JPH11108689A - 無接点回転スイッチ - Google Patents
無接点回転スイッチInfo
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- JPH11108689A JPH11108689A JP26906897A JP26906897A JPH11108689A JP H11108689 A JPH11108689 A JP H11108689A JP 26906897 A JP26906897 A JP 26906897A JP 26906897 A JP26906897 A JP 26906897A JP H11108689 A JPH11108689 A JP H11108689A
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- rotating disk
- rotary switch
- rotation
- rotation detecting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力の極く少ない小型の無接点回転スイ
ッチを提供する。 【解決手段】 磁性体３２の複数個をＮ極およびＳ極を
交互に等角度間隔に離隔せしめて周方向に配列形成する
回転円板３０を具備し、トンネル接合膜磁気抵抗素子３
４を磁性体３２に対向して配置される回転検出素子３３
を具備する無接点回転スイッチ。
ッチを提供する。 【解決手段】 磁性体３２の複数個をＮ極およびＳ極を
交互に等角度間隔に離隔せしめて周方向に配列形成する
回転円板３０を具備し、トンネル接合膜磁気抵抗素子３
４を磁性体３２に対向して配置される回転検出素子３３
を具備する無接点回転スイッチ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、無接点回転スイ
ッチに関し、特に、低消費電流であると共に外形寸法を
小さくする無接点回転スイッチに関する。
ッチに関し、特に、低消費電流であると共に外形寸法を
小さくする無接点回転スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】無接点回転スイッチの従来例を図６を参
照して原理的に極く簡単に説明する。無接点回転スイッ
チは、回転ローラ２２と回転円板３０とがシャフト２を
介して一体的に結合している。この回転円板３０には、
等角度間隔に離隔せしめて半径方向にスリット３１が形
成されている。そして、回転円板３０の一方の側には発
光素子３２が配置される一方、回転円板３０の他方の側
には受光素子３３として光電変換素子が発光素子３２に
対向して配置されている。発光素子３２と受光素子３３
の対は互に接近して２対配置されている。ここで、回転
ローラ２２を図６において時計廻りに回転すると、これ
につれて回転円板３０も時計廻りに回転する。回転円板
３０の一方の側に配置される発光素子３２と回転円板３
０の他方の側に配置される受光素子３３とは、回転円板
３０を介して互に対向しており、受光素子３３は発光素
子３２の放射する光線をスリット３１を介して受光する
ことができる。
照して原理的に極く簡単に説明する。無接点回転スイッ
チは、回転ローラ２２と回転円板３０とがシャフト２を
介して一体的に結合している。この回転円板３０には、
等角度間隔に離隔せしめて半径方向にスリット３１が形
成されている。そして、回転円板３０の一方の側には発
光素子３２が配置される一方、回転円板３０の他方の側
には受光素子３３として光電変換素子が発光素子３２に
対向して配置されている。発光素子３２と受光素子３３
の対は互に接近して２対配置されている。ここで、回転
ローラ２２を図６において時計廻りに回転すると、これ
につれて回転円板３０も時計廻りに回転する。回転円板
３０の一方の側に配置される発光素子３２と回転円板３
０の他方の側に配置される受光素子３３とは、回転円板
３０を介して互に対向しており、受光素子３３は発光素
子３２の放射する光線をスリット３１を介して受光する
ことができる。
【０００３】第１の発光素子３２の放射する光線にスリ
ット３１が対応すると、光線はスリット３１を通過して
第１の受光素子３３に受光される。回転円板３０が極く
僅かに回転して第２の発光素子３２’の放射する光線に
先の同一スリット３１が対応すると、光線はスリット３
１を通過して第２の受光素子３３’に受光される。回転
円板３０のスリット３１の幅を所定の幅に設定すること
により、第１の受光素子３３および第２の受光素子３
