JP2002090180A - 回転検出センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁石の必要個数を相対的に低く抑えることが
できる回転検出センサを提供する。 【解決手段】 周方向両側のエッジ間のなす角度間隔が
軸心Ｏを中心として３０度である外側導磁板５および内
側導磁板６は、軸心Ｏを中心として６０度の間隔で配置
される。外側導磁板５は、そのエッジが内側導磁板のエ
ッジに対して軸心Ｏを中心として１０度ずれた位置とな
るように内側導磁板６に対してずらして配置される。パ
ッケージ７には、３つのＭＲセンサＳ１〜Ｓ３と２つの
バイアスマグネット８，９がモールド材１０により封止
される。２つのバイアスマグネット８，９は、軸心Ｏを
中心として２０度間隔で配置される。バイアスマグネッ
ト８には略半径方向の両側（Ｎ極，Ｓ極側）に２つのＭ
ＲセンサＳ１，Ｓ３が配置され、バイアスマグネット９
のＳ極側には１つのＭＲセンサＳ２が配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気検知手段を用
いた回転検出センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、回転検出センサの一例として、例
えば図７に示す構造のセンサがある。この回転検出セン
サ５１は、所定位置に固定されたパッケージ５２と、そ
のパッケージ５２に対して回転軸５３とともに回転中心
（軸心）Ｏを支点として相対回転する鉄製の回転板５４
とを備える。

【０００３】パッケージ５２には、バイアスマグネット
５５およびＭＲセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３がそれぞれ３つ
ずつ内蔵され、これらバイアスマグネット５５およびＭ
ＲセンサＳ１〜Ｓ３は樹脂モールド材５６により封止さ
れている。３つのバイアスマグネット５５は周方向に２
０度間隔で配置され、３つのＭＲセンサＳ１〜Ｓ３は各
バイアスマグネット５５の回転軸５３側でオフセットし
た状態に配置されている。

【０００４】回転板５４には、パッケージ５２を挟むよ
うにして内側導磁板５７および外側導磁板５８が立設さ
れている。内側導磁板５７および外側導磁板５８は、軸
心Ｏを中心として周方向に６０度間隔でそれぞれ配置さ
れ、かつ内側導磁板５７と外側導磁板５８のエッジ部分
（周方向両端）が軸心Ｏから略半径方向に延びる同一線
上に位置するように位置および周方向長さがそれぞれ設
定されている。

【０００５】この回転検出センサ５１は以下の手順で角
度検出をする。回転軸５３と共に回転板５４が回転した
とき、内側導磁板５７および外側導磁板５８がパッケー
ジ５２に対して相対移動する。このときバイアスマグネ
ット５５から放射される磁束は各導磁板５７，５８によ
ってその向きが変えられ、各ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３はそ
の磁束の向きに応じて図６に示すパルス信号（例えば出
力電圧）をそれぞれ出力する。

【０００６】つまり各ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３は、導磁板
５７，５８が対向位置にあるときＨレベルの信号を出力
し、逆に導磁板５７，５８が対向位置にないときＬレベ
ルの信号を出力するように設定されている。そして回転
検出センサ５１は、ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３から得られる
３つのパルス信号に基づき、Ｈレベルの信号およびＬレ
ベルの信号のレベル状態によって回転軸５３の回転角度
を検出する。因みに、この回転検出センサ５１では１０
度間隔で回転角度が検出できる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この回転検
出センサ５１では、バイアスマグネット５５が軸心Ｏを
中心とする周方向に並んで配置されているので、その分
だけパッケージ５２が周方向に大型化する問題があっ
た。しかも本例の回転検出センサ５１ではバイアスマグ
ネット５５およびＭＲセンサＳ１〜Ｓ３が樹脂モールド
材５６により封止される構造をとっているため、このパ
ッケージ５２の大型化に伴いモールド金型等の割掛けが
大きくなってしまい、相対的なコストアップを招く問題
も生じていた。

