JPH09229614A - 回転体用センサ - Google Patents
回転体用センサInfo
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- JPH09229614A JPH09229614A JP8032176A JP3217696A JPH09229614A JP H09229614 A JPH09229614 A JP H09229614A JP 8032176 A JP8032176 A JP 8032176A JP 3217696 A JP3217696 A JP 3217696A JP H09229614 A JPH09229614 A JP H09229614A
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- Japan
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- bias magnet
- rotating body
- bias
- mre
- magnetoresistive element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組付け作業能率が向上するとともに、検出出
力の高い回転体用センサを得る。 【解決手段】 回転体３とバイアス磁石５との間に介在
し、前記回転体３の回転に伴って前記バイアス磁石５か
ら前記回転体３に入る磁束密度の変化に応答して電流抵
抗値が変化する磁気抵抗素子７とを備え、前記バイアス
磁石５から前記磁気抵抗素子７に入る磁束（バイアス磁
界Ｍ）の方向が、前記バイアス磁石５と前記磁気抵抗素
子７との対向方向に対して所定の角度Ｘを有する。
力の高い回転体用センサを得る。 【解決手段】 回転体３とバイアス磁石５との間に介在
し、前記回転体３の回転に伴って前記バイアス磁石５か
ら前記回転体３に入る磁束密度の変化に応答して電流抵
抗値が変化する磁気抵抗素子７とを備え、前記バイアス
磁石５から前記磁気抵抗素子７に入る磁束（バイアス磁
界Ｍ）の方向が、前記バイアス磁石５と前記磁気抵抗素
子７との対向方向に対して所定の角度Ｘを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子の電
流抵抗値変化に応答して、被検体となる回転体（磁性
体）の回転速度や回転角度などが検出される際に好適な
回転体用センサに関する。
流抵抗値変化に応答して、被検体となる回転体（磁性
体）の回転速度や回転角度などが検出される際に好適な
回転体用センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の回転体用センサでは、回転自在
とされた回転体本体の外周側面に、複数のギアが突出形
成された磁性回転体（被検体）のギアに向けて、バイア
ス磁界を発生するバイアス磁石が、被検体と所望の距離
だけ離間した位置に配置されており、回転体本体（ギ
ア）が回転されるのに対応して、そのバイアス磁界が変
化される。
とされた回転体本体の外周側面に、複数のギアが突出形
成された磁性回転体（被検体）のギアに向けて、バイア
ス磁界を発生するバイアス磁石が、被検体と所望の距離
だけ離間した位置に配置されており、回転体本体（ギ
ア）が回転されるのに対応して、そのバイアス磁界が変
化される。
【０００３】そして、被検体とバイアス磁石との間に
は、磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥと称する）が介在さ
れ、ギアの回転に伴ってバイアス磁界が変化するのに応
答して、自身の電流抵抗値が変化するので、その電流抵
抗値の変化を検出することにより、回転体本体の運動を
検出できる。
は、磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥと称する）が介在さ
れ、ギアの回転に伴ってバイアス磁界が変化するのに応
答して、自身の電流抵抗値が変化するので、その電流抵
抗値の変化を検出することにより、回転体本体の運動を
検出できる。
【０００４】この場合、バイアス磁界中の磁束密度は、
バイアス磁石の磁束出射面中央部位置で一番大きく、磁
束出射面端部位置にかけて次第に発散しており、また、
ギアの回転によって、磁束の方向が、バイアス磁石とギ