３’により得られる出力パルスの位相関係を図７に示さ
れる通りにすることができる。図７（ａ）は、第１の受
光素子３３により得られる出力パルスの位相は、第２の
受光素子３３’により得られる出力パルスの位相と比較
して、位相差Ｔだけ進んでいる。図７（ｂ）は、第１の
受光素子３３により得られる出力パルスの位相は、第２
の受光素子３３’により得られる出力パルスの位相と比
較してＴだけ遅れている。これら両受光素子より得られ
る出力パルスの位相差Ｔの進み遅れを検出することによ
り、シャフト２の回転方向を検出することができる。そ
して、受光素子の出力パルス数を計数することによりシ
ャフト２の回転数を測定することができる。
ット３１が対応すると、光線はスリット３１を通過して
第１の受光素子３３に受光される。回転円板３０が極く
僅かに回転して第２の発光素子３２’の放射する光線に
先の同一スリット３１が対応すると、光線はスリット３
１を通過して第２の受光素子３３’に受光される。回転
円板３０のスリット３１の幅を所定の幅に設定すること
により、第１の受光素子３３および第２の受光素子３
３’により得られる出力パルスの位相関係を図７に示さ
れる通りにすることができる。図７（ａ）は、第１の受
光素子３３により得られる出力パルスの位相は、第２の
受光素子３３’により得られる出力パルスの位相と比較
して、位相差Ｔだけ進んでいる。図７（ｂ）は、第１の
受光素子３３により得られる出力パルスの位相は、第２
の受光素子３３’により得られる出力パルスの位相と比
較してＴだけ遅れている。これら両受光素子より得られ
る出力パルスの位相差Ｔの進み遅れを検出することによ
り、シャフト２の回転方向を検出することができる。そ
して、受光素子の出力パルス数を計数することによりシ
ャフト２の回転数を測定することができる。
【０００４】以上の無接点回転スイッチの従来例は、回
転円板３０は発光素子３２と共働して回転に対応する光
パルスを発生出力すると共に、回転円板３０の回転を検
出する素子として光パルスを受光して光パルス信号を発
生する受光素子３３を使用するものである。無接点回転
スイッチの従来例としては、磁性体の複数個をＮ極およ
びＳ極を交互に周方向に配列し、回転に対応する磁気パ
ルス信号を発生出力する回転円板３０を具備し、回転を
検出する素子として磁気素子を使用するものもある。こ
れらの従来例の他に、更に、回転を検出する素子として
ホール素子その他の検出素子を使用するものもあり、何
れの動作原理も本質的に異なるところはない。
転円板３０は発光素子３２と共働して回転に対応する光
パルスを発生出力すると共に、回転円板３０の回転を検
出する素子として光パルスを受光して光パルス信号を発
生する受光素子３３を使用するものである。無接点回転
スイッチの従来例としては、磁性体の複数個をＮ極およ
びＳ極を交互に周方向に配列し、回転に対応する磁気パ
ルス信号を発生出力する回転円板３０を具備し、回転を
検出する素子として磁気素子を使用するものもある。こ
れらの従来例の他に、更に、回転を検出する素子として
ホール素子その他の検出素子を使用するものもあり、何
れの動作原理も本質的に異なるところはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら無接点
回転スイッチの従来例は、何れも、回転検出素子の消費
電流が数ｍＡ程度のオーダーの極めて大きいものであ
り、これは携帯機器に採用することができる程のレベル
のものではない。そして、低消費電流化使用とすると、
一般に、占有スペースの大型化を招来し、何れにしても
無接点回転スイッチの携帯機器への搭載は実状に合わな
いことになる。
回転スイッチの従来例は、何れも、回転検出素子の消費
電流が数ｍＡ程度のオーダーの極めて大きいものであ
り、これは携帯機器に採用することができる程のレベル
のものではない。そして、低消費電流化使用とすると、
一般に、占有スペースの大型化を招来し、何れにしても
無接点回転スイッチの携帯機器への搭載は実状に合わな
いことになる。
【０００６】この発明は、上述した通りの問題を解消し
た無接点回転スイッチを提供するものである。
た無接点回転スイッチを提供するものである。
【０００７】
請求項１：磁性体３２の複数個をＮ極およびＳ極を交互
に等角度間隔に離隔せしめて周方向に配列形成する回転
円板３０を具備し、トンネル接合膜磁気抵抗素子３４を
磁性体３２に対向して配置される回転検出素子３３を具
備する無接点回転スイッチを構成した。
に等角度間隔に離隔せしめて周方向に配列形成する回転
円板３０を具備し、トンネル接合膜磁気抵抗素子３４を
