウム等により作られ
る電極A22a′および電極B22b′に結合するこ
とも可能であり、第9図に示したように微細加工
を必要とする光電変換素子も容易に実現できる。
尚、第17図a,b,cに示した様な光電変換
素子では第17図dに示すように下側電極33が
カソードの共通電極となり、電極A22a′および
電極B22b′が互いに分離されたアノードとな
る。
素子では第17図dに示すように下側電極33が
カソードの共通電極となり、電極A22a′および
電極B22b′が互いに分離されたアノードとな
る。
又、以上説明したようなa−Si光電変換素子は
通常5700Å近傍にピーク波長感度を有するため使
用する光源も5700Å近傍の光源を用いる方が好ま
しい。5700Å近傍の発光波長を有する光源として
は例えばオレンジ色の発光ダイオード(発光波長
路6300Å)又は緑色の発光ダイオード(発光波長
路5650Å)等の可視光の発光ダイオードにより実
現できる。
通常5700Å近傍にピーク波長感度を有するため使
用する光源も5700Å近傍の光源を用いる方が好ま
しい。5700Å近傍の発光波長を有する光源として
は例えばオレンジ色の発光ダイオード(発光波長
路6300Å)又は緑色の発光ダイオード(発光波長
路5650Å)等の可視光の発光ダイオードにより実
現できる。
以上、本発明による光学式回転検出装置の一実
施例について述べたが、本発明は光学的手段によ
り全周もしくは略全周に渡つて第1の円環部に面
対向型のFGを形成し、これと異なる第2の円環
部に電子整流作用を成らしめるためのロータ回転
位置検出手段を形成し、前記第1の円環部および
第2の円環部と異なる第3の円環部に1回転あた
り1パルスのPG信号の検出手段を形成したもの
であり、第5図に示した様な直流ブラシレスモー
タに限らず、FG,PGとロータ回転位置検出手段
の必要なものであれば、モータの種類、駆動方式
等に関係なく適用可能である。
施例について述べたが、本発明は光学的手段によ
り全周もしくは略全周に渡つて第1の円環部に面
対向型のFGを形成し、これと異なる第2の円環
部に電子整流作用を成らしめるためのロータ回転
位置検出手段を形成し、前記第1の円環部および
第2の円環部と異なる第3の円環部に1回転あた
り1パルスのPG信号の検出手段を形成したもの
であり、第5図に示した様な直流ブラシレスモー
タに限らず、FG,PGとロータ回転位置検出手段
の必要なものであれば、モータの種類、駆動方式
等に関係なく適用可能である。
また、本実施例では第1のステータコイルへ通
電する電流I1および第2のステータコイルへ通電
する電流I2の各々の波形を矩形状にする例につい
て述べたが、本発明の場合、回転板16の第2の
スリツト20a,20b,20cの形状もしくは
第3,第4の光電変換素子23,24の形状、あ
るいは両者の形状を変えることにより任意の検出
波形を得ることが可能であり、例えばステータコ
イルの構成が2相の直流ブラシレスモータにおい
てロータマグネツトを正弦波状に着磁し、第1の
ステータコイルの正弦波(Sin波)状の電流を流
し、これと電気角で90゜ずれた位置にある第2の
ステータコイルにこれと90゜の位相差を有する余
弦波(Cos波)状の電流を流しトルクリツプルの
抑制を図る駆動方式等も提案されているが、本発
明は任意の形状の検出波形を得やすいため、これ
らの駆動方式にも適用可能であり、効果を発揮す
る。
電する電流I1および第2のステータコイルへ通電
する電流I2の各々の波形を矩形状にする例につい
て述べたが、本発明の場合、回転板16の第2の
スリツト20a,20b,20cの形状もしくは
第3,第4の光電変換素子23,24の形状、あ
るいは両者の形状を変えることにより任意の検出
波形を得ることが可能であり、例えばステータコ
イルの構成が2相の直流ブラシレスモータにおい
てロータマグネツトを正弦波状に着磁し、第1の
ステータコイルの正弦波(Sin波)状の電流を流
し、これと電気角で90゜ずれた位置にある第2の
ステータコイルにこれと90゜の位相差を有する余
弦波(Cos波)状の電流を流しトルクリツプルの
抑制を図る駆動方式等も提案されているが、本発
明は任意の形状の検出波形を得やすいため、これ
らの駆動方式にも適用可能であり、効果を発揮す
る。
そして、前記実施例においては、第1の光電変
換素子を全周に渡つて設ける例を示したが、全周
に渡つて設けなくても略全周に渡つて設ければ、
全周に渡つて設けた場合と同様の検出精度を得る