アとの対向方向に対して角度を有するように変化する。
バイアス磁石の磁束出射面中央部位置で一番大きく、磁
束出射面端部位置にかけて次第に発散しており、また、
ギアの回転によって、磁束の方向が、バイアス磁石とギ
アとの対向方向に対して角度を有するように変化する。
【０００５】そして、ＭＲＥは、電流抵抗値が変化する
ように形成された膜では、その膜に垂直な方向の磁界変
化に対しては感度がなく、その膜の面に平行な磁束変化
に応答して、その電気抵抗値が変化するという特性を有
しているので、バイアス磁石の磁束出射面中央部位置に
対向する位置にＭＲＥが配置されると、磁界−電流抵抗
値曲線では、磁界がゼロとなる点が動作点となり、その
動作点を中心に磁界が加わる。
ように形成された膜では、その膜に垂直な方向の磁界変
化に対しては感度がなく、その膜の面に平行な磁束変化
に応答して、その電気抵抗値が変化するという特性を有
しているので、バイアス磁石の磁束出射面中央部位置に
対向する位置にＭＲＥが配置されると、磁界−電流抵抗
値曲線では、磁界がゼロとなる点が動作点となり、その
動作点を中心に磁界が加わる。
【０００６】そのため、１周期の信号に対して、電流抵
抗値の変化は（１／２）周期となって、一つのギアに対
しては、２つのピーク値（山）が検出されるので、信号
磁界に対して、適当な磁界を重畳させるなどして、その
動作点を、磁界がゼロでない点にずらす必要がある。
抗値の変化は（１／２）周期となって、一つのギアに対
しては、２つのピーク値（山）が検出されるので、信号
磁界に対して、適当な磁界を重畳させるなどして、その
動作点を、磁界がゼロでない点にずらす必要がある。
【０００７】そこで、その動作点をずらす手段として、
特開平３−１７５６８４号公報には、バイアス磁石に対
して、ＭＲＥが傾けられる構成と、ＭＲＥがバイアス磁
石の中心軸位置から偏倚した位置に配置される構成が示
されている。
特開平３−１７５６８４号公報には、バイアス磁石に対
して、ＭＲＥが傾けられる構成と、ＭＲＥがバイアス磁
石の中心軸位置から偏倚した位置に配置される構成が示
されている。
【０００８】すなわち、図３、図４、および図５から理
解されるように、ＭＲＥ１００は、バイアス磁石１１０
の磁束放射面Ｒに対して、ＭＲＥ１００の長さ方向では
角度αだけ傾けられるとともに、ＭＲＥ１００の幅方向
では角度θだけ傾けられている。なお、図４には、図３
におけるＡ矢視が示されており、図５には、図３におけ
るＢ矢視が示されている。また、図６に示された例で
は、ＭＲＥ１００が、バイアス磁石１１０の中心軸位置
Ｏから所望の距離だけ偏倚した位置に配置されている。
解されるように、ＭＲＥ１００は、バイアス磁石１１０
の磁束放射面Ｒに対して、ＭＲＥ１００の長さ方向では
角度αだけ傾けられるとともに、ＭＲＥ１００の幅方向
では角度θだけ傾けられている。なお、図４には、図３
におけるＡ矢視が示されており、図５には、図３におけ
るＢ矢視が示されている。また、図６に示された例で
は、ＭＲＥ１００が、バイアス磁石１１０の中心軸位置
Ｏから所望の距離だけ偏倚した位置に配置されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＲＥ
１００自体がバイアス磁石１１０の磁束放射面Ｒに対し
て傾けられる構成では、ＭＲＥ１００とバイアス磁石１
１０との間に、ＭＲＥ１００が傾いた状態で保持される
スペーサ部材等が必要となり、部品点数が多くなるとと
もに、適正な傾き角度で組付けることが困難であるた
め、組付け作業に手間が掛かる。
１００自体がバイアス磁石１１０の磁束放射面Ｒに対し
て傾けられる構成では、ＭＲＥ１００とバイアス磁石１
１０との間に、ＭＲＥ１００が傾いた状態で保持される
スペーサ部材等が必要となり、部品点数が多くなるとと
もに、適正な傾き角度で組付けることが困難であるた
め、組付け作業に手間が掛かる。
【００１０】また、ＭＲＥ１００が、バイアス磁石１１
０の中心軸位置Ｏから偏倚した位置に配置される構成で
は、バイアス磁石１１０からの磁束が発散している部分
の磁束が利用されるため、センサ出力が小さく、検出精
度が悪くなる場合がある。本発明は上記状況に鑑みてな
されたもので、組付け作業能率が向上されるとともに、
検出出力が高い回転体用センサを提供し、回転体の回転
速度や回転角度の検出出力の向上を図ることを目的とす
る。
０の中心軸位置Ｏから偏倚した位置に配置される構成で
