JP2000035344A - 回転検出センサ及び回転検出センサ用回転板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】部品点数を増やすことなく周囲の影響を回避す
ることができ、しかも高い加工精度を必要としない回転
板を用いて、精度の高い回転検出を行うことのできる回
転検出センサ及び回転検出センサ用回転板を提供する。 【解決手段】回転検出センサの回転板２には磁路変更片
６ａ、６ｂ、６ｃが延出形成されている。回転板２には
磁路形成凸部８が延出形成されている。前記磁気検知部
材３は、その磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃと磁路形成凸
部８との間に位置する空間内に配設される。検知部本体
１０は、第１〜第３の磁気検知体１３、１４、１５から
構成されている。第１〜第３の磁気検知体１３〜１５
は、それぞれ第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと
第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂとから構
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転検出センサ及
び回転検出センサ用回転板に係り、詳しくはマグネット
を用いた回転検出センサ及び回転検出センサ用回転板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１９は、絶対位置を検出するマグネッ
トと磁気抵抗素子を用いた回転位置センサの検出原理を
説明する説明図である。

【０００３】この絶対位置検出方式の回転位置センサ
は、周方向に６０度の間隔にＮ極の領域とＳ極の領域を
交互に着磁形成した回転板３０を回転軸に固着し、回転
軸とともに一体回転させるようにする。又、回転板３０
と相対向する位置に前記回転軸の軸心Ｏを中心とした周
方向に４０度の間隔で３個の第１〜第３磁気抵抗素子３
１，３２，３３が配置されている。そして、回転板３０
の回転に伴いその回転板３０と相対向する位置に配置し
た３個の第１〜第３磁気抵抗素子３１〜３３がそれぞれ
の位置において、６０度の間隔で交互に通過するＮ極と
Ｓ極の領域を検知する。

【０００４】第１〜第３磁気抵抗素子３１〜３３は、Ｎ
極の領域と相対向しているときにはＨレベル、Ｓ極の領
域と相対向しているときにはＬレベルとなる出力信号Ｓ
Ｇ１，ＳＧ２，ＳＧ３を出力する。第１〜第３磁気抵抗
素子３１〜３３の出力信号ＳＧ１，ＳＧ２，ＳＧ３は、
Ｎ極の領域からＳ極の領域に移る時、ＨレベルからＬレ
ベルに立ち下がり、Ｓ極の領域からＮ極の領域に移る
時、ＬレベルからＨレベルに立ち上がる。

【０００５】図１９に示すように、第１〜第３磁気抵抗
素子３１〜３３の立ち上がり及び立ち下がり時の波形は
なだらかになる。これは、前記したＮ極の領域からＳ極
の領域に移る時、磁束の向きが徐々に変化するからであ
る。

【０００６】この各出力信号ＳＧ１〜ＳＧ３は、その立
ち上がり、立ち下がりの波形がコンパレータにて急峻な
検出信号Ｓ１〜Ｓ３に波形整形されて出力される。各コ
ンパレータは、それぞれ各出力信号ＳＧ１〜ＳＧ３のＨ
レベルとＬレベルの間の中間レベルを比較基準値とし、
出力信号ＳＧ１〜ＳＧ３のレベルが基準値以上になる時
Ｈレベル、基準値未満の時Ｌレベルとなる検出信号Ｓ１
〜Ｓ３を出力する。比較基準値（出力信号ＳＧ１〜ＳＧ
３のＨレベルとＬレベルの間の中間レベル）は、Ｎ極の
領域とＳ極の領域の境界を通過している時に第１〜第３
磁気抵抗素子３１〜３３が出力する出力信号ＳＧ１〜Ｓ
Ｇ３のレベルである。

【０００７】そして、第１〜第３検出信号Ｓ１〜Ｓ３の
いずれか１つが立ち上がり、又は立ち下がった時、残り
の検出信号が出力しているレベルの状態をみて、その時
の回転板３０（回転軸）の回転位置を判定する。因み
に、図１９の場合には、２０度の間隔で１２０度まで回
転位置（絶対位置）を検出することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、Ｎ極の領域
とＳ極の領域を周方向に６０度の間隔に交互に正確に着
磁形成することには限界がある。つまり、Ｎ極の領域と
Ｓ極の領域との境界を周方向に６０度の間隔に正確に形
成することはできない。

【０００９】従って、出力信号ＳＧ１〜ＳＧ３を波形整
形して第１〜第３検出信号Ｓ１〜Ｓ３を得ても、回転板
３０に形成したＮ極の領域とＳ極の領域の着磁精度が低
いため、検出信号Ｓ１〜Ｓ３の立ち上がり、又は立ち下
がった時点が、２０度の間隔の回転位置にならず、精度
の高い回転検出ができなかった。

【００１０】又、当該回転位置センサにおいては、回転
板３０を回転させ、磁束の向きの変化を検出している。
従って、検出センサ３１〜３３の周りに磁束の変化に影
響を与えるものが存在すると出力信号ＳＧ１〜ＳＧ３の
レベルが変化する。そこで、回転位置センサの周りにシ
ールド部材を配設することが考えられるが、部品点数が
増加し、コスト高になるとともに、組み付け工数も増加
する問題があった。

【００１１】本発明の目的は、上記問題を解消するため
になされたものであって、部品点数を増やすことなく、
周囲の影響を回避することができ、しかも高度な加工技
術を必要としない回転板を用いて、精度の高い回転検出
を行うことができる回転検出センサ及び回転検出センサ
用回転板を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、回転面の周方向に所定の間隔に磁路変更片を立設し
た回転板と、前記回転板に対して所定の向きに配設され
た磁石と該磁石を検出する磁気検知素子とからなり、前
記磁石及び磁気検知素子の少なくともいずれか一方をそ
の回転板に形成した磁路変更片より内側に配設した磁気
検知部材とからなることを要旨とする。

