JP2000310504A - 回転検出センサの検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気抵抗素子の感度温度特性により出力が小さ
くなった時、検出ポイントが大きくずれてしまうことが
ない回転検出センサの検出回路を提供する。 【解決手段】 雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大
する感度温度特性を備えた複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４（磁
気検出素子）により、４端子ブリッジ回路Ｂを構成し、
ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１〜Ｒ４間の中点ａ
の電位の入力を行うため、抵抗体Ｒ１，Ｒ２及びＲ３，
Ｒ４間の中点ａ，及び中点ｂにコンパレータＣＰの反転
入力端子及び非反転入力端子をそれぞれ接続する。反転
入力端子に接続された抵抗体Ｒ１，Ｒ２の中点ａの電位
を基準電圧とし、抵抗体Ｒ３，Ｒ４には、同抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４よりも温度抵抗の小さいオフセット補正用抵抗Ｒ
０を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転検出センサの
検出回路に係り、詳しくは磁気検出素子を備えた回転検
出センサの検出回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本出願人は、回転検出センサとして、回
転板の回転面の周方向に向かって所定間隔毎に磁路形成
のための磁路変更片を立設し、同回転板に対して、対向
して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイア
スマグネットと該バイアスマグネットを検出する磁気抵
抗素子とを備えた回転検出センサを提案している。この
回転検出センサは、回転中の回転板とともに一体に移動
する磁路変更片にてバイアスマグネットの磁束の向きが
変更されたことを磁気抵抗素子にて検出するようにされ
ている。

【０００３】このような磁束の方向の変化により回転角
度を検出する回転検出センサ（回転角度センサ）におい
ては、本来は磁束の変化が９０°ある場合に、飽和出力
が得られる。

【０００４】しかし、実際には様々な理由により、磁束
の方向変化が小さい角度しか得られないため、図６のα
に示すような波形カーブを描いたセンサ出力の電圧の波
形となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】又、移動（回転）中の
磁路変更片を検出するポイント（検出ポイント）は、前
記磁路変更片の回転方向又は反回転方向のエッジ部分の
前後で磁界の乱れ等が生じるため、上記回転板、バイア
スマグネット、磁気抵抗素子等の各部材の配置の合わせ
込みによっても、センサ出力の中心とならない場合があ
る。例えば、図６で示すようなαの出力波形（磁気抵抗
素子の出力波形）をもつ回転検出センサの場合、例えば
検出ポイントＰで検出せざるを得ない場合がある。この
ような場合、図６に示すように、センサ出力中心Ａ０か
ら離間したＡ１を図示しない検出回路の閾値（スレッシ
ョルド）とすることにより、検出ポイントＰを検出す
る。

【０００６】一方、上記のような様々な理由により、磁
束の方向変化が小さい角度しか得られない場合や、さら
に磁束の方向変化が飽和出力変化の中心Ａ０よりずれて
いる場合、磁気抵抗素子の感度温度特性により、磁気抵
抗素子の出力が小さくなった時には、この出力電圧の小
さな変動に起因して磁路変更片が移動（回転）してきた
時の検出位置、或いは、磁路変更片が移動して去った時
の検出位置である検出ポイントが大きくずれてしまう問
題があった。なお、磁気抵抗素子は、雰囲気温度が上昇
すると抵抗値が増大する特性（これを感度温度特性とい
う）を有する。

【０００７】この理由を説明すると、図６において、β
は回転検出センサの雰囲気温度が上昇して検出電圧が小
さくなったときのセンサ出力（磁気抵抗素子の出力）の
電圧の波形を示している。このようなβのセンサ出力と
なった場合、検出回路の閾値Ａ１は、図６に示す通りと
なるため、この閾値Ａ１では、検出ポイントＰ１を検出
することになる。すると、温度が上昇する前では、検出
ポイントＰであったところが、温度上昇のために検出ポ
イントＰ１となり、この結果、検出される検出角度がｄ
分だけ相違することになる。

【０００８】本発明の目的は、上記問題を解消するため
になされたものであって、磁気抵抗素子の感度温度特性
により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくず
れてしまうことがない回転検出センサの検出回路を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大する感度温
度特性を備えた複数の磁気検出素子により構成したブリ
ッジ回路と、前記ブリッジ回路を構成する磁気検出素子
間の中点電位の入力を行うため、その磁気素子検出間の
接続点に対して非反転入力端子及び反転入力端子がそれ
ぞれ接続されたコンパレータとを備えた回転検出センサ
の検出回路において、前記非反転入力端子及び反転入力
端子に接続された磁気検出素子のうち、基準電圧となる
側の磁気検出素子には、同磁気検出素子よりも温度抵抗
の小さいオフセット補正用抵抗を接続した回転検出セン
サの検出回路を要旨とするものである。