は、バイアス磁石１１０からの磁束が発散している部分
の磁束が利用されるため、センサ出力が小さく、検出精
度が悪くなる場合がある。本発明は上記状況に鑑みてな
されたもので、組付け作業能率が向上されるとともに、
検出出力が高い回転体用センサを提供し、回転体の回転
速度や回転角度の検出出力の向上を図ることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る回転体用センサは、回転自在とされた回
転体本体の外周側面に、複数のギアが周設されて被検体
となる磁性回転体の、前記ギアと対向する位置に、所望
の距離だけ離間させて配置したバイアス磁石と、前記回
転体と前記バイアス磁石との間に介在し、前記回転体の
回転に伴って前記バイアス磁石が形成するバイアス磁界
の変化に応答して電流抵抗値が変化する磁気抵抗素子と
を具備し、前記バイアス磁石から前記磁気抵抗素子に入
る磁束の方向が、該バイアス磁石と該磁気抵抗素子との
対向方向に対し、所望の角度を有するように設定された
ことを特徴とする。
の本発明に係る回転体用センサは、回転自在とされた回
転体本体の外周側面に、複数のギアが周設されて被検体
となる磁性回転体の、前記ギアと対向する位置に、所望
の距離だけ離間させて配置したバイアス磁石と、前記回
転体と前記バイアス磁石との間に介在し、前記回転体の
回転に伴って前記バイアス磁石が形成するバイアス磁界
の変化に応答して電流抵抗値が変化する磁気抵抗素子と
を具備し、前記バイアス磁石から前記磁気抵抗素子に入
る磁束の方向が、該バイアス磁石と該磁気抵抗素子との
対向方向に対し、所望の角度を有するように設定された
ことを特徴とする。
【００１２】また、前記回転体用センサの実施の形態と
しては、前記バイアス磁石の前記磁気抵抗素子との対向
面がテーパ状に形成されることにより、前記角度が設定
されることを特徴としてもよい。
しては、前記バイアス磁石の前記磁気抵抗素子との対向
面がテーパ状に形成されることにより、前記角度が設定
されることを特徴としてもよい。
【００１３】さらに、前記回転体用センサの他の実施の
形態としては、前記バイアス磁石と前記磁気抵抗素子と
の対向方向に対して、斜め方向となる方向に、該バイア
ス磁石が着磁されることにより、前記角度が設定される
ことを特徴としてもよい。
形態としては、前記バイアス磁石と前記磁気抵抗素子と
の対向方向に対して、斜め方向となる方向に、該バイア
ス磁石が着磁されることにより、前記角度が設定される
ことを特徴としてもよい。
【００１４】そして、前記バイアス磁石から前記磁気抵
抗素子に入る磁束の方向が、該バイアス磁石と該磁気抵
抗素子との対向方向に対し、所望の角度を有するように
設定されているので、動作点をずらして出力振幅を大き
くし、検出精度を向上できる。また、前記バイアス磁石
の前記磁気抵抗素子との対向面がテーパ状に形成される
ことにより、前記角度が設定されるので、従来のような
スペーサ部材が不要で、部品点数が減少されるととも
に、バイアス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易とな
る。
抗素子に入る磁束の方向が、該バイアス磁石と該磁気抵
抗素子との対向方向に対し、所望の角度を有するように
設定されているので、動作点をずらして出力振幅を大き
くし、検出精度を向上できる。また、前記バイアス磁石
の前記磁気抵抗素子との対向面がテーパ状に形成される
ことにより、前記角度が設定されるので、従来のような
スペーサ部材が不要で、部品点数が減少されるととも
に、バイアス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易とな
る。
【００１５】さらに、前記バイアス磁石と前記磁気抵抗
素子との対向方向に対して、斜め方向となる方向に、該
バイアス磁石が着磁されていれば、前記角度が設定され
るので、従来のようなスペーサ部材が不要で、部品点数
が減少されるとともに、バイアス磁石に対するＭＲＥの
位置決めが容易となる。
素子との対向方向に対して、斜め方向となる方向に、該
バイアス磁石が着磁されていれば、前記角度が設定され
るので、従来のようなスペーサ部材が不要で、部品点数
が減少されるとともに、バイアス磁石に対するＭＲＥの
位置決めが容易となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る回転体用セン