磁性体３２に対向して配置される回転検出素子３３を具
備する無接点回転スイッチを構成した。
【０００８】そして、請求項２：請求項１に記載される
無接点回転スイッチにおいて、磁性体３２は回転円板３
０の周端面に配列形成した無接点回転スイッチを構成し
た。また、請求項３：請求項１に記載される無接点回転
スイッチにおいて、磁性体３２は回転円板３０の上面に
配列形成した無接点回転スイッチを構成した。また、請
求項４：請求項１ないし請求項３の内の何れかに記載さ
れる無接点回転スイッチにおいて、回転検出素子３３は
互いに直列接続して直流電源＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接
続し、相互接続点を出力端Ｖout としたトンネル接合膜
磁気抵抗素子の対３４1 、３４3 を有するものである無
接点回転スイッチを構成した。
無接点回転スイッチにおいて、磁性体３２は回転円板３
０の周端面に配列形成した無接点回転スイッチを構成し
た。また、請求項３：請求項１に記載される無接点回転
スイッチにおいて、磁性体３２は回転円板３０の上面に
配列形成した無接点回転スイッチを構成した。また、請
求項４：請求項１ないし請求項３の内の何れかに記載さ
れる無接点回転スイッチにおいて、回転検出素子３３は
互いに直列接続して直流電源＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接
続し、相互接続点を出力端Ｖout としたトンネル接合膜
磁気抵抗素子の対３４1 、３４3 を有するものである無
接点回転スイッチを構成した。
【０００９】更に、請求項６：請求項４および請求項５
の内の何れかに記載される無接点回転スイッチにおい
て、直流電源＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接続し、相互接続
点を出力端Ｖout としたトンネル接合膜磁気抵抗素子の
対３４1 、３４3 を具備するものである無接点回転スイ
ッチを構成した。
の内の何れかに記載される無接点回転スイッチにおい
て、直流電源＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接続し、相互接続
点を出力端Ｖout としたトンネル接合膜磁気抵抗素子の
対３４1 、３４3 を具備するものである無接点回転スイ
ッチを構成した。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明を要約するに、従来例と
同様に、磁性体の複数個をＮ極およびＳ極を交互に周方
向に配列し、回転に対応する磁気パルス信号を発生出力
する回転円板を使用する。そして、回転円板の回転を検
出する素子として、回転円板の発生する磁束を受信して
出力パルス信号を発生する磁気抵抗素子を使用する。
同様に、磁性体の複数個をＮ極およびＳ極を交互に周方
向に配列し、回転に対応する磁気パルス信号を発生出力
する回転円板を使用する。そして、回転円板の回転を検
出する素子として、回転円板の発生する磁束を受信して
出力パルス信号を発生する磁気抵抗素子を使用する。
【００１１】この発明の実施の形態を説明するに先だっ
て、回転検出素子として使用する磁気抵抗素子であるト
ンネル接合膜磁気抵抗素子の動作原理を図５を参照して
極く簡単に説明しておく。図５において、トンネル接合
膜磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）は最も単純に構成された
ものは２層の磁性層の間に薄い絶縁性層を介在させたも
のより成る。２層の磁性層間に電圧を印加すると、電子
が薄い絶縁性層をトンネルして磁性層の間に電流が流れ
る。このトンネル電流の流れ易さ、即ち絶縁性層間の抵
抗値は磁性層の磁化方向により変化する。２層の磁性層
の磁化方向が１８０゜逆の反平行の場合に磁性層間の抵
抗値は最大となり、２層の磁性層の磁化方向が同一であ
る場合に最小となる。
て、回転検出素子として使用する磁気抵抗素子であるト
ンネル接合膜磁気抵抗素子の動作原理を図５を参照して
極く簡単に説明しておく。図５において、トンネル接合
膜磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）は最も単純に構成された
ものは２層の磁性層の間に薄い絶縁性層を介在させたも
のより成る。２層の磁性層間に電圧を印加すると、電子
が薄い絶縁性層をトンネルして磁性層の間に電流が流れ
る。このトンネル電流の流れ易さ、即ち絶縁性層間の抵
抗値は磁性層の磁化方向により変化する。２層の磁性層