【００１０】請求項２の発明は、請求項１において、ブ
リッジ回路は４端子ブリッジ回路で構成してもよい。請
求項３の発明は、請求項１又は請求項２において、オフ
セット補正用抵抗は磁気検出素子の抵抗よりも小さくす
ることが好ましい。

【００１１】（作用）請求項１に記載の発明によれば、
回転検出センサの雰囲気温度が上昇して、磁気検出素子
の抵抗が増大し、一方、オフセット用補正抵抗は、温度
抵抗変化が少ない。このため、オフセット用補正抵抗の
抵抗値は変わらないため、オフセット用補正抵抗が接続
された側の磁気検出素子間の中点電位は相対的に下降す
る。この下降した中点電位はコンパレータの基準電位と
すると、その中点電位が下降した分だけ閾値が下がる。

【００１２】この結果、磁気抵抗素子の感度温度特性に
より出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれ
てしまうことがなくなる。請求項２の発明によれば、ブ
リッジ回路は４端子ブリッジ回路に構成することによ
り、請求項１の作用を実現することができる。

【００１３】請求項３の発明によれば、オフセット補正
用抵抗は磁気検出素子の抵抗よりも小さくすることによ
り、請求項１又は請求項２の作用を実現することができ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を回転位置センサの
検出回路に具体化した一実施形態を図１〜図６に従って
説明する。

【００１５】図１は、回転位置センサの要部分解斜視図
である。回転検出センサ１は、鉄板よりなる回転板２と
磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、ス
テアリングシャフト４の回転とともに、その軸心Ｏを回
転中心に回転する。

【００１６】図２に示すように、前記回転板２の回転面
内の最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状
の３個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から
延出形成されている。磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは、
一端から他端までが前記軸心Ｏからみて６０度の角度を
なすように形成されている。又、各磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０
度の角度をなすように形成されている。

【００１７】従って、回転板２の回転面内の最外周部に
おいて、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路
変更片６ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交
互に存在することになる。

【００１８】又、回転板２の中心部には円柱状の磁路形
成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回
転板２から延出形成されている。従って、図３に示すよ
うに磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって
回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８とでコの
字状となる。

【００１９】又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成さ
れ、前記ステアリングシャフト４が貫挿固着されてい
る。前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アー
ム１１とから構成されている。検知部本体１０は、回転
板２に形成した磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃの内側であ
って、その磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃと磁路形成凸部
８との間に位置する空間内に配設される。

【００２０】検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁
気検知体１３、１４、１５が樹脂モールド材１２にて封
止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されてい
る。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固
定されている。

【００２１】第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素
子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成さ
れている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側が
Ｓ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第
１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２に
おいて時計回り方向にオフセットさせて配置されてい
る。

【００２２】第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアス
マグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変
化する複数の磁気検出素子からなり、すなわち、図４に
示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４
個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。図５
は抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の配置を示す説明図である。同図に
示すように２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、同じ方向に向か
って配置され、抵抗体Ｒ２，Ｒ３は前記抵抗体Ｒ１，Ｒ
４の向く方向とは直交する方向に向かって配置されてい
る。図５において、ｍ及びｎは抵抗体Ｒ１，Ｒ４及び抵
抗体Ｒ２，Ｒ３が向かう方向を示すそれぞれの中心軸を
示している。なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉＣｏ薄膜
を基板に対して折れ線状に成膜されたものであり、同温
度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定され
ている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇す
ると、抵抗値が増加する感度温度特性を備えている。こ
の感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率と
が一致しているのが好ましい。

【００２３】そして、本実施形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ
４の角度中心線と、磁束の変化中心（図５において、Ａ
線で示す）とは一致するように配置されている。抵抗体
Ｒ１〜Ｒ４の角度中心線とは、前記ｍ，ｎ線が交わる点
を基点とし、その基点を通るｍｎの成す角の二等分線で
ある。

【００２４】なお、この実施形態での磁束の向きの範囲
は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し略＋
４５°の向きになるときから、前記略半径方向に対して
略−４５度の向きになるときまでの範囲である。

