JP3616284B2 - 回転検出センサ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサに係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、回転体の回転を検出するための回転検出センサとして、図８に示す回転位置センサを提案している。回転位置センサ１はモータのモータ軸の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転板２と磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。回転板２は円板状の基板部２ａを備え、基板部２ａが回転面を構成する。基板部２ａの最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から延出形成されている。各磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されている。従って、回転板２の回転面内の最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交互に存在している。
【０００３】
又、基板部２ａの中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。
従って、図９に示すように、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、基板部２ａ及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【０００４】
又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成され、前記モータ軸４が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。図９に示すように、検知部本体１０は、回転板２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。検知部本体１０は複数の磁気検知体１３を樹脂モールド材１２にて封止することにより構成されている。各磁気検知体１３は、回転板２に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネット１３ｂと該バイアスマグネット１３ｂの磁束を検出する磁気抵抗素子１３ａとを備えている。そして、この回転位置センサ１は、回転中の回転板２とともに一体に移動する磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの各端部が検出ポイントとなっており、これらの検出ポイントが各磁気検知体１３と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子１３ａにて検出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、回転位置センサ１は磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの端部の検出ポイントにてバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが大きく変化するように、検知部本体１０の内外両側を挟むように基板部２ａの外端及び内端に対して磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ及び磁路形成凸部８を設けている。そのため、回転板２の質量が大きいものとなる。従って、例えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転位置センサ１を使用すると、回転板２の質量が大きいためモータに負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの空気抵抗が大きくなるため、電流消費が増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであって、その目的は、回転板の軽量化を図り、回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板部の周方向に所定の角度間隔に形成される複数の支持板部と、該複数の支持板部の外端部にそれぞれ立設される外側の磁路変更片と、前記外側の磁路変更片に対向させて前記基板部に立設される内側の磁路変更片と、前記支持板部に対して所定の向きに配設される磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備え、前記磁石及び磁気検知素子を前記内側の磁路変更片及び外側の磁路変更片間に配設した回転検出センサを要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回転検出センサにおいて、前記内側の磁路変更片は前記外側の磁路変更片に対応して所定の角度間隔に複数設けられていることを要旨とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を回転位置センサに具体化した第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。なお、説明の便宜上、図８に示した従来形態と共通の部材について符号を同じにしてその説明を一部省略する。
【００１１】
図１は、モータのモータ軸の回転角度を検出するための回転位置センサの要部分解斜視図である。回転位置センサ２１は鉄板よりなる回転板２２と磁気検知部材３とから構成されており、回転板２２の構成が前記回転板２の構成と異なっている。回転板２２は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。回転板２２は小径の円板状の基板部２２ａを備え、基板部２２ａの周方向において、前記軸心Ｏを中心とする扇形状の３つの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが延出形成されており、基板部２ａ及び支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが回転面を構成する。各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されている。従って、回転板２２の基板部２２ａの最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、これら支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが形成されていない空間２４ａ，２４ｂ，２４ｃとが交互に存在することになる。
【００１２】
各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃから前記モータ軸４の延びる方向に延出形成されている。
【００１３】
又、基板部２２ａの中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。磁路形成凸部８は基板部２２ａと同一の径を有している。
【００１４】
従って、図３に示すように磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【００１５】
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。検知部本体１０は、回転板２２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。
【００１６】
検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁気検知体１３，１４，１５が樹脂モールド材１２にて封止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固定されている。
【００１７】
第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成されている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側がＳ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【００１８】
第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアスマグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、２個の抵抗体Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗体Ｒ１，Ｒ４の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【００１９】
なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉ−ＣＯ薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【００２０】
そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略＋４５°の向きになるときは、抵抗体Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が大きくなる第１の状態になるとともに、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が小さくなる第２の状態になる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略−４５度の向きになるとき、抵抗体Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が小さくなる第２の状態になるとともに、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が大きくなる第１の状態となる。これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【００２１】
前記各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すようにブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成するように接続されている。
前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との接続点（中点）ａは、回路基板に設けられたコンパレータＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの反転入力端子に接続されている。
【００２２】
前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回路Ｂとにより検出回路ＤＣが構成されている。
