JP2001050773A - 回転検出センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】回転板の軽量化を図り、回転角度が検出される
回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを
提供する。 【解決手段】回転位置センサ２１は、回転板２２と磁気
検知部材３とからなる。回転板２２の基板部２２ａには
回転面の内側に磁路形成凸部８が立設されるとともに、
基板部２２ａの外周部には扇形状の支持板部２３ａ，２
３ｂ，２３ｃが設けられ、各支持板部２３ａ，２３ｂ，
２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが延出形
成されている。磁気検知部材３の検知部本体１０は回転
板２２の回転面に対して所定の向きに配設された磁石
と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備え、検
知部本体１０は磁路形成凸部８及び磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃ間に配設されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転検出センサに
係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本出願人は、回転体の回転を検出するた
めの回転検出センサとして、図８に示す回転位置センサ
を提案している。回転位置センサ１はモータのモータ軸
の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転
板２と磁気検知部材３とから構成されている。回転板２
は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心
に回転する。回転板２は円板状の基板部２ａを備え、基
板部２ａが回転面を構成する。基板部２ａの最外周部に
おいて、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変
更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から延出形成されて
いる。各磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが互いになす間隔
は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されてい
る。従って、回転板２の回転面内の最外周部において、
軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ
が形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交互に存在
している。

【０００３】又、基板部２ａの中心部には磁路変更片と
しての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜
６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。
従って、図９に示すように、磁路変更片６ａ，６ｂ，６
ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面
形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、基板部２ａ及び
磁路形成凸部８とでコの字状となる。

【０００４】又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成さ
れ、前記モータ軸４が貫挿固着されている。前記磁気検
知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構
成されている。図９に示すように、検知部本体１０は、
回転板２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの内側
であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁路形成
凸部８との間に位置する空間内に配設される。検知部本
体１０は複数の磁気検知体１３を樹脂モールド材１２に
て封止することにより構成されている。各磁気検知体１
３は、回転板２に対して対向して配置されるとともに所
定の向きに配設されたバイアスマグネット１３ｂと該バ
イアスマグネット１３ｂの磁束を検出する磁気抵抗素子
１３ａとを備えている。そして、この回転位置センサ１
は、回転中の回転板２とともに一体に移動する磁路変更
片６ａ，６ｂ，６ｃの各端部が検出ポイントとなってお
り、これらの検出ポイントが各磁気検知体１３と対応す
る位置を通過する際にバイアスマグネット１３ｂの磁束
の向きが変更されたことを磁気抵抗素子１３ａにて検出
するようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、回転位置セ
ンサ１は磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの端部の検出ポイ
ントにてバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが大き
く変化するように、検知部本体１０の内外両側を挟むよ
うに基板部２ａの外端及び内端に対して磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃ及び磁路形成凸部８を設けている。その
ため、回転板２の質量が大きいものとなる。従って、例
えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転位置セン
サ１を使用すると、回転板２の質量が大きいためモータ
に負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片
６ａ，６ｂ，６ｃの空気抵抗が大きくなるため、電流消
費が増大するという問題がある。

【０００６】本発明は、上記問題を解消するためになさ
れたものであって、その目的は、回転板の軽量化を図
り、回転体の負荷を低減することができる回転検出セン
サを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板部の周方向に所定の角度間隔に複数の支持板部
を形成し、該複数の支持板部の外端部にそれぞれ外側の
磁路変更片を立設するとともに、複数の支持板部の内端
部には前記外側の磁路変更片に対向させて内側の磁路変
更片を立設した回転板と、前記回転板の支持板部に対し
て所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出
する磁気検知素子とを備え、前記磁石及び磁気検知素子
を前記内側磁路変更片及び外側磁路変更片間に配設した
磁気検知部材とからなる回転検出センサを要旨とする。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の回転検出センサにおいて、前記内側の磁路変更片は前
記外側の磁路変更片に対応して所定の角度間隔に複数設
けられていることを要旨とする。