【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の回転検出センサにおいて、前記回転板に形成した磁路
変更片は磁路形成片であり、前記磁気検知部材の前記磁
気検知素子は磁束の向きによってその出力信号のレベル
が変化する磁気抵抗素子であって、前記磁石とともに前
記磁路形成片より内側に配設したものであることを要旨
とする。

【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の回転検出センサにおいて、前記回転板に形成した磁路
変更片は磁路遮蔽片であり、前記磁気検知部材を構成す
る前記磁気検知素子及び前記磁石のいずれか一方を前記
磁路形成片より内側に配設し、他方を前記磁路形成片よ
り外側に配設したものであることを要旨とする。

【００１５】請求項４に記載の発明は 請求項１乃至請
求項３のうちいずれか１項に記載の回転検出センサにお
いて、磁気検知部材を構成する磁気検知素子及び磁石
は、それぞれ互いに所定間隔を隔てて複数個配置され、
複数の磁石は、隣り合う磁石とは、その磁気極性が互い
に反対向きに配置したものであることを要旨とする。

【００１６】請求項５に記載の発明は、回転面の周方向
に所定の間隔に磁路変更片を立設した回転検出センサ用
回転板をその要旨とする。 （作用）請求項１に記載の発明によれば、磁石及び磁気
検知素子の少なくともいずれか一方を前記回転板に形成
した磁路変更片より内側に配設した。従って、磁路変更
片より外側から内側に対して磁束に悪影響を与えるノイ
ズは、該磁路変更片にて低減される。又、磁路変更片は
回転板に立設させて形成したものである。

【００１７】従って、該磁路変更片は回転板にＮ極の領
域とＳ極の領域を等角度間隔に着磁形成するのに比べ
て、高度な加工精度を必要とせず安価に形成することが
できる。

【００１８】請求項２に記載の発明によれば、磁石及び
磁気抵抗素子の少なくともいずれか一方を前記回転板に
形成した磁路形成片より内側に配設した。従つて、磁路
形成片より外側から内側に対して磁束に悪影響を与える
ノイズは、該磁路変更片にて低減される。又、磁路形成
片は回転板に立設させて形成したものである。

【００１９】従って、該磁路形成片は、回転板にＮ極の
領域とＳ極の領域を等角度間隔に着磁形成するのに比べ
て高度な加工精度を必要とせず安価に形成することがで
きる。

【００２０】請求項３に記載の発明によれば、磁石及び
磁気検知素子の少なくともいずれか一方を前記回転板に
形成した磁路遮蔽片より内側に配設した。従って、磁路
遮蔽片より外側から内側に対して磁束に悪影響を与える
ノイズは、該磁路遮蔽片にて低減される。又、磁路遮蔽
片は回転板に立設させて形成したものである。

【００２１】従って、該磁路遮蔽片は回転板にＮ極の領
域とＳ極の領域を等角度間隔に着磁形成するのに比べて
高度な加工精度を必要とせず安価に形成することができ
る。請求項４に記載の発明によれば、互いに所定間隔を
隔てて複数個配置され磁石は、隣接する磁気検知部材の
磁石とは、その磁気極性が互いに反対向きとなるように
配置した。

【００２２】仮に、隣接する他の磁石とは、その磁気極
性が同じ向き配置されていると、隣接した磁石の磁束同
士が反発しあい、磁束が乱れる。このため、磁路変更片
の位置変化に起因する磁束のベクトル変化が小さくな
り、検出感度が小さくなる。これに対して、当該発明に
よれば、隣接する他の磁気検知部材の磁石とは、その磁
気極性が互いに反対向きに配置されているため、隣接し
た磁石の磁束同士が反発し合うことがなく、磁束が乱れ
ることが少ない。このため、磁路変更片の位置変化に起
因する磁束のベクトル変化が大きくなり、この結果、磁
気検知素子の検出出力を大きくすることができる。

【００２３】請求項５に記載の発明によれば、磁路変更
片は回転板に立設させて形成したものである。従って、
該磁路変更片は回転板にＮ極の領域とＳ極の領域を等角
度間隔に着磁形成するのに比べて高度な加工精度を必要
とせず安価に形成することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
を回転位置センサに具体化した一実施形態を図１〜図４
に従って説明する。

【００２５】図１は、回転位置センサの要部分解斜視図
である。回転検出センサ１は、鉄板よりなる回転板２と
磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、ス
テアリングシャフト４の回転とともに、その軸心Ｏを回
転中心に回転する。

【００２６】図２に示すように、前記回転板２の面内の
最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３
個の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが同回転板２から延出
形成されている。磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは、一端
から他端までが前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなす
ように形成されている。又、各磁路変更片６ａ，６ｂ，
６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の
角度をなすように形成されている。

【００２７】従って、回転板２の面内の最外周部におい
て、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更
片６ａ，６ｂ，６ｃと、これら磁路変更片６ａ，６ｂ，
６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７ｃが交互に
存在することになる。

【００２８】又、回転板２の中心部には円柱状の磁路形
成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回
転板２から延出形成されている。従って、図３に示すよ
うに磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって
回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８とでコの
字状となる。

【００２９】又、磁路形成凸部８には前記ステアリング
シャフト４を貫挿固着するための貫通孔９が形成されて
いる。前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持ア
ーム１１とから構成されている。検知部本体１０は、回
転板２に形成した磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃの内側で
あって、その磁路変更片６ａ、６ｂ、６ｃと磁路形成凸
部８との間に位置する空間内に配設される。

【００３０】検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁
気検知体１３、１４、１５が樹脂モールド材１２にて封
止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されてい
る。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固
定されている。

【００３１】第１の磁気検知体１３は、第１磁気抵抗素
子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとから構成さ
れている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側が
Ｓ極で外側がＮ極となるように配設されるとともに、第
１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２に
おいて時計回り方向にオフセットさせて配置されてい
る。