前記検出回路ＤＣの４端子ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略−４５°の向きになる場合、中点ａの電位は、Ａ０よりも大きいＨレベルとなる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略＋４５度の向きになる場合、中点ａの電位はＡ０よりも小さいＬレベルとなる。なお、Ａ０は中点ａの飽和出力の１／２の電圧レベルである。
【００２３】
なお、本実施形態での検出ポイントＰは移動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向のエッジ部分である。
第２の磁気検知体１４は、第２磁気抵抗素子１４ａと、第２バイアスマグネット１４ｂとから構成されている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００２４】
第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第２バイアスマグネット１４ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個備えている。第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００２５】
第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成されている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００２６】
第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第３バイアスマグネット１５ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個備えている。第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００２７】
そして、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかがある場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは磁束は半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片６ａ〜６ｃ、支持板部２３ａ〜２３ｃ及び磁路形成凸部８とからなるコ宇状の磁路が形成され、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片６ａ〜６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ側、即ち半径方向の向きとなる。
【００２８】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルとなとなる。
又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第２バイアスマグネット１４ｂの位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束は半径方向に対して４５度の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ〜６ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは半径方向に対して４５度の向きとなる。
【００２９】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルの電圧を出力する。
さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置に位置して、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない状態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは半径方向に対して４５度の向きから半径方向の向きに変わる。
【００３０】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上がる電圧を出力する。
また、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａの前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかが位置する状態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは半径方向から４５度の向きに変わる。
【００３１】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルからＬレベルに立ち下がる電圧を出力する。
このようにして、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検出回路ＤＣのコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値電圧）となる側の中点ｂの電位と比較される。このコンパレータＣＰによって、中点ａの電位が中点ｂの電位よりも大きい時Ｈレベル、中点ａの電位が中点ｂの電位未満の時Ｌレベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【００３２】
次に、上記のように構成した回転位置センサ２１の特徴について説明する。
（１）本実施形態では、回転板２２は小径の基板部２２ａの外周に複数（３つ）の扇形状の支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを設け、各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、回転板２２の中心部には円柱状の磁路形成凸部８を形成している。
【００３３】
従って、本実施形態の回転板２２は各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ間が切り欠かれて空間２４ａ，２４ｂ，２４ｃとなっている分だけ従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸４の回転を検出するためにこの回転位置センサ２１を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【００３４】
（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設した。
【００３５】
従って、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からノイズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させることができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａは、その前を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを正確に検知することができる。
【００３６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の回転位置センサを図５に従って説明する。
第２実施形態は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ２５の回転板２６では、前記従来形態の構成中、回転板２の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。
【００３７】
すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは前記基板部２ａに対して、前記モータ軸４から若干離間した位置において、モータ軸４の軸心を中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００３８】
従って、回転板２６の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。
【００３９】
なお、他の構成は、従来形態と同一構成であるため、従来形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ２５では、回転板２６の最外周部には３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを設けるとともに、回転板２６の内周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板２６は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ２５は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４０】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の回転位置センサを図６に従って説明する。
第３実施形態は、第１実施形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ３０の回転板３１は、前記第１実施形態の構成中、回転板２２の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。
【００４１】
すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは回転板３１の基板部２２ａに対して、前記モータ軸４から若干離間した位置において、モータ軸４の軸心を中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００４２】
従って、回転板３１の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。
【００４３】
なお、他の構成は、第１実施形態と同一構成であるため、第１実施形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ３０では、回転板３１には扇形状の支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを設け、支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、回転板３１の内周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板３１は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ３０は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４４】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態の回転位置センサを図７に従って説明する。