の磁化方向が１８０゜逆の反平行の場合に磁性層間の抵
抗値は最大となり、２層の磁性層の磁化方向が同一であ
る場合に最小となる。
【００１２】回転検出素子として以上のＴＭＲ素子を使
用するこの発明の実施例を図１を参照して説明する。無
接点回転スイッチは、回転円板３０はシャフト２に結合
してこれにより回転駆動される。この回転円板３０に
は、等角度間隔に離隔せしめて磁性体３２の複数個をＮ
極およびＳ極を交互に周方向に配列形成している。磁性
体３２は、図１の場合は回転円板３０の周端面に形成さ
れる。
用するこの発明の実施例を図１を参照して説明する。無
接点回転スイッチは、回転円板３０はシャフト２に結合
してこれにより回転駆動される。この回転円板３０に
は、等角度間隔に離隔せしめて磁性体３２の複数個をＮ
極およびＳ極を交互に周方向に配列形成している。磁性
体３２は、図１の場合は回転円板３０の周端面に形成さ
れる。
【００１３】ここで、図２および図３をも参照して説明
するに、シャフト２を上から視て時計廻りに回転する
と、これにつれて回転円板３０も時計廻りに回転する。
図３においては、回転円板３０は磁気抵抗素子３４に関
して相対的に左方に移動する。左方の磁気抵抗素子３４
1 と右方の磁気抵抗素子３４3 は直列接続して直流電源
端子＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接続している。両抵抗素子
の相互接続点は出力端Ｖ out としている。図２（ａ）の
状態についてみると、左方の磁気抵抗素子３４1はＮＳ
極の中間に位置して磁性体３２の影響を受けてはおら
ず、右方の磁気抵抗素子３４3 はＳ極に位置して磁性体
３２の影響を強く受けている。この場合、左方の磁気抵
抗素子３４1 に抵抗値の変化は生起しないが、右方の磁
気抵抗素子３４3 の抵抗値は大きく変化する。右方の磁
気抵抗素子３４3 の抵抗値の変化に起因して出力端Ｖ
out には、検出信号として図３（ｂ）の（ａ）点の電圧
変動が生ずることになる。回転円板３０の回転が僅かに
進行して図２（ｂ）の状態に到ったものとすると、左方
の磁気抵抗素子３４1 と右方の磁気抵抗素子３４3 の抵
抗値変化は同等であり、中点電位差により生ずる出力は
生起しないので、出力端Ｖ out の検出信号は図３（ｂ）
の（ｂ）に示される０レベルである。回転円板３０の回
転が更に僅かに進行して図２（ｃ）の状態に到ったもの
とすると、今度は左方の磁気抵抗素子３４1 がＳ極に位
置して磁性体３２の影響を強く受ける一方、右方の磁気
抵抗素子３４3 はＮＳ極の中間に位置して磁性体３２の
影響を受けない。従って、図２（ａ）の場合とは逆に、
左方の磁気抵抗素子３４1 の抵抗値は大きく変化し、こ
れに起因して出力端Ｖout には検出信号として図３
（ｂ）の（ｃ）点の電圧変動が生ずることになる。回転
円板３０の回転が進行して図２（ｄ）の状態に到ったも
のとすると、 左方の磁気抵抗素子３４1 と右方の磁気
抵抗素子３４3 の抵抗値変化は同等であり、中点電位差
により生ずる出力は生起しないので、出力端Ｖout の検
出信号は図３（ｂ）の（ｄ）に示される０レベルであ
る。回転円板３０の回転が更に進行して図２（ｅ）の状
態に到ったものとすると、左方の磁気抵抗素子３４1 は
ＮＳ極の中間に位置して磁性体３２の影響を受けない
が、右方の磁気抵抗素子３４3 は、図２（ａ）の場合の
極性とは逆のＮ極に位置して磁性体３２の影響を強く受
けるに到る。従って、図２（ａ）の場合と同様に、左方
の磁気抵抗素子３４1 の抵抗値は大きく変化し、これに
起因して出力端Ｖout には検出信号として図３（ｂ）の
（ｅ）点の電圧変動が生ずる。回転円板３０の回転につ
れて、以上の動作を繰り返して図３（ｂ）の正弦波形の
出力信号波形が繰り返し発生する。
するに、シャフト２を上から視て時計廻りに回転する
と、これにつれて回転円板３０も時計廻りに回転する。
図３においては、回転円板３０は磁気抵抗素子３４に関
して相対的に左方に移動する。左方の磁気抵抗素子３４
1 と右方の磁気抵抗素子３４3 は直列接続して直流電源
端子＋Ｖと接地ＧＮＤの間に接続している。両抵抗素子
の相互接続点は出力端Ｖ out としている。図２（ａ）の
状態についてみると、左方の磁気抵抗素子３４1はＮＳ
極の中間に位置して磁性体３２の影響を受けてはおら
ず、右方の磁気抵抗素子３４3 はＳ極に位置して磁性体
３２の影響を強く受けている。この場合、左方の磁気抵
抗素子３４1 に抵抗値の変化は生起しないが、右方の磁
気抵抗素子３４3 の抵抗値は大きく変化する。右方の磁
気抵抗素子３４3 の抵抗値の変化に起因して出力端Ｖ