サの好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。図１
から理解されるように、回転体用センサ１が適用される
被検体（回転体）３は、磁性体によって形成され、その
被検体３は、自身の軸回りに回転自在とされた円盤状回
転体本体３Ａと、この回転体本体３Ａの外周側面に周回
させて突出形成された複数のギア３Ｂとを有している。
サの好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。図１
から理解されるように、回転体用センサ１が適用される
被検体（回転体）３は、磁性体によって形成され、その
被検体３は、自身の軸回りに回転自在とされた円盤状回
転体本体３Ａと、この回転体本体３Ａの外周側面に周回
させて突出形成された複数のギア３Ｂとを有している。
【００１７】回転体用センサ１には、バイアス磁石５
と、磁気抵抗素子（ＭＲＥ）７とが備えられ、バイアス
磁石５は、被検体３と所望の距離だけ離間した位置に配
置されており、被検体３のギア３Ａに向けて矢印Ｍで示
されるバイアス磁界が発生され、回転体本体３Ａ（ギア
３Ｂ）が回転されるのに対応して、そのバイアス磁界Ｍ
が変化されるように構成されている。この場合、バイア
ス磁石５は、磁束の方向が自身の軸方向に沿うように着
磁されている。
と、磁気抵抗素子（ＭＲＥ）７とが備えられ、バイアス
磁石５は、被検体３と所望の距離だけ離間した位置に配
置されており、被検体３のギア３Ａに向けて矢印Ｍで示
されるバイアス磁界が発生され、回転体本体３Ａ（ギア
３Ｂ）が回転されるのに対応して、そのバイアス磁界Ｍ
が変化されるように構成されている。この場合、バイア
ス磁石５は、磁束の方向が自身の軸方向に沿うように着
磁されている。
【００１８】また、ＭＲＥ７は、被検体３とバイアス磁
石５との間に介在され、ギア３Ａの回転に伴ってバイア
ス磁界Ｍが変化するのに応答して、ＭＲＥ７の電流抵抗
値が変化するので、その電流抵抗値の変化が検出される
ことにより、回転体本体３Ａの運動（回転速度、回転角
度など）を検出することができる。
石５との間に介在され、ギア３Ａの回転に伴ってバイア
ス磁界Ｍが変化するのに応答して、ＭＲＥ７の電流抵抗
値が変化するので、その電流抵抗値の変化が検出される
ことにより、回転体本体３Ａの運動（回転速度、回転角
度など）を検出することができる。
【００１９】ここで、バイアス磁石５が、ＭＲＥ７と対
向する磁束放射面Ｒは、切削加工等により、テーパ状に
形成されている。そして、バイアス磁石５の磁束放射面
Ｒから出る磁束は、磁束放射面Ｒに対して垂直な方向へ
放射されるので、ＭＲＥ７のバイアス磁石５との対向面
Ｔに入る磁束の方向は、その対向面Ｔに対して傾いてい
る。すなわち、バイアス磁石５のバイアス磁界Ｍを形成
している磁束は、テーパ状の磁束放射面Ｒの傾きに対応
して、対向面Ｔに対して、所望の角度Ｘを有するように
設定されており、その結果、回転体用センサ１では、Ｍ
ＲＥ７の動作点は、バイアス磁界Ｍがゼロでない点にず
れる。
向する磁束放射面Ｒは、切削加工等により、テーパ状に
形成されている。そして、バイアス磁石５の磁束放射面
Ｒから出る磁束は、磁束放射面Ｒに対して垂直な方向へ
放射されるので、ＭＲＥ７のバイアス磁石５との対向面
Ｔに入る磁束の方向は、その対向面Ｔに対して傾いてい
る。すなわち、バイアス磁石５のバイアス磁界Ｍを形成
している磁束は、テーパ状の磁束放射面Ｒの傾きに対応
して、対向面Ｔに対して、所望の角度Ｘを有するように
設定されており、その結果、回転体用センサ１では、Ｍ
ＲＥ７の動作点は、バイアス磁界Ｍがゼロでない点にず
れる。
【００２０】なお、この実施の形態では、バイアス磁石
５とＭＲＥ７とが、樹脂９等に寄ってモールドされて一
体化されている。また、バイアス磁石５の磁束放射面Ｒ
との対向面Ｐと、ＭＲＥ７の面Ｔとの対向面Ｑとが、平
行になる姿勢でバイアス磁石５とＭＲＥ７とを配置して
おくだけで、バイアス磁界Ｍが対向面Ｔに対して、所望
の角度Ｘを有するように設定することができる。
５とＭＲＥ７とが、樹脂９等に寄ってモールドされて一
体化されている。また、バイアス磁石５の磁束放射面Ｒ
との対向面Ｐと、ＭＲＥ７の面Ｔとの対向面Ｑとが、平
行になる姿勢でバイアス磁石５とＭＲＥ７とを配置して
おくだけで、バイアス磁界Ｍが対向面Ｔに対して、所望