第４実施形態は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ３５の回転板３６では、前記従来形態の構成中、回転板２の円柱状の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが設けられている。
【００４５】
すなわち、磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、前記モータ軸４の軸心を中心とした扇形状に延出形成されている。磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００４６】
従って、回転板３６の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃと、これら磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが形成されていない空間３８ａ，３８ｂ，３８ｃとが交互に存在することになる。
【００４７】
なお、他の構成は、従来形態と同一構成であるため、従来形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ３５では、回転板３６の基板部２ａの最外周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、基板部２ａの内周部には磁路形成凸部８に代えて、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板３６は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ３５は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４８】
次に、上記した実施の形態から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について記載する。
・ 前記磁気検知部材の前記磁気検知素子は磁束の向きによってその出力信号のレベルが変化する磁気抵抗素子である。
【００４９】
・ 基板部の周方向に所定の角度間隔に複数の支持板部を形成し、該複数の支持板部の外端部にそれぞれ外側の磁路変更片を立設するとともに、複数の支持板部の内端部には前記外側の磁路変更片に対向させて内側の磁路変更片を立設した回転検出センサ用回転板。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、各請求項に記載の発明によれば、回転板の軽量化を図ることができ、よって回転角度が検出される回転体の負荷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】回転位置センサの要部分解斜視図。
【図２】回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図３】回転位置センサの要部断面図。
【図４】磁気抵抗素子の等価回路図。
【図５】第２実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図６】第３実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図７】第４実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図８】従来の回転位置センサの分解斜視図。
【図９】従来の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【符号の説明】
３…磁気検知部材、４…回転体としてのモータ軸、６ａ，６ｂ，６ｃ，２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，３７ａ，３７ｂ，３７ｃ…外側の磁路変更片、７ａ，７ｂ，７ｃ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ…空間、８…内側の磁路変更片としての磁路形成凸部、１０…検知部本体、１３，１４，１５…第１〜第３の磁気検知体、１３ａ，１４ａ，１５ａ…磁気検知素子としての第１〜第３磁気抵抗素子、１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ…磁石としての第１〜第３バイアスマグネット、２１，２５，３０，３５…回転検出センサとしての回転位置センサ、２２，２６，３１，３６…回転板。
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサに係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、回転体の回転を検出するための回転検出センサとして、図８に示す回転位置センサを提案している。回転位置センサ１はモータのモータ軸の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転板２と磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。回転板２は円板状の基板部２ａを備え、基板部２ａが回転面を構成する。基板部２ａの最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から延出形成されている。各磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されている。従って、回転板２の回転面内の最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交互に存在している。
【０００３】
又、基板部２ａの中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。
従って、図９に示すように、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、基板部２ａ及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【０００４】
又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成され、前記モータ軸４が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。図９に示すように、検知部本体１０は、回転板２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。検知部本体１０は複数の磁気検知体１３を樹脂モールド材１２にて封止することにより構成されている。各磁気検知体１３は、回転板２に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネット１３ｂと該バイアスマグネット１３ｂの磁束を検出する磁気抵抗素子１３ａとを備えている。そして、この回転位置センサ１は、回転中の回転板２とともに一体に移動する磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの各端部が検出ポイントとなっており、これらの検出ポイントが各磁気検知体１３と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子１３ａにて検出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、回転位置センサ１は磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの端部の検出ポイントにてバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが大きく変化するように、検知部本体１０の内外両側を挟むように基板部２ａの外端及び内端に対して磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ及び磁路形成凸部８を設けている。そのため、回転板２の質量が大きいものとなる。従って、例えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転位置センサ１を使用すると、回転板２の質量が大きいためモータに負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの空気抵抗が大きくなるため、電流消費が増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであって、その目的は、回転板の軽量化を図り、回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板部の周方向に所定の角度間隔に形成される複数の支持板部と、該複数の支持板部の外端部にそれぞれ立設される外側の磁路変更片と、前記外側の磁路変更片に対向させて前記基板部に立設される内側の磁路変更片と、前記支持板部に対して所定の向きに配設される磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備え、前記磁石及び磁気検知素子を前記内側の磁路変更片及び外側の磁路変更片間に配設した回転検出センサを要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回転検出センサにおいて、前記内側の磁路変更片は前記外側の磁路変更片に対応して所定の角度間隔に複数設けられていることを要旨とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を回転位置センサに具体化した第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。なお、説明の便宜上、図８に示した従来形態と共通の部材について符号を同じにしてその説明を一部省略する。
【００１１】
図１は、モータのモータ軸の回転角度を検出するための回転位置センサの要部分解斜視図である。回転位置センサ２１は鉄板よりなる回転板２２と磁気検知部材３とから構成されており、回転板２２の構成が前記回転板２の構成と異なっている。回転板２２は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。回転板２２は小径の円板状の基板部２２ａを備え、基板部２２ａの周方向において、前記軸心Ｏを中心とする扇形状の３つの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが延出形成されており、基板部２ａ及び支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが回転面を構成する。各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されている。従って、回転板２２の基板部２２ａの最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、これら支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが形成されていない空間２４ａ，２４ｂ，２４ｃとが交互に存在することになる。