【０００８】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、磁石の必要個数を相対的に低
く抑えることができる回転検出センサを提供することに
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め請求項１に記載の発明では、周方向に所定の間隔で配
置された複数の磁路変更片と、当該磁路変更片によって
磁束の向きが変化される位置に配置された少なくとも１
つの磁石と、当該磁石の磁束を検知してその磁束向きに
応じた出力値を出力する複数の磁気検知手段とを備え、
前記磁路変更片と磁石のうち一方が他方に対して回転中
心を支点として相対移動したとき、磁石から放射される
磁束の向きが前記磁路変更片により変更され、その磁束
向きの変化に応じて前記各磁気検知手段から出力される
出力値に基づき回転を検出する回転検出センサであっ
て、前記磁石の少なくとも１つには、その磁石から放射
される磁束を検知可能な位置に前記磁気検知手段が複数
配置されていることを要旨とする。

【００１０】この発明によれば、１つの磁石から放射さ
れる磁束の経路上に複数の磁気検知手段が配置されるの
で、各磁気検知手段にそれぞれ磁石を用意する必要がな
くなり、磁石の必要個数を低く抑えらる。その結果、材
料のコストダウン化が図れる。また例えば、これら磁石
や磁気検知手段が所定のモールド材（例えば樹脂製）に
よりモールド成形される構造をとった場合、磁石の必要
個数減少に伴いそのモールド材が小型化する。よって、
この小型化によりモールド型の取数が多くなるので、モ
ールド材にかかる材料費が低く抑えられ、一層コストダ
ウン化が図れる。

【００１１】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記磁路変更片は前記磁石を挟んで
両側に配置され、同一磁石から放射される磁束を検知可
能な位置に配置された複数の前記磁気検知手段は、前記
周方向の両側に配置されていることを要旨とする。

【００１２】この発明によれば、請求項１に記載の発明
の作用に加え、前記磁石から放射される磁束は両側に位
置する磁路変更片によって向きが変えられ、その磁束向
きの変化は周方向の両側に配置された各磁気検知手段に
よって検知される。そして磁石から放射される磁束向き
の変化に応じた磁気検知手段からの出力値に基づき、回
転が検出される。よってこの構成の回転検出センサにお
いても、コスト低減効果が図れる。

【００１３】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
２に記載の発明において、前記各磁気検知手段によって
それぞれ出力された所定の出力信号に基づき回転が検出
され、当該出力信号が回転検出可能な波形で出力される
ように、前記磁路変更片、磁石及び磁気検知手段は配置
設定されていることを要旨とする。

【００１４】この発明によれば、請求項１又は２に記載
の発明の作用に加え、磁路変更片、磁石及び磁気検知手
段は、磁気検知手段によってそれぞれ出力された出力信
号が回転検出可能な波形で出力されるように配置設定さ
れる。よってこのように各部材が配置設定された回転検
出センサにおいても、コスト低減効果が図れる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の回転検出センサを
ポジションセンサに具体化した一実施形態を図１〜図６
に従って説明する。

【００１６】図１は、回転検出センサとしてのポジショ
ンセンサの要部分解斜視図である。ポジションセンサ１
は、支持部２ａが所定位置に固定された磁気検知部２
と、その磁気検知部２に対して回転軸３の軸心Ｏ（図２
参照）を中心として相対回転可能な回転板４とを備えて
いる。回転板４の外周部には磁路変更片としての略円弧
状の外側導磁板５が６つ等間隔に立設され、同じく回転
板４の回転軸３側には磁路変更片としての略円弧状の内
側導磁板６が６つ等間隔に立設されている。磁気検知部
２は支持部２ａの先端に樹脂製のパッケージ７を備え、
このパッケージ７は外側導磁板５と内側導磁板６の間に
配置される。

【００１７】図２は、ポジションセンサの平面図であ
る。外側導磁板５および内側導磁板６は、周方向両側の
エッジ間のなす角度間隔が軸心Ｏを中心として３０度と
なるように周方向に長さ設定されている。また各外側導
磁板５および各内側導磁板６は、軸心Ｏを中心として６
０度の間隔で配置されている。外側導磁板５は、そのエ
ッジが内側導磁板のエッジに対して軸心Ｏを中心として
１０度ずれた位置となるように内側導磁板６に対してず
らして配置されている。