【００３２】第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアス
マグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧Ｖｏ
ｕｔが変化する磁気検知素子であって、図４に示すよう
な２個の磁束の向きによってその抵抗値が変化する抵抗
体ＲＡ、ＲＢとから構成されている。本実施形態では、
第１磁気抵抗素子１３ａは磁束の向きが前記軸心Ｏから
略半径方向に向くとき、検出電圧Ｖｏｕｔが最も低い電
位（Ｌレベル）となり、磁束の向きが前記略半径方向に
対して略４５度の向きになるとき、検出電圧Ｖｏｕｔが
最も高い電位（Ｈレベル）となるように配置される。

【００３３】第２の磁気検知体１４は、第２磁気抵抗素
子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとから構成さ
れている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグ
ネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子
１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関
係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第
２バイアスマグネット１４ｂは、それぞれ前記第１磁気
抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対し
て、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に
４０度の位置に配設される。

【００３４】第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａと同様に第２バイアスマグネット１４ｂ
の磁束の向きによって、検出電圧Ｖｏｕｔが変化する磁
気検知素子であって、図４に示すような２個の磁束の向
きによってその抵抗値が変化する抵抗体ＲＡ、ＲＢとか
ら構成されている。本実施形態では、第２磁気抵抗素子
１４ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に、磁束
の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に向くとき、検出電
圧Ｖｏｕｔが最も低い電位（Ｌレベル）となり、磁束の
向きが前記略半径方向に対して略４５度の向きになると
き、検出電圧Ｖｏｕｔが最も高い電位（Ｈレベル）とな
るように配置される。

【００３５】第３の磁気検知体１５は、第３磁気抵抗素
子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとから構成さ
れている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグ
ネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子
１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関
係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第
３バイアスマグネット１５ｂは、それぞれ前記第１磁気
抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対し
て、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向
に４０度の位置に配設される。

【００３６】第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気
抵抗素子１３ａと同様に第５バイアスマグネット１５ｂ
の磁束の向きによって、検出電圧Ｖｏｕｔが変化する磁
気検知素子であって、図４に示すような２個の磁束の向
きによってその抵抗値が変化する抵抗体ＲＡ、ＲＢとか
ら構成されている。本実施形態では、第３磁気抵抗素子
１５ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に、磁束
の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に向くとき、検出電
圧Ｖｏｕｔが最も低い電位（Ｌレベル）となり、磁束の
向きが前記略半径方向に対して略４５度の向きになると
き、検出電圧Ｖｏｕｔが最も高い電位（Ｈレベル）とな
るように配置される。

【００３７】そして、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係
において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５
ｂが、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置
にあるとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放射線上（以
下、外側方という）に磁路変更片６ａ〜６ｃがある場合
には、それら磁束は略半径方向の向きとなる。これは、
磁路変更片６ａ〜６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８と
からなるコ字状の磁路が形成され、第１〜第３バイアス
マグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片
６ａ〜６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁
束の向きは、磁路変更片６ａ〜６ｃ側、即ち略半径方向
の向きとなる。つまり、磁路変更片６ａ〜６ｃは磁路形
成片となる。

【００３８】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＬレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを
出力する。又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜
１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係におい
て、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、
図２に示す第２バイアスマグネット１４ｂの位置にある
とき、即ち、Ｎ極の外側方に磁路変更片６ａ〜６ｃがな
い場合には、それら磁束は略半径方向に対して略４５度
の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ
〜６ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないから
である。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは
略半径方向に対して略４５度の向きとなる。

【００３９】従って、この場合には第１〜第３磁気抵抗
素子１３ａ〜１５ａはＨレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを出
力する。さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ
〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係にお
いて、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂ
が、図２に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置に
あって、磁路変更片６ａ〜６ｃがない位置から磁路変更
片６ａ〜６ｃの端を通過する時には、それら磁束の向き
は略半径方向に対して略４５度の向きから略半径方向の
向きに変わる。

【００４０】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＨレベルからＬレベルに立ち下
がる検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。さらに、磁路変更片
６ａ〜６ｃある位置からその端を通過する時には、それ
ら磁束の向きは略半径方向から略４５度の向きに変わ
る。

【００４１】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＬレベルからＨレベルに立ち上
がる検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。第１〜第３磁気抵抗
素子１３ａ〜１５ａの検出電圧Ｖｏｕｔは、それぞれ図
示しない公知のコンパレータに出力され、予め定められ
た基準電圧と比較される。そして、このコンパレータに
よって、検出電圧Ｖｏｕｔは基準電圧以上の時Ｈレベ
ル、基準電圧未満の時Ｌレベルとなる立ち上がり及び立
ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。

【００４２】前記各コンパレータに用いられる基準電圧
は、第１〜第３の磁気検知体１３〜１５が図２に示す第
１の磁気検知体１３の位置にある時に、第１〜第３磁気
抵抗素子１３ａ〜１５ａが出力している検出電圧Ｖｏｕ
ｔのレベルを基準電圧としている。

【００４３】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ１の特徴について説明する。 （１）本実施形態では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ
〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５
ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁
路形成凸部８との間に位置する空間内に配設した。

【００４４】従って、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からのノ
イズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させること
ができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１
５ａは、その外側方を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを
正確に検知することができる。

【００４５】（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａが検出する磁路変更片６ａ〜６ｃ
は、回転板２に等角度の間隔で立設させて形成したもの
である。

【００４６】従って、該磁路変更片６ａ〜６ｃの寸法は
従来と異なり回転板にＮ極の領域とＳ極の領域を等角度
間隔に着磁形成するのに比べて、磁路変更片６ａ〜６ｃ
の端面を研磨又は研削等で調整でき、高度及び高精密な
加工技術で仕上げる必要がない。その結果、磁路変更片
６ａ〜６ｃを備えた回転板２を安価に製造することがで
きる。