【００２５】なお、図５は、回転板２の回転面側から磁
路変更片６ａの突出方向に向けて抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を見
た場合の説明図であり、図２は、その逆方向側から見た
場合の図となっているため、図２と図５とでは、抵抗体
Ｒ１，Ｒ４と抵抗体Ｒ２，Ｒ３の位置関係は左右反対と
なっている。

【００２６】そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半
径方向に対し略＋４５°の向きになるときは、抵抗Ｒ
１，Ｒ４の抵抗値が大きくなるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ
３の抵抗値が小さくなる。又、磁束の向きが前記略半径
方向に対して略−４５度の向きになるとき、抵抗Ｒ１，
Ｒ４の抵抗値が小さくなるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３の
抵抗値が大きくなる。なお、図５において、角度は時計
回り方向を＋としている。

【００２７】前記各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すように
ブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成する
ように接続され、抵抗Ｒ４側には、オフセット補正用抵
抗Ｒ０が接続されている。

【００２８】前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との接続点
（中点）ａは、基板に設けられたコンパレータＣＰの反
転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との接
続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの非反転入力端
子に接続されている。又、常温（この実施形態では、２
５℃としている。）では、コンパレータＣＰのオフセッ
トが０となるようにオフセット補正用抵抗Ｒ０の抵抗値
が設定されており、前記抵抗Ｒ４よりも小さい抵抗値と
されている。又、オフセット補正用抵抗Ｒ０は抵抗体Ｒ
１〜Ｒ４とは異なり、温度抵抗変化の少ない材質で基板
に形成されている。

【００２９】前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回
路（抵抗体Ｒ１〜Ｒ４、抵抗Ｒ０を含む）Ｂとにより検
出回路２０が構成されている。前記検出回路２０のブリ
ッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１，Ｒ４は、磁束の向き
が前記軸心Ｏから略半径方向に対し略−４５°の向きに
なる場合、中点ａの電位は、Ａ０よりも小さいＬレベル
となる（図６参照）。なお、図６において、Ａ０は中点
ａの飽和出力の１／２の電圧レベルを示している。

【００３０】又、磁束の向きが前記略半径方向に対して
略＋４５度の向きになる場合、中点ａの電位はＡ０より
もＨレベルとなる（図６参照）。又、コンパレータＣＰ
の基準電圧側となる中点ｂの電圧は下記のように設定さ
れている。すなわち、常温時の場合、移動（回転）中の
磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにより、中点ａの電圧の変
化（αで示す波形）が図６に示す検出ポイントＰとなっ
たときに、中点ｂの電位に基づいた閾値（スレッショル
ド）となるように、前記補正用抵抗Ｒ０にて調整されて
いる。なお、閾値は、４端子ブリッジ回路Ｂに印加され
ている電圧をＶｃｃとするとき、Ｖｃｃ＊（Ｒ４＋Ｒ
０）／（Ｒ３＋Ｒ４＋Ｒ０）となる。

【００３１】なお、本実施形態での検出ポイントＰは移
動（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向
のエッジ部分である。又、雰囲気温度が常温よりも高く
なったときは、前記補正用抵抗Ｒ０の温度抵抗変化が、
抵抗体Ｒ１〜Ｒ４よりも小さいため、結果として、中点
ｂの電位が図６に示すように下がり、すなわち、閾値電
圧（基準電圧）がＡ１レベルからＡ２レベルまで下がる
ようにされている。この場合、中点ａの電位（出力波
形）は図６のβに示すように、抵抗体Ｒ１，Ｒ４の感度
温度特性により、常温時の出力波形よりも小さな波形と
なる。このβの出力波形に対して、前記Ａ２で示す閾値
（スレッショルド）となるため、検出ポイントＰ２は、
常温時の検出ポイントＰと同じタイミングで検出できる
ようになっている。

【００３２】第２の磁気検知体１４は、第２磁気抵抗素
子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとから構成さ
れている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグ
ネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子
１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関
係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第
２バイアスマグネット１４ｂは、それぞれ前記第１磁気
抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対し
て、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に
４０度の位置に配設される。

【００３３】第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を４個
備えている。これらの抵抗体には、そのため第１磁気抵
抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と同符号を付し
てその説明を省略する。