【００１８】パッケージ７は磁石としての２つのバイア
スマグネット８，９と、磁気検知手段としての３つのＭ
ＲセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３とを備え、これらバイアスマ
グネット８，９とＭＲセンサＳ１〜Ｓ３は樹脂モールド
材１０によってパッケージ７内に封止されている。バイ
アスマグネット８，９は、軸心Ｏを中心として２０度の
間隔で配置されている。またバイアスマグネット８，９
は、その磁極の向き（ＮＳ極の向き）が回転板４の回転
方向（図２の白抜き矢印方向）と略直交する向き（つま
り略半径方向）で、かつ互いに磁極の向きが反対となる
向きに配置されている。

【００１９】２つのバイアスマグネット８，９のうち図
２上の左側に位置するバイアスマグネット８には、２つ
のＭＲセンサＳ１，Ｓ３が各磁極（Ｎ極，Ｓ極）側にそ
れぞれ配置されている。この２つのＭＲセンサＳ１，Ｓ
３は、バイアスマグネット８の軸心からやや離れた状態
にオフセットして配置されている。一方、図２上の右側
に位置するバイアスマグネット９には、Ｓ極側に１つの
ＭＲセンサＳ２がバイアスマグネット９の軸心からやや
離れた状態にオフセットして配置されている。

【００２０】図４は、図２のII−II線断面図である。パ
ッケージ７は、外側導磁板５、内側導磁板６および回転
板４の底面４ａによってできる空間Ｍ内に配置されてい
る。パッケージ７内のＭＲセンサＳ１〜Ｓ３は取付部材
１１の表面側（図４では左側）に配置され、一方、バイ
アスマグネット８，９は取付部材１１の裏面側（図４で
は右側）に配置されている。回転板４の回転時に、外側
導磁板５または内側導磁板６が各バイアスマグネット
８，９と対向する度に、バイアスマグネット８，９から
放射される磁束はその導磁板５，６によって磁束の向き
が変化する。

【００２１】図３（ａ）はＭＲセンサを構成する磁気抵
抗体の配置パターン例であり、図３（ｂ）はＭＲセンサ
の回路図の一例である。図３（ａ）に示すように、各Ｍ
ＲセンサＳ１〜Ｓ３は、磁束（磁界）を検知する素子面
上に４つの磁気抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を備え、各磁気抵抗体
Ｒ１〜Ｒ４はブリッジ回路を構成するように配置されて
いる。

【００２２】つまり磁気抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の配置パター
ンはＲ１とＲ４、Ｒ２とＲ３がそれぞれ平行となるよう
に配置されるとともに、Ｒ１（Ｒ４）とＲ２（Ｒ３）が
直交するように配置されている。これら磁気抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４は電流が流れる方向と、素子面で検知する磁束の
向きとが互いに平行となるときに電気抵抗値が最大にな
り、素子面内で直交したときに最小になる特性を有して
いる。

【００２３】また図３（ｂ）に示すように、磁気抵抗体
Ｒ１およびＲ２と、磁気抵抗体Ｒ３およびＲ４とは、電
源電圧ＶｃｃおよびＧＮＤの間で並列に接続されてい
る。磁気抵抗体Ｒ１とＲ２は電源電圧ＶｃｃおよびＧＮ
Ｄの間で直列に接続され、磁気抵抗体Ｒ３とＲ４も直列
に接続されている。ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３はセンサチッ
プ１２を備え、このセンサチップ１２上にコンパレータ
１３が配設されている。Ｒ１，Ｒ２間の電位Ｖａと、Ｒ
３，Ｒ４間の電位Ｖｂとの間のブリッジ出力は、コンパ
レータ１３に入力されている。

【００２４】このため、図３（ａ）に実線で示す矢印方
向の磁束が素子面に作用したときには、電位Ｖａに比べ
て電位Ｖｂの方が大きな値をとり、逆に図３（ｂ）に破
線で示す矢印方向の磁束が作用したときには、電位Ｖｂ
に比べて電位Ｖａの方が大きな値をとる。そしてＭＲセ
ンサＳ１〜Ｓ３は、このブリッジ出力の変化（つまり磁
束の向きの変化）に伴って、両電位Ｖａ，Ｖｂのうち一
方の電位が高いときにはコンパレータ１３によってＨレ
ベルの信号を出力し、他方の電位が高いときにはＬレベ
ルの信号を出力する。