の角度Ｘを有するように設定することができる。
【００２１】以上説明したように、この実施の形態で
は、バイアス磁石５の磁束放射面Ｒがテーパ状に形成さ
れることにより、バイアス磁石５からＭＲＥ７に入る磁
束（バイアス磁界Ｍ）の方向が、バイアス磁石５とＭＲ
Ｅ７との対向方向に対して所望の角度Ｘを有するように
設定されている。従って、バイアス磁界Ｍは面Ｔに対し
ても、その角度Ｘを有するため、従来のように、ＭＲＥ
７が傾斜された状態を保持等するためのスペーサ部材が
不要で、部品点数が減少されるとともに、バイアス磁石
５に対するＭＲＥ７の位置決め（角度調整）が容易とな
る結果、組付け作業能率が向上される。
は、バイアス磁石５の磁束放射面Ｒがテーパ状に形成さ
れることにより、バイアス磁石５からＭＲＥ７に入る磁
束（バイアス磁界Ｍ）の方向が、バイアス磁石５とＭＲ
Ｅ７との対向方向に対して所望の角度Ｘを有するように
設定されている。従って、バイアス磁界Ｍは面Ｔに対し
ても、その角度Ｘを有するため、従来のように、ＭＲＥ
７が傾斜された状態を保持等するためのスペーサ部材が
不要で、部品点数が減少されるとともに、バイアス磁石
５に対するＭＲＥ７の位置決め（角度調整）が容易とな
る結果、組付け作業能率が向上される。
【００２２】次に、本発明に係る回転体用センサの好適
な他の実施の形態を図面に基づいて説明する。図２から
理解されるように、この実施の形態では、バイアス磁石
５の着磁方向（図中、矢印Ｎ−Ｓで示されている）が、
バイアス磁石５とＭＲＥ７との対向方向、すなわち、磁
束放射面Ｒと垂直な方向に対して、所望の角度Ｘを有す
るように設定されている。
な他の実施の形態を図面に基づいて説明する。図２から
理解されるように、この実施の形態では、バイアス磁石
５の着磁方向（図中、矢印Ｎ−Ｓで示されている）が、
バイアス磁石５とＭＲＥ７との対向方向、すなわち、磁
束放射面Ｒと垂直な方向に対して、所望の角度Ｘを有す
るように設定されている。
【００２３】従って、バイアス磁石５が形成するバイア
ス磁界Ｍは、ＭＲＥ７の面Ｔに対して、角度Ｘで入るの
で、その結果、回転体用センサ１では、ＭＲＥ７の動作
点は、バイアス磁界Ｍがゼロでない点にずれる。
ス磁界Ｍは、ＭＲＥ７の面Ｔに対して、角度Ｘで入るの
で、その結果、回転体用センサ１では、ＭＲＥ７の動作
点は、バイアス磁界Ｍがゼロでない点にずれる。
【００２４】そして、この実施の形態では、バイアス磁
石５とＭＲＥ７とが、樹脂９等によってモールドされて
一体化されている。また、バイアス磁石５の磁束放射面
Ｒと、ＭＲＥ７の面Ｔとが、平行になる姿勢でバイアス
磁石５とＭＲＥ７とを配置しておくだけで、バイアス磁
界Ｍが対向面Ｔに対して、所望の角度Ｘを有するように
設定することができる。なお、図２において、図１と同
一部材には、同一符号を付し、その説明は省略した。
石５とＭＲＥ７とが、樹脂９等によってモールドされて
一体化されている。また、バイアス磁石５の磁束放射面
Ｒと、ＭＲＥ７の面Ｔとが、平行になる姿勢でバイアス
磁石５とＭＲＥ７とを配置しておくだけで、バイアス磁
界Ｍが対向面Ｔに対して、所望の角度Ｘを有するように
設定することができる。なお、図２において、図１と同
一部材には、同一符号を付し、その説明は省略した。
【００２５】以上説明したように、この実施の形態で
は、バイアス磁石５がＭＲＥ７との対向方向に対して、
傾斜した方向Ｎ−Ｓに、バイアス磁石５が着磁されるこ
とにより、角度Ｘが設定される。従って、バイアス磁界
Ｍは面Ｔに対しても、その角度Ｘを有するため、従来の
ように、ＭＲＥ７が傾斜された状態を保持等するための
スペーサ部材等が不要で、部品点数が減少されるととも
に、バイアス磁石５に対するＭＲＥ７の位置決め（角度
調整）が容易となる結果、組付け作業能率が向上され
る。
は、バイアス磁石５がＭＲＥ７との対向方向に対して、
傾斜した方向Ｎ−Ｓに、バイアス磁石５が着磁されるこ
とにより、角度Ｘが設定される。従って、バイアス磁界
Ｍは面Ｔに対しても、その角度Ｘを有するため、従来の
ように、ＭＲＥ７が傾斜された状態を保持等するための
スペーサ部材等が不要で、部品点数が減少されるととも
に、バイアス磁石５に対するＭＲＥ７の位置決め（角度
調整）が容易となる結果、組付け作業能率が向上され
る。
【００２６】また、上記２つの実施の形態において、Ｍ
ＲＥ７がバイアス磁石５の中心軸位置に配置されている