【００３４】又、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４は、第１の磁気抵抗素子１３ａに設けられた抵抗
Ｒ０と同様に設けられた抵抗Ｒ０とともに、第１磁気抵
抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成
する。さらに、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗体Ｒ１〜
Ｒ４は、抵抗Ｒ０、及びコンパレータＣＰとともに、検
出回路２０を構成している。この検出回路２０及びブリ
ッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合
の検出回路２０と同様に機能（作用）する。

【００３５】第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素
子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成さ
れている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグ
ネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子
１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関
係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第
３バイアスマグネット１５ｂは、それぞれ前記第１磁気
抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対し
て、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向
に４０度の位置に配設される。

【００３６】第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａの４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
と同一構成及び同様に配置された抵抗体を４個備えてい
る。これらの抵抗体には、そのため第１磁気抵抗素子１
３ａの４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と同符号を付してその説
明を省略する。

【００３７】又、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４は、第１の磁気抵抗素子１３ａに設けられた抵抗
Ｒ０と同様に設けられた抵抗Ｒ０とともに、第１磁気抵
抗素子１３ａの場合と同様に４端子ブリッジ回路を構成
する。さらに、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗体Ｒ１〜
Ｒ４は、抵抗Ｒ０、及びコンパレータＣＰとともに、検
出回路２０を構成している。この検出回路２０の作用は
前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路２０と同
様に機能（作用）する。

【００３８】そして、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係
において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５
ｂが、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置
にあるとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放射線上（以
下、外側方という）に磁路変更片６ａ〜６ｃがある場合
には、それらの磁束は略半径方向に対し略−４５°の向
きになる。これは、磁路変更片６ａ〜６ｃ、回転板２及
び磁路形成凸部８とからなるコ字状の磁路が形成され、
第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極か
ら磁束が磁路変更片６ａ〜６ｃに引き寄せられるからで
ある。その結果、磁束の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ
側、即ち略半径方向に対し略−４５°の向きになる。つ
まり、磁路変更片６ａ〜６ｃは磁路形成片となる。

【００３９】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルとなとなる。又、第１〜
第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６
ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイア
スマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図２に示す第２バイア
スマグネット１４ｂの位置にあるとき、即ち、Ｎ極の外
側方に磁路変更片６ａ〜６ｃがない場合には、それら磁
束は略半径方向に対して略＋４５度の向きとなる。これ
は、磁路を形成する磁路変更片６ａ〜６ｃがないため、
磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、
磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して
略＋４５度の向きとなる。

【００４０】従って、この場合には４端子ブリッジ回路
Ｂの中点ａの電圧はＨレベルの電圧を出力する。さら
に、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁
路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係において、第１〜
第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図２に示す
第１バイアスマグネット１３ｂの位置にあって、磁路変
更片６ａ〜６ｃがない位置から磁路変更片６ａ〜６ｃの
端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に
対して略＋４５度の向きから略半径方向に対して−４５
度の向きに変わる。

【００４１】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＨレベルからＬレベルに立ち下が
る電圧を出力する。さらに、磁路変更片６ａ〜６ｃある
位置からその端を通過する時には、それら磁束の向きは
略半径方向から略＋４５度の向きに変わる。

【００４２】従って、この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上が
る電圧を出力する。このようにして、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検
出回路２０のコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値
電圧）となる側の中点ｂに基づいて立ち下がりが急峻と
なる検出信号に波形整形される。

【００４３】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ１の特徴について説明する。 （１）本実施形態では、雰囲気温度の上昇とともに抵抗
値が増大する感度温度特性を備えた複数の抵抗体Ｒ１〜
Ｒ４（磁気検出素子）により、４端子ブリッジ回路Ｂを
構成し、ブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１〜Ｒ４間
の中点ａの電位の入力を行うため、抵抗体Ｒ１，Ｒ２及
びＲ３，Ｒ４間の中点ａ，及び中点ｂにコンパレータＣ
Ｐの反転入力端子及び非反転入力端子をそれぞれ接続し
た。そして、反転入力端子に接続された抵抗体Ｒ１，Ｒ
２の中点ａの電位を基準電圧とし、抵抗体Ｒ３，Ｒ４に
は、同抵抗体Ｒ１〜Ｒ４よりも温度抵抗の小さいオフセ
ット補正用抵抗Ｒ０を接続した。