【００４７】（３）しかも、本実施形態では外部からの
ノイズを低減させる磁路変更片６ａ〜６ｃは、回転板２
と一体に形成されているため、部品点数の増加はなく、
組み付け工数も増加することはない。

【００４８】（４）さらに、本実施形態では検知部本体
１０を磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に
位置する空間内に配設したので、回転位置センサが大型
化することはない。 （第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態を図５〜
図８に従って説明する。

【００４９】尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の
部材について符号を同じにしてその詳細な説明は省略す
る。図５及び図６に示すように、回転位置センサ１を構
成する磁気検知部材２０には３個の第１〜第３の磁気検
知体２１、２２、２３が樹脂モールド材１２にて封止さ
れ、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。

【００５０】第１〜３磁気検知体２１〜２３は、それぞ
れ第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａと第１〜第３
バイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂとから構成されてい
る。第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａは、回転板
２の磁路変更片６ａ〜６ｃの外側に位置するように配置
されている。又、対応する第１〜第３バイアスマグネッ
ト２１ｂ〜２３ｂは、軸心Ｏ側がＳ極で外側がＮ極とな
るように、回転板２の磁路変更片６ａ〜６ｃの内側に位
置するように配置されている。なお、第１〜第３バイア
スマグネット２１ｂ〜２３ｂを、軸心Ｏ側がＮ極で外側
がＳ極となるように配置しても良い。

【００５１】従って、第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜
２３ａと第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂ
との間を前記回転板２の磁路変更片６ａ〜６ｃが通過す
る。第１バイアスマグネット２１ｂは、第１磁気抵抗素
子２１ａに対して軸心Ｏ側で且つ図５において時計回り
方向にオフセットさせて配置されている。そして、第１
バイアスマグネット２１ｂはその磁束の向きが、第１磁
気抵抗素子２１ａの面上を前記軸心Ｏを中心とする略半
径方向に対して略４５度の向きになるように相対配置さ
れている。

【００５２】第１磁気抵抗素子２１ａは、図７に示すよ
うな２個の磁束の向きによってその抵抗値が変化する抵
抗体ＲＡ、ＲＢとから構成されている。本実施形態で
は、図７（ａ）に示すように第１磁気抵抗素子２１ａ
は、磁束の向きが略半径方向に対し略４５度の向きで同
素子２１ａ上を通過しているとき、検出電圧Ｖｏｕｔが
図８に示すように最も高い電位（＝Ｖ；Ｈレベル）とな
り、図７（ｂ）に示すように磁束が通過していない時、
検出電圧Ｖｏｕｔが図８に示すように最も低い電位（＝
Ｖ／２；Ｌレベル）となるように配置される。

【００５３】図５において、第２磁気抵抗素子２２ａと
第２バイアスマグネット２２ｂは、それぞれ前記第１磁
気抵抗素子２１ａと第１バイアスマグネット２１ｂに対
して、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の角度
をおいた位置に配設される。

【００５４】第２磁気抵抗素子２２ａは、前記第１磁気
抵抗素子２１ａと同様に、図７に示すような２個の磁束
の向きによってその抵抗値が変化する抵抗体ＲＡ、ＲＢ
とから構成されている。本実施形態では、図７（ａ）に
示すように第２磁気抵抗素子２２ａは磁束の向きが略半
径方向に対し略４５度の向きで同素子２２ａ上を通過し
ているとき、検出電圧Ｖｏｕｔが図８に示すように最も
高い電位（＝Ｖ；Ｈレベル）となり、図７（ｂ）に示す
ように磁束が通過していない時、検出電圧Ｖｏｕｔが図
８に示すように最も低い電位（＝Ｖ／２；Ｌレベル）と
なるように配置される。

【００５５】図５において、第３磁気抵抗素子２３ａと
第２バイアスマグネット２３ｂは、それぞれ前記第１磁
気抵抗素子２１ａと第１バイアスマグネット２１ｂに対
して、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の角
度をおいた位置に配設される。第３磁気抵抗素子２３ａ
は、前記第１磁気抵抗素子２１ａと同様に、図７に示す
ような２個の磁束の向きによってその抵抗値が変化する
抵抗体ＲＡ、ＲＢとから構成されている。本実施形態で
は、図７（ａ）に示すように第３磁気抵抗素子２３ａ
は、磁束の向きが略半径方向に対し略４５度の向きで同
素子２３ａ上を通過しているとき、検出電圧Ｖｏｕｔが
図８に示すように最も高い電位（＝Ｖ；Ｈレベル）とな
り、図７（ｂ）に示すように磁束が通過していない時、
検出電圧Ｖｏｕｔが図８に示すように最も低い電位（＝
Ｖ／２；Ｌレベル）となるように配置される。

【００５６】そして、第１〜第３バイアスマグネット２
１ｂ〜２３ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係
において、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２３
ｂが、図５に示す第３バイアスマグネット２３ｂの位置
にあるとき、即ち、Ｎ極の外側方に磁路変更片６ａ〜６
ｃが間に介在されている場合には、それら磁束は磁路変
更片６ａ〜６ｃにシールドされて、対応する第１〜第３
磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａに到達しない。つまり、磁
路変更片６ａ〜６ｃは磁路遮蔽片となる。

【００５７】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子２１ａ〜２３ａはＬレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを
出力する。又、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜
２３ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係におい
て、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂが、
図５に示す第２バイアスマグネット２２ｂの位置にある
とき、即ち、Ｎ極の外側方に磁路変更片６ａ〜６ｃがな
い場合には、対応する第１〜第３バイアスマグネット２
１ｂ〜２３ｂの磁束は略半径方向に対して略４５度の向
きで対応する第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａ上
を通過する。これは、磁束を遮蔽する磁路変更片６ａ〜
６ｃがないからである。