【０００９】請求項３に記載の発明は、基板部の内側及
び外側に対し、それぞれ周方向に所定の角度間隔に複数
の内側の磁路変更片及び複数の外側の磁路変更片を対向
させて立設した回転板と、前記回転板の基板部に対して
所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出す
る磁気検知素子とを備え、前記磁石及び磁気検知素子を
前記内側磁路変更片及び外側磁路変更片間に配設した磁
気検知部材とからなる回転検出センサを要旨とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
回転位置センサに具体化した第１実施形態を図１〜図４
に従って説明する。なお、説明の便宜上、図８に示した
従来形態と共通の部材について符号を同じにしてその説
明を一部省略する。

【００１１】図１は、モータのモータ軸の回転角度を検
出するための回転位置センサの要部分解斜視図である。
回転位置センサ２１は鉄板よりなる回転板２２と磁気検
知部材３とから構成されており、回転板２２の構成が前
記回転板２の構成と異なっている。回転板２２は、モー
タ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転す
る。回転板２２は小径の円板状の基板部２２ａを備え、
基板部２２ａの周方向において、前記軸心Ｏを中心とす
る扇形状の３つの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが延
出形成されており、基板部２ａ及び支持板部２３ａ，２
３ｂ，２３ｃが回転面を構成する。各支持板部２３ａ，
２３ｂ，２３ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみ
て６０度の角度に設定されている。従って、回転板２２
の基板部２２ａの最外周部において、軸心Ｏからみて６
０度の角度毎にこれらの支持板部２３ａ，２３ｂ，２３
ｃと、これら支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃが形成さ
れていない空間２４ａ，２４ｂ，２４ｃとが交互に存在
することになる。

【００１２】各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの最外
周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の
磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが各支持板部２３ａ，２３
ｂ，２３ｃから前記モータ軸４の延びる方向に延出形成
されている。

【００１３】又、基板部２２ａの中心部には磁路変更片
としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ
〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されてい
る。磁路形成凸部８は基板部２２ａと同一の径を有して
いる。

【００１４】従って、図３に示すように磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２２を切断
した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、
支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び磁路形成凸部８と
でコの字状となる。

【００１５】前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と
支持アーム１１とから構成されている。検知部本体１０
は、回転板２２に形成した磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ
の内側であって、その磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと磁
路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。

【００１６】検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁
気検知体１３，１４，１５が樹脂モールド材１２にて封
止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されてい
る。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固
定されている。

【００１７】第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素
子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成さ
れている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側が
Ｓ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第
１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２に
おいて時計回り方向にオフセットさせて配置されてい
る。

【００１８】第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアス
マグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変
化する磁気検知素子であって、図４に示すような磁束の
向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ
４のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、２
個の抵抗体Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗体Ｒ１，Ｒ
４の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置
されている。

【００１９】なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉ−ＣＯ薄
膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成
膜されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、同温度雰囲気下に
おいて抵抗値が同一となるように設定されている。な
お、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、感度
が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特
性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致してい
るのが好ましい。

【００２０】そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半
径方向に対し略＋４５°の向きになるときは、抵抗体Ｒ
１，Ｒ４は抵抗値が大きくなる第１の状態になるととも
に、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が小さくなる第２の状態
になる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略−
４５度の向きになるとき、抵抗体Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が
小さくなる第２の状態になるとともに、抵抗体Ｒ２，Ｒ
３は抵抗値が大きくなる第１の状態となる。これらの状
態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。

【００２１】前記各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すよう
にブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成す
るように接続されている。前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２
との接続点（中点）ａは、回路基板に設けられたコンパ
レータＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と
抵抗体Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣ
Ｐの反転入力端子に接続されている。

【００２２】前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回
路Ｂとにより検出回路ＤＣが構成されている。前記検出
回路ＤＣの４端子ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ
１，Ｒ４は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に
対し略−４５°の向きになる場合、中点ａの電位は、Ａ
０よりも大きいＨレベルとなる。又、磁束の向きが前記
略半径方向に対して略＋４５度の向きになる場合、中点
ａの電位はＡ０よりも小さいＬレベルとなる。なお、Ａ
０は中点ａの飽和出力の１／２の電圧レベルである。

【００２３】なお、本実施形態での検出ポイントＰは移
動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向
のエッジ部分である。第２の磁気検知体１４は、第２磁
気抵抗素子１４ａと、第２バイアスマグネット１４ｂと
から構成されている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バ
イアスマグネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁
気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの
間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子
１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとは、それぞれ
前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット
１３ｂとに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に
時計回り方向に４０度の位置に配設される。

【００２４】第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａと同様に第２バイアスマグネット１４ｂ
の磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素
子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗
体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的
に接続された抵抗体を４個備えている。第２磁気抵抗素
子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３
ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さら
に、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コ
ンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成してい
る。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記
第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に
機能（作用）する。

【００２５】第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素
子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成さ
れている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグ
ネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子
１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関
係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第
３バイアスマグネット１５ｂとは、それぞれ前記第１磁
気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとに
対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り
方向に４０度の位置に配設される。

【００２６】第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａと同様に第３バイアスマグネット１５ｂ
の磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素
子であって、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗
体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的
に接続された抵抗体を４個備えている。第３磁気抵抗素
子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３
ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さら
に、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コ
ンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成してい
る。この検出回路ＤＣ及び４端子ブリッジ回路Ｂは前記
第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に
機能（作用）する。

【００２７】そして、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係
において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５
ｂの各々が、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂ
の位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片
６ａ〜６ｃのいずれかがある場合には、それら第１〜第
３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きは磁
束は半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片６ａ〜
６ｃ、支持板部２３ａ〜２３ｃ及び磁路形成凸部８とか
らなるコ宇状の磁路が形成され、第１〜第３バイアスマ
グネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片６
ａ〜６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束
の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ側、即ち半径方向の向
きとなる。

【００２８】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルとなとなる。又、第１〜
第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６
ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイア
スマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第２
バイアスマグネット１４ｂの位置に位置したとき、即
ち、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない
場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ
〜１５ｂの磁束は半径方向に対して４５度の向きとな
る。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ〜６ｃがな
いため、磁束は引き込まれるものがないからである。そ
の結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは半径方向に
対して４５度の向きとなる。

【００２９】従って、この場合には４端子ブリッジ回路
Ｂの中点ａの電圧はＬレベルの電圧を出力する。さら
に、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁
路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜
第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２
に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置に位置し
て、Ｎ極の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれもない
状態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過
する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３
ｂ〜１５ｂの磁束の向きは半径方向に対して４５度の向
きから半径方向の向きに変わる。

【００３０】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上が
る電圧を出力する。また、第１〜第３バイアスマグネッ
ト１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置
関係において、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａ
の前方に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかが位置する状
態から磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれかの端部が通過す
る時には、それら第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ
〜１５ｂの磁束の向きは半径方向から４５度の向きに変
わる。

【００３１】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルからＬレベルに立ち下が
る電圧を出力する。このようにして、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検
出回路ＤＣのコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値
電圧）となる側の中点ｂの電位と比較される。このコン
パレータＣＰによって、中点ａの電位が中点ｂの電位よ
りも大きい時Ｈレベル、中点ａの電位が中点ｂの電位未
満の時Ｌレベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻
となる検出信号に波形整形される。

【００３２】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ２１の特徴について説明する。 （１）本実施形態では、回転板２２は小径の基板部２２
ａの外周に複数（３つ）の扇形状の支持板部２３ａ，２
３ｂ，２３ｃを設け、各支持板部２３ａ，２３ｂ，２３
ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成す
るとともに、回転板２２の中心部には円柱状の磁路形成
凸部８を形成している。

【００３３】従って、本実施形態の回転板２２は各支持
板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ間が切り欠かれて空間２４
ａ，２４ｂ，２４ｃとなっている分だけ従来の回転板２
と比較して質量を小さくすることができる。よって、例
えばモータ軸４の回転を検出するためにこの回転位置セ
ンサ２１を使用する場合、モータにかかる負荷を低減し
て電流消費の増大を抑制することができる。

【００３４】（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット
１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６
ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配
設した。

【００３５】従って、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からノイ
ズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させることが
できる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５
ａは、その前を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを正確に
検知することができる。

【００３６】（第２実施形態）次に、第２実施形態の回
転位置センサを図５に従って説明する。第２実施形態
は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位
置センサ２５の回転板２６では、前記従来形態の構成
中、回転板２の磁路形成凸部８に代えて、３個の磁路変
更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。

【００３７】すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２
７ｃは前記基板部２ａに対して、前記モータ軸４から若
干離間した位置において、モータ軸４の軸心を中心とし
た断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片２７
ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端までが、磁路変更
片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するように前記軸心
からみて６０度の角度をなすように形成されている。
又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが互いになす
間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形
成されている。

【００３８】従って、回転板２６の回転面内の内周部に
おいて、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変
更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７
ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２
８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。

【００３９】なお、他の構成は、従来形態と同一構成で
あるため、従来形態と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。このように、本実施形態の回
転位置センサ２５では、回転板２６の最外周部には３個
の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを設けるとともに、回転
板２６の内周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応
する磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従
って、本実施形態の回転板２６は従来の回転板２と比較
して質量を小さくすることができる。よって、回転位置
センサ２５は第１実施形態における（１），（２）と同
様の作用及び効果を得ることができる。

【００４０】（第３実施形態）次に、第３実施形態の回
転位置センサを図６に従って説明する。第３実施形態
は、第１実施形態の構成を変更したものである。この回
転位置センサ３０の回転板３１は、前記第１実施形態の
構成中、回転板２２の磁路形成凸部８に代えて、３個の
磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが設けられている。

【００４１】すなわち、磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２
７ｃは回転板３１の基板部２２ａに対して、前記モータ
軸４から若干離間した位置において、モータ軸４の軸心
を中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路
変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、一端から他端まで
が、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞれ対応するよ
うに前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成さ
れている。又、各磁路変更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃが
互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をな
すように形成されている。

【００４２】従って、回転板３１の回転面内の内周部に
おいて、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変
更片２７ａ，２７ｂ，２７ｃと、これら磁路変更片２７
ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されていない空間２８ａ，２
８ｂ，２８ｃとが交互に存在することになる。

【００４３】なお、他の構成は、第１実施形態と同一構
成であるため、第１実施形態と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。このように、本実施
形態の回転位置センサ３０では、回転板３１には扇形状
の支持板部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを設け、支持板部２
３ａ，２３ｂ，２３ｃの外端部に磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃを延出形成するとともに、回転板３１の内周部
には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片
２７ａ，２７ｂ，２７ｃを形成した。従って、本実施形
態の回転板３１は従来の回転板２と比較して質量を小さ
くすることができる。よって、回転位置センサ３０は第
１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効
果を得ることができる。

【００４４】（第４実施形態）次に、第４実施形態の回
転位置センサを図７に従って説明する。第４実施形態
は、従来形態の構成を変更したものである。この回転位
置センサ３５の回転板３６では、前記従来形態の構成
中、回転板２の円柱状の磁路形成凸部８に代えて、３個
の磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃが設けられてい
る。

【００４５】すなわち、磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３
７ｃは、前記モータ軸４の軸心を中心とした扇形状に延
出形成されている。磁路変更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃ
は、一端から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ
にそれぞれ対応するように前記軸心からみて６０度の角
度をなすように形成されている。又、各磁路変更片３７
ａ，３７ｂ，３７ｃが互いになす間隔は、前記軸心から
みて６０度の角度をなすように形成されている。

【００４６】従って、回転板３６の回転面内の内周部に
おいて、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変
更片３７ａ，３７ｂ，３７ｃと、これら磁路変更片３７
ａ，３７ｂ，３７ｃが形成されていない空間３８ａ，３
８ｂ，３８ｃとが交互に存在することになる。

【００４７】なお、他の構成は、従来形態と同一構成で
あるため、従来形態と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。このように、本実施形態の回
転位置センサ３５では、回転板３６の基板部２ａの最外
周部には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを延出形成すると
ともに、基板部２ａの内周部には磁路形成凸部８に代え
て、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに対応する磁路変更片
３７ａ，３７ｂ，３７ｃを形成した。従って、本実施形
態の回転板３６は従来の回転板２と比較して質量を小さ
くすることができる。よって、回転位置センサ３５は第
１実施形態における（１），（２）と同様の作用及び効
果を得ることができる。

【００４８】次に、上記した実施の形態から把握できる
請求項に記載した発明以外の技術的思想について記載す
る。・ 請求項１〜３のいずれかに記載の回転検出セン
サにおいて、前記磁気検知部材の前記磁気検知素子は磁
束の向きによってその出力信号のレベルが変化する磁気
抵抗素子である回転検出センサ。

【００４９】・ 基板部の周方向に所定の角度間隔に複
数の支持板部を形成し、該複数の支持板部の外端部にそ
れぞれ外側の磁路変更片を立設するとともに、複数の支
持板部の内端部には前記外側の磁路変更片に対向させて
内側の磁路変更片を立設した回転検出センサ用回転板。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜３に記
載の発明によれば、回転板の軽量化を図ることができ、
よって回転角度が検出される回転体の負荷を低減するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】回転位置センサの要部分解斜視図。

【図２】回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面
図。

【図３】回転位置センサの要部断面図。

【図４】磁気抵抗素子の等価回路図。

【図５】第２実施形態の回転位置センサの要部分解斜視
図。

【図６】第３実施形態の回転位置センサの要部分解斜視
図。

【図７】第４実施形態の回転位置センサの要部分解斜視
図。

【図８】従来の回転位置センサの分解斜視図。

【図９】従来の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す
平面図。

【符号の説明】

３…磁気検知部材、４…回転体としてのモータ軸、６
ａ，６ｂ，６ｃ，２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，３７ａ，３
７ｂ，３７ｃ…外側の磁路変更片、７ａ，７ｂ，７ｃ，
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，３
８ａ，３８ｂ，３８ｃ…空間、８…内側の磁路変更片と
しての磁路形成凸部、１０…検知部本体、１３，１４，
１５…第１〜第３の磁気検知体、１３ａ，１４ａ，１５
ａ…磁気検知素子としての第１〜第３磁気抵抗素子、１
３ｂ，１４ｂ，１５ｂ…磁石としての第１〜第３バイア
スマグネット、２１，２５，３０，３５…回転検出セン
サとしての回転位置センサ、２２，２６，３１，３６…
回転板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関戸 正也 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 田島 聖也 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 Ｆターム(参考） 2F063 AA35 BA30 CA34 DA05 DD04 EA03 GA52 GA64 KA02 KA04 2F077 CC02 NN04 NN23 PP14 QQ02 VV02

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板部の周方向に所定の角度間隔に複数
   の支持板部を形成し、該複数の支持板部の外端部にそれ
   ぞれ外側の磁路変更片を立設するとともに、複数の支持
   板部の内端部には前記外側の磁路変更片に対向させて内
   側の磁路変更片を立設した回転板と、 前記回転板の支持板部に対して所定の向きに配設された
   磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備
   え、前記磁石及び磁気検知素子を前記内側磁路変更片及
   び外側磁路変更片間に配設した磁気検知部材とからなる
   回転検出センサ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の回転検出センサにおい
   て、 前記内側の磁路変更片は前記外側の磁路変更片に対応し
   て所定の角度間隔に複数設けられている回転検出セン
   サ。
3. 【請求項３】 基板部の内側及び外側に対し、それぞれ
   周方向に所定の角度間隔に複数の内側の磁路変更片及び
   複数の外側の磁路変更片を対向させて立設した回転板
   と、 前記回転板の基板部に対して所定の向きに配設された磁
   石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備え、
   前記磁石及び磁気検知素子を前記内側磁路変更片及び外
   側磁路変更片間に配設した磁気検知部材とからなる回転
   検出センサ。