【００２５】ここで例えば本例では、図５に示すように
磁気抵抗体Ｒ１とＲ４はＭＲセンサ（同図ではＳ３）の
中心線（図５での上下方向のなす線）Ｌに対して＋４５
度傾いて配置され、一方、磁気抵抗体Ｒ２とＲ３は中心
線Ｌに対して−４５度傾いて配置するように設定されて
いる。そして、例えばＭＲセンサＳ１〜Ｓ３は、外側導
磁板５または内側導磁板６が各バイアスマグネット８，
９に対して対向する位置にあるときコンパレータ１３に
よってＨレベルの信号を出力し、一方、外側導磁板５ま
たは内側導磁板６が対向する位置にないときＬレベルの
信号を出力するように設定されている。

【００２６】次に前記のように構成されたポジションセ
ンサ１の作用を説明する。ここで、ＭＲセンサＳ３の対
向する位置に外側導磁板５のエッジが入り込むまたは離
間するときに、このＭＲセンサＳ３に作用する磁束の変
化を図５に従って説明する。まず、図５に実線で示すよ
うに外側導磁板５がＭＲセンサＳ３の対向位置に入り込
むとき、バイアスマグネット８によってＭＲセンサＳ１
〜Ｓ３の素子面上にできる磁束の向きは、図５に示す実
線矢印方向から破線矢印方向（導磁板５，６側）に略９
０度変化する。このときＭＲセンサＳ３は、Ｌレベルか
らＨレベルの信号を出力するとともに、導磁板５，６が
対向する位置にある間はそのＨレベルの信号の出力を維
持する。

【００２７】一方、図５に二点鎖線で示すように外側導
磁板５がＭＲセンサＳ３の対向位置から離間するとき、
バイアスマグネット８は外側導磁板５によって干渉され
なくなり、そのバイアスマグネット８によってＭＲセン
サＳ３の素子面上にできる磁束の向きは、図５の破線矢
印方向から再び実線矢印方向になる。このときＭＲセン
サＳ３は、ＨレベルからＬレベルの信号を出力するとと
もに、導磁板５，６が対向する位置にない間はそのＬレ
ベルの信号の出力を維持する。なお、ＭＲセンサＳ１，
Ｓ２でも、内側導磁板６の入り込み、離間によりバイア
スマグネット８，９の磁束向きが略９０度の間で変化す
ることによって、同様にＨレベル、Ｌレベルの信号が出
力される。

【００２８】ここで、図２に示す状態を回転軸３の回転
基準とし、この状態から同図に示す白抜き矢印方向（反
時計回り方向）に回転板４が回転したとする。すると各
ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３からは、図６に示すパルス信号が
出力される。つまりＳ１から出力される出力信号を基準
とすると、ＭＲセンサＳ２は位相が２０度ずれた波形の
信号を出力し、ＭＲセンサＳ３は位相が１０度ずれた波
形の信号を出力する。そして、これら各センサＳ１〜Ｓ
３から出力されるＨレベルとＬレベルの信号のレベル状
態によって、本例では１０度間隔で回転軸の回転角度が
検出される。

【００２９】よって本例では、１０度間隔で回転軸の回
転角度を検出可能なポジションセンサ１において、２つ
のＭＲセンサＳ１，Ｓ３が１つのバイアスマグネット８
を共有する。そのため、従来のようにバイアスマグネッ
トが周方向に３つ配置されたセンサに比べてバイアスマ
グネットが１つ減少し、その分だけパッケージ７を周方
向に小型化することが可能になる。よって、パッケージ
７の小型化に伴って、そのパッケージ７のモールド型の
取数を多くすることが可能になり、材料費のコストダウ
ン化も図れる。

【００３０】従って、この実施形態では以下のような効
果を得ることができる。 （１）１つのバイアスマグネット８を２つのＭＲセンサ
Ｓ１，Ｓ３で共有するので、バイアスマグネットの総数
が減少し、従来に比べてパッケージ７を小型化できる。
しかも、そのパッケージ７の小型化に伴い、そのパッケ
ージ７のモールド型の取数が多くなるので、パッケージ
７にかかる材料費を減らすことができる。また、バイア
スマグネットが１つ減らせるので、マグネットの必要個
数が減少し、その分の費用も削減できる。