ことができ、且つ、第1の光電変換素子を形成し
ていない部分から電極の線等が取り出せて実装上
有利となる。又は、第1の光電変換素子を形成し
ていない部分に別の目的で用いる第7の光電変換
素子(例えば前記第1の光電変換素子22に対し
90゜の位相差を有し、回転方向の判別に用いるも
の)を形成しても良い。
換素子を全周に渡つて設ける例を示したが、全周
に渡つて設けなくても略全周に渡つて設ければ、
全周に渡つて設けた場合と同様の検出精度を得る
ことができ、且つ、第1の光電変換素子を形成し
ていない部分から電極の線等が取り出せて実装上
有利となる。又は、第1の光電変換素子を形成し
ていない部分に別の目的で用いる第7の光電変換
素子(例えば前記第1の光電変換素子22に対し
90゜の位相差を有し、回転方向の判別に用いるも
の)を形成しても良い。
又、本発明の平面状光電変換素子として、a−
Si光電変換素子が最適であるが、Se光電変換素
子や単結晶シリコン光電変換素子等の他の光電変
換素子でも本発明の光電変換素子として適用可能
である。そして、光起電効果による光電変換素子
のみならず光導電効果による光電変換素子も本発
明の光電変換素子として適用可能である。
Si光電変換素子が最適であるが、Se光電変換素
子や単結晶シリコン光電変換素子等の他の光電変
換素子でも本発明の光電変換素子として適用可能
である。そして、光起電効果による光電変換素子
のみならず光導電効果による光電変換素子も本発
明の光電変換素子として適用可能である。
そして、本発明の実施例において、ロータ回転
位置検出用の光電変換素子は、第7図に示すよう
に電気角で90゜の奇数倍の位置に2個設けられて
いるが、より精度のよい検出を行なうため、第3
の光電変換素子23と電気角で180゜の寄数倍離れ
た位置に第8の光電変換素子を設け、かつ第4の
光電変換素子24と電気角で180゜の奇数倍離れた
位置に第9の光電変換素子を設け、差動構成でロ
ータ位置検出信号Vp1・Vp2を得るようにしてよ
い。
位置検出用の光電変換素子は、第7図に示すよう
に電気角で90゜の奇数倍の位置に2個設けられて
いるが、より精度のよい検出を行なうため、第3
の光電変換素子23と電気角で180゜の寄数倍離れ
た位置に第8の光電変換素子を設け、かつ第4の
光電変換素子24と電気角で180゜の奇数倍離れた
位置に第9の光電変換素子を設け、差動構成でロ
ータ位置検出信号Vp1・Vp2を得るようにしてよ
い。
また、本発明の実施例では、第17図dに示す
ようにFG用光電変換素子22a,22bはカソ
ード側電極33を共通電極としているため、差動
構成にする場合第12図に示したような回路構成
としなければならないが、等価回路を第18図c
に示したように、光電変換素子36のアノード側
電極36a,カソード側電極36b,光電変換素
子37のアノード側電極37a,カソード側電極
37bを各々電気的に独立して形成することによ
り、同図dに示すような簡単な構成の回路で差動
構成を実現する事も可能である。光電変換素子3
6のアノード側電極36a,カソード側電極36
b,光電変換素子37のアノード側電極37a,
カソード側電極37bを独立して形成する方法と
して、第18図a,bに示すように、平面状光電
変換手段の基板39上に絶縁膜38を設け、その
上にカソード側電極36b,37bを形成し、そ
の上にPiN接合を有するa−Si膜36,37を形
成し、その上にアノード側電極を兼ねるITOを形
成し、アノード側電極36a,37aを得る。ま
た第18図の例では平面状光電変換手段上で、ア
ノード側電極36aとカソード側電極37b,カ
ソード側電極36bとアノード側電極37aを結
合している。
ようにFG用光電変換素子22a,22bはカソ
ード側電極33を共通電極としているため、差動
構成にする場合第12図に示したような回路構成
としなければならないが、等価回路を第18図c
に示したように、光電変換素子36のアノード側
電極36a,カソード側電極36b,光電変換素
子37のアノード側電極37a,カソード側電極
37bを各々電気的に独立して形成することによ
り、同図dに示すような簡単な構成の回路で差動
構成を実現する事も可能である。光電変換素子3
6のアノード側電極36a,カソード側電極36
b,光電変換素子37のアノード側電極37a,
カソード側電極37bを独立して形成する方法と
して、第18図a,bに示すように、平面状光電