【００５８】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子２１ａ〜２３ａはＨレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを
出力する。さらに、第１〜第３バイアスマグネット２１
ｂ〜２３ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃとの相対位置関係に
おいて、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂ
が、図５に示す第１バイアスマグネット２１ｂの位置に
あって、磁路変更片６ａ〜６ｃがない位置から磁路変更
片６ａ〜６ｃの端を通過する時には、対応する第１〜第
３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａ上を通過する磁束は消失
する。

【００５９】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子２１ａ〜２３ａはＨレベルからＬレベルに立ち下
がる検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。さらに、磁路変更片
６ａ〜６ｃがある位置からその端を通過する時には、対
応する素子２１ａ〜２３ａ上を通過する磁束が発生す
る。それら磁束の向きは略半径方向から略４５度の向き
となる。従って、この場合には、第１〜第３磁気抵抗素
子２１ａ〜２３ａはＬレベルからＨレベルに立ち上がる
検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。

【００６０】第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａの
検出電圧Ｖｏｕｔは、それぞれ図示しない公知のコンパ
レータに出力され、予め定められた基準電圧と比較され
る。そして、このコンパレータによって、検出電圧Ｖｏ
ｕｔは基準電圧以上の時Ｈレベル、基準電圧未満の時Ｌ
レベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻となる検
出信号に波形成形される。

【００６１】前記各コンパレータに用いられる基準電圧
は、それぞれ第１〜第３の磁気検知体２１〜２３が図５
に示す第１の磁気検知体２１の位置にある時に、第１〜
第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａから出力されている検
出電圧Ｖｏｕｔのレベルを基準電圧としている。

【００６２】次に、上記のように構成した回転位置セン
サの特徴について説明する。 （１）本実施形態では、磁気検知部材２０を構成する第
１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａと第１〜第３バイ
アスマグネット２１ｂ〜２３ｂのうち、第１〜第３バイ
アスマグネット２１ｂ〜２３ｂを磁路変更片６ａ〜６ｃ
の内側に配設した。

【００６３】従って、第１〜第３バイアスマグネット２
１ｂ〜２３ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からノイ
ズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させることが
できる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３
ａは、その外側方を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃを正
確に検知することができる。

【００６４】（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵
抗素子２１ａ〜２３ａが検出する磁路変更片６ａ〜６ｃ
は、回転板２に等角度の間隔で立設させて形成したもの
である。

【００６５】従って、該磁路変更片６ａ〜６ｃの寸法は
従来とは異なり回転板にＮ極の領域とＳ極の領域を等角
度間隔に着磁形成するのに比べて、磁路変更片６ａ〜６
ｃの端面を研磨又は研削等で調整でき、高度及び高精密
な加工技術で仕上げる必要がない。その結果、磁路変更
片６ａ〜６ｃを備えた回転板２を安価に製造することが
できる。

【００６６】（３）しかも、本実施形態では、外部から
のノイズを低減させる磁路変更片６ａ〜６ｃは、回転板
２と一体に形成されているため、部品点数の増加はな
く、組み付け工数も増加することはない。

【００６７】（４）さらに、本実施形態では磁気検知部
材２０の第１〜第２バイアスマグネット２１ａ〜２３ａ
を磁路変更片６ａ〜６ｃの内側に配設したので、回転位
置センサが大型化することはない。 （第３実施形態）次に第３実施形態を図９〜図１３を参
照して説明する。第３実施形態は、第１実施形態の構成
の変更したものである。

【００６８】前記第１実施形態の構成中、磁気検知体１
３の第１バイアスマグネット１３ｂと、磁気検知体１
４，１５の第２バイアスマグネット１４ｂ，第３バイア
スマグネット１５ｂの磁気極性の配向が互いに異なって
いる。すなわち、第１バイアスマグネットの軸心Ｏ側は
Ｎ極とされ、外側がＳ極として配置されている。一方、
第２バイアスマグネット１４ｂ，及び第３バイアスマグ
ネット１５ｂは、第１実施形態と同様に軸心Ｏ側はＳ極
とされ、外側がＮ極として配置されている。

【００６９】又、第３実施形態では、磁路形成凸部８の
位置には、回転板２に対してボス部１７が一体に形成さ
れるとともに、３個の磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８
ｃが設けられている。

【００７０】すなわち、図１０に示すように、磁路変更
片１８ａ，１８ｂ，１８ｃは前記回転板２に対して、前
記ボス部１７とは軸心Ｏから若干離間した位置におい
て、前記軸心Ｏを中心とした断面円弧状に、延出形成さ
れている。磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、一端
から他端までが、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃにそれぞ
れ対応するように前記軸心Ｏからみて６０度の角度をな
すように形成されている。又、各磁路変更片１８ａ，１
８ｂ，１８ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて
６０度の角度をなすように形成されている。

【００７１】従って、回転板２の面内の最外周部におい
て、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更
片１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、これら磁路変更片１８
ａ，１８ｂ，１８ｃが形成されていない空間１９ａ，１
９ｂ，１９ｃが交互に存在することになる。

【００７２】なお、他の構成は、第１実施形態と同一構
成であるため、第１実施形態と同一構成については同一
符号を付してその説明を省略する。さて、上記のように
構成された回転位置センサ１の作用を説明する。

【００７３】第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１
５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃとの相対
位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３
ｂ〜１５ｂが、図１０に示す第３バイアスマグネット１
５ｂの位置にあるとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放
射線上（以下、外側方という）に磁路変更片６ａ〜６ｃ
及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃがある場合
には、それら磁束は半径方向の向きとなる。

【００７４】これは、図１１に示すように磁路変更片６
ａ〜６ｃ、回転板２及び磁路変更片１８ａ〜１８ｃとか
らなるコ字状の磁路が形成され、第１〜第３バイアスマ
グネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片６
ａ〜６ｃ及び磁路変更片１８ａ〜１８ｃに引き寄せられ
るからである。