【００３１】（２）本例のポジションセンサ１では、外
側導磁板５および内側導磁板６を軸心Ｏを中心として６
０度間隔で配置し、外側導磁板５を内側導磁板６に対し
て１０度ずらして配置し、バイアスマグネット８，９を
２０度間隔で配置する。そして、バイアスマグネット８
の両側にＭＲセンサＳ１，Ｓ３を配置し、バイアスマグ
ネット９のＳ極側にＭＲセンサＳ２を１つ配置する構造
をとる。従って、回転軸３の回転角度（絶対角度）を１
０度間隔で検出できる。

【００３２】（３）本例のポジションセンサ１を用い
て、回転軸３の回転速度を検出することもできる。即
ち、各ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３のパルス信号を基に、各パ
ルスのエッジ間の間隔Ｗ（図６参照）を検出し、その値
によって回転軸３の回転速度を検出することもできる。

【００３３】なお、実施形態は前記に限定されるもので
はなく、例えば、次のように変更してもよい。 ・ ポジションセンサ１が検出可能な角度間隔（つまり
分解能）は１０度に限定されず、その分解能の値は適宜
設定変更できる。このとき、バイアスマグネットおよび
ＭＲセンサの位置、総数や、内側導磁板および外側導磁
板の位置、総数、周方向長さ等は、検出する分解能の値
に応じて適宜設定する。

【００３４】・ バイアスマグネットやＭＲセンサの総
数は、本例のようにマグネットが２つでＭＲセンサが３
つであることに限定されない。例えば、バイアスマグネ
ットは１つや３つ以上でもよく、マグネットが３つ以上
の場合はＭＲセンサの個数も自由に設定可能である。例
えば、３つのバイアスマグネットを備えた場合、１つの
バイアスマグネットにのみ２つのＭＲセンサを配置して
もよく、２つのバイアスマグネットに２つずつＭＲセン
サを配置してもよく、３つのバイアスマグネット全てに
２つずつＭＲセンサを配置してもよい。

【００３５】・ １つのバイアスマグネット８にＭＲセ
ンサＳ１，Ｓ３が２つ配置される構造に限定されない。
例えば、１つのバイアスマグネットに３つ以上のＭＲセ
ンサを配置してもよい。

【００３６】・ 本例のように同一半径方向にＭＲセン
サＳ１とＳ３を配置し、外側導磁板５を内側導磁板６に
対して１０度ずらす構成の回転検出センサに限定されな
い。例えば、外側導磁板５および内側導磁板６が軸心Ｏ
を中心として同一半径方向に配置され、ＭＲセンサＳ１
とＳ３を周方向においてずらして配置させてもよい。

【００３７】・ バイアスマグネット８，９やＭＲセン
サＳ１〜Ｓ３はパッケージ７にモールド材１０により封
止される構造に限定されない。例えばバイアスマグネッ
ト８，９やＭＲセンサＳ１〜Ｓ３はモールド成形されず
に、ただ単に取付部材１１に取付けられ、その取付部材
１１が支持部２ａに固定された構造のものでもよい。

【００３８】・ 磁気検知手段として用いるＭＲセンサ
Ｓ１〜Ｓ３は、本例のようにブリッジ状に接続された４
つの磁気抵抗体Ｒ１〜Ｒ４のブリッジ出力を基に、コン
パレータ１３によってＨレベルまたはＬレベルの信号を
出力するセンサに限定されない。例えば、ＭＲセンサは
２つの磁気抵抗体を有するセンサでもよい。

【００３９】・ 外側導磁板５および内側導磁板６の軸
心Ｏを中心とするエッジ間の角度間隔は、３０度に限定
されない。例えば、ＭＲセンサＳ１〜Ｓ３の出力の立上
がり改善を目的として、導磁板５，６のエッジ間の角度
間隔を２０度にしてもよい。このとき、センサ出力のス
レッシュ位置が角度で補正され、出力信号の立上がり特
性が改善される。

【００４０】・ 本例のポジションセンサ１は、所定の
回転体（回転軸）が回転する種々の装置や機器に適宜使
用することができる。例えば、モータの回転角度を検出
するために本例のポジションセンサを使用できる。