変換手段の基板39上に絶縁膜38を設け、その
上にカソード側電極36b,37bを形成し、そ
の上にPiN接合を有するa−Si膜36,37を形
成し、その上にアノード側電極を兼ねるITOを形
成し、アノード側電極36a,37aを得る。ま
た第18図の例では平面状光電変換手段上で、ア
ノード側電極36aとカソード側電極37b,カ
ソード側電極36bとアノード側電極37aを結
合している。
発明の効果
以上説明したように、本発明によれば下記のよ
うな効果が得られる。
うな効果が得られる。
同一の平面状光電変換素子基板上にFG用の
光電変換素子,ロータ回転位置検出用の光電変
換素子およびPG用の光電変換素子が形成でき
るため、小型で複合機能を有する光学式回転検
出装置を実現できる。
光電変換素子,ロータ回転位置検出用の光電変
換素子およびPG用の光電変換素子が形成でき
るため、小型で複合機能を有する光学式回転検
出装置を実現できる。
回転情報の検出を行うFGが全周もしくは略
全周に渡つて形成されるため全周に渡つて積分
された信号が得られ、回転板の取り付け不良あ
るいはスリツトの幅むら等の機械的精度不良が
全周で積分されるため、FGの検出精度が加工
や組み立ての影響を受け難い光学式回転検出装
置を実現できる。
全周に渡つて形成されるため全周に渡つて積分
された信号が得られ、回転板の取り付け不良あ
るいはスリツトの幅むら等の機械的精度不良が
全周で積分されるため、FGの検出精度が加工
や組み立ての影響を受け難い光学式回転検出装
置を実現できる。
回転情報の検出を行うFGのスリツトピツチ
を小さくすることが可能であり、低速回転時で
も高い検出周波数を得ることができる。
を小さくすることが可能であり、低速回転時で
も高い検出周波数を得ることができる。
回転検出装置が光学的手段により構成されて
いるため、FGの出力信号、ロータ回転位置検
出信号およびPGの出力信号の出力レベルは回
転速度により変化せず低速回転時においても高
い出力電圧を得る事ができ、外来雑音の影響を
受け難い。
いるため、FGの出力信号、ロータ回転位置検
出信号およびPGの出力信号の出力レベルは回
転速度により変化せず低速回転時においても高
い出力電圧を得る事ができ、外来雑音の影響を
受け難い。
検出を光学的手段により行なつているため、
外部に雑音を発生させることもなく、又、回転
むらや振動を発生しない。
外部に雑音を発生させることもなく、又、回転
むらや振動を発生しない。
電子整流作用を成すためのロータ回転位置検
出が光源、回転板上の第2のスリツトおよび平
面状光電変換素子上の光電変換素子により構成
されており、第2のスリツトのスリツト形状も
しくは光電変換素子の形状あるいは両者の形状
を変えることにより任意の検出波形が得られ
る。又、同時に、平面状光電変換素子がフオト
エツチング等により形成されるため機械的位置
精度を上げることができるため、ロータ位置検
出の精度が向上し、高精度な電子整流作用をな
らしめることができる。そして、ロータ位置検
出を行う第2の光電変換素子がステータコイル
基板上に無いため、複雑なコイル配置で且つ小
型化の必要なモータにおいて、ロータ位置検出
素子がステータコイル配置上の邪魔にならな
い。
出が光源、回転板上の第2のスリツトおよび平
面状光電変換素子上の光電変換素子により構成
されており、第2のスリツトのスリツト形状も
しくは光電変換素子の形状あるいは両者の形状
を変えることにより任意の検出波形が得られ
る。又、同時に、平面状光電変換素子がフオト
エツチング等により形成されるため機械的位置
精度を上げることができるため、ロータ位置検
出の精度が向上し、高精度な電子整流作用をな
らしめることができる。そして、ロータ位置検
出を行う第2の光電変換素子がステータコイル
基板上に無いため、複雑なコイル配置で且つ小
型化の必要なモータにおいて、ロータ位置検出
素子がステータコイル配置上の邪魔にならな
い。
第1図は従来の回転検出手段を備えたモータの
縦断面図、第2図は同モータのロータマグネツト
の平面図、第3図は同モータのステータコイル基
板およびステータコイルの平面図、第4図は同モ
ータの要部断面斜視図、第5図は本発明による光
学式回転検出装置の1実施例を適用したモータの
縦断面図、第6図は同モータの回転板の平面図、
第7図は同モータの平面状光電変換手段の平面
図、第8図は同モータの回転板の部分拡大図、第
9図は同モータの平面状光電変換手段の部分拡大