out には、検出信号として図３（ｂ）の（ａ）点の電圧
変動が生ずることになる。回転円板３０の回転が僅かに
進行して図２（ｂ）の状態に到ったものとすると、左方
の磁気抵抗素子３４1 と右方の磁気抵抗素子３４3 の抵
抗値変化は同等であり、中点電位差により生ずる出力は
生起しないので、出力端Ｖ out の検出信号は図３（ｂ）
の（ｂ）に示される０レベルである。回転円板３０の回
転が更に僅かに進行して図２（ｃ）の状態に到ったもの
とすると、今度は左方の磁気抵抗素子３４1 がＳ極に位
置して磁性体３２の影響を強く受ける一方、右方の磁気
抵抗素子３４3 はＮＳ極の中間に位置して磁性体３２の
影響を受けない。従って、図２（ａ）の場合とは逆に、
左方の磁気抵抗素子３４1 の抵抗値は大きく変化し、こ
れに起因して出力端Ｖout には検出信号として図３
（ｂ）の（ｃ）点の電圧変動が生ずることになる。回転
円板３０の回転が進行して図２（ｄ）の状態に到ったも
のとすると、 左方の磁気抵抗素子３４1 と右方の磁気
抵抗素子３４3 の抵抗値変化は同等であり、中点電位差
により生ずる出力は生起しないので、出力端Ｖout の検
出信号は図３（ｂ）の（ｄ）に示される０レベルであ
る。回転円板３０の回転が更に進行して図２（ｅ）の状
態に到ったものとすると、左方の磁気抵抗素子３４1 は
ＮＳ極の中間に位置して磁性体３２の影響を受けない
が、右方の磁気抵抗素子３４3 は、図２（ａ）の場合の
極性とは逆のＮ極に位置して磁性体３２の影響を強く受
けるに到る。従って、図２（ａ）の場合と同様に、左方
の磁気抵抗素子３４1 の抵抗値は大きく変化し、これに
起因して出力端Ｖout には検出信号として図３（ｂ）の
（ｅ）点の電圧変動が生ずる。回転円板３０の回転につ
れて、以上の動作を繰り返して図３（ｂ）の正弦波形の
出力信号波形が繰り返し発生する。
【００１４】図４は回転検出素子３３の構成の具体を示
す図である。素の磁気抵抗素子の抵抗値はおよそ１００
ｋΩのオーダーである。磁気抵抗素子３４1 と磁気抵抗
素子３４3 は直列接続して電源端子＋Ｖと接地ＧＮＤ間
に接続されると共に、磁気抵抗素子３４2 と磁気抵抗素
子３４4 は直列接続して電源端子＋Ｖと接地ＧＮＤ間に
接続されている。そして、磁気抵抗素子３４1 と磁気抵
抗素子３４3 の間の相互接続点をＡ相の出力端Ａout と
し、磁気抵抗素子３４2 と磁気抵抗素子３４4の間の相
互接続点をＢ相の出力端Ｂout としている。図４の回転
検出素子３３は、図２および図３の磁気抵抗素子３４の
対を２対具備したものに相当する。
す図である。素の磁気抵抗素子の抵抗値はおよそ１００
ｋΩのオーダーである。磁気抵抗素子３４1 と磁気抵抗
素子３４3 は直列接続して電源端子＋Ｖと接地ＧＮＤ間
に接続されると共に、磁気抵抗素子３４2 と磁気抵抗素
子３４4 は直列接続して電源端子＋Ｖと接地ＧＮＤ間に
接続されている。そして、磁気抵抗素子３４1 と磁気抵
抗素子３４3 の間の相互接続点をＡ相の出力端Ａout と
し、磁気抵抗素子３４2 と磁気抵抗素子３４4の間の相
互接続点をＢ相の出力端Ｂout としている。図４の回転
検出素子３３は、図２および図３の磁気抵抗素子３４の
対を２対具備したものに相当する。
【００１５】磁気抵抗素子３４1 および磁気抵抗素子３
４3 より成る第１の素子対と、磁気抵抗素子３４2 およ
び磁気抵抗素子３４4 より成る第２の素子対の位置関係
は異なるので、両素子対の発生する出力検出信号の位相
は異なる。両素子対の出力検出信号を整形して図７に示
される出力パルス信号を生成することができる。図７
（ａ）は、第１の素子対により得られる出力パルス信号
の位相は、第２の素子対により得られる出力パルス信号
の位相と比較して、位相差Ｔだけ進んでいる。図７
（ｂ）は、第１の素子対により得られる出力パルス信号
の位相は、第２の素子対により得られる出力パルス信号
の位相と比較して、Ｔだけ遅れている。これら両素子対
より得られる出力パルス信号の位相差Ｔの進み遅れを検
出することにより、シャフト２の回転方向を検出するこ
とができる。そして、素子対の出力パルス数を計数する
ことによりシャフト２の回転数を測定することができ
る。
４3 より成る第１の素子対と、磁気抵抗素子３４2 およ
び磁気抵抗素子３４4 より成る第２の素子対の位置関係
は異なるので、両素子対の発生する出力検出信号の位相
は異なる。両素子対の出力検出信号を整形して図７に示
される出力パルス信号を生成することができる。図７
（ａ）は、第１の素子対により得られる出力パルス信号