ため、ＭＲＥ７をバイアス磁石５の中心軸位置から偏倚
させる構成に比べ、検出出力が大きく、かつ適正となる
ので、被検体３の回転速度検出や回転角度検出など回転
体用センサとしての信頼性がさらに向上するという利点
も有する。
ＲＥ７がバイアス磁石５の中心軸位置に配置されている
ため、ＭＲＥ７をバイアス磁石５の中心軸位置から偏倚
させる構成に比べ、検出出力が大きく、かつ適正となる
ので、被検体３の回転速度検出や回転角度検出など回転
体用センサとしての信頼性がさらに向上するという利点
も有する。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、前記バイアス磁石か
ら前記磁気抵抗素子に入る磁束の方向が、該バイアス磁
石と該磁気抵抗素子との対向方向に対し、所望の角度を
有するように設定されているので、ＭＲＥの出力振幅を
大きくさせて検出精度を向上できる。また、前記バイア
ス磁石の前記磁気抵抗素子との対向面がテーパ状に形成
されることにより、前記角度が設定されるので、従来の
ようなスペーサ部材を不要にし、部品点数が減少すると
ともに、バイアス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易
となる結果、組付け作業能率が向上されるとともに、検
出出力が大きく、かつ適正となる。さらに、前記バイア
ス磁石と前記磁気抵抗素子との対向方向に対して、斜め
方向となる方向に、該バイアス磁石が着磁されることに
より、前記角度が設定されるので、従来のようなスペー
サ部材を不要にし、部品点数が減少するとともに、バイ
アス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易となる結果、
組付け作業能率が向上されるとともに、検出出力が大き
く、かつ適正となる。
ら前記磁気抵抗素子に入る磁束の方向が、該バイアス磁
石と該磁気抵抗素子との対向方向に対し、所望の角度を
有するように設定されているので、ＭＲＥの出力振幅を
大きくさせて検出精度を向上できる。また、前記バイア
ス磁石の前記磁気抵抗素子との対向面がテーパ状に形成
されることにより、前記角度が設定されるので、従来の
ようなスペーサ部材を不要にし、部品点数が減少すると
ともに、バイアス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易
となる結果、組付け作業能率が向上されるとともに、検
出出力が大きく、かつ適正となる。さらに、前記バイア
ス磁石と前記磁気抵抗素子との対向方向に対して、斜め
方向となる方向に、該バイアス磁石が着磁されることに
より、前記角度が設定されるので、従来のようなスペー
サ部材を不要にし、部品点数が減少するとともに、バイ
アス磁石に対するＭＲＥの位置決めが容易となる結果、
組付け作業能率が向上されるとともに、検出出力が大き
く、かつ適正となる。
【図１】本発明に係る回転体用センサの一実施形態によ
る概略構成図である。
る概略構成図である。
【図２】本発明に係る回転体用センサの他の実施形態に
おける概略構成図である。
おける概略構成図である。
【図３】従来の回転体用センサの構成図である。
【図４】図３におけるＡ矢視図である。
【図５】図３におけるＢ矢視図である。
【図６】従来例の他の回転体用センサの構成図である。
１ 回転体用センサ ３ 被検体（磁性回転体） ３Ａ 回転体本体 ３Ｂ ギア ５ バイアス磁石 ７ ＭＲＥ（磁気抵抗素子） ９ モールド部材 Ｍ バイアス磁界 Ｒ 磁束放射面
Claims (3)
- 【請求項１】 回転自在にされた回転体本体の外周側面
に、複数のギアが周設されて被検体となる磁性回転体
の、前記ギアと対向する位置に、所望の距離だけ離間さ
せて配置したバイアス磁石と、 前記回転体と前記バイアス磁石との間に介在し、前記回
転体の回転に伴って前記バイアス磁石が形成するバイア
ス磁界の変化に応答して電流抵抗値が変化する磁気抵抗
素子と、 を具備し、 前記バイアス磁石から前記磁気抵抗素子に入る磁束の方
向が、該バイアス磁石と該磁気抵抗素子との対向方向に
対し、所望の角度を有するように設定された、 ことを特徴とする回転体用センサ。 - 【請求項２】 前記バイアス磁石の前記磁気抵抗素子と
の対向面がテーパ状に形成されることにより、前記角度
が設定される、 ことを特徴とする請求項１記載の回転体用センサ。 - 【請求項３】 前記バイアス磁石と前記磁気抵抗素子と
の対向方向に対して、斜め方向となる方向に、該バイア
ス磁石が着磁されることにより、前記角度が設定され
る、 ことを特徴とする請求項１記載の回転体用センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032176A JPH09229614A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 回転体用センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032176A JPH09229614A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 回転体用センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09229614A true JPH09229614A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12351637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8032176A Pending JPH09229614A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 回転体用センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09229614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2822946A1 (fr) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Denso Corp | Dispositif de detection de mouvement utilisant une unite magnetoresistive |
| US6639399B2 (en) * | 2001-02-06 | 2003-10-28 | Delphi Technologies, Inc. | Target wheel sensor assembly for determining position and direction of motion of a rotating target wheel |
| JP2010133943A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Hitachi Cable Ltd | インデックスセンサ |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP8032176A patent/JPH09229614A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639399B2 (en) * | 2001-02-06 | 2003-10-28 | Delphi Technologies, Inc. | Target wheel sensor assembly for determining position and direction of motion of a rotating target wheel |
| FR2822946A1 (fr) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Denso Corp | Dispositif de detection de mouvement utilisant une unite magnetoresistive |
| US6954063B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Motion detecting device using magnetoresistive unit |
| JP2010133943A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Hitachi Cable Ltd | インデックスセンサ |
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