【００４４】この結果、回転検出センサ１の雰囲気温度
が常温より上昇して、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の抵抗が増大
し、一方、オフセット用補正抵抗Ｒ０は、温度抵抗変化
が少ない。このため、オフセット用補正抵抗Ｒ０の抵抗
値は変わらないことから、オフセット用補正抵抗Ｒ０が
接続された側の抵抗体Ｒ３，Ｒ４間の中点ｂの電位は相
対的に下降する。この下降した中点電位はコンパレータ
の基準電位としており、その中点電位が下降した分だけ
閾値が下がる。

【００４５】この結果、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の感度温度特
性により出力が小さくなった時、検出ポイントが大きく
ずれてしまうことがない。 （２） 本実施形態では、４端子ブリッジ回路Ｂにて構
成することにより、上記（１）の作用を実現することが
できる。

【００４６】（３） 又、本実施形態では、第１〜第３
磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグ
ネット１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を磁路変
更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間
内に配設した。

【００４７】従って、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からのノ
イズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させること
ができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１
５ａは、その外側方を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを
正確に検知することができる。

【００４８】（４） 本実施形態では外部からのノイズ
を低減させる磁路変更片６ａ〜６ｃは、回転板２と一体
に形成されているため、部品点数の増加はなく、組み付
け工数も増加することはない。

【００４９】（５） 又、本実施形態では検知部本体１
０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位
置する空間内に配設したので、回転位置センサが大型化
することはない。

【００５０】尚、実施形態は上記に各実施形態に限定さ
れるものではなく、次のように変更してもよい。 ○ 前記各実施形態では、中点ｂ側の抵抗体Ｒ４にオフ
セット補正用抵抗体Ｒ０を電気的に接続したが、中点ａ
側の抵抗体Ｒ２側にオフセット補正用抵抗体Ｒ０を電気
的に接続し、反転入力端子側の中点ａの電位を基準電圧
としてもよい。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜３に記
載の発明によれば、磁気抵抗素子の感度温度特性により
出力が小さくなった時、検出ポイントが大きくずれてし
まうことがない効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の回転位置センサの要部分解斜視
図。

【図２】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す
平面図。

【図３】同じく回転位置センサの要部断面図。

【図４】同じく検出回路の電気回路図。

【図５】同じく抵抗体の配置関係を示す説明図。

【図６】中点の電圧の出力波形図。

【符号の説明】

１…回転位置センサ、２…回転板、３…磁気検知部材、
４…ステアリングシャフト、６ａ，６ｂ，６ｃ…磁路変
更片、７ａ，７ｂ，７ｃ…空間、８…磁路形成凸部、９
…貫通孔、１０…検知部本体、１３…第１の磁気検知
体，１４…第２の磁気検知体，１５…第３の磁気検知
体、１３ａ…第１磁気抵抗素子、１３ｂ…第１バイアス
マグネット、１４ａ…第２磁気抵抗素子、１４ｂ…第２
バイアスマグネット、１５ａ…第３磁気抵抗素子、１５
ｂ…第３バイアスマグネット、２０…検出回路、Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗体、ＲＯ…オフセット補正用抵
抗、Ｂ…ブリッジ回路、ａ，ｂ…中点、。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 政弘 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 臼井 進二 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 Ｆターム(参考） 2F063 AA35 CA40 CB03 CB04 CC01 DA05 DD04 EA03 GA52 GA68 GA69 KA01 LA27 2F069 AA83 DD30 EE02 EE22 FF01 GG06 GG64 HH12 HH15 MM11

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 雰囲気温度の上昇とともに抵抗値が増大
   する感度温度特性を備えた複数の磁気検出素子により構
   成したブリッジ回路と、 前記ブリッジ回路を構成する磁気検出素子間の中点電位
   の入力を行うため、その磁気素子検出間の接続点に対し
   て非反転入力端子及び反転入力端子がそれぞれ接続され
   たコンパレータとを備えた回転検出センサの検出回路に
   おいて、 前記非反転入力端子及び反転入力端子に接続された磁気
   検出素子のうち、基準電圧となる側の磁気検出素子に
   は、同磁気検出素子よりも温度抵抗の小さいオフセット
   補正用抵抗を接続したことを特徴とする回転検出センサ
   の検出回路。
2. 【請求項２】 ブリッジ回路は４端子ブリッジ回路であ
   る請求項１に記載の回転検出センサの検出回路。
3. 【請求項３】 前記オフセット補正用抵抗は磁気検出素
   子の抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項１又は請
   求項２に記載の回転検出センサの検出回路。