【００４１】前記実施形態及び別例から把握できる請求
項以外の技術的思想について、以下にその効果とともに
記載する。 （１）請求項１〜３において、前記複数の磁気検知手段
が前記磁石の１つを共有している。この場合、１つの磁
石を複数の磁気検知手段が共有することによって、各磁
気検知手段にそれぞれ磁石を用意する必要がなくなり、
磁石の必要個数を低く抑えることができる。

【００４２】（２）請求項１〜３において、前記磁石と
磁気検知手段は、モールド成形されることにより同一の
モールド材によって封止されている。この場合、磁石の
必要個数減少に伴いそのモールド材が小型化する。よっ
て、この小型化によりモールド型の取数が多くなるの
で、モールド材にかかる材料費が低く抑えられ、コスト
低減効果を一層向上できる。

【００４３】（３）請求項１〜３において、前記磁路変
更片の位置に応じて前記各磁気検知手段から所定のパル
ス信号が出力され、当該パルス信号のレベルの状態によ
って回転角度を検出する。この場合、磁路変更片の位置
に応じて出力される磁気検知手段のパルス信号のレベル
の状態によって、回転角度を検出できる。

【００４４】（４）請求項１〜３において、前記複数の
磁気検知手段のうち２つから出力されるパルス信号を基
に、そのパルス間の間隔の値によって、前記磁路変更片
と磁石のうち一方が他方に対して回転中心を支点として
相対移動したときの回転速度を検出する。この場合、回
転角度だけでなく、回転速度も検出できる。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、少
なくとも１つの磁石に複数の磁気検知手段を配置したの
で、各磁気検知手段にそれぞれ磁石を用意する必要がな
くなり、磁石の必要個数を相対的に低く抑えることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 一実施形態におけるポジションセンサの要部
分解斜視図。

【図２】 ポジションセンサの平面図。

【図３】 （ａ）はＭＲセンサの磁気抵抗体の配置パタ
ーン例を示す構成図、（ｂ）はＭＲセンサの回路図。

【図４】 図２のII−II線断面図。

【図５】 ＭＲセンサに所定方向の磁束が作用したとき
の説明図。

【図６】 ＭＲセンサから出力されるパルス信号の波形
図。

【図７】 従来におけるポジションセンサの平面図。

【符号の説明】

１…回転検出センサとしてのポジションセンサ、５…磁
路変更片としての外側導磁板、６…磁路変更片としての
内側導磁板、８，９…磁石としてのバイアスマグネッ
ト、Ｓ１〜Ｓ３…磁気検知手段としてのＭＲセンサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F063 AA35 CA34 DA05 DD04 EA03 GA52 GA68 GA69 GA79 KA02 KA04 2F077 AA43 CC02 NN04 NN21 PP14 QQ07 VV01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 周方向に所定の間隔で配置された複数の
   磁路変更片と、当該磁路変更片によって磁束の向きが変
   化される位置に配置された少なくとも１つの磁石と、当
   該磁石の磁束を検知してその磁束向きに応じた出力値を
   出力する複数の磁気検知手段とを備え、 前記磁路変更片と磁石のうち一方が他方に対して回転中
   心を支点として相対移動したとき、磁石から放射される
   磁束の向きが前記磁路変更片により変更され、その磁束
   向きの変化に応じて前記各磁気検知手段から出力される
   出力値に基づき回転を検出する回転検出センサであっ
   て、 前記磁石の少なくとも１つには、その磁石から放射され
   る磁束を検知可能な位置に前記磁気検知手段が複数配置
   されていることを特徴とする回転検出センサ。
2. 【請求項２】 前記磁路変更片は前記磁石を挟んで両側
   に配置され、同一磁石から放射される磁束を検知可能な
   位置に配置された複数の前記磁気検知手段は、前記周方
   向の両側に配置されていることを特徴とする請求項１に
   記載の回転検出センサ。
3. 【請求項３】 前記各磁気検知手段によってそれぞれ出
   力された所定の出力信号に基づき回転が検出され、当該
   出力信号が回転検出可能な波形で出力されるように、前
   記磁路変更片、磁石及び磁気検知手段は配置設定されて
   いることを特徴とする請求項１又は２に記載の回転検出
   センサ。