【００１２】
各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃから前記モータ軸４の延びる方向に延出形成されている。
【００１３】
又、基板部２２ａの中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。磁路形成凸部８は基板部２２ａと同一の径を有している。
【００１４】
従って、図３に示すように磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【００１５】
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。検知部本体１０は、回転板２２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。
【００１６】
検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁気検知体１３，１４，１５が樹脂モールド材１２にて封止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固定されている。
【００１７】
第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成されている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側がＳ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【００１８】
第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアスマグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、２個の抵抗体Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗体Ｒ１，Ｒ４の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【００１９】
なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉ−ＣＯ薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【００２０】
そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略＋４５°の向きになるときは、抵抗体Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が大きくなる第１の状態になるとともに、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が小さくなる第２の状態になる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略−４５度の向きになるとき、抵抗体Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が小さくなる第２の状態になるとともに、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が大きくなる第１の状態となる。これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【００２１】
前記各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すようにブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成するように接続されている。
前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との接続点（中点）ａは、回路基板に設けられたコンパレータＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの反転入力端子に接続されている。
【００２２】
前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回路Ｂとにより検出回路ＤＣが構成されている。
前記検出回路ＤＣの４端子ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略−４５°の向きになる場合、中点ａの電位は、Ａ０よりも大きいＨレベルとなる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略＋４５度の向きになる場合、中点ａの電位はＡ０よりも小さいＬレベルとなる。なお、Ａ０は中点ａの飽和出力の１／２の電圧レベルである。
【００２３】
なお、本実施形態での検出ポイントＰは移動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向のエッジ部分である。
第２の磁気検知体１４は、第２磁気抵抗素子１４ａと、第２バイアスマグネット１４ｂとから構成されている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００２４】
第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第２バイアスマグネット１４ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個備えている。第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００２５】
第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成されている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００２６】
第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第３バイアスマグネット１５ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個備えている。第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００２７】
そして、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかがある場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは磁束は半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片６ａ〜６ｃ、支持板部２３ａ〜２３ｃ及び磁路形成凸部８とからなるコ宇状の磁路が形成され、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片６ａ〜６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ側、即ち半径方向の向きとなる。
【００２８】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルとなとなる。
又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第２バイアスマグネット１４ｂの位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束は半径方向に対して４５度の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ〜６ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは半径方向に対して４５度の向きとなる。
【００２９】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルの電圧を出力する。
さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置に位置して、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない状態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは半径方向に対して４５度の向きから半径方向の向きに変わる。
【００３０】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上がる電圧を出力する。
また、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａの前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかが位置する状態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは半径方向から４５度の向きに変わる。
【００３１】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルからＬレベルに立ち下がる電圧を出力する。
このようにして、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検出回路ＤＣのコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値電圧）となる側の中点ｂの電位と比較される。このコンパレータＣＰによって、中点ａの電位が中点ｂの電位よりも大きい時Ｈレベル、中点ａの電位が中点ｂの電位未満の時Ｌレベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【００３２】
次に、上記のように構成した回転位置センサ２１の特徴について説明する。
（１）本実施形態では、回転板２２は小径の基板部２２ａの外周に複数（３つ）の扇形状の支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを設け、各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、回転板２２の中心部には円柱状の磁路形成凸部８を形成している。
【００３３】