の位相は、第２の素子対により得られる出力パルス信号
の位相と比較して、位相差Ｔだけ進んでいる。図７
（ｂ）は、第１の素子対により得られる出力パルス信号
の位相は、第２の素子対により得られる出力パルス信号
の位相と比較して、Ｔだけ遅れている。これら両素子対
より得られる出力パルス信号の位相差Ｔの進み遅れを検
出することにより、シャフト２の回転方向を検出するこ
とができる。そして、素子対の出力パルス数を計数する
ことによりシャフト２の回転数を測定することができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上の通りであって、本来的に高抵抗で
あるＴＭＲ素子を以上の通りに接続して回転検出素子を
構成することにより回転検出素子の流通電流を極く小さ
くすることができると共に、回転検出素子の外形寸法も
小さく構成することができる。これにより、消費電力が
極く少ない小型の無接点回転スイッチを提供することが
できる。
あるＴＭＲ素子を以上の通りに接続して回転検出素子を
構成することにより回転検出素子の流通電流を極く小さ
くすることができると共に、回転検出素子の外形寸法も
小さく構成することができる。これにより、消費電力が
極く少ない小型の無接点回転スイッチを提供することが
できる。
【００１７】そして、ＴＭＲ素子を直列に接続すること
によりＴＭＲ回転検出素子全体の抵抗値を更に大きく、
適宜に設定することができる。即ち、抵抗値設定の自由
度が広がり、回転スイッチの仕様、用途の汎用性、選択
度を拡大することができる。また、回転検出素子と回転
円板に配列される磁性体とを平面対向させることによ
り、取り付けと配線を同時に実施することができるので
量産性優れた無接点回転スイッチを提供することができ
ると共に、取付け安定性も良好となる。
によりＴＭＲ回転検出素子全体の抵抗値を更に大きく、
適宜に設定することができる。即ち、抵抗値設定の自由
度が広がり、回転スイッチの仕様、用途の汎用性、選択
度を拡大することができる。また、回転検出素子と回転
円板に配列される磁性体とを平面対向させることによ
り、取り付けと配線を同時に実施することができるので
量産性優れた無接点回転スイッチを提供することができ
ると共に、取付け安定性も良好となる。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】実施例の動作を説明する図。
【図３】図２の続き。
【図４】回転検出素子の構成の具体例を示す図。
【図５】ＴＭＲ素子を説明する図。
【図６】従来例を説明する図。
【図７】出力パルス信号の位相関係を説明する図。
２ シャフト ３０ 回転円板 ３２ 磁性体 ３３ 回転検出素子 ３４ ＴＭＲ素子 ＋Ｖ 電源端子 ＧＮＤ 接地 Ｖout 出力端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 雅重 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小林 和雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 今井 徹 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 磁性体の複数個をＮ極およびＳ極を交互
に等角度間隔に離隔せしめて周方向に配列形成する回転
円板を具備し、 トンネル接合膜磁気抵抗素子を磁性体に対向して配置さ
れる回転検出素子を具備することを特徴とする無接点回
転スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１に記載される無接点回転スイッ
チにおいて、 磁性体を回転円板の周端面に配列形成したことを特徴と
する無接点回転スイッチ。 - 【請求項３】 請求項１に記載される無接点回転スイッ
チにおいて、 磁性体を回転円板の上面に配列形成したことを特徴とす