【００７５】その結果、磁束の向きは、磁路変更片６ａ
〜６ｃ側、及び磁路変更片側１８ａ〜１８ｃ、即ち半径
方向の向きとなる。つまり、磁路変更片６ａ〜６ｃは磁
路形成片となる。

【００７６】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＬレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを
出力する。又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜
１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃ，磁路変更片６ａ〜６
ｃ，１８ａ〜１８ｃとの相対位置関係において、第１〜
第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図１０に示
す第２バイアスマグネット１４ｂの位置にあるとき、即
ち、Ｎ極及びＳ極の外側方及び内側方に磁路変更片６ａ
〜６ｃ及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃがな
い場合には、それら磁束は略半径方向に対して略４５度
の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片６ａ
〜６ｃ及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃがな
いため、磁束は引き込まれるものがないからである。そ
の結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向
に対して略４５度の向きとなる。

【００７７】従って、この場合には第１〜第３磁気抵抗
素子１３ａ〜１５ａはＨレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを出
力する。さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ
〜１５ｂと磁路変更片６ａ〜６ｃ及び磁路変更片６ａ〜
６ｃ，１８ａ〜１８ｃとの相対位置関係において、第１
〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂが、図１０に
示す第１バイアスマネット１３ｂの位置にあって、磁路
変更片６ａ〜６ｃ及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜
１８ｃがない位置から磁路変更片６ａ〜６ｃの端を通過
する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して略
４５度の向きから略半径方向の向きに変わる。

【００７８】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＨレベルからＬレベルに立ち下
がる検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。さらに、磁路変更片
６ａ〜６ｃある位置からその端を通過する時には、それ
ら磁束の向きは略半径方向から略４５度の向きに変わ
る。

【００７９】従って、この場合には、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａはＬレベルからＨレベルに立ち上
がる検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。第１〜第３磁気抵抗
素子１３ａ〜１５ａの検出電圧Ｖｏｕｔは、それぞれ図
示しない公知のコンパレータに出力され、予め定められ
た基準電圧と比較される。そして、このコンパレータに
よって、検出電圧Ｖｏｕｔは基準電圧以上の時Ｈレベ
ル、基準電圧未満の時Ｌレベルとなる立ち上がり及び立
ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。

【００８０】前記各コンパレータに用いられる基準電圧
は、第１〜第３の磁気検知体１３〜１５が図２に示す第
１の磁気検知体１３の位置にある時に、第１〜第３磁気
抵抗素子１３ａ〜１５ａが出力している検出電圧Ｖｏｕ
ｔのレベルを基準電圧としている。

【００８１】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ１の特徴について説明する。 （１）本実施形態では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ
〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５
ｂからなる検知部本体１０を磁路変更片６ａ〜６ｃ及び
磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃとの間に位置す
る空間内に配設した。

【００８２】従って、第１〜第３バイアスマグネット１
３ｂ〜１５ｂが出す磁束に悪影響を与える外側からのノ
イズをその磁路変更片６ａ〜６ｃにより低減させること
ができる。さらに、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１
５ａは、その外側方を通過する磁路変更片６ａ〜６ｃ及
び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃを正確に検知
することができる。

【００８３】（２）本実施形態では、第１〜第３磁気抵
抗素子１３ａ〜１５ａが検出する磁路変更片６ａ〜６ｃ
及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃは、回転板
２に等角度の間隔で立設させて形成したものである。

【００８４】従って、該磁路変更片６ａ〜６ｃ及び磁路
変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃの寸法は従来と異な
り回転板にＮ極の領域とＳ極の領域を等角度間隔に着磁
形成するのに比べて、磁路変更片６ａ〜６ｃの端面を研
磨又は研削等で調整でき、高度及び高精密な加工技術で
仕上げる必要がない。その結果、磁路変更片６ａ〜６ｃ
及び磁路変更片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃを備えた回
転板２を安価に製造することができる。

【００８５】（３）しかも、本実施形態では外部からの
ノイズを低減させる磁路変更片６ａ〜６ｃ及び磁路変更
片６ａ〜６ｃ，１８ａ〜１８ｃは、回転板２と一体に形
成されているため、部品点数の増加はなく、組み付け工
数も増加することはない。

【００８６】（４）さらに、本実施形態では検知部本体
１０を磁路変更片６ａ〜６ｃ及びと磁路変更片６ａ〜６
ｃ，１８ａ〜１８ｃとの間に位置する空間内に配設した
ので、回転位置センサが大型化することはない。

【００８７】（５）さらに、第３実施形態では、下記の
特徴がある。図１４及び図１５は、隣接する他の磁気検
知体１３，１４，１５のバイアスマグネットとは、その
磁気極性が同じ向き配置されている場合を示し、バイア
スマグネット１３ｂ，１５ｂ近傍の矢印は磁束の向きを
示している。この場合、隣接したバイアスマグネット１
３ｂ，１４ｂ，１５ｂの磁束同士が反発しあい、磁束が
乱れる。このため、磁路変更片６ａ，１８ａの位置変化
に起因する磁束のベクトル変化が小さくなり、検出感度
が小さくなる。

【００８８】これに対して、第３実施形態では、隣接す
る他の磁気検知体１３，１４，１５のバイアスマグネッ
ト１３，１４，１５は、その磁気極性が互いに反対向き
に配置したため、隣接したバイアスマグネット１３，１
４，１５の磁束同士が反発し合うことがない。すなわ
ち、図１２に示すように、隣り合う磁石の極性に引かれ
て磁束が乱れることが少ない。このため、図１２の状態
から図１３の状態で磁束の向きの変化を示すように磁路
変更片６ａ，１８ａの位置変化に起因する磁束のベクト
ル変化が大きくなり（約９０°）、この結果、磁気抵抗
素子１３ａ，１４ａ，１５ａの検出出力を大きくするこ
とができる。すなわち、より細かい回転板２の角度変化
を検出することができる。