従って、本実施形態の回転板２２は各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ間が切り欠かれて空間２４ａ，２４ｂ，２４ｃとなっている分だけ従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸４の回転を検出するためにこの回転位置センサ２１を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【００３４】
（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設した。
【００３５】
従って、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からノイズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させることができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａは、その前を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを正確に検知することができる。
【００３６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の回転位置センサを図５に従って説明する。
第２実施形態は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ２５の回転板２６では、前記従来形態の構成中、回転板２の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。
【００３７】
すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは前記基板部２ａに対して、前記モータ軸４から若干離間した位置において、モータ軸４の軸心を中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００３８】
従って、回転板２６の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。
【００３９】
なお、他の構成は、従来形態と同一構成であるため、従来形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ２５では、回転板２６の最外周部には３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを設けるとともに、回転板２６の内周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板２６は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ２５は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４０】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の回転位置センサを図６に従って説明する。
第３実施形態は、第１実施形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ３０の回転板３１は、前記第１実施形態の構成中、回転板２２の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。
【００４１】
すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは回転板３１の基板部２２ａに対して、前記モータ軸４から若干離間した位置において、モータ軸４の軸心を中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００４２】
従って、回転板３１の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。
【００４３】
なお、他の構成は、第１実施形態と同一構成であるため、第１実施形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ３０では、回転板３１には扇形状の支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを設け、支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、回転板３１の内周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板３１は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ３０は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４４】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態の回転位置センサを図７に従って説明する。
第４実施形態は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ３５の回転板３６では、前記従来形態の構成中、回転板２の円柱状の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが設けられている。
【００４５】
すなわち、磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、前記モータ軸４の軸心を中心とした扇形状に延出形成されている。磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００４６】
従って、回転板３６の回転面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃと、これら磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが形成されていない空間３８ａ，３８ｂ，３８ｃとが交互に存在することになる。
【００４７】
なお、他の構成は、従来形態と同一構成であるため、従来形態と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
このように、本実施形態の回転位置センサ３５では、回転板３６の基板部２ａの最外周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成するとともに、基板部２ａの内周部には磁路形成凸部８に代えて、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃを形成した。従って、本実施形態の回転板３６は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、回転位置センサ３５は第１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００４８】
次に、上記した実施の形態から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について記載する。
・ 前記磁気検知部材の前記磁気検知素子は磁束の向きによってその出力信号のレベルが変化する磁気抵抗素子である。
【００４９】
・ 基板部の周方向に所定の角度間隔に複数の支持板部を形成し、該複数の支持板部の外端部にそれぞれ外側の磁路変更片を立設するとともに、複数の支持板部の内端部には前記外側の磁路変更片に対向させて内側の磁路変更片を立設した回転検出センサ用回転板。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、各請求項に記載の発明によれば、回転板の軽量化を図ることができ、よって回転角度が検出される回転体の負荷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】回転位置センサの要部分解斜視図。
【図２】回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図３】回転位置センサの要部断面図。
【図４】磁気抵抗素子の等価回路図。
【図５】第２実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図６】第３実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図７】第４実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図８】従来の回転位置センサの分解斜視図。
【図９】従来の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【符号の説明】
３…磁気検知部材、４…回転体としてのモータ軸、６ａ，６ｂ，６ｃ，２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，３７ａ，３７ｂ，３７ｃ…外側の磁路変更片、７ａ，７ｂ，７ｃ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ…空間、８…内側の磁路変更片としての磁路形成凸部、１０…検知部本体、１３，１４，１５…第１〜第３の磁気検知体、１３ａ，１４ａ，１５ａ…磁気検知素子としての第１〜第３磁気抵抗素子、１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ…磁石としての第１〜第３バイアスマグネット、２１，２５，３０，３５…回転検出センサとしての回転位置センサ、２２，２６，３１，３６…回転板。
Claims (2)
- 基板部の周方向に所定の角度間隔に形成される複数の支持板部と、
該複数の支持板部の外端部にそれぞれ立設される外側の磁路変更片と、
前記外側の磁路変更片に対向させて前記基板部に立設される内側の磁路変更片と、
前記支持板部に対して所定の向きに配設される磁石と、
該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備え、
前記磁石及び磁気検知素子を前記内側の磁路変更片及び外側の磁路変更片間に配設した回転検出センサ。 - 請求項１に記載の回転検出センサにおいて、
前記内側の磁路変更片は前記外側の磁路変更片に対応して所定の角度間隔に複数設けられている回転検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22274899A JP3616284B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 回転検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22274899A JP3616284B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 回転検出センサ |
Publications (2)
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