る無接点回転スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26906897A JPH11108689A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 無接点回転スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26906897A JPH11108689A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 無接点回転スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11108689A true JPH11108689A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17467219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26906897A Withdrawn JPH11108689A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 無接点回転スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11108689A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1052775A2 (de) * | 1999-05-12 | 2000-11-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierter Schaltkreis eines Leistungsschalters mit galvanisch getrennter Ansteuerung |
| US6661225B2 (en) | 2002-01-23 | 2003-12-09 | Denso Corporation | Revolution detecting device |
| JP2009524993A (ja) * | 2006-01-27 | 2009-07-02 | キョウセラ ワイヤレス コープ． | モバイル通信デバイスのメニューをナビゲートするためのシステムおよび方法 |
| DE102014214677A1 (de) | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnet-Detektionsvorrichtung und Fahrzeug-Rotations-Detektionsvorrichtung, die damit ausgerüstet ist |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP26906897A patent/JPH11108689A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1052775A2 (de) * | 1999-05-12 | 2000-11-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierter Schaltkreis eines Leistungsschalters mit galvanisch getrennter Ansteuerung |
| EP1052775A3 (de) * | 1999-05-12 | 2004-12-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierter Schaltkreis eines Leistungsschalters mit galvanisch getrennter Ansteuerung |
| US6661225B2 (en) | 2002-01-23 | 2003-12-09 | Denso Corporation | Revolution detecting device |
| JP2009524993A (ja) * | 2006-01-27 | 2009-07-02 | キョウセラ ワイヤレス コープ． | モバイル通信デバイスのメニューをナビゲートするためのシステムおよび方法 |
| DE102014214677A1 (de) | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnet-Detektionsvorrichtung und Fahrzeug-Rotations-Detektionsvorrichtung, die damit ausgerüstet ist |
| US9400194B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic detection device and on-vehicle rotation detection device equipped with the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |