JP3605526B2 - 回転検出センサの検出回路 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサの検出回路に係り、詳しくは磁気検出素子を備えた回転検出センサの検出回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、回転検出センサとして、回転板の回転面の周方向に向かって所定間隔毎に磁路形成のための磁路変更片を立設し、同回転板に対して、対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネットと該バイアスマグネットを検出する磁気抵抗素子とを備えた回転検出センサを提案している。この回転検出センサは、回転中の回転板とともに一体に移動する磁路変更片にてバイアスマグネットの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子にて検出するようにされている。
【０００３】
このような磁束の方向の変化により回転角度を検出する回転検出センサ（回転角度センサ）においては、本来は磁束の変化が９０°ある場合に、飽和出力が得られる。
【０００４】
しかし、実際には様々な理由により、磁束の方向変化が小さい角度しか得られないため、図６のαに示すような波形カーブを描いたセンサ出力の電圧の波形となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
又、移動（回転）中の磁路変更片を検出するポイント（検出ポイント）は、前記磁路変更片の回転方向又は反回転方向のエッジ部分の前後で磁界の乱れ等が生じるため、上記回転板、バイアスマグネット、磁気抵抗素子等の各部材の配置の合わせ込みによっても、センサ出力の中心とならない場合がある。例えば、図６で示すようなαの出力波形（磁気抵抗素子の出力波形）をもつ回転検出センサの場合、例えば検出ポイントＰで検出せざるを得ない場合がある。このような場合、図６に示すように、センサ出力中心Ａ０から離間したＡ１を図示しない検出回路の閾値（スレッショルド）とすることにより、検出ポイントＰを検出する。
【０００６】
一方、上記のような様々な理由により、磁束の方向変化が小さい角度しか得られない場合や、さらに磁束の方向変化が飽和出力変化の中心Ａ０よりずれている場合、磁気抵抗素子の感度温度特性により、磁気抵抗素子の出力が小さくなった時には、この出力電圧の小さな変動に起因して磁路変更片が移動（回転）してきた時の検出位置、或いは、磁路変更片が移動して去った時の検出位置である検出ポイントが大きくずれてしまう問題があった。なお、磁気抵抗素子は、雰囲気温度が上昇すると抵抗値が増大する特性（これを感度温度特性という）を有する。
【０００７】
この理由を説明すると、図６において、βは回転検出センサの雰囲気温度が上昇して検出電圧が小さくなったときのセンサ出力（磁気抵抗素子の出力）の電圧の波形を示している。このようなβのセンサ出力となった場合、検出回路の閾値Ａ１は、図６に示す通りとなるため、この閾値Ａ１では、検出ポイントＰ１を検出することになる。すると、温度が上昇する前では、検出ポイントＰであったところが、温度上昇のために検出ポイントＰ１となり、この結果、検出される検出角度がｄ分だけ相違することになる。
【０００８】
本発明の目的は、上記問題を解消するためになされたものであって、磁気抵抗素子の感度温度特性により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれてしまうことがない回転検出センサの検出回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大する感度温度特性を備えた複数の磁気検出素子により構成したブリッジ回路と、前記ブリッジ回路を構成する磁気検出素子間の中点電位の入力を行うため、その磁気素子検出間の接続点に対して非反転入力端子及び反転入力端子がそれぞれ接続されたコンパレータとを備えた回転検出センサの検出回路において、前記非反転入力端子及び反転入力端子に接続された磁気検出素子のうち、基準電圧となる側の磁気検出素子には、同磁気検出素子よりも温度抵抗の小さいオフセット補正用抵抗を接続した回転検出センサの検出回路を要旨とするものである。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１において、ブリッジ回路は４端子ブリッジ回路で構成してもよい。
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２において、オフセット補正用抵抗は磁気検出素子の抵抗よりも小さくすることが好ましい。
【００１１】
（作用）
請求項１に記載の発明によれば、回転検出センサの雰囲気温度が上昇して、磁気検出素子の抵抗が増大し、一方、オフセット用補正抵抗は、温度抵抗変化が少ない。このため、オフセット用補正抵抗の抵抗値は変わらないため、オフセット用補正抵抗が接続された側の磁気検出素子間の中点電位は相対的に下降する。この下降した中点電位はコンパレータの基準電位とすると、その中点電位が下降した分だけ閾値が下がる。
【００１２】
この結果、磁気抵抗素子の感度温度特性により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれてしまうことがなくなる。
請求項２の発明によれば、ブリッジ回路は４端子ブリッジ回路に構成することにより、請求項１の作用を実現することができる。
【００１３】
請求項３の発明によれば、オフセット補正用抵抗は磁気検出素子の抵抗よりも小さくすることにより、請求項１又は請求項２の作用を実現することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を回転位置センサの検出回路に具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。
【００１５】
図１は、回転位置センサの要部分解斜視図である。回転検出センサ１は、鉄板よりなる回転板２と磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、ステアリングシャフト４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。
【００１６】
図２に示すように、前記回転板２の回転面内の最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から延出形成されている。磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは、一端から他端までが前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００１７】
従って、回転板２の回転面内の最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交互に存在することになる。
【００１８】
又、回転板２の中心部には円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。
従って、図３に示すように磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【００１９】
又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成され、前記ステアリングシャフト４が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。検知部本体１０は、回転板２に形成した磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。
【００２０】
検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁気検知体１３、１４、１５が樹脂モールド材１２にて封止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固定されている。
【００２１】
第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成されている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側がＳ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【００２２】
第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアスマグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する複数の磁気検出素子からなり、すなわち、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。図５は抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の配置を示す説明図である。同図に示すように２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、同じ方向に向かって配置され、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は前記抵抗体Ｒ１，Ｒ４の向く方向とは直交する方向に向かって配置されている。図５において、ｍ及びｎは抵抗体Ｒ１，Ｒ４及び抵抗体Ｒ２，Ｒ３が向かう方向を示すそれぞれの中心軸を示している。なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉＣｏ薄膜を基板に対して折れ線状に成膜されたものであり、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、抵抗値が増加する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【００２３】
そして、本実施形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の角度中心線と、磁束の変化中心（図５において、Ａ線で示す）とは一致するように配置されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の角度中心線とは、前記ｍ，ｎ線が交わる点を基点とし、その基点を通るｍｎの成す角の二等分線である。
【００２４】
なお、この実施形態での磁束の向きの範囲は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略＋４５°の向きになるときから、前記略半径方向に対して略−４５度の向きになるときまでの範囲である。
【００２５】
なお、図５は、回転板２の回転面側から磁路変更片６ａの突出方向に向けて抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を見た場合の説明図であり、図２は、その逆方向側から見た場合の図となっているため、図２と図５とでは、抵抗体Ｒ１，Ｒ４と抵抗体Ｒ２，Ｒ３の位置関係は左右反対となっている。
【００２６】
そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略＋４５°の向きになるときは、抵抗Ｒ１，Ｒ４の抵抗値が大きくなるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値が小さくなる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略−４５度の向きになるとき、抵抗Ｒ１，Ｒ４の抵抗値が小さくなるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値が大きくなる。なお、図５において、角度は時計回り方向を＋としている。
【００２７】
前記各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すようにブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成するように接続され、抵抗Ｒ４側には、オフセット補正用抵抗Ｒ０が接続されている。
【００２８】
前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との接続点（中点）ａは、基板に設けられたコンパレータＣＰの反転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの非反転入力端子に接続されている。又、常温（この実施形態では、２５℃としている。）では、コンパレータＣＰのオフセットが０となるようにオフセット補正用抵抗Ｒ０の抵抗値が設定されており、前記抵抗Ｒ４よりも小さい抵抗値とされている。又、オフセット補正用抵抗Ｒ０は抵抗体Ｒ１〜Ｒ４とは異なり、温度抵抗変化の少ない材質で基板に形成されている。
【００２９】
前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回路（抵抗体Ｒ１〜Ｒ４、抵抗Ｒ０を含む）Ｂとにより検出回路２０が構成されている。
前記検出回路２０のブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略−４５°の向きになる場合、中点ａの電位は、Ａ０よりも小さいＬレベルとなる（図６参照）。なお、図６において、Ａ０は中点ａの飽和出力の１／２の電圧レベルを示している。
【００３０】
又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略＋４５度の向きになる場合、中点ａの電位はＡ０よりもＨレベルとなる（図６参照）。
又、コンパレータＣＰの基準電圧側となる中点ｂの電圧は下記のように設定されている。すなわち、常温時の場合、移動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにより、中点ａの電圧の変化（αで示す波形）が図６に示す検出ポイントＰとなったときに、中点ｂの電位に基づいた閾値（スレッショルド）となるように、前記補正用抵抗Ｒ０にて調整されている。なお、閾値は、４端子ブリッジ回路Ｂに印加されている電圧をＶｃｃとするとき、
Ｖｃｃ＊（Ｒ４＋Ｒ０）／（Ｒ３＋Ｒ４＋Ｒ０）となる。
【００３１】
なお、本実施形態での検出ポイントＰは移動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向のエッジ部分である。
又、雰囲気温度が常温よりも高くなったときは、前記補正用抵抗Ｒ０の温度抵抗変化が、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４よりも小さいため、結果として、中点ｂの電位が図６に示すように下がり、すなわち、閾値電圧（基準電圧）がＡ１レベルからＡ２レベルまで下がるようにされている。この場合、中点ａの電位（出力波形）は図６のβに示すように、抵抗体Ｒ１，Ｒ４の感度温度特性により、常温時の出力波形よりも小さな波形となる。このβの出力波形に対して、前記Ａ２で示す閾値（スレッショルド）となるため、検出ポイントＰ２は、常温時の検出ポイントＰと同じタイミングで検出できるようになっている。
【００３２】
第２の磁気検知体１４は、第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとから構成されている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００３３】
第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個備えている。これらの抵抗体には、そのため第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と同符号を付してその説明を省略する。
【００３４】
又、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１の磁気抵抗素子１３ａに設けられた抵抗Ｒ０と同様に設けられた抵抗Ｒ０とともに、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、抵抗Ｒ０、及びコンパレータＣＰとともに、検出回路２０を構成している。この検出回路２０及びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路２０と同様に機能（作用）する。
【００３５】
第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成されている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００３６】
第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と同一構成及び同様に配置された抵抗体を４個備えている。これらの抵抗体には、そのため第１磁気抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と同符号を付してその説明を省略する。
【００３７】
又、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、第１の磁気抵抗素子１３ａに設けられた抵抗Ｒ０と同様に設けられた抵抗Ｒ０とともに、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様に４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、抵抗Ｒ０、及びコンパレータＣＰとともに、検出回路２０を構成している。この検出回路２０の作用は前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路２０と同様に機能（作用）する。
【００３８】
そして、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置にあるとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放射線上（以下、外側方という）に磁路変更片６ａ〜６ｃがある場合には、それらの磁束は略半径方向に対し略−４５°の向きになる。これは、磁路変更片６ａ〜６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８とからなるコ字状の磁路が形成され、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片６ａ〜６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ側、即ち略半径方向に対し略−４５°の向きになる。つまり、磁路変更片６ａ〜６ｃは磁路形成片となる。
【００３９】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルとなとなる。
又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図２に示す第２バイアスマグネット１４ｂの位置にあるとき、即ち、Ｎ極の外側方に磁路変更片６ａ〜６ｃがない場合には、それら磁束は略半径方向に対して略＋４５度の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ〜６ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して略＋４５度の向きとなる。
【００４０】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルの電圧を出力する。
さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図２に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置にあって、磁路変更片６ａ〜６ｃがない位置から磁路変更片６ａ〜６ｃの端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して略＋４５度の向きから略半径方向に対して−４５度の向きに変わる。
【００４１】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルからＬレベルに立ち下がる電圧を出力する。
さらに、磁路変更片６ａ〜６ｃある位置からその端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向から略＋４５度の向きに変わる。
【００４２】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上がる電圧を出力する。
このようにして、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検出回路２０のコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値電圧）となる側の中点ｂに基づいて立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【００４３】
次に、上記のように構成した回転位置センサ１の特徴について説明する。
（１）本実施形態では、雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大する感度温度特性を備えた複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４（磁気検出素子）により、４端子ブリッジ回路Ｂを構成し、ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１〜Ｒ４間の中点ａの電位の入力を行うため、抵抗体Ｒ１，Ｒ２及びＲ３，Ｒ４間の中点ａ，及び中点ｂにコンパレータＣＰの反転入力端子及び非反転入力端子をそれぞれ接続した。そして、反転入力端子に接続された抵抗体Ｒ１，Ｒ２の中点ａの電位を基準電圧とし、抵抗体Ｒ３，Ｒ４には、同抵抗体Ｒ１〜Ｒ４よりも温度抵抗の小さいオフセット補正用抵抗Ｒ０を接続した。
【００４４】
この結果、回転検出センサ１の雰囲気温度が常温より上昇して、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の抵抗が増大し、一方、オフセット用補正抵抗Ｒ０は、温度抵抗変化が少ない。このため、オフセット用補正抵抗Ｒ０の抵抗値は変わらないことから、オフセット用補正抵抗Ｒ０が接続された側の抵抗体Ｒ３，Ｒ４間の中点ｂの電位は相対的に下降する。この下降した中点電位はコンパレータの基準電位としており、その中点電位が下降した分だけ閾値が下がる。
【００４５】
この結果、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の感度温度特性により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれてしまうことがない。
（２） 本実施形態では、４端子ブリッジ回路Ｂにて構成することにより、上記（１）の作用を実現することができる。
【００４６】
（３） 又、本実施形態では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設した。
【００４７】
従って、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からのノイズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させることができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａは、その外側方を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを正確に検知することができる。
【００４８】
（４） 本実施形態では外部からのノイズを低減させる磁路変更片６ａ〜６ｃは、回転板２と一体に形成されているため、部品点数の増加はなく、組み付け工数も増加することはない。
【００４９】
（５） 又、本実施形態では検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設したので、回転位置センサが大型化することはない。
【００５０】
尚、実施形態は上記に各実施形態に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
○ 前記各実施形態では、中点ｂ側の抵抗体Ｒ４にオフセット補正用抵抗体Ｒ０を電気的に接続したが、中点ａ側の抵抗体Ｒ２側にオフセット補正用抵抗体Ｒ０を電気的に接続し、反転入力端子側の中点ａの電位を基準電圧としてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜３に記載の発明によれば、磁気抵抗素子の感度温度特性により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれてしまうことがない効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図２】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図３】同じく回転位置センサの要部断面図。
【図４】同じく検出回路の電気回路図。
【図５】同じく抵抗体の配置関係を示す説明図。
【図６】中点の電圧の出力波形図。
【符号の説明】
１…回転位置センサ、２…回転板、３…磁気検知部材、
４…ステアリングシャフト、６ａ，６ｂ，６ｃ…磁路変更片、
７ａ，７ｂ，７ｃ…空間、８…磁路形成凸部、９…貫通孔、
１０…検知部本体、１３…第１の磁気検知体，１４…第２の磁気検知体，
１５…第３の磁気検知体、１３ａ…第１磁気抵抗素子、
１３ｂ…第１バイアスマグネット、１４ａ…第２磁気抵抗素子、
１４ｂ…第２バイアスマグネット、１５ａ…第３磁気抵抗素子、
１５ｂ…第３バイアスマグネット、２０…検出回路、
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗体、ＲＯ…オフセット補正用抵抗、
Ｂ…ブリッジ回路、ａ，ｂ…中点、
。

Claims (3)

1. 雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大する感度温度特性を備えた複数の磁気検出素子により構成したブリッジ回路と、
   前記ブリッジ回路を構成する磁気検出素子間の中点電位の入力を行うため、その磁気素子検出間の接続点に対して非反転入力端子及び反転入力端子がそれぞれ接続されたコンパレータとを備えた回転検出センサの検出回路において、
   前記非反転入力端子及び反転入力端子に接続された磁気検出素子のうち、基準電圧となる側の磁気検出素子には、同磁気検出素子よりも温度抵抗の小さいオフセット補正用抵抗を接続したことを特徴とする回転検出センサの検出回路。
2. ブリッジ回路は４端子ブリッジ回路である請求項１に記載の回転検出センサの検出回路。
3. 前記オフセット補正用抵抗は磁気検出素子の抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回転検出センサの検出回路。

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