図、第10図a,bは同モータのFG部分の動作
説明図、第11図a,b,cは同モータのFG部
の動作を示す波形図、第12図は同モータのFG
信号検出回路の回路図、第13図は同モータのロ
ータ回転位置検出回路の回路図、第14図は同モ
ータのロータ回転位置検出部の動作を示す波形
図、第15図は同モータのPG信号検出回路の回
路図、第16図は同モータのPG信号検出部の動
作を示す波形図、第17図a,b,cはそれぞれ
本発明の平面状光電変換素子の一実施例を示す斜
視図、平面図、縦断面図および等価回路図、第1
8図a,b,c,dはそれぞれ本発明の他の実施
例の平面状光電変換素子の平面図、縦断面図、等
価回路図および差動構成の一例を示す回路図であ
る。 1……回転軸、15……平面光源、16……回
転板、17……平面状光電変換手段、19……第
1のスリツト、20……第2のスリツト、21…
…第3のスリツト、22……FG用光電変換素子、
23……第3の光電変換素子、24……第4の光
電変換素子、25……第5の光電変換素子、26
……第6の光電変換素子。
縦断面図、第2図は同モータのロータマグネツト
の平面図、第3図は同モータのステータコイル基
板およびステータコイルの平面図、第4図は同モ
ータの要部断面斜視図、第5図は本発明による光
学式回転検出装置の1実施例を適用したモータの
縦断面図、第6図は同モータの回転板の平面図、
第7図は同モータの平面状光電変換手段の平面
図、第8図は同モータの回転板の部分拡大図、第
9図は同モータの平面状光電変換手段の部分拡大
図、第10図a,bは同モータのFG部分の動作
説明図、第11図a,b,cは同モータのFG部
の動作を示す波形図、第12図は同モータのFG
信号検出回路の回路図、第13図は同モータのロ
ータ回転位置検出回路の回路図、第14図は同モ
ータのロータ回転位置検出部の動作を示す波形
図、第15図は同モータのPG信号検出回路の回
路図、第16図は同モータのPG信号検出部の動
作を示す波形図、第17図a,b,cはそれぞれ
本発明の平面状光電変換素子の一実施例を示す斜
視図、平面図、縦断面図および等価回路図、第1
8図a,b,c,dはそれぞれ本発明の他の実施
例の平面状光電変換素子の平面図、縦断面図、等
価回路図および差動構成の一例を示す回路図であ
る。 1……回転軸、15……平面光源、16……回
転板、17……平面状光電変換手段、19……第
1のスリツト、20……第2のスリツト、21…
…第3のスリツト、22……FG用光電変換素子、
23……第3の光電変換素子、24……第4の光
電変換素子、25……第5の光電変換素子、26
……第6の光電変換素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ロータマグネツトの回転位置を検出してステ
ータコイルの通電を電子的に切り換える電子整流
子モータの回転軸に取り付けられる回転板であつ
て、第1の円環部にピツチP1で全周に渡り配さ
れた第1のスリツトと、前記第1の円環と異なる
半径上の第2の円環部に前記ロータマグネツトの
着磁ピツチと同ピツチP2で配された第2のスリ
ツトと、前記第1及び第2の円環と異なる半径上
の第3の円環部に配された1回転一つの第3のス
リツトを有するとともに、前記ロータマグネツト
の着磁パターンと前記第2のスリツトパターンが
所定の位相関係になるように前記回転軸に取り付
けられた回転板と、前記回転板の面上に対向する
一端に前記回転板の第1のスリツト,第2のスリ
ツトおよび第3のスリツトのすべてに光が照射す
るように配した光源と、前記回転板の面上に対向
する他端に配した平面状光電変換手段とを備え、
前記平面状光電変換手段は同一基板上に、前記回
転板の第1の円環に対応する第4の円環部に前記
ピツチP1で全周あるいは略全周に渡つて配され
た光電変換素子小片を導電性部材で結合して成る
第1の光電変換素子と前記第1の光電変換素子と
P1/2のピツチで分離されピツチP1で全周ある
いは略全周に渡つて配された光電変換素子小片を
導電性部材で結合して成る第2の光電変換素子
と、 前記回転板の第2の円環に対応する第5の円環
部に、前記ステータコイルの取り付け位置と所定
の位相関係になる複数位置に配され、前記電子整
流子モータのコイル通電切り換え制御を行うため
のロータマグネツト回転位置検出信号を出力する
第3の光電変換素子群と、 前記回転板の第3の円環に対応する第6の円環
部に、前記ロータマグネツトの1回転当り1パル