【００８９】（６） 又、第３実施形態では、磁路変更
片１８ａ〜１８ｃを設けため、第１実施形態と異なり、
磁路変更片１８ａ〜１８ｃを設けない場合に比較して、
より磁路形成が容易となり、磁気検知体１３，１４，１
５の検出感度を向上することができる。

【００９０】尚、実施形態は上記に各実施形態に限定さ
れるものではなく、次のように変更してもよい。 ○ 前記各実施形態では、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃ
は、一端から他端までが軸心Ｏからみて６０度の角度を
なすようにし、すなわち、６０度間隔とし、各磁気検知
体１３，１４，１５を軸心Ｏからみて４０度間隔とし
た。この代わりに、磁路変更片を３０度間隔とし、各磁
気検知体１３，１４，１５の間隔を２０度間隔としても
よい。こうすると、各実施形態よりも細かい角度が検出
できる。

【００９１】○ 前記第２実施形態においては、第１〜
第３磁気抵抗素子２１ａ〜２３ａを磁路変更片６ａ〜６
ｃの外側に、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２
３ｂを磁路変更片６ａ〜６ｃの内側に位置するように配
置した。これをバイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂを磁
路変更片６ａ〜６ｃの外側に、第１〜第３磁気抵抗素子
２１ａ〜２３ａを磁路変更片６ａ〜６ｃの内側に配置し
てもよい。

【００９２】この場合にも、前記第２実施形態で述べた
作用効果を得ることができる。 ○ 前記各実施形態では磁路変更片６ａ〜６ｃを備えた
回転板２の成形方法について特に詳述しなかったが、例
えば、鉄板をプレス成形に加工して回転板２を成形して
もよい。この場合、全体の形状をプレス加工にて形成し
た後、磁路変更片６ａ〜６ｃの間隔を切削加工等で調整
する。

【００９３】従って、高度且つ高精密な加工技術を必要
とすることなく短時間で回転板２を成形することがで
き、回転板２のコストの低減を図ることができる。又、
磁路変更片６ａ〜６ｃを備えた回転板２を焼結金属にて
成形してもよい。

【００９４】この場合でも、回転板の面にＮ極の領域と
Ｓ極の領域を等角度間隔に着磁形成するのに比べて、高
度な加工精度を必要とせず安価に回転板２を形成するこ
とができる。又、磁路変更片６ａ〜６ｃと回転板２とを
別々に成形し、磁路変更片６ａ〜６ｃを回転板２に対し
て溶接等で固着するようにしてもよい。

【００９５】○ 図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、
磁路変更片６ａ〜６ｃを薄く形成する。そして、磁路変
更片６ａ〜６ｃが第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ
〜２３ｂと対向する位置あるとき、図１６（ｂ）に示す
ように、第１〜第３バイアスマグネット２１ｂ〜２３ｂ
から出る磁束が薄い磁路変更片６ａ〜６ｃの外側に漏
れ、その漏れた磁束が磁路変更片６ａ〜６ｃに沿って流
れるようにする。そして、第１〜第３磁気抵抗素子２１
ａ〜２３ａは、図１６（ａ）に示すように磁路変更片６
ａ〜６ｃがない状態にあって、各素子２１ａ〜２３ａを
通過する磁束の向きが半径方向に向くとき、Ｈレベルの
検出電圧Ｖｏｕｔを出力し、図１６（ｂ）に示すように
磁路変更片６ａ〜６ｃがない状態にあって、各素子２１
ａ〜２３ａを通過する磁束の向きが回転板２の接線方向
に向くとき、Ｌレベルの検出電圧Ｖｏｕｔを出力するよ
うに配置して実施してもよい。即ち、図１６（ａ）の場
合、各素子２１ａ〜２３ａを構成する抵抗体ＲＡ，ＲＢ
に対して図１７（ａ）に矢印で示す向きに磁束が向くこ
とになり、検出電圧Ｖｏｕｔは図１８に示すように最も
高い電圧（＝Ｖ）となる。反対に、図１６（ｂ）の場
合、各素子２１ａ〜２３ａを構成する抵抗体ＲＡ，ＲＢ
に対して図１７（ｂ）に矢印で示す向きに磁束が向くこ
とになり、検出電圧Ｖｏｕｔは図１８に示すように最も
低い電圧（≒０）となる。

【００９６】この場合、前記第２実施形態と同様な効果
を得ることができる。 ○ 第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａ，２１ａ〜
２３ａについて、検出電圧ＶｏｕｔがＨレベルのとき、
抵抗体ＲＡの抵抗値が最小となり、抵抗体ＲＢの抵抗値
が最大となり、反対に、検出電圧ＶｏｕｔがＬレベルの
とき、抵抗体ＲＡの抵抗値が最大となり、抵抗体ＲＢの
抵抗値が最小となるように、第１〜第３磁気抵抗素子１
３ａ〜１５ａ，２１ａ〜２３ａを配置するようにしても
よい。

【００９７】この場合、検出電圧ＶｏｕｔのＨレベルと
Ｌレベルの振幅値が最大となり、感度の高い検出電圧Ｖ
ｏｕｔを得ることができる。 ○ 第３実施形態の構成中、磁路変更片（磁路形成片）
１８ａ〜１８ｃを省略した構成としてもよい。

【００９８】次に、上記した実施の形態から把握できる
請求項に記載した発明以外の技術的思想について、それ
らの効果とともに以下に記載する。 （１）請求項２に記載の回転検出センサにおいて、前記
回転板の中心部には、磁路形成凸部を磁路形成片と同方
向に形成した回転検出センサ。

【００９９】この場合、上記第１実施形態（１）〜
（４）に示す同じ効果を奏する。 （２）請求項２に記載の回転検出センサにおいて、前記
回転板の中心部には、回転板の外周側に設けた磁路形成
片と対応するように磁路形成片を形成した回転検出セン
サ。

【０１００】こうすることにより、回転検出センサの感
度を向上することができる。

【０１０１】

【発明の効果】請求項１〜５に記載の発明によれば、部
品点数を増やすことなく周囲の影響を回避することがで
き、しかも高い加工精度を必要としない回転板を用い
て、精度の高い回転検出を行うことのできる効果を有す
る 又、請求項４に記載の発明によれば、隣接する他の磁気
抵抗素子の磁石とは、その磁気極性が互いに反対向きに
配置されているため、隣接した磁石の磁束同士が反発し
合うことがなく、磁束が乱れることが少ない。このた
め、磁路変更片の位置変化に起因する磁束のベクトル変
化が大きくなり、この結果、磁気抵抗素子の検出出力を
大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の回転位置センサの要部分解斜視
図。

【図２】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す
平面図。

【図３】同じく回転位置センサの要部断面図。

【図４】同じく磁気抵抗素子の等価回路図。

【図５】第２実施形態を説明するための回転板と磁気検
知部材の配置関係を示す平面図。

【図６】同じく回転位置センサの要部断面図。

【図７】磁気抵抗素子への磁束のかかり方を説明するた
めの説明図であって、（ａ）は磁路変更片がない場合の
磁束のかかり方を示し、（ｂ）は磁路変更片がある場合
の磁束のかかり方を示す。

【図８】第２実施形態における磁気抵抗素子の出力電圧
を示す電気特性図。

【図９】第３実施形態における回転位置センサの要部分
解斜視図。

【図１０】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示
す平面図。

【図１１】同じく回転位置センサの要部断面図。

【図１２】第３実施形態の作用を示す説明図。

【図１３】同じく第３実施形態の作用を示す説明図。

【図１４】第３実施形態の作用との比較を示すための説
明図。

【図１５】同じく第３実施形態の作用との比較を示すた
めの説明図。

【図１６】別の実施形態を説明するための磁路変更片と
磁気検知部材の関係を示す図であって、（ａ）は磁路変
更片がない状態を示し、（ｂ）は磁路変更片がある状態
を示す。

【図１７】別の実施形態において、磁気抵抗素子への磁
束のかかり方を説明するための説明図であって、（ａ）
は磁路変更片がない場合の磁束のかかり方を示し、
（ｂ）は磁路変更片がある場合の磁束のかかり方を示
す。

【図１８】別の実施形態における磁気抵抗素子の出力電
圧を示す電気特性図。

【図１９】絶対位置を検出するマグネットと磁気抵抗素
子を用いた回転位置センサの検出原理を説明する説明
図。

【符号の説明】

１…回転位置センサ、２…回転板、３…磁気検知部材、
４…回転体としてのステアリングシャフト、６ａ，６
ｂ，６ｃ…磁路変更片、７ａ，７ｂ，７ｃ…空間、８…
磁路形成凸部、９…貫通孔、１０…検知部本体、１１…
支持アーム、１２…樹脂モールド材、１３，２１…第１
の磁気検知体，１４，２２…第２の磁気検知体，１５，
２３…第３の磁気検知体、１３ａ，２１ａ…第１磁気抵
抗素子、１３ｂ，２１ｂ…第１バイアスマグネット、１
４ａ，２２ａ…第２磁気抵抗素子、１４ｂ，２２ｂ…第
２バイアスマグネット、１５ａ，２３ａ…第３磁気抵抗
素子、１５ｂ，２３ｂ…第３バイアスマグネット、Ｖｏ
ｕｔ…検出電圧、ＲＡ，ＲＢ…抵抗体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南 勝広 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 小木曽 克也 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 鈴木 隆司 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 谷口 政弘 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 Ｆターム(参考） 2F063 AA35 CA40 DA19 DD04 EA03 GA53 GA67 GA69 2F077 AA49 NN02 NN21 PP14 QQ07 QQ08 QQ10 QQ15 RR03 RR07 RR08 RR13 TT13 TT32 TT44 VV01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転面の周方向に所定の間隔に磁路変更
   片（６ａ〜６ｃ）を立設した回転板（２）と、 前記回転板（２）に対して所定の向きに配設された磁石
   と該磁石を検出する磁気検知素子とからなり、前記磁石
   及び磁気検知素子の少なくともいずれか一方をその回転
   板（２）に形成した磁路変更片（６ａ〜６ｃ）より内側
   に配設した磁気検知部材（３）とからなる回転検出セン
   サ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の回転検出センサにおい
   て、 前記回転板（２）に形成した磁路変更片（６ａ〜６ｃ）
   は、磁路形成片であり、 前記磁気検知部材（３）の前記磁気検知素子は磁束の向
   きによってその出力信号のレベルが変化する磁気抵抗素
   子であって、前記磁石とともに前記磁路変更片（６ａ〜
   ６ｃ）より内側に配設したものである回転検出センサ。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の回転検出センサにおい
   て、 前記回転板（２）に形成した磁路変更片（６ａ〜６ｃ）
   は、磁路遮蔽片であり、 前記磁気検知部材（３）を構成する前記磁気検知素子及
   び前記磁石のいずれか一方を前記磁路変更片（６ａ〜６
   ｃ）より内側に配置し、他方を前記磁路変更片（６ａ〜
   ６ｃ）より外側に配設したものである回転検出センサ。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のうちいずれか１
   項に記載の回転検出センサにおいて、 磁気検知部材を構成する磁気検知素子及び磁石は、それ
   ぞれ互いに所定間隔を隔てて複数個配置され、複数の磁
   石は、隣り合う磁石とは、その磁気極性が互いに反対向
   きに配置したものである回転検出センサ。
5. 【請求項５】 回転面の周方向に所定の間隔に磁路変更
   片（６ａ〜６ｃ）を立設した回転検出センサ用回転板。