スの回転情報信号を出力する第4の光電変換素子
群から成り、 前記第1の光電変換素子から出力される回転検
出信号と前記第2の光電変換素子から出力される
回転検出信号は差動増幅回路に入力され、該差動
増幅回路の出力信号は前記電子整流子モータの速
度制御に用いられることを特徴とした光学式回転
検出装置。 2 請求項1の光学式回転検出装置において、前
記第1の光電変換素子のアノード側電極,カソー
ド側電極および前記第2の光電変換素子のアノー
ド側電極,カソード側電極を各々電気的に独立し
て形成するともに、前記平面状光電変換手段上
で、前記第1の光電変換素子のアノード側電極と
前記第2の光電変換素子のカソード側電極を結合
し、かつ前記第1の光電変換素子のカソード側電
極と前記第2の光電変換素子のアノード側電極を
結合して成る平面状光電変換手段を有すること特
徴とする光学式回転検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9710483A JPS59221620A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光学式回転検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9710483A JPS59221620A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光学式回転検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59221620A JPS59221620A (ja) | 1984-12-13 |
JPH0510628B2 true JPH0510628B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=14183296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9710483A Granted JPS59221620A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光学式回転検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59221620A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62122478U (ja) * | 1986-01-25 | 1987-08-04 | ||
DE10022619A1 (de) * | 2000-04-28 | 2001-12-06 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Abtasteinheit für eine optische Positionsmesseinrichtung |
CN108900255A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-11-27 | 中国北方车辆研究所 | 一种用于测试旋转机械的供电及信号传输装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919867A (ja) * | 1972-03-20 | 1974-02-21 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5092280U (ja) * | 1973-12-22 | 1975-08-04 | ||
JPS5526801Y2 (ja) * | 1975-06-09 | 1980-06-27 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9710483A patent/JPS59221620A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919867A (ja) * | 1972-03-20 | 1974-02-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59221620A (ja) | 1984-12-13 |
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